Необходимо рассчитать схему, часть топологии которой выполнена на поликоровой подложке, а часть на подложке из арсенида галлия.
В Ansoft Designer в рамках одной схемы (circuit design) можно добавить несколько планарных элементов (planar EM design), но у всех этих элементов подложка будет являться общей. Добавить другую подложку не удается.
Может быть кто-нибудь знает способ решения данной проблемы?

Не знаю насчет EM design, а вот в Circuit Design - можно. В панели Project Manager правый клик на узле Data дает выпадающее меню, последним пунктом в котором Add Substrate Definition. Так можно добавить несколько подложек. Потом строим схему, double-click на элементе, находим в появляющейся таблице Substrate, щелкаем на ней и выбираем нужную подложку из числа ранее добавленных.

Это я и раньше видел. Оказалось, что можно задать разные подложки и в EM design. Для этого нужно сначала задать разные топологии на разных подложках, а потом включить их в Circuit Design, оставив независимыми.
Попутно набрел на другую засаду. Оказалось, что EM design никуда не годно считает планарные линии с лицевой связью, т.е. лежащие в разных плоскостях. Полученные результаты вообще ничего общего с действительностью не имеют. Крайне был разочарован. Порушилась вся стратегия расчета схем.

[/quote]
Попутно набрел на другую засаду. Оказалось, что EM design никуда не годно считает планарные линии с лицевой связью, т.е. лежащие в разных плоскостях. Полученные результаты вообще ничего общего с действительностью не имеют. Крайне был разочарован. Порушилась вся стратегия расчета схем.

[/quote]

А вот это, вообще говоря, непонятно... Ансофтовский Ensemble очень пристойный инструмент, должен давать нормальные результаты. А есть у Designer модель такой линии? Я еще почти не имею опыта работы с ним.

Модели таких линий не использую, и ничего про них сказать не могу. А задача стояла простая, нужно было рассчитать распределенный конденсатор (емкостной делитель), у которого одна обкладка общая и на ней сидят три емкости, а диэлектрик SiO2 толщиной 0.3 мкм. Designer, на самом деле, не показал результат даже близкий к действительности, а EMSight сосчитал.

Похоже у вас ошибка где-то: с заданием портов или настройкой солвера. Может конфигурация слоев нарушилась, в "моей версии" Дизайнера такой глюк иногда случается.
Приходилось считать посредством Ensemble планарные антенны: 2-3х слойные, с паразитными элементами, щелями и т.д.. Результаты вполне удовлетворительные.

Может быть у меня руки кривые, но почему бы не проверить?
Корректное решение одной задачи еще не гарантирует такую же точность в отношении другой. Может быть, в Вашей задаче от связи проводников в разных слоях ничего не зависило?
А порты тут причем? Порт, он и в Африке порт. Другое дело, диэлектрик очень тоненький. Возможно, проблема в этом?

Софт типа Ensemble, как раз и предназначен для моделирования схем на планарных елементах с боковой, либо лицевой связью. Если решение отсутствует, значит неправильно настроен солвер или неверно заданы граничные условия, к которым, кстати, относятся и порты.
В Ensemble режим самокалибровки порта и последущего решения сильно отличается от EМSight. Следует перед назначением порта вручную просчитать волновое сопртивление сечения проводника для многослойной модели. Кстати, в хелпах про это весьма доходчиво прописано.
А EMSight надо сказать весьма приличный по точности инструмент.


Возможно. Хотя вряд-ли. Единственное, что можно предположить - некоторые типы задач, связанные с расчетом самих конденсаторов, индуктивностей следует решать не Ensemble или HFSS, а программами использующими "методы електро-, либо магнито-статики". К такому классу программ, кстати, относятся 2D,3D Maxwell от того-же Ansoft.

andybor
О том, что изменение значений портов не влияет на расчет топологии в EMSight обсуждалось здесь. В Ensemble тоже самое. Просчитайте любую топологию, задайте другое значение портов и получите тот же самый результат.

Когда считаешь одну и ту же топологию длю однослойного диэлектрика в EMSight и Ensemble, получаешь один и тот же результат с погрешностью несколько процентов. При расчете описанного конденсатора EMSight считает правильно, а Ensemble никак.

Может быть, есть корректное решение поставленной задачи в Ensemble? А может, нет? Пока имеем только общие рассуждения по теме.

optimizer
Похоже, для Вас, порт это только - стрелка на торце стрипа и значения в его свойствах. С таким подходом действительно: "Порт, он и в Африке порт."

Ну, а кто вам мешает от общих рассуждений перейти к делу. Может быть рано хаять известного софтопроизводителя? Выложите эскиз вашего конденсатора и вопросы, на которые вы ищите ответы при моделировании.

