Доброго времени суток!

Возникла задача сделать широкополосный усилитель на базе BLF1822-10. Полоса 470 - 860 МГц. Сделали макет по даташиту Нажмите для просмотра прикрепленного файла. В итоге не хватило полосы пропускания.
По логике для широкополосности нужно применить трансформатор сопротивлений.
Четвертьволновой трансформатор - это хорошо, если бы не большие габариты.

Может кто подскажет, как рассчитать компактный трансформатор сопротивлений, как например в BLF861 Нажмите для просмотра прикрепленного файла.

p.s.: сильно не пинайте, недавно этим заниматься начал.

Так вроде для транзистора BLF1822-10 макет не был рассчитан на широкую полосу. А вообще, можно, конечно, легко аналитически рассчитать скажем двух-трех-звенную LC цепь с одинаковой добротностью каждого звена, определяемую полосой пропускания. А затем пересчитать в короткие отрезки линии, существенно меньшие четвертьволны. Однако лучше взять и прооптимизировать на базе какого-нибудь симулятора ADS или Ansoft с простым использованием линейных цепей и выходного сопротивления транзистора (он, правда дан от 800 МГц до 1.2 ГГц, но, поскольку он довольно линеен в полосе, то можно экстраполировать и до 490 МГц). А затем слегка подстроить в реальной схеме. Когда-то мы примерно оценивали и подстраивали такие усилители для ТВ передатчиков на биполярных транзисторах (см. Рис. 8.26 и 8.27) в привязанной главе. Что касается четвертьволнового трансформатора, то он сам по себе обеспечит полосу порядка 20%, поэтому их надо достаточно много с разными волновыми сопротивлениями.

Для интереса взял S-параметры с сайта на этот транзистор, и по ним Re(Zin) и Re(Zout) составляет -50 Ом ????? это как???? почему минус??? может я чего то не понимаю
P.S. просто недавно обмерял из той же серии BLF3G21, у него Re(Zin) и Re(Zout) менее 0,5 Ом но с плюсом...

а можно ссылочку плз
--------------
все, нашёл

Все данные нa сайте NXP
http://www.nxp.com/#/pip/pip=[pip=BLF1822-10_4]|pp=[v=d,t=pip,i=BLF1822-10_4,fi=42807,ps=0][0]

Пожалуйста

Вообще-то это малосигнальные S-параметеры, и если для полевого (не биполярного) входное сопротивление еще более менее можно оценить, то уж о выходном сопротивлении в режиме большого сигнала это не даст никакой информации. И к тому же они даются для определенного смещения. Поэтому отдельно измеряются Zin и Zout в номинальном режиме большого сигнала. Но что очень важно при любых измерениях - это обеспечить стабильность, иначе появляется и отрицательное сопротивление свидетельствующее о потенциальном самовозбуждении на этих частотах. Хотя странно, что такое может появляться в спецификации на транзистор.

Я это и имел ввиду, что как так вроде серьезный производитель, а выкладывает такие данные !!!!
Причем в приведенных на сайте S-параметрах на BLF3G22-30, та же самая картина Re(Zin)<0 в некоторых частотных точках, что на мой взгляд явно свидетельствует неустойчивом состоянии транзистора в когда измерялись S-par. Кроме того значения Re(Zin), Im(Zn) получнные из измерений в моих тестовых фикстурах и из данных в даташите довольно сильно отличаются, как производитель получает такие параметры непонятно ?

Всякие фокусы встречаются, у NEC например, "несвежие" S параметры но тут под рубрикой space выложенны кривые S параметры, отрицательная реальная часть сопротивления, говорит о том, что это
генератор а не усилитель...

Хотя с другой стороны, малосигнальные S-параметры просто меряются с пластины в 50-ом тракте, поэтому, конечно, ни о каких мерах о предотвращении нестабильности на тех или иных частотах речь не идет. Разве что в сам транзистор вносятся дополнительные резисторы, если это существенно не ухудшит его усилительные свойства. Остальное дело за разработчиком, если у него нет выбора и он покупает такой транзистор. Другое дело, параметры в режиме большого сигнала, там все должно быть стабильно, иначе измерения будут неверными. Например, если транзистор близок к области неустойчивости, то есть его К-фактор близок к единице, то и импедансы будут неверными.

Если мерится на пластине, то об этом сообщается в док. если нет, значит в корпусе с помощью test ficture,
этот производитель давно уже не серьезный....

А кто же тогда серьезный?????????
И как быть разработчику, если ему для первого приближения нужно хотя бы оценить в какой полсе при пиемлемом VSWR (по входу) он может согласовать данный транзистор, прежде чем его покупать...

Серьезные производители обычно выкладывают не только S-параметры, но и массу апноутов, где приводят Zin, Zout и документацию на макеты усилителей. Например - Mitsubishi и ST Microelectronics.

Это стандартные характеристики выкладываются всеми производителями, как и типовые схемы включения со всеми номиналами компонентов. Но если Вам понадобится рассчитать, например, усилитель на этом транзисторе на другой частотный диапазон, то тут и вылазят эти проблемы.

Большинство производителей выкладывают типовые схемы узкополосных усилителей на своих транзисторах и cопротивления Zin, Zout указывают на одной или двух частотах.
S-параметры выкладывают почти все, но применить их можно разве что для класса А, а ведь такие транзисторы предназначены для режима АВ или В.
А вот данные для широкополосного согласования указывают далеко не все. Лучше всех в этом отношении ST - у нее есть апноуты на усилители 135...175 МГц, 380...520 МГц, 820...960 МГц. Согласование на промежуточных частотах можно довольно точно посчитать методом аппроксимации.

Скачал pdf'ку с эквивалентными схемами входной и выходной цепи BLF1822-10, но что-то никак не получается нормально промоделировать согласующие трансформаторы. Моделирую в MWO.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Дело в том, что это для меня новая тема и да опыта нету вообще, а начальство требует результатов.
Если кто подскажет или скинет примерный вид согласующих цепей на 50 Ом - буду очень благодарен.
Коллеги, направьте в нужное русло.

Вот мой пример согласования с 50 на 26 Ом. Покритикуйте, пожалуйсто, если есть за что.
Переименовать расширение в .emp
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

-Sage-, а можете то же самое в формате седьмой версии выложить?
спасибо.

версия 7.51.. как выяснилось, не совсем правильно там сделано