Собственно, все в сабже. Импортные вроде есть, но хочется родной, причем не из неликвидов, а серийный, хотя подозреваю, что их нет. Извините, давно такой комплектацией не интересовался, потерял "тему".
Была еще идея для уменьшения напряжения насыщения включать транзистор в инверсном режиме, но опыта здесь нет, может кто что-нибудь посоветует?

В оффтопик, что-ли перенести
Ну а от жизни Вы отстали очень сильно - сейчас это область занята полевыми транзисторами.

Спасибо, знаю про такие
Но нужен именно биполярный, так что не судите строго. а лучше что-нибудь по делу

Да по делу всем хотелось бы, но: " современного отечественного серийного производства" - непереводимая игра слов, бессмысленный их набор.

кп505 ?
http://www.transistor.by/products/common/transistor/
биполярный вряд с таким насыщением найдете...

Ну, что тут непонятного? Хорошо, можно еще уточнить - "производящегося серийно в настоящее время в России". Наверное сюда можно было бы включить Украину и Белоруссию. Заранее оговорюсь - никакой политики и покушения на суверенитет


Спасибо за ссылочку

Мдяяя... А что там было в старых П213-П214?. Хотя подозреваю, что много... Посмотрите, не помню, где натыкался на импортные германиевые транзисторы...

Не-е-е, германий, по известным причинам, исключается

только если нужен аналог PNP ключа- тогда КП508 из того же источника, или КП507, он низковольтный относительно превого (50 В против 240), но более сильноточный- 1,1 А.

Да какая еще политика и суверинитет в таких вопросах? Все технари - одной крови!
Просто умерло все родное производство окончательно и бесповоротно. Печально, но факт.
А вообще, биполярник с 0.1 вольта при 1 ампере... мне кажется, такого нигде нет. Полевик примерять нужно.

Так они и были, БСИТ-ы назывались, если память не изменяет что-то типа КП615Ж. Падение при 1А - 0.15В.

Да пожалуйста, FMMT617 - 70 mV@1A типично. Но - npn (впрочем, у них, Zetex/Diodes, и pnp весьма впечатляющие), и, само собой, не "отечественные".

кажется у zetex много такого добра...

Всем спасибо. Импортные такие найти можно, например ONSemi делает подобные штуки, но хотелось бы свое. Понимаю, что производство почти все померло. Но это же дискретные компоненты... Может что-то осталось? Неужели никто не производит?
Мож "братья китайцы" на худой конец?
Да и насчет инверсного режима, кто может в теме?

Что за режим?

ЗЫ. Были ещё интересные транзисторы КТ698, но NPN, вроде как тоже БСИТ.

Ну, это когда эмиттерный и коллекторный переходы меняются ролями. В таком режиме, якобы, напряжение насыщения коллектор-эмиттер самое маленькое, правда из базы, подозреваю, придется приличный ток сливать, т.к. коэффициенты передачи в инверсном режиме намного меньше. Наверное, есть какие-то подводные камни, о них и хотелось бы услышать от спецов

Не-е-е, нужен только PNP

Инверсный режим действительно характерен меньшим падением на ключе, но при этом БЕТАинв. транзисторов много меньше, чем в прямом, и редко приводится в спецификациях. Но самое главное, напряжение ограничивается предельно- допустимым обратным Uбэ, что для подавляющего большинства транзисторов составляет примерно от 3 до 6 В. Есть некоторые, например, 2Т209 (pnp) у которых Uбэ обратное допускается до 20 В. Но и то, обратные токи эмиттера больше обратных токов коллектора при одних и тех же условиях.

