Помощь - Поиск - Пользователи - Календарь
Полная версия этой страницы: Строение Look Up Table
Форум разработчиков электроники ELECTRONIX.ru > Программируемая логика ПЛИС (FPGA,CPLD, PLD) > Работаем с ПЛИС, области применения, выбор
bahych
Уважаемые форумчане! Занимаюсь вопросом повышения отказоустойчивости комбинационных схем на ПЛИС. В связи с этим возникла задача докопаться до внутренностей ПЛИС. Хотелось бы понять как внутри устроена и на чем реализуется среднестатистическая таблица преобразования ячейки ПЛИС, например, фирмы Altera. Никакой такой информации в сети не нашел, может быть плохо искал. Буду очень рад любой информации и помощи по этой теме, желательно со ссылками на источники.
Заранее большое спасибо!!!
Boris_TS
LUT (Look Up Table) в FPGA обычно реализуется на базе статического ОЗУ.
Например, LUT4 - это статическая память с 4 битами адреса и одним битом данных. Обычно LUT заполняется значениями во время конфигурации ПЛИС, но в ряде случаев производители ПЛИС позволяют полноценно использовать LUT - как ОЗУ; у Xilinx это зовётся «Distributed Memory».
bahych
А если копнуть глубже? Какой базис используется для синтеза статического ОЗУ? Стандартные логические вентили 2И-НЕ или 2ИЛИ-НЕ?
des00
Цитата(bahych @ Dec 8 2011, 06:27) *
А если копнуть глубже? Какой базис используется для синтеза статического ОЗУ? Стандартные логические вентили 2И-НЕ или 2ИЛИ-НЕ?

стандартные регистры + мультиплексоры.
Builder
Цитата(bahych @ Dec 8 2011, 15:27) *
А если копнуть глубже? Какой базис используется для синтеза статического ОЗУ? Стандартные логические вентили 2И-НЕ или 2ИЛИ-НЕ?
Возможно, но точно Вам никто не скажет, как именно у них сделано.
Boris_TS
Цитата(bahych @ Dec 8 2011, 16:27) *
А если копнуть глубже?

Как писал уважаемый des00: на стандартных регистрах вместе со стандартными мультиплексорами. И таким образом практически вся FPGA: кроме этих 2 макроэлементов там практически больше ничего нет, за исключением глубоко оптимизированных (на транзисторном уровне) аппаратных блоков (систем тактирования (ФАПЧ), гигабитных приёмопередатчиков, системы контроля состояния ПЛИС и им подобных).

Если копнуть глубже, то эти основные макроэлементы оптимизируются при активном участии инженеров того завода, на котором будет производиться конкретный кристалл. И используются те схемотехнические приёмы, которые лучше получаются на этом заводе - поэтому разные семейства (подсемейства) производятся на разных заводах.

Если копнуть еще глубже, то это всё строится на тех КМОП транзисторах, которые удобнее выращивать конкретному заводу. Из тех материалов, которые минимизируют затраты этого завода.

Цитата(bahych @ Dec 8 2011, 16:27) *
Какой базис используется для синтеза статического ОЗУ? Стандартные логические вентили 2И-НЕ или 2ИЛИ-НЕ?

А это что-либо меняет ?
dvladim
QUOTE (bahych @ Dec 8 2011, 16:27) *
А если копнуть глубже? Какой базис используется для синтеза статического ОЗУ? Стандартные логические вентили 2И-НЕ или 2ИЛИ-НЕ?

Скорее всего шести-транзисторные ячейки статического ОЗУ и несколько каскадов мультиплексоров на проходных транзисторах.
Если хотите конкретнее - ищите патенты.
Boris_TS
Цитата(dvladim @ Dec 8 2011, 20:31) *
Скорее всего шести-транзисторные ячейки статического ОЗУ и ...

Внесу маленькую поправочку: для современных Xilinx FPGA не "скорее всего", а точно.
Современных не радиационно-стойкие Xilinx FPGA имеют 6-транзисторные ячейки статического ОЗУ, а радиационно-стойки используют хитрую технологию дублирования транзисторов для повышения стойкости к ионизирующим излучениям (при этом, суть построения ячейки - не меняется).
dvladim
Цитата(Boris_TS @ Dec 9 2011, 09:40) *
Внесу маленькую поправочку: для современных Xilinx FPGA не "скорее всего", а точно.
Современных не радиационно-стойкие Xilinx FPGA имеют 6-транзисторные ячейки статического ОЗУ, а радиационно-стойки используют хитрую технологию дублирования транзисторов для повышения стойкости к ионизирующим излучениям (при этом, суть построения ячейки - не меняется).

Ну и я внесу поправочку: дублирование транзисторов (DICE, TMR) добавляет стойкости не к ионизирующим излучениям, а к тяжелым заряженным частицам.
Для просмотра полной версии этой страницы, пожалуйста, пройдите по ссылке.
Invision Power Board © 2001-2025 Invision Power Services, Inc.