реклама на сайте
подробности

 
 
5 страниц V  « < 3 4 5  
Reply to this topicStart new topic
> на чём собрать мост ..для гауссгана), 300А, 600В
Omen_13
сообщение May 5 2008, 19:24
Сообщение #61


Силовик-затейник
****

Группа: Модераторы
Сообщений: 766
Регистрация: 18-02-07
Из: Столица солнечного Башкортостана
Пользователь №: 25 467



Цитата(trx @ Apr 25 2008, 12:19) *
1. можно ли использовать тиристор как динистор - чтобы он открывался не током управляющего электрода, а напряжением анод-катод? если да, то насколько нестабильна величина этого напряжения и от каких факторов (кроме температуры) она зависит/не зависит?

В явном виде зависит от dU/dt и температуры, остальное не в курсе. Может проще поставить компаратор и включать тиристор по УЭ?
Цитата(trx @ Apr 25 2008, 12:19) *
2. ограничение dI/dt характерно только для случая использования управляющего электрода, или для пункта №1 тоже?

dI/dt - параметр критической скорости нарастания тока, при превышении происходит увеличение плотности тока в "быстрых" участках с их последующим перегревом и расплавлением => получаем акуратную сквозную дырочку в кристалле и КЗ.
УЭ на кристалле специально выполнен разветвлённым для увеличения dI/dt за счёт охвата большей области. В случае использования динисторного режима как мне кажется dI/dt надо делать ещё меньше т.к. область "начального" открытия может находиться где угодно и неизвестно как быстро произойдёт распределение по всей площади.


--------------------
"Вперёд на мины, ордена потом!"
"инжинер/разработчик создает нечто, в отличии от многих других профессий. В этом есть сходность с художниками или музыкантами"(с)CodeWarrior1241
Go to the top of the page
 
+Quote Post
trx
сообщение May 6 2008, 05:12
Сообщение #62





Группа: Новичок
Сообщений: 2
Регистрация: 25-04-08
Пользователь №: 37 077



Цитата(Omen_13 @ May 6 2008, 02:24) *
Может проще поставить компаратор и включать тиристор по УЭ?


тиристоров минимум 4 штуки последовательно, делать три изолированных источника для трёх драйверов с напряжением изоляции до 5кв (а то и выше) как-то не хочется, собственно динисторный режим и рассматривался как альтернатива.

Цитата(Omen_13 @ May 6 2008, 02:24) *
УЭ на кристалле специально выполнен разветвлённым для увеличения dI/dt за счёт охвата большей области. В случае использования динисторного режима как мне кажется dI/dt надо делать ещё меньше т.к. область "начального" открытия может находиться где угодно и неизвестно как быстро произойдёт распределение по всей площади.


начальная лавина хоть где, но напряжённость эл. поля будет очень высока и более-менее равномерна по всему объёму пп как мне кажется, я думал это облегчит распространение процесса, возможно неправ.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
rv3dll(lex)
сообщение May 21 2008, 08:50
Сообщение #63


Полное ничтожество
*****

Группа: Banned
Сообщений: 1 991
Регистрация: 20-03-07
Из: Коломна
Пользователь №: 26 354



ваше бы рвение да в мирное русло
той энергии хватит для накачки баллона воздухом и 10 кратно сильным выстрелом из пневморужья
Go to the top of the page
 
+Quote Post

5 страниц V  « < 3 4 5
Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 23rd July 2025 - 21:58
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01359 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016