Народ, кто-нибудь слышал что-нибудь об однонаправленной модели транзистора? Дело в том, что я нашел в интернете довольно интересную методику расчета согласующих цепей и цепей коррекции для полосовых и широкополосных усилителей. Эта методика основана на использовании однонаправленной модели транзистора.
Но вот незадача - какой либо информации по обоснованию этой модели в интернете я не нашел

. Между тем, у меня возникают сомнения в справедливости этой модели. Я прикрепил файл, где описана методика, сама модель кратко описана на с. 7-8, рис. 1.3. В частности, вызывает недоумение:
1) почему данная модель не учитывает паразитные емкости транзистора - Сбэ и Сбк? И если насчет Сбэ - можно предположить, что ее влияние учитывается в коэффициенте усиления, падающем с частотой (формула 1.1), то совершенно непонятно, почему не учитывается емкость коллектор-база. Ведь известно, что для транзистора в схеме с ОЭ емкость Сбк, вследствие эффекта Миллера, проявляется как входная емкость, увеличенная в число раз, равным коэф-ту усиления усилителя.
2) почему в качестве выходного сопротивления транзистора берется величина Uкэ_max/Iк_max ? Ведь, насколько известно, выходное сопротивление транзистора в схеме с ОЭ - это по сути, коллекторная нагрузка, шунтированная очень большим сопротивлением коллекторного перехода (который есть обратно-смещенный диод). Для примера, приведенного на рис. 2.1а - это импеданс дросселя, включенного в цепь коллектора Zвых=jwLдр. И, насколько я понимаю, именно этот импеданс должен быть согласован с нагрузкой Rн ???
Если кто имел дело с этой моделью расчета - помогите плз!!! Буду очень рад