А нельзя тестовым редактором из .lbr текст вынуть? Я бы просто всадил в свою симуляшку и сравнил. Ну, или, из какого другого файла - если вставка "чужих" моделей предусморена, то текст где-то должен быть. А то лениво с экрана вбивать, да и ошибок будет...


Нет, электролит, практически, не шумит. Т.е. он имеет шум тока утечки, но этот шум коротится его импедансом, а это десятые и сотые ома (кроме низкочастотной границы), поэтому, практически, не влияет. Но это легко проверить - заменить его на управляемый малошумящий источник, подогнать ручками нужное напряжение и измерить шум.
А температурное изменение емкости лишь сдвинет нижнюю границу полосы пропускания - сделать ее с запасом, а точную величину определить фильтром в последующих каскадах - все равно верхнюю границу тоже нужно задавать.


Но в коэффициент усиления входит и сам транзистор, а его бета будет меняться в 2-3 раза. Поэтому входное сопротивление и всего каскада (меняется общее усиление) и самого транзистора (температура) тоже будет меняться.

Тут есть и еще одна гадость - если общее усиление задается ОС в базу транзистора (а не в эмиттер) то оно начнет зависеть от (реально - определяться) входным сопротивлением источника сигнала - а это весьма неудобно. Поэтому я и предпочитаю ОС в эмиттер.


Трудно сказать, не верю я паспортным данным, в биполярах токовый шум всегда сильно влияет - хотя-бы чисто статистические флуктуации базового тока. Это лучше посмотреть глазками на реальной схеме - измените сопротивление источника сигнала и сравните шумы.


А вы уверены что станет лучше? Весь мой опыт показывает что нужно максимально увеличивать число витков обмотки (если это обмотка) или максимально снижать емкость пъеза (если это пъез). А, чтобы не влиял кабель, в сам датчик вставить простейший предусилитель.


А вот тут не могу дать точного ответа, просто так несколько раз получалось. Сильно подозреваю, что в теории шумов что-то не совсем то, но это, к сожалению, только ощущения, руки никогда не доходили тщательно разобраться. Или я сам чего-то недопонимаю.

Вот, сгенерил текст, хотя тут параметров меньше, видимо остальные- по умолчанию.
* Z Я
* Converted From Micro Cap Source file to PSPICE
*
Q1 1 2 3 BC107A
*
*** NPN AF transistor
.MODEL BC107A NPN (BF=201.511795 BR=165.146813M CJC=6.117149P CJE=11.82627P
+ IKF=10K IKR=84.490936 IS=10.00035F ISC=4.707919F ISE=1.02365P ITF=9.95368M
+ MJC=361.358643M MJE=673.545063M NE=1.665544 NF=912.846446M RE=2
+ TF=395.633026P TR=10N VAF=106.811111 VJC=949.695349M VJE=1 VTF=10
+ XTF=500.000119M)
*
...
С электролитом понял мысль, проверять не буду- думаю что так и есть
...
если петлевое усиление будет порядка 80*80=6400, и усиление каскада задать цепочкой обратной связи на уровне скажем 80, то последнее будет слабо меняться при изменении BF.
...
Есть такое, но именно это позволяет демпфировать механику датчика. А сопротивление катушек имеет очень небольшой разброс (единицы ом).
...
Можно проверить будет, к сожалению с железом я смогу поиграться только через месяц (щас в отпуске )
Кстати если демпфировать датчик резистором, то выходит входной импеданс источника 600||1000=375 Ом.
...
Согласен, лучше чувствительность датчика поднять, тем более что ЭДС пропорционально числу витков N, а шум только корню из N.
Но как Вы сказали, опятьжешь токовые шумы могут увеличиться

Фликкер шумы у СВЧ тоже низкие, в кварцевых генераторах они модулируют выходной сигнал и добавляют фазовые шумы, поэтому подбирают транзисторы с минимальными шумами всех видов. Возможно придется более внимательно отнестись к конструированию ПП, длины проводников делать минимально возможными, чтобы не получить генератор.

