Цитата(Alt.F4 @ Sep 13 2010, 23:25)

Я как бы думал стабилитрон от помех. Тут же люди говорят, что помехи могут и килоВольты выдавать. Или все-таки не стоит ставить?
Вы сначала определитесь, от каких именно помех защищаетесь? Когда определитесь, прикиньте энергию такой помехи и что нужно, чтобы такую энергию рассеять и/или пропустить мимо входа МК. Только не увлекайтесь! А то на форуме уже есть пользователи, которые возжелали защиту "на все случаи жизни", чтобы эта защита даже удар молнии выдерживала
Цитата(Alt.F4 @ Sep 13 2010, 23:25)

3В/0.01А=300 Ом. В таком случае внутреннюю подтяжку лучше отключить? А то слышал, что выгорают очень часто.
При таких токах внутренний pull-up уже не играет роли.
Цитата(Alt.F4 @ Sep 13 2010, 23:25)

А как Вы смотрите на сборки Дарлингтона?
Смотря какой они величины? Если в SOIC или паче того в SOT-23, то только с лупой смотрю, ибо зрение уже не очень хорошее.
Шутка!

А если серьезно, то никак не смотрю. У Дарлингтонов высокое падение напряжение в открытом состоянии (порядка 1В-2В), а значит на них довольно большая мощность рассеивается. Грубо если взять дарлингтон, например,
TIP121 с падением 1,2В при 1А в корпусе ТО-220, то без радиатора тепловыделение на нем составит 1,2В*1А=
1,2Вт, а поскольку он без радиатора, то перегрев его будет 1,2Вт*60°C/Вт=
72°C. Но это при условии хорошей конвекции воздуха возле корпуса транзистора. В закрытом же корпусе или при плохой конвекции его перегрев может вполне и 100°C достигнуть. А если еще и снаружи жарко, как например нынешним летом +35°C легко было, то температура кристалла достигнет +35°C+100°C=+135°C, что близко к максимально допустимой величине (+150°C).
Дарлингтоны это уже можно сказать прошлый век. Для токов выше 0,5А MOSFET предпочтительнее.