В даташите в таблице 5 указано, что напряжение на VBAT должно быть в пределах 3,2...4,8В.
В таблице 27 пишут что максимальное напряжение 5,5В, т.е. это напряжение приведет к необратимому повреждению модуля SIM900.

А если напряжение питания будет 5В, что произойдет?
И что случиться с модулем если напряжение питания упадет ниже 3,2В?
Потребляемый ток увеличится?
Приведет это к необратимому повреждению модуля SIM900?
Модуль будет сбоить?
Автоматически отключиться или перейдет в режим SLEEP?

В таблице 5 - Vnorm=4,0В
А в таблице 30 приводятся токи потребления для VBAT=3,8В.
Так какое напряжение норма для модуля?

В главе 3.3.2 пишут что Vmin=3,1В, а в таблицах 3,2В.
Так какое напряжение минимальное и что произойдет при снижении его ниже этого предела?

Модуль обругает, что напряжение выше/ниже нормы и пошлет на три буквы(смотри Turn OFF SIM900 в Hard-инструкции пп 3.4.2.3)...
ЗЫ. Это если не сильно вдаваться в подробности.

Понял, спасибо

я делаю 4.2 в, тем более что если написано 3.2-4.8 так надо так сделать и не париться и не экспериментировать.

4,2В делаешь по схеме как в даташите?
MIC29302WT?
Там сопротивления на 100кОм и на 43кОм, вроде. Они выдают 4В?
там какие сопротивления % надо брать?

Или другую схему используете? Можеет кинуть ссылку (если не секрет)?

Обычно одна банка лития питает телефоны.
Я в автономных приборах от лития питаю и модули (сим900)
Напряжение на полностью заряженой 4.200, разряженой 3.210 (отключение модуля)
проблем нет.

В том то и дело что не автономное надо, а грубо от розетки 230 В, а точнее от блока питания, например 230/5...6В.
На 5, 3,3 и 3В полно стабилизаторов, а вот на 4 или 4,2 уже сложнее

Сложнее потому что нужно добавить 2 резистора?
к тому же лучше использовать импульсный стабилизатор а не линейный. Я использовал ST1S10. Остался доволен.

Добавлю, что дело не столько в самом питании. Пусть даже 4В - достаточно экзотическое напряжение, но с помощью настраиваемых стабилизаторов эта проблема легко решается.
Основная загвоздка - характер нагрузки: потребление в импульсе до 1,5...2 А.
Что предъявляет свои требования к фильтрующим емкостям - они должны быть с малым эквивалентным последовательным сопротивлением (lowESR). Да и дорожку для питания нужно достаточно широкую и короткую провести.

Здесь есть много полезной информации по этому модулю:
http://microchip.ua/simcom/GSM-GPRS/SIM900/
В особенности вам будет полезен документ "AppNotes/AN_SIM900 Reference Design Guide"

Смотрю рисунок 2. DC-DC Power Supply как раз из AN_SIM900 Reference Design Guide".
Там стоит LM2596-ADJ

Индуктивность - L101 100мкГн или 100мГн?
Какой типоразмер брать 1812, 1206 или 0805? Как определить что они ток 2А выдержат?

Там указан FB101 270OHM?!
Какой взять феррит (магнитная проницаемость)? и какое сопротивление его должно быть?
Можно ли обойтись совсем без него?


А можете скинуть готову схемку

Ограничений по размерам и весу не испытываю, потому вопрос такой:
"можно ли танталовые конденсаторы заменить обычными электролитами?"
например на 1000-3000 мкФ 25В

Я бы рекомендовал Вам прислушаться к совету и использовать ST1S10. Так называемые "танталы" плохо ведут себя при высокочастотных помехах (случается, их пробивает), электролиты "высыхают" и теряют ёмкость, настоящие "советские" танталы недоставабельны и дороги. Поэтому совет Вам - берите ST и используйте высококачественную керамику - и будет Вам счастье. Эта мелкосхема сделана специально для приложений, где требуется быстро отслеживать резкие броски тока. Плюс ко всему, малый корпус, высокая частота преобразования (и как следствие малый размер дросселя), диод шоттки встроен в корпус... в общем, одно удовольствие.

Хорошо, остановлюсь на ST1S10.
Нашел даташит: Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Вот схема:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Индуктивность L1 3,3мкГн в каком типоразмере искать? 1206? 0805? как определить что она 2-3А пропускает?
Какие взять номиналы R1 и R2 для получения выходного напряжения 4,0...4,2В?
Какая погрешность % должна быть у резисторов, конденсаторов, индуктивности.

