Полная версия этой страницы:
Генерация временной задержки
и где тут S-образность ?
от корпуса - 5 мм, тут же снаббер 1000 пФ 2 кВ NP0.
закрытие SJ MOSFET STW88N65M5 на 10 Амперах на fotkidepo.ru:
момент включения на 15 Амперах - заброс в минус = 50 Вольт ! на fotkidepo.ru:

колебания напряжения на затворе - это фактически игра индуктивности истока.
но горе тому, кто ставит трансил прямо на выводы транзистора !
Всё таки некоторые открытия возможны...
Суть опыта - параллельно работающей стойке (коммутируемый ток около 17 Ампер) подключаю снаббер МКР 1000 пФ и токоизмерительный резистор 0,22 Ома
snubber 1000pF:

А теперь вместо ёмкости подключаю MOSFET STW88N65M5 с перемычкой затвор-исток
off :
on :

желтый канал - 4,5 Ампера на клетку, снабберный транзистор чуть тёплый.
Вот такие ZVS-пироги !
Снаббер односторонний, заряд перемещается из структуры когда напряжение на стоке давно равно 0 !
Так что диод - НЕ лишний, с ним гораздо спокойнее...
gate voltage with diode on source-drain :
thickman
Aug 20 2013, 16:21
Цитата(НЕХ @ Aug 20 2013, 16:50)

Суть опыта - параллельно работающей стойке..
Стойка моста, или сток-исток ключа?
Интересный результат.
HEX, спасибо за идею!
Только что опробовал, в качестве нелинейного снаббера STB42N65M5. Шикарно. Казалось бы идея на поверхности, останавливала косность мышления, на первый взгляд два ключа параллельно, по выходной ёмкости. Ан нет. Дмитрий, такого оптимального выключения при ZVS я ещё не видел, поздравляю!
Корпус D2PAK на соплях, греется прилично, но выделяемая мощность, ориентировочно, менее ватта.
а мне-то даже взгрустнулось...
думал, включение при ZVS без потерь -
а транзистор-пустышка ещё 350 нс выдавал 4,5 Ампера, выводя накопившийся заряд через контрольный резистор и открытый силовой ключ.
при этом у него на стоке был +
похоже, что ещё 100 нс можно было не переживать, что начнёт проводить body-диод...
а то, что на стоке отрицательное напряжение - это обман.
интересно будет повторить это с новыми 4-выводными ключами, исключающими индуктивность цепи истока.
Integrator1983
Aug 21 2013, 06:43
Цитата
Только что опробовал, в качестве нелинейного снаббера STB42N65M5. Шикарно. Казалось бы идея на поверхности, останавливала косность мышления,
Тут уже несколько раз всплывала идея использования медленного диода в качестве снаббера. Это не одного поля идеи?
thickman
Aug 21 2013, 08:15
- не, диод с накоплением заряда, пмсм, не самое эффективное решение.
Integrator1983
Aug 21 2013, 10:22
Если не секрет, в чем разница (G-S замкнуты)?
Докладываю - так ведет себя только ST серии М5.
у COOLMOS поведение больше сродни обыкновенному диоду и S-образный перезаряд получится сам собой.
но такого хорошего всплеска тока при закрытии ключа нет ни у кого, кроме М5.
на этом положительные стороны окончены - снаббер удалось таки сжечь с закороченными затвор-исток.
потом были поиски диода, желающего шустро открыться за 50 нс - fast forward recovery.
они показали, что действительно у М5 - ленивый диод.
Прошла парочка лет после этих опытов... и буржуи спохватились