Можете на вскидку посоветовать какойнить? Из Чип-диповского ассортимента

Из недорогих можно попробовать 2SC3356, 2SC3357 и BFG540 - могут гудеть - эмиттер надо хорошо землить по переменке

Alexashka
А я навскидку и не припомню, но заметил один интересный момент: модели СВЧ транзисторов изобилуют количеством spice-параметров, очень часто встречаются Kf и Af (NE85630,NE85633). Попробуйте поставить в модель, интересно каковы фликкер шумы

Поэтому я и привел 2SC - у них кое-где попадаются результаты по фликкер-шумам на низких частотах - и это используется в генераторах http://uwsdr.berlios.de/A%20New%20LNXO%20Topology.pdf стр.4 2SC5191(NE68833) - попадается иногда в ГУНах мобилок
NE85633 - 2SC3356, NE85634 - 2SC3357
NE85630 из того же семейства - http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/nec/NE85630.pdf - там вроде были модели, только не помню насчет фликер шума

Всем огромное спасибо за помощь и инфу, попробую поиграться с моделями, когда будет результат отпишусь

Попробовал вашу модель BC107A, по шумам - абсолютно тот же результат с точностью до сотых nV.

В модели NE85630 фликкера тоже нет, KF=0.

Вот тут лежит описаловка 2SC2545_6_7, вроде 0.5 нВ/sqrt(Гц) шума на 1 кГц (0.5 дб) и приведены коэффициенты шума на разных частотах.

Гланьте и на этот http://www.semicon.toshiba.co.jp/openb2b/d...wm_20071101.pdf

Как и 2SA1015L - это транзистор-легенда - все о нем знают, но никто не держал в руках. Они и без L неплохи.
А НЕКи на свои дают модель Гуммеля-Пуна со значениями KF и AF по умолчанию - 0 и 1 соответственно

NE85633 / 2SC3356
http://www.cel.com/parts.do?command=load&idRootPart=542

А у них что, на всю серию NE85600 одна модель? Это же набор довольно разных транзисторов. Я просто почему-то не могу по ссылке зайти. Спасибо, что продублировали.

Как я вижу, у них только разные корпуса, разница соответственно в паразитных индуктивностях и емкостях

3356 и 3357 разные по результату транзисторы. В одной схеме на 90МГц попытались заменить 57 на 56 (драйвер УМ, 100мВт по выходу) - полезли и гармоники, и усиление упало - пик усиления у 2sc3356 где-то на 30мА, у 2sc3357 - 50-70мА. Что-то типа как BFG541 и BFG591. По диаграмме Смита разница тоже сильная вроде.

а что в нем особенного? вроде даже на складе в Чипе есть
Упс , виноват, с буквой L нет. Это какойто другой техпроцесс чтоли? не эпитаксия?


Ну вообщето я перепробовал неск.транзисторов, при одинаковом токе коллектора шумы действительно у всех одни и те же
...
Зато есть в модели NE85633) (пока не пробовал, но обязательно проверю)
...
К сожалению 0.5дБ при 10мА Ic. А вообще по графикам очень напоминает мой 2240, только минимум шумов смещен в сторону бОльших токов. При малых токах 2240 выглядит более удачным: вот к примеру на 0,3мА@1кГц 2545 дает 0,93нВ/sqr(Гц) при NF=2дБ, а 2240 дает 0,85нВ/sqr(Гц).
...
1815 неплохой, надо будет прикупить парочку

Лучше посмотрите на убитые магнитолы, телефоны, телевизоры и проч. - их стоИт навалом, и гарантировано не палево, как в магазинах. Они как у нас КТ315 или в Европе BC847. Работают у радиолюбителей-япошек даже на 144МГц, а на 6 метрах в основном только они, несмотря на.

