При проектировании топологии образующиеся пустоты на кристалле, заполняют всякой фигней: поликремнием, диффузионной областью (либо неиспользующимися МОП структурами)и пр. (т.н. филлинг). Это оно понятно зачем - иначе топология не пройдет DRC верификацию, в которой есть пара пунктиков касательно этого: 1) суммарная площадь диффузионной области должна составлять не менее 25% от площади кристалла; 2) суммарная площадь поликремния должна составлять не менее 14% от площади кристалла. В некоторых библиотеках есть подобные ограничения и на металлизацию. Может кто знает, чем физически объяснимы данные ограничения. Есть собственный вариант: эти минимальные ограничения связаны с тем, что при меньшей плотности элементы топологии будут сильнее "расплываться" (мигрировать). Или что-то другое?

таким образом получают более однородную структуру кристалла + слоями металлизации увеличивают механическую прочность(для них и нормы повыше >50% заполнения). а вообще, в сети должно быть много информации касательно этого вопроса

Думаю основными причинами являются технологические факторы: равномерность скорости травления, заполнение при планаризации поверхности и др. Но в книжке Рабаи Ж.М., и др. Цифровые интегральные схемы. Методология проектирования. — второе изд.. — 2007. — 912 с. есть такое объяснение на стр. 609-610 в главе про синхронизацию цифровых схем:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Dummy элементы (filler cells) используются в данном случае для максимальной планаризации поверхности осаждаемого диэлектрика перед операцией ХМП (CMP).
Основная цель - повышение выхода годных. Особенно критично - для техпроцессов < 90 нм.