Спасибо за информацию.
Там, вообще-то, напряжение не больше 6В будет. А обратные токи переходов в разы отличаются или больше? Помнится, было в теории такое соотношение, как произведение альфы на тепловой ток эмиттера равно произведению альфы инверсной на тепловой ток коллектора, но это чисто теоретические тепловые токи, а реальные обратные, подозреваю, отличаются от них. Насколько это на практике работает?
То, что бета инверсная обычно не нормируется в документации, я представляю. А может ее можно как-то по другим параметрам определить?
Прошу прощения за обилие вопросов

А как определить? Это от технологических параметров зависит, а они от нас скрыты. Разработчики- призводители тоже этим вопросом не заморачиваются, если транзистор не предназначен изначально для применения в инверсном режиме. помнится, выпускались ключи маломощные в СССР, на двух БТ в инверсном включении. С появлением КМОП стали неактуальны.

Впрочем, можно поискать. Я как- то выкладывал на фтп книгу Полонникова "Операционные усилители", автор в разработках МДМ ОУ использовал обратно смещенные переходы БТ в качестве варикапов, приводил ли он данные по ВАХ Э-Б транзистров при инверсном включении- не помню. Посмотрите. И ещё- иногда Б-Э переходы используют в качестве стабилитронов. Тоже можно поискать.

Да, встречал в литературе такие, но практически никогда не доводилось использовать

Нашел, спасибо, погляжу.

Да, вспомнил, была такая книжка, автор Шило, название только забыл... Надо поискать, скорее всего выкинул давно
В любом случае спасибо за консультацию

..Несколько штук КТ814 включить параллельно.. (с персональными базовыми резисторами)..

А почему такие экзотические требования, можно поинтересоваться?


И чем Вам китайцы больше "братья", чем янки? Говорите, не политика? Ну-ну...


Ну как же! Раритетами интересуетесь, а такую книжку, можно сказать - классику - выбросили...

Если не ошибаюсь, была когда-то даже книга в серии массовая радиобиблиотека. Называлась что-то вроде транзистор в инверсном режиме. Там было популярно рассказано. А вообще смотрите у Тугова или в любой книжке по полупроводникам. Там есть.

Если на то пошло, то можно 2 КП505А,Б,В (n-канальные) или 8 КП507 (p-канальные) из того же "Интеграла". Оба в крпусе ТО- 92 и оба допускают ток более 1 А для одиночного транзистора.

Спасибо, это не подойдет, нужен 1 кристалл...
Ну, скажем так, потому, что биполярные приборы более стойко переносят космические излучения...
К сожалению, политику полностью здесь исключить нельзя, да и "братья" взяты в кавычки.
Может и не выбросил, сегодня поищу на старой работе, может там мирно в шкафчике лежит А дома все хранить площади не позволяют.
Спасибо, а поточнее? Я конечно сам поищу, но уточнение могло бы сильно помочь.
Спасибо, не пойдет

Упрощаете вопрос стойкости. В общем случае, это не так.

..Вы листали справочники, хотя бы..?
..Судя по графикам, КТ816 – 1А/0,2В; КТ818 – 1А/0,08В..
Правда, это при соотношении токов коллекторного и базового 10/1.

..Кажется, они есть в продаже. Купите да измерьте, в чем вопрос..

P.S.
Во-всяком случае, даже КТ814 работал у меня в low-dropout стабилизаторе при минимальном перепаде менее 0,5В (ток 1А). Так это активный режим.
А его старшие собратья поядреней будут..


P.P.S. Слушайте, в заголовке темы было же написано 0,2В..?
Или мне показалось..?

Ясен пень Не вдаваясь в подробности, могу сказать только, что это желание заказчика.

Спасибо. Может быть 818-й и вариант, но производится ли он сейчас серийно и кем? Это же будет не штучная продукция, купить и измерить в таком случае не подходит Кто сможет гарантировать воспроизводимость?

Если верить указанному выше сайту завода Транзистор, то КТ818 они выпускают

Если не ошибаюсь, КТ698 пару составлял КТ6127.