Попробовал, для сопротивления источника 600 ом шум чуть больше - 3.37нВ/Sqrt(Гц) (против 3.33 нВ для BC107А). Т.е добавка шума - 1.27нВ/Sqrt(Гц). А чисто напряженческий шум - 0.74нВ, т.е. токовый дает 1.03нВ - больше, чем напряженческий (на 600 ом). Да, это для тока коллектора 0.7 мА.
В этой модели фликкер начинается ниже 10 Гц, выше - практически идеальный транзистор. Т.е. тоже похоже на потолочную модель.

Эээх! Чтож Вы раньше не сказали, я уже стока повыбрасывал


Так, давайте чтобы нам не запутаться опеределимся, как мы меряем шумы - вместе с шумом источника или без? Потому как тут предлогалось загнать импеданс источника внутрь его модели и тогда приведенный шум рассчитывается как будто внутреннее сопротивление не имеет тепловых шумов (по крайней мере для Микрокапа так)

Update: Завел модель NE85600 в микрокап.
С источником Rgen=600 ом (с тепловыми шумами источника) вышло 3,34нВ/sqr(Гц) для NE85600 и 3,29 для BC107A. (Ic=500мкА)
Да, вот что странно, с источником Rgen=0 Ом получается 0,71нВ/sqr(Гц) на частоте 10Гц, и столько же если KF приравнять нулю. А по всем графикам NF явно видно что на 10Гц шумы прилично растут!

Это скорей всего изза спада АЧХ на низких частотах -приведенный ко входу шум начинает расти. У меня фликкер начинает проявляться только ниже 1Гц, что само по себе подозрительно -слишком низкая частота.

Просьба ко всем: если у кого есть проверенная pspice модель биполярного транзистора с "реальными" шумами - выложите пожалуйста.

Что-то мне интуиция подсказывает, не легко будет найти. Можно попробовать самому вычислить Kf и Af, измеряя плотности шумов на звуковой карте. Для этого надо сделать общий КУ измерительной схемы достаточным, чтобы превзойти собственные шумы звуковой карты, а в качестве программы можно использовать SpectraPLUS.

А цифровой осциллограф не пойдет? Еще у нас должен был прийти актакомоский измеритель трактов- там я так понял ГКЧ и анализатор спектра в одном флаконе.

Хотя стоп! Есть жеш у нас 16битный АЦП от NI, запишу неск. минут реализацию, а потом можно спектр-разложение сделать

Тока вот методику бы найти как из формы спектра получить KF и AF

Достаточно найти две точки на наклонном участке спектральной плотности мощности, а методику измерений взять отсюда http://cp.literature.agilent.com/litweb/pdf/5989-9087EN.pdf . Кстати они для измерений используют прибор Agilent 35670, который по частотному диапазону сравним со звуковой картой, а по динамике даже хуже более дешевых профессиональных карт с динамическим диапазоном >100dB

Updated
Я даже понял, почему используют преобразователь I->V - потом легче будет переводить из В^2/Гц в А^2/Гц. Поэтому для простоты измерений можно использовать такую схему
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Так не удобно, проще взять общий шум при нулевом сопротивлении источника (получим напряженческий) и общий шум при заданном сопротивлении источника (т.е. берем идеальный источник, а на его выход просто навешиваем отдельное нужное сопротивление). Разница (с учетом собственного шума резистора) даст вклад токового шума помноженного на сопротивление источника. Только не забывать о квадратичном суммировании шумов.

Т.е. измеряем напряженческий шум и шум с резистором 600 Ом. Из последнего квадратично вычитаем собственный шум резистора 600 Ом, получаем полный входной шум (напряженческий+токовый*600). Из результата квадратично вычитаем напряженческий и получаем напряжение токового шума. Если интересен собственно токовый шум - делим на 600 Ом. Это должно работать независимо от глюков считалки (Orcad, Микрокап).

