Цитата(Alexashka @ Aug 13 2013, 14:46)

-Уровень входного 100 мВт,
-защита от КЗ или обрыва в антенне;
-питание 12 В (авто-аккумулятор);
Типы транзисторов, кол-во каскадов и т.д. я так понимаю -все эмпирическим путем? Потому как не видел я на наши транзисторы таблицы s-параметров, ну или типовой схемы включения. Так что как это моделировать - я даже не знаю как
Защита должна срабатывать не только при обрыве/КЗ (это крайний случай), но и при КСВ>1.5.
Конечно, данные по S-параметрам для режима большого сигнала у транзисторов отсутствуют.
Процедура разработки ВЧ усилителей мощности неплохо описана в книжке (Дж.Ленк.Справочник по проектированию электронных схем. 1979). Приводится пример разработки усилителя 175MHz Pout=25W, Pin=190mW, Vs=+12V. Там вместо S-параметров используются приближенные данные по емкостям переходов транзисторов. Потом, в процессе настройки можно более точно настроить согласующие цепи. При оценке количества каскадов нужно учитывать, что более 10dB устойчивого усиления от одного каскада не получить.
Надо выбирать транзисторы, оптимизированные под напряжение питания 12V, например КТ925, КТ960.