использовать PLL в устройстве на EP2C8 изначально не планировалось.
поэтому питания и земли повешаны на общие цифровые питания-земли.

на каждой питальной ноге - кондер 10н или 100н (чередуются)
булки - 4 штуки в центре - 10 мкф керамика

и всё-таки понадобился PLL для нарезки асинхронной шины.

входная частота на ножку CLK0 50 мгц кварцевый генератор KXO-V97 3.3V питание, 50% меандр CMOS/TTL compatible

умножал до 100, 150, 200 МГц - всё работает как надо.

ну и соответственно вопрос - не помешает ли феритовая бусина при следующем редизайне платы?

качество разводки питания-земли для PLL обеспечивает отсутствие джиттера(стабильность) или устойчивая работу ФАПЧ?

может ли PLL работать неустойчиво и вплоть до срыва генерации если не обеспечить меры по фильтрации питания?

1) не помешает, делай П-образный фильтр 0.1мкФ -> бусина -> 0.1мкФ проверено на практике фильтрует
2) может обеспечиваться при отсутсвии бросков по току на питающих ногах PLL при грамотной разводке питания - отдельные полигоны замыкающиеся на источнике, проверено на практике, но лучше и грамотная разводка и фильтр по питанию.
3) может, проверено на практике.

Вчера запускал EP2C5 в TQFP144. Плата 4 слоя. Для PLL фильтрация в виде:

Полигон питания ядра VCCINT -> переходное —> (разветвление)
—> 0.1 мкФ X7R -> 1000 пФ NPO -> нога цифрового питания PLL.
└—> бусина -> 0.1 мкФ X7R -> 1000 пФ NPO -> нога аналогового питания PLL.

Итог: Первым делом завёл PLL на 2 выходных тактовых 250 МГц и 20 МГц. Тактовый сигнал 20 МГц есть . 250 МГц внутри, ещё не зыркал ...

оччень важный вопрос тут поднят.

фильтровать питание просто необходимо!

вопрос публике - можно ли вместо бусины взять чип-индуктивность 0805 на 10 мкГн ?

каково значение индуктивности бусины?

Индуктивность имеет малые потери на ВЧ, поэтому получите кучу резонансных контуров, образованных конденсаторами и этой индуктивностью. А бусина на ВЧ работает как частотнозависимый резистор, и резонансы она образует только в области относительных НЧ (десятки, сотни кГц), с которым тоже, по-хорошему, надо бороться.

индуктивность чип 0603 на 10 нано-генри можно считать бусиной? можно её ставить?

как на счёт резистора 0805, 0603 на 0 Ом ?

Импеданс такой "бусины" на частоте, скажем, 100 МГц будет порядка 0.6 Ома. Сравните с импедансом нормальной бусины, у которой он равен сотни Ом. Имеет смысл такое применять? И в чем смысл, если есть нормальные бусины?


А что он даст? Бусина в цепях питания чувствительных к ВЧ помехам элементов (типа ФАПЧ) ставится для подавления "иголок" от работы, например, быстрой логики - не пропускает она токи с таким спектром - рассеивает их энергию в тепло. А резистор что даст?

чип-бусина - это та же индуктивность. Кусок провода покрытый ферритом и обладающий индуктивностью.

поправьте что не так.

Есть SMD-бусины с габаритами 4x5мм. внешне выглядят как параллелепипедный брусок(втулка) в отверстие которого вставлен плоский проводник.

напишите пжалста марки бусин ряда 0805, 0603, 0402



некоторые любят объединять им земли(цифровая и аналоговая) в одной точке

Murata - BLM18, BLM21

Суть и отличие бусины от обычной индуктивности в том, что феррит ее имеет большие потери на ВЧ, поэтому энергия реактивная в ней не запасается, а рассеивается в виде тепла. Т.е. бусина ведет себя в этой области как резистор. А индуктивность имеет малые потери (это ее показатель качества) и, как следствие, - создает контура с развязывающими конденсаторами на этой самой ВЧ, что весьма, мягко говоря, нежелательно.

Вот релевантная тема.

посмотрел муратовские бусины - слишком много вариантов.

подскажите - какую бусину лучше брать - с более высоким импедансом на 100мгц или с более низким?

а то там разброс от 30 ом до 2 ком

Ну, это вам решать. Просто бусины, которые имеют большой импеданс, они и индуктивность имеют большую. Прикиньте резонансы от нее в области относительного НЧ (десяки-сотни кГц), подумайте, как этим будете бороться. И какой нужен импеданс на ВЧ (навскидку по соотношению импедансов между бусиной и конденсаторами на этой частоте). Ну, и про активную составляющую импеданса бусины не забудьте - чем больше импеданс при прочих равных, тем больше активные потери, тут смотрите, чтобы по среднему току проходило.

мне нужно PLL до 300МГц, для тактирования внутренних узлов ПЛИС.

скажите плиз применяемый вами импеданс бусины или (что лучше) марку, которую пользуете!

склонен к варианту:

+1.2V ----бусина с импедансом 1кОм ----конденсаторы на PLL_GND: 10нф(X7R)+0.1мкф(X7R)+10мкф(Y5V)

сойдёт?

или место 10мкф керамики поставить 47мкф тантал?

Ток по напряжению 1.2V не превышает 150мА

300 МГц маловато, имхо. Это, например, нижний предел набортной PLL в ПЛИС Альтера. А верхний (в циклоне 3) - 1200 МГц. Поэтому сюда имеет смысл ставить батарею конденсаторов вплоть до номинала 1нФ.


У меня мюратовская какая-то, 1 кОм @100 MHz. Выбрал такую по совокупности требований/характеристик. Обратите внимание на индуктивность бусины на НЧ и прикиньте паразитные резонансы, образуемые этой индуктивностью и блокировочными конденсаторами.