Если считалка дает только выходной шум - нужно учесть изменение коэффициента усиления при добавке резистора, но, обычно, они дают шум приведенный ко входу (входному идеальному источнику напряжения) и это не нужно.


Нет. я увеличил емкость до самого не хочу, когда смотрел. Именно чтобы АЧХ не влияла. Просто это означает, что величина фликкер шума становится заметной на фоне собственного шума (белого) начиная с 10 Гц. Кажущееся начало зависит от тока коллектора, у меня 700 мкА.

Еще одна полезная статейка, жаль что их не переводят у нас.
С картой сразу отпадает- уже много раз убеждался что подключение компа добавляет огромное кол-во шумов на всех частотах. Вот АЦП кот. от NI гальванически развязанное, так что его вполне можно прикрутить. Агилент не понятнуть, а вот актакомовский измеритель АЧХ обещают в этом году подогнать, может с ним можно шумы мерять...
Про перевод в статье кот.Вы раньше давали хорошо написано:
Measurement circuit without common feedback
(Fig.2) is one of the simplest from widely used ones. Main
advantage of this MC configuration is that there are no
limitations in choice of signal source resistance RG and
load resistance RL. Output noise level in this MC is
dependant on parameters of DUT, on RG and RL values.
Therefore, DC bias adjustment and calibration of the
circuit must be provided for each measurement as any of
mentioned factors is changing. The analysis leads to
conclusion that this MC is not good for noise measurement
of large number of transistors in variety of bias conditions.

и еще:
Measurement circuit with current to voltage
converter-amplifier (Fig.3) is used for example in [6]. This
circuit configuration is good for current noise source
measurement because the output noise signal directly
represents current noise. Other transistor parameters have a
negligible impact on the value of output signal.


Странно почемуж у меня не так. Сделал тоже 700мкА ток. И вот что у меня рисует:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Как видно фликером на 10Гц-ах и не пахнет.
можель транзистора реально такая:
.MODEL NE85600 NPN ( IS=6E-16 BF=120 NF=0.978 VAF=10
+ IKF=0.08
+ ISE=32E-16 NE=1.93 BR=12 NR=0.991 VAR=3.9
+ IKR=0.17 ISC=0 NC=2 RE=0.38 RB=4.16
+ RBM=3.6 IRB=1.96E-4 RC=2 CJE=2.8E-12 VJE=1.3
+ MJE=0.5 CJC=1.1E-12 VJC=0.7 MJC=0.55 XCJC=0.3
+ CJS=0 VJS=0.75 MJS=0 FC=0.5 TF=15E-12
+ XTF=6 VTF=10 ITF=0.2 PTF=0 TR=1E-9
+ EG=1.11 XTB=0 XTI=3 KF=1.56E-18 AF=1.49)
*

А у меня - так. Верхний график - шум (600 Ом), нижний - АЧХ. AF и KF в модели те же.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
А если изменить масштаб - то будет так.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
А напряженческий (сопротивление источника равно нулю)- так
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
А это - то же шум, но в логарифмической шкале. Пришлость растянуть частотку чтобы лучше была видна прямая.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Т.е. сказать где начинается шум - трудно. Поэтому начало фликкера и нужно брать по линейной части в логарифмическом масштабе. Но, грубо, можно брать по 10% превышению белого шума.

==Вы схемку еще приложите для полной ясности. И всетаки спад АЧХ совпадает с точкой роста спектра шумов
на напряженческом графике они почти как зеркальное отражение.

