В устройстве используется ATMEGA162 и озу IS62LV256AL питание 3.3V.
Нужно чтобы в озу сохранялись данные после выключения питания.
Как это сделать?
Догадываюсь что нужен аккумулятор, но какой и как его подключить к озу?

А не проще применить FRAM память? Она не боится таких отключений
По теме, подключить аккумулятор только для памяти по моему извратно, проще поставить его для обоих (МК и ОЗУ)

Делали такое когда FRAM золотая была, питать через диоды, на шинах резисторы чтобы минимизировать токи утечек (тут без схемы ничего не скажешь), но имхо, лучше FRAM.

FRAM ???

Дык вроде у нее (FRAM) вроде ограничение есть на количество операций read/write ?
Или я ошибаюсь?

Есть ограничения триллионами исчисляется Тут можно посмотреть

Че то я никак не пойму эти ихние "100 Trillion (10Е+14) Read/Writes"

Если зафиксировать адрес и /CE а на /WR или /RD подать частоту к примеру 5MHz то когда имс сдохнет????

А всетаки как правильно SRAM запитать?

Через 6 лет непрерывной работы. )))

Неа, ячейка будет измотана через 231,48 суток ((((1*10Е14/5*10Е6)/3600)/24)

Нажмите для просмотра прикрепленного файла
R2 подкл к А15
Номинал - скорей всего 4к7, а не 10к.

Т.е. через 1Е14 раз чтения или записи будет убита только ОДНА ячейка а остальные будут рабочими? или ВСЯ память накроется?



Спасибо _Pasha!
1. т.е. для AVRa с адреса 8000H будет RAM?
2. А можно ли С1 заменить на аккумулятор с последовательно включенным резистором ограничивающим ток заряда?
3. Что бедет на входе /CE при вкл/выкл ? т.е. когда питание уже есть а RESET еще/уже ноль.

1. Да
2. Можно
3. Вопрос философский Для старых систем на 8051 это был целый геморрой и без монитора питания там делать было нечего. В данном случае - при включенном BOD - нога А15 оказывается в 3-м состоянии и очень велика вероятность, что все будет работать нормально.

Насколько я понимаю, ресурс 1Е14 циклов записи, подразумевает в каждую ячейку. Потому, для всей микросхемы, время убийства будет = объем памяти * 231,5 суток.

1. А можно А15 через резюк 10кОм на землю подключить и убрать этим Z состояние?
2. Интересно: как подсчитать на какое время хранения хватит заряда 100мкF кондера?

1. Конечно, можно
2. Взять RAM data retention voltage, ток потребления в микропотр. режиме, начальн. напряжение с учетом того, что в момент срабатывания БОД проходила запись или чтение (т.е. худший случай), Iкб0 транзистора - и посчитать.

Ув. _Pasha, я не знаю как посчитать время хранения. Помогите чайнику плиз
Если поставить кондер 100mkF , vcc=3.3V,
Idr (Data Retention Current) RAM= 50nA,
Vdr (Vdd for Data Retention) RAM=2V,
Iкб0=15nA и взять худший и не худший случай.
Максимальная длительность /CE = 200нс.

З.Ы. Предполагаю это будет несколько часов что абсолюно не приемлемо.

Я понял! Надо посчитать от напряжения срабатывания БОД, пусть 2.7 вольт, безо всяких наносекунд

Врядли он такой большой - надо спайсом проверить
Получаем I=C*(dU/dt), что приблизительно-по-русски нам дает (предполагаем линейный спад напряжения)
dt = C*(Ucc-Uretention)/(Iкб0+Iretention) = 100*10^-6 *(2.7-2)/(65*10^-9) - меньше 2000 секунд маловато. Вот блин, забыл, что держалось-то несколько дней в старых АОНах, но там питание все-же 5-0.6 вольт.
Ну, ионистор можно поставить, если температуры позволяют...
ЗЫ кондюк 100нФ не забудьте в параллель.

Ну теперь все понятно!
Значит будем двигаться в сторону FRAM!