Вам для какой микросхемы конкретно IBIS-модель нужна?
Если на сайте Micron нет, то искать где-либо еще смысла нет, проще использовать модель от другой подобной микросхемы от Micron.

Я уже нашел (пришлось написать в службу поддержки micron). Теперь непонятно что с результатами моделирования делать (667 МГц). Замоделил системную шину в обеих направлениях: тестовый сигнал - меандрообразный (что неправильно в принципе т.к. в реале на шине сигнал недетерминированный и спектр у него другой...). Получил вроде гладенький сигнал на входе микросхем (в области неопределённости это особенно приятно). Есть руководство с картинками: чего следует ожидать от DDR2 1,8 В на 667 МГц? Особенно интересует моделирование и анализ глазковых диаграмм для всей шины одновременно. Как распознать опасность? То есть интересуют критерии настройки размеров глаза (шестиугольника, вписанного в глазковую диаграмму)?

Ну для DDR2 вроде все несколько проще, с точки зрения целостности сигналов нужно чтобы фронт монотонно перешел через Vihac/Vilac и затем оставался в пределах Vihdc/Vildc. Конечно чтобы выбросов больших напряжения открывания защитных диодов не было, чтобы были мотонотонные фронты. Для этой задачи меандр максимально возможной частоты подходит идеально.

А с точки зрения времянки, то там нужно смотреть на возможности как контроллера памяти так и самой памяти.

Например в HyperLynx можно посмотреть как целостность сигналов так и промоделировать временные задержки.

Дампинг-резистор (22 Ом). Где устанавливать? Т. е. в какое место трассы ставить? Доки говорят, что в шине адресов ставить надо около процессора, а в шине данных около микросхем памяти. У меня микросхемы памяти стоят рядом с процессором. Поэтому вышеупомянутое понятие получается довольно-таки размытым. Насколько все это критично? А вопрос вот еще в чем. Выравнивание длин трасс необходимо до и после резистора? Или важно обеспечить выравнивание общей длины трасс не взирая на местоположение резистора? Только не отсылайте к моделированию, как к критерию истины. Моделировать я наверное буду конечно, но после того, как плата будет разведена. Каждый чих проверять моделированием наверное неверный подход.

В общем случае последовательные резисторы нужно ставить как можно ближе к источнику сигнала. Для адресных линий это возле процессора. Для линий данных тяжелее, потому как они двунаправленные и тут тот случай когда нужно моделить - какому из драйверов согласованее критичнее, к тому ближе и ставить.
Правда непонятно при чем тут DDR2, там последовательное согласование как правило не нужно вообще.

Как не нужно? Почему в доках ничего про это нет? Т. е. там нет категоричного ставить или нет. Чем руководствоваться, чтобы не ставить?

Да именно тем, что нигде не указано, что обязательно нужно ставить А зачем лишние компоненты на плате? Единственное, что требуется в ДДР2, это терминаторы на адресных линиях. И то, есть дизайны, где после проверки даже от них отказывались. Получалась вообще память, в которой только один резистор - в точке разветвления клока.

Подскажите,пожалуйста,почему на ODT и CKE не ставят терминаторы (DDR3) ?