Практически берут точку равенства белого шума и фликкер шума. Т.е ищем на графике подъем уровня на 3 дб

ЗЫ.Комп уже выключил (пишу с ноута), так что наверно до завтра (до сегодня)

Посмотрите на последний график. Но это не суть важно.
Схемка от последнего графика с растянутой АЧХ такая, только сопротивление источника 600 Ом, а не 0.1
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Что касается качества встроенного звука, то могу сослаться на результаты тестирования звукового кодека Realtek ALC883 на плате ECS P45T-A. Как видно динамика >90дБ, чего хватит с большим запасом. Понятно, что потенциал компьютера может плавать (шуметь), но тогда сам измерительный стенд можно запитать от аккумулятора или от USB с последующей фильтрацией на усилителе, как вы ранее рисовали. Вариант с АЦП от NI по динамике и линейности в звуковом диапазоне проиграет любому сигма-дельта АЦП. А ПО для NI есть? С измерителем АЧХ шумы вообще не померить.

у 16битного АЦП который у меня есть порядка 95дб диаппазон, что тоже за глаза. Потом потенциал не плавает, а именно шумит, даже если запитать комп от DC/DC преобразователя. А если к усилку подключено больше одного прибора, то 50Гц начинает лезть в добавок- без гальваноразвязки никак. ВСетаки удобнее и лучше когда она сделана в АЦП
А ПО- есть запись в файл, а вычитка из файла и построение спектрограммы пишется на LAbview минут за 5-10.

Вот повторил практически один в один Вашу схему. Результат тоже, что и в моей был, т.е фликкер на 100мГц еще почти не заметен. На рисунке 2 графика- для 0,1 и 600 Ом.
Интересно, что можно получить тотже результат что и у Вас, если AF задать равным 0,715.

У меня KF=1.56e-18, AF=1.49. У вас рабочий ток 1.4 ма (5к в коллекторе), у меня 0.7 (10к) - отсюда и разница в шуме.

Ммм..забыл вернуть как было :_
Неа...от этого шум меняется тока на 0.06нВ. Вот графики для 5 и 10кОм.
Нижний график для 10к как раз, это изза того что усиление в каскаде увеличивается, а токовый шум снижается. Шум напряжения самого транзистора гораздо меньше теплового шума источника.

Вот тут, как раз, и можно поиграться током. Если поставить сопротивление источника 600 Ом (суммарный токовый и напряженческий шум) и заменить коллекторный резистор идеальным источником тока (чтобы не заморачиваться). Ну и резисторы немного подкрутить приходится, чтобы режим был нормальный. Получается, примерно, следующее:
Ток коллектора Шум (на 100 Гц)
0.1 мА - 3.54 нВ
1 мА - 3.39 нВ
10 мА - 4.61 нВ
При этом напряженческие шумы при росте тока снижаются, зато растут токовые. Поиграйтесь, тут есть оптимум.

Кстати в посте #46 я писал об этом

Итак, возможно комуто будет полезно, надеюсь
Продолжаем лабораторные занятия по теме "Малошумящий усилитель".
Сегодня мы попытаемся понять что же происходит с шумами в базе и коллеторе.
Транзистор у нас не идеальный, но как увидим, это не повлияло на результаты моделирования
Итак, сначала рассмотрим схему ОЭ, где источник сигнала (I2) в базе (I1 обеспечивает нужное смещение по постоянному току), а измеритель шумового тока (Rk) в коллекторе.
Е1 преобразует токовые шумы в напряженческие, что позволяет использовать стандартную методику расчета шумов по входу и выходу.
Итак смотрим первую картинку, расчеты на ней.
Имеем 3 графика для входного и выходного шума (inoise и onoise) построенных для 3х разных токов смещения базы: 1uA, 4uA и 119uA. Дальше в расчетах я пытался понять, как коррелирует выходной (входной) шум от тока коллектора (тока базы). Как оказалось, все очень хорошо согласуется с простой формулой для шума базового тока
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

А теперь схема с ОБ, источник сигнала в эмиттере, коллекторные токи воспроизвожу теперь исчточником постоянного тока I1, такиеже как в первой схеме.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Чтоже получается, - шум на выходе каскада определяется чисто базовым током и не усиливается как в схеме ОЭ! (сравни шум выхода в схеме ОБ и шум входа в схеме ОЭ)
Не об этом ли говорится в статье:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Теперь идея в следующем, при достаточно низком сопротивлении источника, включенном в эмиттер (по схеме ОБ) получить гораздо меньшие шумы, чем в схеме с ОЭ. При этом получить достаточный Ku (усиление по напряжению), достаточное, чтобы провести сигнал через всю остальную схему, не ухудшив при этом коэфф.шума усилителя.
Или другими словами: усилить сигнал датчика по напряжению, не усилив при этом базовых шумов транзистора!

