Добрый день!
Прошу помощи в параметрическом стабилизаторе на базе MOSFET-транзистора. Схема типовая, стянута в своё время у National Semiconductor (TI). Проблема следующего характера: эпизодически выходит из строя транзистор VT2. Нагрузка – микросхема HV9961 (ток потребления 3,5…7 мА). На схеме указан транзистор NDD04N60Z, аналогичная проблема с транзисторами NDD02N60Z. Первоначально выкрутились установкой транзисторов STD3NK60Z – отказы пропали (по крайней мере статистики отказов нет). В последней партий заменили 3NK60Z на STD3NK50Z (из за отсутствия на 600В) – опять получили массовый геморрой. Перегрев схемы исключён: при температуре внутри корпуса +50 на полигоне возле транзистора всего +70 градусов. Закупаемся строго в Компэле. Осциллографом каких либо генераций и «паразитов» на затворе не наблюдается. Напряжение строго по стабилитрону. Вопрос собственно такой: что в этой схеме «не так»? Схема «умирает» по типовому сценарию: пробивает затвор транзистора (звонится) и, собственно, стабилизатор перестаёт быть стабилизатором: в лучшем случае обрыв, в худшем пробой. Также статистика говорит о том, что происходит это в процессе работы (не коммутация). Стабилитрон – живой, крайне редко бывает, что его пробивает с затвора транзистора. Наличие\отсутствие пассивного корректора на статистику отказов ни как не влияет – всё однотипно. Первоначально грешил, что у транзисторов NDD ограничение по напряжению на затворе +20В, у STD +30В. Но вот последние отказы с STD3NK50Z поставили в крепкий тупик. Уже не знаю что и думать. На уровне умозаключений есть предположение, что проблемы возникают при пониженных входных напряжениях, но сколько не крутил ЛАТР и не смотрел на затворе и стоке состояние – никаких всплесков и проблем не увидел. Также одна из мыслей – сопротивление 200К, ёмкость затвора и индуктивность цепи образуют «хитрый» колебательный контур, в результате которого на затворе появляется напряжение больше допустимого, но оценить его не в состоянии. У кого есть какие-либо идеи?