Вопрос возник такой, конечно бред может покажеться, но всёже. К примеру есть у нас нагрузка индуктивная скажем, В эту нагрузку нужно загонять импульс тока с частотой f и какойто скважностью, при этом амплитуда тока Imax, эфективный или действующий ток I. Обычно транзистор выбирают (скажем полевик) что бы при температуре 125-150 градусов от держал в постоянке величину тока Imax (т.е. если бы была постоянка а не импульсы). Выделяемое тепло считаем по действующему току. Что если транзистор выбирать несколько меньшего тока, т.е. чтобы при температуре 125-150 градусов от держал в постоянке величину эффективного тока, а величина Imax былабы не больше Pulsed Drain Current (импульсного тока стока) и сделать расчёт: успеетли отводиться тепло от кристала при таком режиме работы для того чтобы небыло теплового пробоя, или же всётаки может случиться лавинный пробой (хотя величита его это же вроде и есть импульсный ток стока, или по крайней мере величина постоянного тока через транзистор при 25 градусах).

На этот случай для большинства транзисторов, предназначенных для использования в качестве ключей, в справочных данных приводятся графики области безопасной работы в импульсном режиме и графики зависимости теплового сопротивления переход-корпус от длительности и скважности импульсов.

ну я про этот же график импеданса впринципе и имел ввиду. А вот насчёт графика безопасной работы это штоли: Maximum Safe Operating Area и Maximum Avalanche Energy Vs. Drain Current?

Maximum Safe Operating Area