Цитата(Pathfinder @ Apr 3 2012, 20:22)

Вентили любой сложной микросхемы в любом случае переключаются не одновременно.
Если следовать этой логике, можно придумать "эквивалентную" частоту хоть сто гигагерц для микросхемы, тактируемой одним МГц.
Один вентиль погоды не делает. Более того, разброс времени задержек срабатывания играет положительную роль, "размазывая" пики потребления.
Проблемы возникают там, где большое количество вентилей срабатывают одновременно, создавая существенные пики (ripple) в цепях питания и земли.
Повторяйте на дорогу
Не для красного словца:
Если все шагают в ногу -
Мост об-ру-ши-ва-ет-ся" (с)
Поэтому разбивка тактирования на 8 фаз - это вовсе не то же самое, что разброс времени срабатывания. Грубо говоря, это всего в 8 раз меньше, чем если бы все вентили лупили от 8-кратной тактовой.
Цитата(Pathfinder @ Apr 3 2012, 20:22)

Более того, внешняя развязка даже на тактовой частоте требуется далеко не всегда, просто потому что она неэфективна из-за индуктивностей соединений кристалла и выводов.
Даже если она неэффективна, это не значит, что она не нужна. Вот паровоз, к примеру, топливо сжигает тоже неэффективо, однако без топлива не поедет.
Цитата(Pathfinder @ Apr 3 2012, 20:22)

Например, питание ядра Cyclone IV в корпусе E144 с максимальной частотой ~250 МГц необходимо развязывать до ~36 МГц, а выше развязка обеспечивается либо на кристалле, либо на корпусе микросхемы.
Как, чем? Впервые слышу. Просветите, плз.
Цитата(Pathfinder @ Apr 3 2012, 20:22)

Анализ в Altera PDN Design Tool показывает, что 0.1uF к каждому выводу VCCINT - самый лучший вариант в диапазоне частот от 3 МГц до Feffective.
Пока что, глядя на
PDN User Guide, я вижу, что в приводимых примерах предлагаются к использованию конденсаторы начиная от 1нФ и до 4.7мкФ, а используются начиная с 10нФ - по той простой причине, что нефиг зря бомбить, поскольку заданный импеданс на заданной макс. частоте обеспечен и без помощи 1нФ конденсаторов.
Нажмите для просмотра прикрепленного файлаА в приведенном примере BOM используются конденсаторы начиная от 4.7нФ и до 220нФ
Нажмите для просмотра прикрепленного файлаЭто довольно точно соответствует моим представлениям: очень правильно поставить вокруг ИС с десяток 1нФ...4.7нФ в корпусе минимального размера, а где-нибудь подальше - и 10нФ, и 22нФ, и 47нФ, ну и парочку 100нФ тоже.
Цитата(Pathfinder @ Apr 3 2012, 20:22)

Да, но выше резонансной области (а это гораздо более широкий диапазон частот, чем область резонанса) 0.1uF обладает меньшим импедансом, чем и 10nF и 1nF.
Кроме того, каждый лишний номинал создаёт дополнительную антирезонансную область.
На приведенных графиках довольно наглядно показано, зачем это нужно. Подбирая конденсаторы с разными частотами резонанса можно удерживать суммарный импеданс цепи питания на заданном уровне вплоть до очень высоких частот, до заданной. А выше этой частоты уже никого особо не волнует, у какого конденсатора выше импеданс, а у какого ниже, поскольку поезд уже ушел.
Собственно,насколько я вижу, PDN как раз и сделан, чтобы облегчить эту задачу: с ним можно не "на глазок" подбирать кондеры, а увидеть суммарный импеданс.