Жду Ваших комментов

Что-то я не понял первую схему. Получается транзистор с оторванной базой - источники тока имеют бесконечное сопротивление. Т.е. напряженческий шум исчезает вообще (источники тока стоят последовательно) а токовый шум нагружен на входное сопротивление транзистора. Так и задумано?

Ну получается, что шумовой ток это следствие дискретности заряда (элементарный заряд), в первой схеме он образуется в базо-эмиттерном переходе, когда ток источника I1 преодолевает потенциальный барьер перехода. Он усиливается в бетта раз и повторяется в коллекторном токе. Напряженческий шум же оказывается приложенный к большому сопротивлению источника тока и не создает токового шума, который передавался бы в коллектор.
Тут вроде все логично.
Но вот со второй схемой я чето никак не пойму что происходит. Ток базы такойже, шумы этого тока такиеже по идее, шум в коллекторе должен быть усиленным шумом базового тока, но это не так. Он его просто повторяет.

А как же иначе, на то и генератор тока.

Ну вот тут и начинаются те разногласия, о которых я как-то упоминал. То, что я скажу - вероятно не есть истина в последней инстанции, но такой подход меня не подводил.

Шумовая схема транзистора выглядит так. Напряженческий шум представляется идеальным источником напряжения включенным последовательно с базой. Шумовой ток представляется источником тока, включенным между базой и эмиттером. Во второй схеме он оказывается втекающим в эмиттер - отсюда его прямая передача в коллектор. А напряженческий шум не влияет, поскольку в эмиттер работают только источники тока и изменение напряжения на базе не приводит ни к каким изменениям.

Но, на самом деле, разделение на шумовой ток и шумовое напряжение несколько условно, просто, так удобнее рассчитывать изменение шума при изменении сопротивления источника шум= Eш +Iш*(Rист||Rвх)

Т.е. (в ОЭ) при нулевом сопротивлении источника остается только напряженческий шум, при бесконечном - работает токовый шум на входном сопротивлении транзистора. Примерно так.

Ага точно, терь дошло За счет 100% ООС по току, ток базы равен току эмиттера деленного на (BF+1), а соответственно ток коллектора почти равен току эмиттера. И стало быть шумовой источник, включенный между база-эмиттером не усиливается транзистором, а транслируется "как есть" на выход. Както я об этом совсем забыл
Ну а второй вопрос- есть ли тут возможность снизить токовые шумы усилителя?

Такое ощущение, что нет. Я немного поигрался, но, получается тот же шум, что в ОБ, что в ОЭ. Хотя это и выглядит странно, нужно еще подумать, но очень может оказаться, что так и есть.

В первой и второй схемах общий шум 3.3078 нВ/sqrt(Гц), в 3 и 4 - 3.3029 нВ. Это без вычитания шума резистора 600 ом на частоте 100 Гц при коэффициенте усиления 100 (выходное напряжение в 100 раз больше V3).
Нажмите для просмотра прикрепленного файла Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Нажмите для просмотра прикрепленного файла Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Ток транзистора - 0.7 мА. Разница невелика, хотя входные сопротивления существенно различны(0 - для схем 2 и 3 и бесконечность дла схем 1 и 4).
Скорее всего разница будет существенна если не охватывать общей ОС всю схему. Но тогда будут искажения.
Да, R3 - просто так, ни на что не влияет, симуляшка просит.