Приложил пример, который правильно считается в EMSight (подтверждено экспериментально). Свое видение расчета, задания портов и т.д. в Ensemble навязывать не хочу.

Попытался открыть ваш пример в 5.52-версии MWO. Ругается и отказывается, без указания причин.

Доброе время суток Optimizer!



Открылось в MWO 6.51 без проблем, но первое что меня смутило, референсные плоскости вынесены и на этих участках полоска есть неоднородности. Посчитаю, уточню.

Всего.

ЗЫ. Хотя оно маловлиятельно

Всем спасибо!
Задача оказалось решаемой, но как всегда в Ensemble через одно место... Все проблемы были связаны с особенностью задания мешей, а африканские порты, референсные плоскости и другие тонкости, естественно, ни при чем.

Это "место" называется - ГОЛОВА.
Что-бы понять влияние "особенности задания меши" на точность результатов в Ensemble, достаточно было прочитать HELP к программе.

А что там написано? Меньше меши, точнее решение? В программе нет самого главного для многослойных схем: автоматической синхронизации мешей в области пересечения элементов в разных слоях, что, между прочим, изящно решено в EMSight.
В EMSight корректно решаются симметричные схемы, а в Ensemble для симметричного элемента почему-то рисуется несимметричное разбиение на меши, в итоге решение получается несимметричным и расхождение может достигать несколько дБ. Так что голова здесь ни причем, а на лицо сырой и недоделанный продукт.

Ну вот опять: "Ansoft must die!!!"
Не пойму - то ли вам лень хелп прочитать, то ли вы инглиш не знаете.
Прежде, чем хаять поизводителя надо хотя-бы инструкцию изучить.
Включите режим AdaptiveMeshing, установите настройки и программа сама, автоматически, положит мешь с учетом всех критических зон, пересечений элементов в слоях и т.д..




Расхождения у вас от недостатка опыта. Научитесь работать с мешью, портами и все будет получаться.
Несимметричность разбиения связана с формой элементов меши - треугольники. Но это никак не связано с конечным результатом. Тем более triangle позволяет более корректно обрисовать непрямоугольные фигуры, плавные переходы и пр., в отличие от MWO-шного rectangle.

Про режим AdaptiveMeshing я читал, но там имеется ввиду:
• Adaptive — Ansoft Designer attempts to compute a suitable mesh size based on analysis
Короче, этот режим связывает размер мешей с верхней частотой анализа, что повышает быстродействие. О правильном размещении мешей при пересечении линий в разных слоях тут ни слова. Проверьте, убедитесь.



Несимметричность расчета проявлялась в схемах, в которых имелись дырки для соединения линий, лежащих в разных слоях. Убираешь их и решение становиться симметричным.

Вообще, что ни день, то новые открытия. Вот, например, сегодня. Считаю в одном файле несколько планарных схем. Вывожу рассчитанные s-матрицы в файлы. Матрицы на график и в файл выводятся с разными значениями элементов. Оказалось, что в свойствах порта необходимо обязательно указывать значения нагрузок, при которых матрицы будут рассчитываться и выводится на график. На какую нагрузку они считаются по умолчанию пока осталось загадкой.

Вы не до конца хелп прочитали:
"...The mesh elements with the highest error will be refined. For instance, specifying 10 causes 10 percent of the most critical triangles to be refined."

При AdaptiveMeshing происходит автоматическое увеличение элементов меши в так называемых критических зонах(углы, изгибы, пересечения, места с повышенной плотностью поля и т.д.) . Процесс меширования завершается при достижении требуемой точности результата, либо при достижения заданного вами числа пасов меширования.



В EM-симуляторе(Designer) можно выбрать трехмерную модель виаса("дырки для соединения линий"). В этом случае точность моделирования повышается, правда в ущерб времени.



Солвер считает волновое сопротивление(characteristic impedance) портов.
Поставьте галочку в чек-боксе PostProcessing настроек порта и программа отнормализует S-матрицу под любое заданное значение нагрузки.

Это я читал, но мои проблемы AdaptiveMeshing не решает. Для повышения точности расчета связанных линий нужно использовать Edge Mesh. К моему глубокому сожалению, элементы, лежащие в разных слоях, разбиваются на меши независимо друг от друга при любом сочетании опций.



Именно это я и имел ввиду, но солвер не указывает на какую нагрузку были рассчитаны графики, если эту галку не поставить. По-моему, это недоработка программы.

Да, EdgeMesh весьма полезен при симуляции линий с боковыми связями(каплеры, фильтры и пр.).
В принципе, если вас не устраивает меширование "скопом", можно отмешировать любой элемент вручную, как вам захочется, с применением EdgeMesh и независимо от других.