"new physical effect" during the charge and discharge
"Origin of Anomalous COSS Hysteresis in Resonant Converters With Superjunction FETs"
http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDeta...rnumber=7173033"Coss Related Energy Loss in Power MOSFETs Used in Zero-Voltage-Switched Applications"
http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDeta...rnumber=6803302Device A шокирует - и ST срочно лепит серию M2-EP
как бы не пришлось отвечать в суде за потери при включении в ZVS
традиционное ритуальное сжигание 2015 -
"An Analysis of the Switching Performance and Robustness of Power MOSFETs Body Diodes"
http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?t...rnumber=6853362скачать можно через sci hub org
НЕХ
вы могли бы растолковать пожалуста, как правильно применить адаптивный драйвер для переключения в ZVS? он применим для индукционного нагрева?
у меня управляющий модуль сам довольно четко следит за фазой переключения, хотя небольшие выбросы появляются выше и ниже средины диапазона подстройки. хотелось бы чтоб транзисторы не погибли в емкостной зоне нагрузки
В индукционном нагреве прекрасно работает - смело применяйте.
Сам за фазой не слежу - не использую трансформаторы тока или слежение за напряжением в контуре.
Резонансная частота легко находится по мёртвому времени - при подходе к резонансу это время растёт.
Вам может помочь зазор в силовом трансформаторе - ток намагничивания облегчит переключение ZVS
Только добавьте в драйвер элементы защиты - чрезмерное превышение тока и мёртвого времени должно отключать задающий генератор.
есть такая книжечка
http://www.tdx.cat/bitstream/handle/10803/....pdf?sequence=1в ней на стр 74 говорится что мягкое переключение невозможно при Q < 0.5. понимаете, знания собираю по крохам в надежде на то, что они рано или поздно обретут завершенную картину. вот и спрашиваю, а где же правда? вы испытывали драйвер на малых Q? думаю, что такие ситуации относятся больше к нагреву силовых элементов, чем заготовки, но все же. и такой вопрос - при Q < 0.5 работа инвертора считается допустимой?
использование фазового регулирования вкупе с изменением частоты решает проблемы оптимального переключения транзисторов.
НЕХ
спустя столько времени возник вопрос: а в чем функция N-канального транзистора в адаптивном драйвере? я планирую прикрутить его к оптодрайверу HCPL316J, у него полное питание составит 25В. Схема явно будет себя вести иначе чем при 12В, и этот транзистор беспокоит меня больше всего. да и вообще интересно. Плюс выход 316J идет на totem-pole буферный драйвер. что если я оставлю только Р-канал?
N-канальный стоит для защиты от токов сверх нормы и отключения при не наступлении ZVS условий (при заряде затвора резистором, параллельным P-mosfet)
hcpl316 уже с защитой
управлял изменённым драйвером SiC mosfet с размахом +20 -4
помните о пределах напряжения затвор-исток для р-канального и о том, что сток может залетать ниже истока на десяток-другой вольт на короткое время.
адаптируйте драйвер под свои задачи - он же адаптивный
да, 316-й уже с защитой, она будет работать независимо. ключики применяю IRGP50B60D1 в параллель 3-5шт. питание +18В -7В.
я смотрю на схему из поста #96 и думаю - диод шоттки (между затворами) направлен в правильную сторону? потому что иначе я не пойму в какой ситуации там вообще присутствует отпирающее напряжение? при не наступлении ZVS не откроется и Р канал и на затвор N канала напряжение уже не попадает, хотя если развернуть шоттки, тогда получается что подтяжка к +12В держит затвор на земле. но тогда я не возьму в толк что делает 680пик. я часа полтора разглядывал схему, не подумайте) но можно все таки пару слов как работает схема?
схема работает изумительно - сберегла много ключей
диод Шоттки разряжает затвор n-канального при благополучной работе основного ключа.
там сноска в описании на упущенный резистор, параллельный p-канальному.
Но для IGBT ZVS не очень нужен, если только не стоят параллельно коллектор-эмиттер здоровенные ёмкости (0.03 - 0.1 мкф).
Цитата(Hexel @ Nov 29 2015, 23:06)

Какая хорошая книжечка, наконец хоть одна работа по поводу load adaptive phase locked loop.
А есть что еще почитать по этому поводу?
Чтобы не было оффтопика- есть ли примеры реализации digital (software) phase locked loop использованием capture- compare таймеров для подстройки петли? И варианты adaptive deadtime для работы на границе сквозного тока.
thickman
Aug 10 2016, 10:11
Цитата(НЕХ @ Oct 1 2015, 06:09)

традиционное ритуальное сжигание 2015 -
"An Analysis of the Switching Performance and Robustness of Power MOSFETs Body Diodes"
Интересно, а над SiC ещё никто так не глумился? Например, боди-диод транзистора SCT30N120 имеет Trr=140ns. Подозрительно много по сравнению с конкурирующим C2M0080120D. Как бы чего не вышло при питающем напряжении под киловольт.
Просто di/dt различаются в тесте в 24 раза
Не слышал о проблемах с диодом, дующий на воду всегда сможет применить SiC Шоттки.
thickman
Aug 10 2016, 12:27
Цитата(НЕХ @ Aug 10 2016, 14:43)

di/dt различаются в тесте в 24 раза

dIf/dt в три с половиной раза вроде. Но всё равно почти успокоили, спасибо.
Limon678
Mar 7 2017, 11:17
Цитата(thickman @ Aug 10 2016, 12:27)

dIf/dt в три с половиной раза вроде. Но всё равно почти успокоили, спасибо.
Параметы QGS и QGD в SiC Mosfet тоже на порядок ниже по сравнению с обычными MOSFET,как железе они усточивы к ложному открытию?В ДШ Cree рекомендует отрицательное смещение гейта на -4в.
Для просмотра полной версии этой страницы, пожалуйста,
пройдите по ссылке.