В явном виде зависит от dU/dt и температуры, остальное не в курсе. Может проще поставить компаратор и включать тиристор по УЭ?

dI/dt - параметр критической скорости нарастания тока, при превышении происходит увеличение плотности тока в "быстрых" участках с их последующим перегревом и расплавлением => получаем акуратную сквозную дырочку в кристалле и КЗ.
УЭ на кристалле специально выполнен разветвлённым для увеличения dI/dt за счёт охвата большей области. В случае использования динисторного режима как мне кажется dI/dt надо делать ещё меньше т.к. область "начального" открытия может находиться где угодно и неизвестно как быстро произойдёт распределение по всей площади.

тиристоров минимум 4 штуки последовательно, делать три изолированных источника для трёх драйверов с напряжением изоляции до 5кв (а то и выше) как-то не хочется, собственно динисторный режим и рассматривался как альтернатива.



начальная лавина хоть где, но напряжённость эл. поля будет очень высока и более-менее равномерна по всему объёму пп как мне кажется, я думал это облегчит распространение процесса, возможно неправ.

ваше бы рвение да в мирное русло
той энергии хватит для накачки баллона воздухом и 10 кратно сильным выстрелом из пневморужья