Ниче не понял, вроде у Вас для всех схем входное сопр.=600 Ом? Или нет?
И еще мне кажется не корректным бесконечное сопротивление в цепи коллектора. Всетаки Ку зависит от соотношения Rk/Rэ. Т.е в данном случае оно определяется диф.сопротивлением коллектора транзистора, которое тоже неизвестно какое.
ЗЫ. Постараюсь сегодня выложить свои результаты.

600 ом - это сопротивление источника сигнала. Оно постоянно. А входное сопротивление самой схемы зависит от типа обратной связи.
Для схем 2 и 3 ОС компенсирует сам входной сигнал (дельта U входа = 0) и, поэтому, их входное сопротивление равно нулю (при любом входном токе изменение напряжения на входе схемы равно нулю, с некоторой точностью ессно). В схемах 1 и 4 ОС компенсирует изменение базового тока транзистора (входного тока), поэтому входное сопротивление становится равным бесконечности (дельта I входа=0, т.е. изменение тока равно нулю при любом изменении входного напряжения).


Это неважно, во всех схемах этот параметр идентичен.

Аааа, все, теперь увидел


Вот тут не согласен я, не одинаков. Книжек под рукой нет- все на работе, поэтому приведу кусок того, что удалось найти: rк*=rк(1-h21б) - выходное сопротивление транзистора в схеме ОЭ ( в десятки раз меньше, чем rк в схеме с ОБ). Взято отсюда
Пытался я тут измерить коэф.усиления по напряжению в схемах ОЭ и ОБ, на приложенном рисунке видно что расчетный Ку для ОЭ почти в 2 раза больше, чем при моделировании. Подозреваю что это как раз изза rк, включенного между коллектор-база транзистора и дающего ООС по напряжению. Или причина также в том, что rк* в схеме ОЭ уменьшается до величины порядка 5-10кОм, шунтируя нагрузочное сопротивление. Но факт остается фактом, усиление в ОЭ все равно на порядок больше, чем в ОБ! И получается так, что выходные шумы каскада с ОЭ больше, чем у ОБ (изза бОльшего усиления), но приведенный ко входу шум почти одинаков!

Собственно, я рассуждал как: шумовой источник подключен параллельно база-эмиттер, и также параллельно сопротивлению источника сигнала. Но в случае с ОБ диф.сопротивление база-эмиттер в бетта раз меньше, чем входное сопротивление ОЭ. Соответственно вызванное шумовым током базы шумовое напряжение на входе ОБ будет в бетта раз меньше (напряженческий шум от внутренних сопротивлений пока не рассматриваем). И поскольку я считал, что усиление по напряжению обоих каскадов примерно одного порядка, должен быть выигрыш в приведенном шуме для схемы с ОБ. Но оказалось не так, оказалось что и усиление у обоих каскадов более чем на порядок разнится. И в результате имеем одинаковый приведенный шум.
К сожалению перерыв инет не нашел научного объяснения данному факту, кроме упоминания, что дескать шумовые характеристики ОЭ и ОБ примерно одинаковые, вторая схема применяется чаще на высоких частотах изза большего диапазона устойчивой работы. И все.

Коэффициент усиления и входной шум слабо связаны между собой, хотя эта связь (во входном транзисторе) и есть. Если мы добавим в тракт с достаточным начальным усилением еще один усилитель - входной шум не изменится.

Но ОЭ имеет большее усиление по мощности и большее входное сопротивление, поэтому он, вроде, должен шуметь меньше при больших сопротивлениях источника сигнала. Решил аккуратно разобраться, увеличив сопротивление источника сигнала до 5 ком. И тут же обнаружил одну вещь, которая влияла на предыдущие результаты - моя симуляшка учитывает постоянный ток через резистор и добавляет дополнительный шум (с неким коэффициентом) к собственному шуму резистора. Когда я озаботился сделать так, чтобы постоянный ток через резистор источника сигнала (ток базы или эмиттера в разных схемах) стал нулевым - сразу все стало на свои места. Оба варианта схемы с ОБ (параллельная и последовательная ОС, соответственно нулевое и бесконечное входное сопротивление усилителя) стали давать шум 11.035 нВ, а оба варианта схемы с ОЭ - 10.941нВ. Т.е., при большом сопротивлении источника сигнала, шум ОЭ меньше, чем ОБ. Стоит попробовать сделать то же самое для малых сопротивлений источника сигнала.

