Попробуйте длительности фронтов импульсных фазосдвинутых генераторв поставить не 1nS как по умолчанию, а 200 nS. Из-за 1 nS фронтов ухудшается ситуация.


Да не на КЗ в источник он работает , а как и первый низковольтный транзистор, тоже по принципу обратноходового. А основные потери на переходе в момент включения низковольтного ключа через транс напряжение на стоке высоковольтного начинает расти (иногда в с выбросом до лавинного пробоя 800V ). IRFBE30 еще не проснулся и не совсем закрылся (эффект миллера), а мертвое время я не менял в модели микрухи, там его имхо, вобщем , не хватает . В идеале - перекачка чисто реактивная, без КЗ. Но ключи нужны шустрые. Да и транс с таким коэффициентом трансформации с малым рассеянием сделаь в реале будет непросто , да еще с зазором.

Вот посмотрите как питание для EL делают в сотовых и всякой прочей мелочи типа плееров. Ну понятно что там не DIP8, но есть и маахонькие микросхемки с тем же принципом.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Реактивный заряд и пассивный разряд на p-n переходах диодов, транзисторов , триаков. Это не наш метод
К тому же форма не синусоидальная , с гармониками, что плохо скажется на времени работы EL.

Вот что получилось с раздельным управлением транзисторами (по варианту предложенному Rst7 )
Мощности за 1 период 400Hz такие:
потребление от источника минус 678mW
Мощности рассеяния :
R6 273mW
R1 122mW
R8 98mW
Q2 85mW
Q1 95mW

Трансформатор с первичкой 35uH , коэфф 1:20 , Ls=1%. Интерес чисто спортивный , делать в железе не буду

Спасибо, может быть, я попробую. То есть КПД получился ок. 15%? Несущая ШИМ, насколько я понял, 10кГц. А для чего S1?

Пожалуйста, 15% примерно при классическом методе расчета . А если учесть что на подъеме в течении полупериода мощность 2,6Вт из источника, на втором полупериоде 1,2 Вт возвращается , разница 1,4 Вт - размазанная на период и дает примерно эти 700 мВт, то не знаю как и считать . Для схемы с разрядом на транзисторах (как деды) по идее КПД должен быть ниже раза в 2 за счет невозврата энергии.


неа - там 5 периодов ШИМ на 100 мкс (50кГц ).

компараторы стоят параметрические, с фронтами 100nS , выходным сопротивлением 10 Ом .
ОУ стоит с ограничением от рельс по 1-1,5V (чтобы не пересыщать транс на краях , давать возможность размагничиваться) , частота единичного усиления 10МГц . С таким ОУ цепи доп коррекции не потребовались, с 1 Мгц - цепи нужны и кривее всё.
S1 - из за недостатков модели ОУ служит для создания начальных условий без тока в первичке транса. Задерживающий выключатель на некоторое время. В реале надо позаботиться о плавном пуске.

Уважаемый Herz, довел виртуальный КПД до 23% на типа нагрузке R8
Обидно что на делителе обратной связи теряется больше чем в нагрузке (на 4-х резисторах 27 % ) а увеличивать номиналы уже не хочется.
снизил частоту до 22 кГц (очень заметны пульсации на выходе) , увеличил индуктивность первички до 100uH , Ls по прежнему брал 1%.
попробовал воткнуть Uc3843 . Вроде могут работать.
В расчете КПД брал ток средний через первичку транса , помноженный на напряжение источника питания (токи и мощности проставлены на рисунке). Если учитывать потребление еще и микросхем , то всё ужудшается почти в 2 раза. Так что смысла особого нету бодаться дальше. МалЫ полезные мощности. Хотя принцип рабочий. Паразитная емкость транзисторов - мало влияет , проверил.

Можно с этого момента поподробнее? Чисто теоретический интерес.

Я не понимаю физику процесса, но когда пожаловался на быструю деградацию панели в центре, люди, которые с ними работали, хтро заулыбались "в усы".
ну, после второго полстакана раскололись. что это происходит из-за несинусоидальной формы питающего напряжения.
Дальше пошло подробно про свойства сульфида цинка. но то я уже не помню. Поднесла девочка на подносе третий полстакан.