Цитата(kinsky @ Dec 26 2009, 10:45)

ОЗУ K4T1G164
ПЗУ K9F1G08R0B-JIB0
Что касается относительно небольших BGA с шагом 0,80мм, то они нормально разводятся без использования сложных стеков с микровиа и т.п.
Вполне достаточно обычных сквозных переходных отверстий. Например 0,25/0,55мм, или, на крайний случай, 0,20/0,45мм. (первое число - диаметр сверловки, второе - диаметр площадки).
На скриншотах - примеры разводки.
Нажмите для просмотра прикрепленного файлаНажмите для просмотра прикрепленного файла8-ми слоев для разводки - более чем достаточно, особенно учитывая, что ровнять ничего не нужно.
Цитата(kinsky @ Dec 26 2009, 10:45)

Процессор STA2065A
Этот чип уже интересней.
Но, давайте посмотрим на чертеж корпуса:
Нажмите для просмотра прикрепленного файлаКак я понял (к сожалению, пинаута в даташите не нашел, а может плохо искал

), массив шариков 10х10 в центре корпуса - это земля.
Ряд вокруг этого массива - это питания.
4 ряда по периметру - это сигнальные цепи.
Сигнальные цепи с двух внешних рядов отводим в ТОРе. Далее, за пределами корпуса - уже как получится. Два последующих ряда - посредством микроотверстий запукаем в сигнальный слой INT1, расположенный сразу под ТОРом. В этом же слое отводим их за пределы корпуса, а далее - по обстоятельствам.
Земляные и питающие цепи можно сразу через сквозные отверстия (например, 0,20/0,45мм или даже 0,25/0,55мм, но обязательно с заполнением полости отверстия смолой) подключать к внутренним плэйновым слоям.
Можно сделать и по другому - через микровиа на слой INT1, а потом уже посредством скрытых отверстий (размера 0,25/0,55мм - более чем достаточно для таких целей) на внутренние питающие слои.
Оба примера на скрине:
Нажмите для просмотра прикрепленного файлаНорма проектирования проводник/зазор - 0,100/0,100мм. Параметры микровиа - 0,15/0,35мм. Микровиа могут быть изготовлены хоть механической сверловкой, хоть прожигом лазером. Это как производителю будет удобно. Все микровиа расположены вне площадок, поэтому заполнять их медью нет необходимости.
Стек - как предлагал
SM: 1-6-1, т.е. 8-ми слойка со слепыми переходными с L1 на L2 и с L8 на L7. Если будет необходимость (например, запускать цепи под корпусом STA сразу на внутренний сигнальный слой, или если использование сквозных переходных будет недостаточным для разводки) применяйте скрытые переходные отверстия с L2 на L7. Но увлекатся не стоит, поскольку это удорожит конструкцию.
Между слоями L1 и L2, а также между L7 и L8 используйте тонкий препрег с большим содержанием смолы. Например 1080 или 3313. Толщиной не более 0,10мм - это необходимо для качественной металлизации микровиа диаметром 0,15мм. Тут важно помнить, что отношение диаметра к глубине сверловки должно быть не менее 1:1, а лучше стремится к 1:0,8. При прожиге лазером глубина сверловки равна суме толщин препрега и меди на верхнем слое, а при механической - суме толщин препрега, меди на внешнем и внутреннем слоях плюс полдиаметра сверла (сверло должно уйти в материал под нижним слоем минимум на полдиаметра сверла для обеспечения надежной металлизации). Ядро между слоями L2 и L3, а также между L6 и L7 используйте не менее 0,20мм, если микровиа будут изготавливатся механической сверловкой с контролем глубины сверления. Фольгу на всех слоях применяйте в полунции (18мкм).
В общем, где то вот такой стек получится:
Нажмите для просмотра прикрепленного файлаУспехов Вам.
P.S. С наступающим Новым годом всех читателей и участников Электроникса

.
Творческих успехов в 2010 году и всяческих благ.