Здравствуйте!
Разрабатываю buck 19V - 16V 10A. Преобразователь синхронный, частота 600 кГц.
В качестве катушки индуктивности предполагал применить IHLP6767GZER5R6M11 (5.6 мкГн, 4.44 мОм). При тестировании оказалось, что катушка нехило греется, палец не удержишь. Поиском по диджи я нашёл чуть более дорогую катушку индуктивности PQ3218-6R0-50-T (6 мкГн, 1.5 мОм). Но она Unshielded, т.е. не магнитно экранированная. Приложил скрин печатной платы, на расстоянии 3 см от преобразователя расположен другой преобразователь (boost, 16 - 19V 10A). Аналоговых / слаботочных цепей в радиусе 10 см нет. Можно ли применить неэкранированную катушку?

Не советую. Создадите себе проблемы с пульсацией выходного напряжения в первую очередь.

А параллельно две катушки если поставить ?

А выходно напряжение будет пульсировать из-за наведения напряжения на выходных дорожках на плате?
Параллельно не хотелось бы, плату нужно порядорчно переделывать.
Ещё склоняюсь к переходу на четырёхслойку (сейчас 2), благодаря чему можно будет разнести тепло по большей площади платы по внутренним слоям. Также между печатной платой и дном корпуса (алюминий 1.5 мм) будет располагаться 4.5 мм теплопроводящая резинка, чтоб корпус как радиатор использовать.

Возможно и не прийдётся менять катушку, просто я думал, что если неэкранированная - не так страшно, то её поставить будет очень просто/дешёво/сильное уменьшение тепловыделения.

Так это у ШИМ-контроллера boost расстояние между силовыми и сигнальными выводами 7 см?

Нет...как-то неучёл, что сигнальные линии ШИМ-контроллера boost тоже сильно чувствительны к электромагнитным наводкам...
Ладно, тогда не буду ставить неэкранированную, буду вышеописанными методами улучшать тепловый режим...
Всем спасибо!

Вообще-то сердечник PQ это не гантель, он частично экранирован. ПМСМ, имеет право на жизнь.

утащите с койлкрафта неплохие дроссели SER2915
они великоваты, по сравнению с IHLP6767, но DCR меньше, и на 300кГц у меня не грелись сколь-либо заметно.
SER2915L-6R8, 28А насыщение, полтора миллиома сопротивление. Частично экранированы.

кстати, такие же, как PQ3218-6R0-50-T
только в каталоге койлкрафта они указаны как экранированные.

Я так понял, вы эти дроссели применяли? Какой средний ток через них проходил? Как далеко от них у вас были расположены слаботочные цепи? У меня в дизайне платы ШИМ контроллер этого buck'а расположен на расстоянии около 2 см, какое у Вас было расстояние между контроллером и дросселем?
В остальном мне они понравились, и цена в 3 бакса за 1 шт и 2 бакса за 1000 шт - круто!

Это возможно лишь в том случае, если вместо GZ-11 Вы купили и припаяли DZ-01 или DZ-11, потому что их же калькулятор обещает для данных условий максимум 9-градусный перегрев, т.е. при худшем случае 20 В / 10 В / 10 А.

Да, был вот такой преобразователь, с 24 на 12, 15А. Ток дросселя был вроде бы 23А

С другой стороны, при наихудшем для синхронника КПД в 95%, при выходных параметрах 16В 10А надо ожидать тепловые потери в 8-10Вт, и догадайтесь, на чём эти потери могут выплыть.

КПД в значительной степени зависит от трассировки ПП.

Спасибо за ссылку на калькулятор, полезная штука, однако на плате рядом с дросселем стоят ещё два ключевых транзистора CSD17506Q5A, на каждом из которых выделяется до 1 Вт (Q1 и Q2 на трехмерном виде) и шунт R (3 мОм, выделяется до 0.5 Вт). ШИМ контроллер - BQ24616. Собственно, это ИМС контроллер заряда Li-Ion батареи.

Но благодаря калькулятору я понял, что заменой дросселя сильно температурный режим не улучшишь, т.к. куча других компонентов выделяют намног обольше, чем огромный (относительно них) и хорошо отдающий тепло дроссель.

Хм, окинете оком плату, всё ли не ней толково разведено? В понедельник измерю КПД, чтоб точнее знать с каким врагом имею дело.

Силовой "плюс" у Вас имеет меньше приоритет, чем теплоотвод верхнего ключа и третьестепенный низкочастотный сигнал BATDRV.

BATDRV провести окольными путями (C29 повернуть на 90° и т.д.), верхний ключ повернуть на 90°, его затвор провести под корпусом и силовыми блокировочными, аналогично и затвор нижнего. В результате, всё силовое станет существенно ближе к контроллеру, сток верхнего избавится от дуршлага и станет свободным для большой КП теплоотвода, также увеличить площадь КП стока нижнего, отодвинув КП "холодного" вывода дросселя влево, после чего увеличить площади КП обоих его выводов.

Повернул транзисторы, пустил их дороги на их затворы по нижнему слою. BATDRV пошёл по обводным путям. Вот что получилось:
Также пытался измерить КПД преобразователя, но он по-видимуму достаточно высок, и у меня из-за погрешностей метода измерения не получалось его измерить, вернее полученное значение было 99...100 %.

а не стоит ли освободить медь под катушкой на смгнальном слое и на plane под ним?

Вы имеете в виду сделать так? А какой в этом смысл, никак не могу понять?

это то что рекомендовал при разговоре технический консультант фирмы TI. Правда в литературе я этого не встречал. Думаю что уменьшится нагрев меди обусловленный вихревыми токами индуктивности.