В даташите на SIM900 пишут, что нужен на VBAT "тантал" на 100мкФ как минимум.
А в даташите на ST1S10 22мкФ керамика.
Как быть?
Ставить на выход ST1S10 С4(4,7нФ) + С2(2*22мкФ) + Сload(электролит тантал 100мкФ)?
Или как-то по другому?

Нужно ли ставить между С2 и Сload феррит FB101 (270Oм) (как в схеме из даташита на SIM900, где LM2596-ADJ стоит) или что-то подобное?

Определить очень просто - открываете даташит на индуктивность и читаете его. Весьма вероятно, что на такие токи в корпусах 1206, 0805 не выпускаются.

Да действительно 3,3мкГн 1812 на 355мА.
Посоветуйте тогда на 3,3мкГн на 2А?

С конденсаторами просто. Если суммарная ёмкость нагрузки не превышает 100 uF, то на выход преобразователя 2 корпуса 1206 по 10 uF (Может, можно найти 22 uF в 1210). Если больше - немного другая схема включения (обратная связь берётся из другой точки). В Вашем случае все танталы-электролиты с успехом заменяет преобразователь, поэтому на VBAT уже больше ничего не надо. % для конденсаторов не особо важны, можно не заморачиваться. Главное - керамика и lowESR, т.е. KX7R, но не хуже X5R.

Резисторы берите не хуже 5%, лучше 1%. Формула для расчёта есть в доке. Феррит нужен только один, как в схеме, я выбрал такой: CDRH6D38NP с параметрами 3,3 uH x 3,5 A (возьмите лучше на бОльший чем 2 А ток, чтобы не было крайних случаев). Есть в МегаЭлектронике (если Вы в Петербурге).

Спасибо за ответы

% феррита и добротность существенны?

Будет лучше, если Вы выберите феррит в броне - так он меньше будет "шуметь" на ВЧ. % особо не важен, как я полагаю.

На моей плате это выглядит так (подстроечник больше для понту).

Красиво

C14, C26 - это вводные я так понимаю.
Они на 4,7 и 0,1 мкФ или на 10 и 4,7 мкФ соответственно?

Я просто почему про феррит перед Cload спросил, просто в схеме на СИМ900
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Вроде как написано, что в случае DC/DC помехи могут быть наведены на RF часть модуля.

А бронированный эту проблему снимает?
Если не найду бронированного, то наверное все-таки стоит дроссель ЭМХ поставить FB101.

В доке на SIM900 даны рекомендации использования LM2596. Для ST есть её собственный даташит. Используйте в полном соответствии - и будет Вам счастье. Входные ёмкости - С26 4,7 uF х 25 V, C14 0,1 uF x 25 V

P.S. Преобразователь LM работает на низкой частоте, но в ней всегда присутствуют ВЧ-гармоники, именно для их устранения нужен второй дроссель (сам однажды делал почти такую схему на LMке, после первого дросселя шум был размахом до 0,4 В, после второго - меньше 0,05 В).

Спасибо огромное за ответы и рекомендации

Еще один вопрос по питанию
Если собирать схему SIM900 <-> РС, то нужно преобразователь уровней ставить на RS232 (МАХ3222 на 3 вольта питания или МАХ232 на 5В питания, а выходные линии через резистивный делитель на входы SIM900).

Вопрос вот в чем: "как лучше и правильней поступить (желательно дешевле):
1) DC/DC - 4.0-4.2В - для питания SIM900 + еще один DC/DC - 2.8-3.0В для питания MAX3222 (или DC/DC - 5В для питания);
2) DC/DC - 4.0-4.2В - для питания SIM900 + линейный стабилизатор на 3.0В (на небольшой ток) для питания MAX3222.
3) DC/DC - 4.0-4.2В - для питания SIM900 + линейный стабилизатор на 5.0В (на небольшой ток) для питания MAX232.
"?

ИМХО: лучше управляемый стабилизатор или другой источник, либо ключик поставить верхний, управляемый от сигнала STATUS.
Чтобы избежать паразитной запитки по сигнальным цепям.
И удобнее будет 3В сделать, чтобы не согласовываться лишний раз.

Если только макс питать то можно от V_EXT с управлением от статуса

Как вариант, ввиду вымирания COM-портов, взять FT232R и на её VCC_IO подать V_EXT от модуля.

А он вроде максимум только 10мА выдает или нет?
Разве для МАХ хватит 10мА?
Может не туда смотрю?

На форум написать нынче гораздо быстрее, чем документацию почитать, не правда ли ???
О подумать я даже не упоминаю ...