Продолжу...
Напаял круглый медный провод диаметром 1.4 мм. См. рисунки выше.
На + пять проводков и по входу и по выходу.
На - три проводка.
Итого:
По полюсу 0.46 мОм
По минус 0.34 мОм
На транзисторах как и было 0.32 мОм.

Но! Есть неоднозначность сопротивления на клеммах.
В планах сделать нормальные клеммы, а не тяп ляп как сейчас.

При 43 А платка нагревается примерно на 20 - 25 градусов.
При таком токе пришлось в затвор транзисторов поставить 10 Ом вместо 0, иначе происходили перезапуски микросхемы.

Это из-за суммарной емкости 3 шт затворов под 21nF!, микросхема едва тянет. 10 Ом каждому немного спасают, увеличив до 30...50 Ом будет получше. Но все равно, надёжность низкая. Нужно вам подумать о распределении этой коммутащионной емкости. Провод можно и 3mm брать, ещё лучше медную оплетку с оловом запаять в этих местах. Да и расстояние можно сократить было вдвое, тогда с сопротивлением былоб совсем хорошо. Да еще, база транзистора перед драйвером должна быть к земле привязана.

У меня близкая задача (Коммутация батарей 24 V, 80 Ампер, горячий резерв), думаю вопрос в рамках топика:
Не могу понять, у модулей, например IXYS, основание к какому-то сигналу подключено? Его не нужно от шасси, к которому прикручиваю, изолировать ?
Там картинка такая:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Очень мне нравиться M4 закручивать, а не непонятно как припаиваться, да и крепление к шасси достойное. Но про основание и его подключение к внутреннему кристаллу транзистора в даташите ни слова.

Тогда проще обычными транзисторами набрать.

Plain, благодарствую! Спасибо большое!

Про "набрать обычными транзисторами"- это как раз то что я не понимаю и не хочу. Как мой 4 AWG проводочек к контакту типа "гайка M4" прикрутить я еще понимаю. А как к TO-220 это 4 AWG (ну, пусть хоть 8 AWG) приматывается- любопытно, но делать не буду.
По-моему, замечательный модуль за свои деньги, и крепление подходящее (200 A в даташите). Не уверен что самопал при штучном производстве лучше выйдет.

Примерно наподобие как на картинках топикстартера, но TO220 формовать и припаивать как TO252

Основание изолировано.
В даташите фраза "with Aluminium Nitride Isolation" об этом говорит.
Косвенно еще есть "Isolation Voltage 2500 V~" - это как раз изоляция кристалл-основание.