Цитата(deemon @ Oct 10 2007, 13:03)

Хорошо , я спрашиваю - ПОЧЕМУ две мои схемы не годятся для данной постановки задачи ? Так как практически их никто здесь пока не собирал - обоснуйте теоретически .
Вот, с этого и надо было начинать.
Пояснить легко: схема из поста №11 представляется слишком неточной. Для того, чтобы создать
точный пиковый детектор, необходимо введение
общей ООС. Кроме того, эта схема будет иметь плохую устойчивость, из-за чего выбросы напряжения на запоминающем кондёре неизбежны. О 3-4 мВ точности можно смело забыть.
Схема из поста №20 имеет очень большую постоянную времени заряда ёмкости, т.к. выходное напряжение ОУ ограничивается диодом ОС D2. Из-за того, что диоды D2 и D3 в купе с ОУ образуют
"токовое зеркало", эта постоянная времени будет определяться резистором
R2 (а не R1!) и кондёром. С предлагаемыми Вами номиналами она составит
аж 6,6 мкС. Резистор R1 в такой схеме, кстати, вовсе не нужен, и его можно просто замкнуть.

Для параметров импульсного сигнала, приведённого Автором темы, время установления переходного процесса в Вашей схеме до 3-4 мВ ошибки будет абсолютно неприемлемым.
Кроме того, надо учесть влияние разброса параметров диодов и конечное время распространения сигнала в цепи ОС. Это только усугубит картину. Лично я бы посоветовал Вам применить на входе подобной схемы шустрый компаратор без всяких лишних диодов в ОС (только, ради бога, не нужно её сюда выкладывать).
К Вашему сведению: "выброс" переходного процесса на выходе "левого" ОУ в схеме №3 Автора
должен быть. Он
ускоряет процесс зарядки запоминающего кондёра.
Не должно быть выброса только
на самом кондёре.
Подход же, предлагаемый мной, позволяет решить проблемы быстрого заряда ёмкости, точности и устойчивости системы
радикально. Постоянная времени заряда цепи при 20 Ом последовательного сопротивления составит лишь 0,07 мкС (т.е., в 100 раз меньше, чем у Вас

), что позволит фиксировать с заданной точностью амплитуду даже субмикросекундных импульсов.
2 TheMadВыбор оперов (AD8610, 8620) - одобряю. С ними должно получится всё ОК.
Вот ещё два важных совета:
1. Последовательно со входом "+" левого ОУ включите резистор 200-500 Ом (начните с меньшего номинала). Это уменьшит к-т усиления входного каскада ОУ на частотах, близких к частоте замыкания ОС, и значительно уменьшит его перегрузки во время воздействия импульса. Кроме того, эта мера уменьшит влияние импеданса входной цепи (паразитных резонансов) в процесс установления выходного напряжения детектора.
2. Выходные каскады ОУ нужно перевести в класс А. Для этого, включите между "-" питания и выходами ОУ резисторы порядка 5-10 кОм.
И ещё два менее важных.
3. Обратный ток диода не должен быть более 0,5 мкА. Лучше взять диоды с обратным током в 0,1 мкА или меньше. Если конструкция штучная, можно отобрать из КД522 (я и с наноамперными обратными токами находил

).
4. Вместо БТ в схеме сброса лучше применить МОП ПТ с хорошими изоляционными свойствами канала в выключенном состоянии. Только силовые ПТ не берите!
PS. Впрочем, если отбор возможен, найти БТ с обратным током коллекторного перехода <0,1 мкА не так уж сложно.
PPS. Видимо, схемму нарисовать всё же придётся...