Спасибо... Слона-то я и не приметил Я прошелся по столбцу Uкэ нас, а там меньше 0.5В нету, я и бросил эту затею. Сейчас отпишу, может они что порекомендуют.
Одна голова хорошо, а на три соображать лучше
Прошу прощения, это вы к чему?

К тому ,что БСИТ КТ6127 может работать как ключ (p-n-p).

Ну у них же, вроде, максимальный ток коллектора всего 2мА? Или я что-то напутал?

Если нужны отечественные транзисторы, то навскидку несколько ссылок
http://www.daleks.ru/index.php?page=list_p...amp;f=parent_id
http://www.novgorod.net/~planeta/ru/products/discrete.html
http://www.fabexiton.ru/pr_tr.php
http://www.sitsemi.ru/price.htm#8
http://www.angstrem.ru/catalogue/
http://www.mikron.ru/

Спасибо, обязательно посмотрю

Вот самый лучший каталог, который я знаю, по производителям деталюшек в СНГ.

Ошиблись на три порядка , макс. ток 2А.

Это просто подарок. Спасибо.
Понял, спасибо.

Если всё таки не найдётся подходящего отечественного ключа, то есть такие транзисторы BISS - Breakthrough In Small Signal. Почитать про них можно тут: Прорыв в технологии малосигнальных транзисторов, Преимущества применения биполярных транзисторов BISS, BISS-транзисторы. Можно просто погуглить на тему BISS транзисторы.

Спасибо, я нашел инфу по PBSS приборам от NXP. Нет ли у кого данных по их стойкости к различным ИИ? Насколько они в этом смысле отличаются от обычных биполярных транзисторов?

Против Искусственного Интеллекта, думаю, они не устоят... Сдадутся, пойдут курить в сторонке

Вспомнилось. NPN (например КТ698) тоже можно использовать как ключ по схеме ОК (эмиттерный повторитель) и вогнать его в насыщение 0.1 вольт.

Может, продемонстрируете?

Типо так. Только на базу надо подавать напругу (слаботочную) больше питания (коллектора ключа). Если девайс разрабатывается, то это вполне может сработать, ну а для замены транзистора в уже изготовленном приборе ессно не прокатит.

Уважаемый,ttron!!!!!!!!!!!!
Буду краток, для удовлетворения вашей мечты сабжа не достаточно...необходимо хотя бы кратенькое ТЗ (пробивное Uкб,Uкэ,Uэб, Iмакс, корпус, в котором вы хотели бы лицезреть данный девайс или ссылку на импортный аналог вас удовлетворяющий)... ну а дальше пожуем увидим, чем Вам помочь в вашем нелегком изыскании!!!!!
С наилучшеми пожеланиями, Владимир!
Разработка и производство высоковольтных чипов биполярных и полевых транзисторов по системе "фаундри".
для контактов pplefi@mail.ru

Что то вы несистемно подошли к вопросу-
такой ключ по классике делается на двух встречно включенных
транзисторах, при этом падение напряжения от токов базы
компенсируется с точность разброса кристаллов,
это милливольты и доли .
Схему не рисую , смотрите стандартные ключи К101КТ,
в них правда еще и инверсный режим применен,
Но это уже для микровольтов .....
Из плюсов- неважна полярность сигнала,
а поэтому без разницы- pnp или npn.

Давно не заглядывал, а тут два интересных сообщения Спасибо за внимание.

Спасибо за предложение, Владимир. Собственно, требования довольно мягкие: напряжения больше 6В в схеме нет, Ikmax=1...1,5A. Хотелось бы бескорпусной вариант, но можно рассмотреть и другие. Подходящий по электрическим характеристикам импортный аналог - PBSS301PX от NXP (datasheet). Одна проблема - стойкость к вышеназванным внешним воздействиям.



Спасибо за внимание, но что-то мне не удалось найти схему. Не будете ли так добры, чтобы указать ссылочку, либо прямо сюда схему закинуть?

Смотрите сообщение в своей личке!!!!!
Все проблемы решаемы
Владимир!