Я не об этом говорил
Уссиление я промерил только для того, чтобы удостовериться в правильности расчетов по формулам и убедиться что усиление по напряжению в схемах разное. Это все хорошо подтвердилось. Далее.
Вы сами сказали что источник шума в транзисторе включен параллельно эмиттерному переходу. Чтобы исключить влияние всяких общих обратных связей я оставил в схеме ТОЛЬКО один транзистор (посмотрите еще раз картинку двумя постами выше). Теперь видим что шумовой базовый ток идет через параллельное включенное сопротивление перехода база-эмиттер и сопротивление источника. Так вот (возможно я не прав, но мне так видится) теперь этот ток создает шумовое НАПРЯЖЕНИЕ, приложенное ко входу каскада, и соответственно усиливается им также как сигнал генератора. Согласен, что от коэфф.усиления входной шум тут не зависит, но он должен быть явно меньше в каскаде с ОБ (т.к его входное сопротивление в бетта раз меньше, чем у ОЭ и хорошо шунтирует токовый шум). Но по симуляции он выходит не меньше, а чуть больше. Почему же?

Наоборот, в каскаде с ОБ входной шум несколько больше, особенно при большом сопротивлении источника сигнала. Это связано с тем, что коэффициент усиления по мощности в ОБ ниже, чем в ОЭ.

Но, если использовать понятия шумового напряжения и шумового тока и считать их не зависящими от схемы включения (ОЭ или ОБ), то мы не увидим этой разницы. Сразу хочу предупредить - дальше писал из головы, мог и наврать, проверьте.

Давайте, для простоты, приведем все сигналы в напряжение на входе усилителя (пареход база-эмиттер) с учетом его Rвх (без влияния общей ОС).

Напряжение на переходе база -эмиттер будет равно
От сигнала Uвх_с=Uсигнала/(Rвх+Rист)*Rвх
От источника шумового напряжения Uвх_шн=Uшума/(Rвх+Rист)*Rвх
От источника шумового тока Uвх_шт=Iшума*Rвх*Rист/(Rвх+Rист)

Если теперь пересчитать полученные шумовые напряжения к входному источнику напряжения (до резистора сопротивления источника), то получим эквивалентные значения напряжения шума от шумового напряжения и шумового тока
Uшума_нэ=Uшума
Uшума_тэ=Iшума*Rист
Ка видно, входное сопротивление усилителя исключилось из выражений.

Т.е., если пользоваться понятиями шумового тока и шумового напряжения, то входное сопротивление усилителя (ОЭ или ОБ) не влияет на отношение сигнал/шум (без учета "тонких" параметров транзистора типа влияния выхода на вход). При изменении входного сопротивления вклад шумового напряжения не меняется, а увеличение вклада шумового тока при увеличении входного сопротивления компенсируется увеличением коэффициента передачи сигнала (снижением падения напряжения на Rист).

Но я уже говорил, что эти понятия несколько условны. Для выявления разницы следует использовать более точные шумовые модели, но это имеет небольшой смысл - разница в эквивалентном входном шуме усилителя, как видим, невелика - порядка 2% (данные предыдущего поста).

Здесь ошибка, т. к.
Rвх = Rэ * B
Iшума = Iшума коллекторного тока / sqrt(B)
Т. е. коэффициент усиления тока B определяет и входное сопротивление и входной шумовой ток, и, чем больше входное сопротивление, тем меньше входной шумовой ток.