Хотел поинтересоваться: как промоделировать реальный трансформатор?
Какие параметры надо учитывать?
Как их замерять в реальном трансформаторе?

Вот, наконец, встретил друга по несчастью. Такая же проблема, но в иной топологии преобразователя. В результате экспериментов пришел к убеждению, что ШИМ, обратные связи, DT ни причем. Трансформатор тоже. Проблема как-то связана с драйвером ключей. В своей схеме (DC-AC) я управляю IR-кой с микроконтроллера. Сначала использовал драйверы с раздельными входами верхнего и нижнего канала (наподобие Вашего), сейчас это IR21844 (один TTL совместимый вход, регулируемое DT). Как-то влияет на этот тип драйверов емкость Миллера, но не совсем понимаю, как. Играя затворными сопротивлениями, удавалось полностью избавляться от пропусков, однако, в ущерб динамике и с риском самопроизвольного открывания ключей. С слабыми ключами (5А, 600V) такого пропуска нет, а вот с STP25NM50 - есть.

и такие же способы решения.
ставите драйвер для более быстрого переключения ключей
получаете более резкие фронты у импульсов, порождающие высокие значения dI/dt
при неудовлетворительной разводке имеете помехи, приводящие к таким последствиям.

Стоит затянуть фронты - и проблема устраняется, по крайней мере вы так считаете. На самом деле амплитуда помехи становится недостаточна для ложных срабатываний. До поры до времени.

Сообщение отредактировал Ydaloj - Oct 18 2015, 18:05

Я не сторонник беспочвенного увеличения затворных сопротивлений. Варьировал ими в целях эксперимента. Относительно разводки - эффект тот же и на удалении драйвера от затвора на расстояние резистора МЛТ-0,125. По поводу dI/dt - понимаю, имеется в виду в цепи затвора? Но тогда, действительно, порочный круг. Как-то нужно эффективно ограничить dU/dt на стоке, тогда и влияние емкости Миллера на затвор уменьшится, можно увеличить Rg, следовательно. Но применяя RCD, неудовлетворен динамическими потерями.

dU/dt на стоке ограничивается для уменьшения потерь при запирании ключа, но никак не для помехозащищённости токовой ОС
именно она может блокировать работу контроллера, как видно на осциллограмме - импульс вроде начался (иголка), затем оп! - и резко обрывается, и со следующей пилой от генератора контроллер снова пытается отпереть ключ.
ОС по напряжению так не умеет, либо в момент отпирания на вход FB опять же поступает что-то запредельное.

- что это там на осциллографе, бэрримор?
- помехи, сэр.
- а что они там делают, бэрримор?
- идут на вход обратной связи, сэр.
- а зачем они туда идут, бэрримор?
- пи..... кривая разводка, сэр

Сообщение отредактировал Ydaloj - Oct 19 2015, 18:50

 P_CAD_EDA____Sheet1_.pdf ( 14.38 килобайт ) Кол-во скачиваний: 150

 P_CAD_EDA____Sheet2_.pdf ( 15.99 килобайт ) Кол-во скачиваний: 199


Никаких обратных связей. Иголка - начало неосуществленного импульса - это правда.

осциллограмма с меги взята или с ИРки?



и тем более я вижу две раздельные платы с длинными проводами, которым сам Ьог велел ловить помехи и глушить ими драйвера
мух от котлет надо разделять. Дрова - с транзисторами, мега - снаружи, итс райт

0,15Ом - мина замедленного действия

Нет, дорожки там коротенькие, а силовые жирнинькие. Схема для личного удобства так разделена.
Вот почему меня беспокоят входная емкость ключей и dU/dt:





Причем усиленная повторителями схема ведет себя аналогично, за исключением того, что импульсы драйвера теперь не теряются.
 PWM________________.pdf ( 17.65 килобайт ) Кол-во скачиваний: 122


Осциллограммы с ИР-ки.

0,15 Ом - да, но это временно, да и включен он для контроля среднего тока. Смещения управления нижним ключем нет.


Сообщение отредактировал copyserv - Oct 19 2015, 19:38

силовые не должны быть жирненькие. силовые должны быть широкенькие.
ну не знаю, я увидел 2 схемы на разных листах, соединённых через разъём и сделал вывод, что дрова находятся на отдельной плате от транзисторов. За это товарищ Сталин велел бы "расстрэлять".

Да черт с ними с дровами. Я уже раз 20 перестраивал монтаж ничего не меняется. От наличия/отсутствия нагрузки, демпфирующих цепей мало что меняется. Зазубрины на управляющих импульсах остаются при любом значении HV. Их нет только тогда, когда HV не подано. До этого ставил STF3NK80Z - импульсы были чистыми.

Я наврал немного. Демпфер (простейшая RC, повешенная на землю) убирает зазубрину на фронте импульса.

... но не во всем диапазоне коэффициента заполнения, который находится по проекту в диапазоне 0.2 ... 0.8.

Сообщение отредактировал copyserv - Oct 19 2015, 20:56

вы всё-таки ответьте прямо - драйвера находятся около транзисторов или на отдельной плате, пусть даже на штыревом разъёме, впаянным вертикально в "материнку"
?

Сейчас на отдельной плате. Ну, как у китайцев с EG8010. Но до этого на одной с ключами (несколько вариантов разводки). Затворные резисторы с диодами стоят на силовой. Общая длина линий управления затворами ~30мм.

Не будет ничего в таком виде работать. Столько возни, и всё напрасно.

Драйверы, вместе с собственным локальным питанием и аппаратной защитой, должны быть в нуле миллиметров от их транзисторов и силовых конденсаторов, которые, соответственно, тоже должны быть как можно мельче размерами. И разумеется, без триллера чего-либо подстроечного.

Т.е. каждый полумост должен быть минимальных физических размеров, автономным и полностью самодостаточным узлом, включая помехоустойчивый интерфейс входного сигнала.

Микроконтроллер должен выдавать никаких не два, а единственный сигнал ШИМ-синуса, который аппаратно должен инвертироваться отдельным внешним инвертором и поступать на второй полумост моста.

А как найти разумный компромисс, чтобы и фронты не были резкими, но и чтобы не сильно затянутыми? Где эта грань?

Я вот заказал MOSFET-ы и пока они в пути думаю, с чего начать проверку работоспособности, какие эксперименты произвести.

Начать с малых входных напряжений и выходных мощностей, например, Uвх= 30-40 В Pвых = 80-100 Вт.
И только после того как оно заработает, перезодить на более высокие напряжения и мощности?

Это правильный подход?

Я именно так и делаю. Если схема подозрительно ведет себя при HV = 12...24V, и с минимальной нагрузкой, останавливаюсь, расследую. Причем, я несколько не согласен с некоторыми мнениями по поводу разводки цепей. А именно, на стадии макетирования, при малых токах и напряжениях, какя разница в длине проводников 1 или 3 см, ширине 8 или 5 мм? А потом, исследуя промышленные сварочные инверторы, например, можно заметить, что топология разводки плат в них диктуется не только соображеними наилучшей ЭМС, но и технологичности процесса изготовления.