Здесь ошибка, т. к.
Rвх = Rэ * B
Iшума = Iшума коллекторного тока / sqrt(
Т. е. коэффициент усиления тока B определяет и входное сопротивление и входной шумовой ток, и, чем больше входное сопротивление, тем меньше входной шумовой ток.

Не понял, что именно вы считаете ошибкой.

Iшума = Iшума коллекторного тока / sqrt(
Т. е. коэффициент усиления тока B определяет и входное сопротивление и входной шумовой ток, и, чем больше входное сопротивление, тем меньше входной шумовой ток.

Что шум не зависит от входного сопротивления.

Давайте, для простоты, приведем все сигналы в напряжение на входе усилителя (пареход база-эмиттер) с учетом его Rвх (без влияния общей ОС).

Напряжение на переходе база -эмиттер будет равно
От сигнала Uвх_с=Uсигнала/(Rвх+Rист)*Rвх
От источника шумового напряжения Uвх_шн=Uшума/(Rвх+Rист)*Rвх
От источника шумового тока Uвх_шт=Iшума*Rвх*Rист/(Rвх+Rист)

Если теперь пересчитать полученные шумовые напряжения к входному источнику напряжения (до резистора сопротивления источника), то получим эквивалентные значения напряжения шума от шумового напряжения и шумового тока
Uшума_нэ=Uшума
Uшума_тэ=Iшума*Rист
Ка видно, входное сопротивление усилителя исключилось из выражений.

С выкладками для перехода БЭ согласен, но вот с приведенным шумом не понял. Я бы записал иначе:
Uшума_нэ = Uвх_шн/(Rвх+Rист)*Rист
Uшума_тэ=Iшума*Rвх*Rист/(Rвх+Rист)

Чтобы доказать сие я накидал схемку -без собственно транзистора, но с сопротивлениями и шумами как в транзисторе.

Управл.источники тока G1, G2 вносят в схему шумовой ток, эквивалентный базовому шумовому току (см.расчет на схеме вверху). R2 и R5 соответсвтенно входные сопротивления каскадов ОЭ и ОБ. На графике -2 кривых, одна 3,1нВ/sqrt(Гц) -шумы в точке in, кривая 0,76нВ/sqrt(Гц) -шумы в точке in1.
Источник сигнала для простоты -один.
Может я чего не учел в схеме?

Update: Заметьте, что шум у схемы с ОЭ очень похож на реальный (с транзистором). И еще заметил, что токовый шум практически не сказывается -если шумовой ток выкинуть, то шум на "in" падает всего лишь с 3,1 до 3нВ .

Update:Update: Упс. я наверно не правильно нарисовал. В ОЭ шумит наверно тотже резистор что и в ОБ (37 Ом), а остальное сопротивление-безшумовое? Чтото я запутался, как правильно?

Боюсь Вы путаете причину и следствие. Шум зараждается в базе (базовый ток), он будет даже если коллектор будет висеть в воздухе (специально проверил -при одном и том же базовом токе- базовый шум один и тотже), в коллекторе только источник тока, который не шумит сам по себе (ну если не считать шума rк), шум в коллекторе- следствие усиления шумового базового тока.

Цитата из книжки - Жалуд, Кузнецов, "Шумы в полупроводниковых устройствах", стр. 97
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Это не учел и alexkok в своих утверждениях.

Входной шумовой ток - это дробовый шум тока базы, который есть ток коллектора деленный на коэффициент усиления по току.

Из приведенной Вами цитаты всего лишь следует, что для одного и того же транзистора коэффициент шума слабо зависит от схемы включения.

Но совершенно не следует, что транзисторы одного типа, но с заметно разными коэффицентами усиления по току, будут иметь одинаковый коэффициент шума при том же сопротивлении источника.

Вы тоже верите, что шумы рождаются в базе?

Ваше утверждение весьма спорно и, как минимум, требует более подробных разъяснений.

Вы про ток утечки коллектор база не забыли?

Или про ток рекомбинации носителей в базовой зоне?

Если вы обратили внимание, именно этот вопрос и является предметом обсуждения
Интересно, а кто и где это утверждал? Что-то не припомню такого.

Т.е., если пользоваться понятиями шумового тока и шумового напряжения, то входное сопротивление усилителя (ОЭ или ОБ) не влияет на отношение сигнал/шум

Титце и Шенк, 12е изд. т.1

Та же книжка, стр.75.

к напряжению входного сигнала - я должен умножить это напряжение на величину, обратную ослаблению (Косл). Тогда такое напряжение, приложенное до сопротивления источника сигнала, ослабившись на делителе Rист-Rвх в Косл раз, станет равным вычисленному Uш_вх_ус.

"Заменить источники шумового напряжения и тока шумом одного резистора не получится, да это и неудобно."

Вы ошиблись в другом. Низкое входное сопротивление в схеме ОБ не является артефактом, оно образуется за счет обратной связи по току коллектора, протекающего, в таком включении, через источник сигнала. Т.е., входное сопротивление транзистора (и его шумовые параметры) - точно такое же, как и в схеме ОЭ, но обратная связь (не вносит шума в некотором приближении) снижает его примерно в бета раз. Именно по этой причине, шумовые свойства ОБ близки (но, все-таки, чуть хуже - снижение усиления за счет ОС) к шумовым свойствам ОЭ. Это не учел и alexkok в своих утверждениях.

И что Вы этим хотите доказать?
В формуле для (ОЭ) i²_b
Ic - Ie = Ic / B
т. е. прямая зависимость от коэффициента усиления по току и прямая корреляция с входным сопротивлением, о чём я и писал.

2. Входной шумовой ток - это дробовый шум тока базы, который есть ток коллектора деленный на коэффициент усиления по току.

И что Вы этим хотите доказать?
В формуле для (ОЭ) i²_b
Ic - Ie = Ic / B
т. е. прямая зависимость от коэффициента усиления по току и прямая корреляция с входным сопротивлением, о чём я и писал.

Так вот, входной шумовой ток, отнюдь не есть ток коллектора, деленный на коэффициент усиления по току, он только приводится к нему для удобства.

Но я не вижу смысла продолжать этот спор ни о чем, разбирательство с такими тонкостями не имеет отношения к данной теме.

Но помоему обратная зависимость напряжения шума от тока коллектора (которое Вы приводили мне поставми выше) говорит о том, что при бОльшем токе коллектора диф.сопротивление эмиттера уменьшается, и пропорционально 4kTRэ снижается шумовое напряжение. Разве не так?

А токовый шум - из тойже формулы- как раз определен для тока базы (корень из 2 заряд электрона на ток базы), потом его для удобства приводят к току коллектора. Т.е выразить его можно через что угодно -это кому как удобнее имхо

...
Но по поводу моей схемки...почему
...

Хм...всегда считал что происходит наоборот. В схеме ОЭ эмиттерное сопротивление увеличивается по сравнению с его фактическим значением изза усиления iэ=iб*(betta+1). А в схеме ОБ наоборот- базовое сопротивление нивелируется (ослабляется в бетта+1 раз), эмиттерное же остается равным фактическому. Разве не так?

Почитайте хотя бы статью которую Вы же, вроде, уже здесь постили Ultra low noise amplifiers.pdf
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Из этих формул следует, что:
1. Большая часть приведенного ко входу напряжения шума есть дробовый шум тока коллектора деленный на крутизну.
Вторую часть входного напряжения шума дает объемное сопротивление базы.
2. Входной шумовой ток - это дробовый шум тока базы, который есть ток коллектора деленный на коэффициент усиления по току.

в отличие от шума резистора, который непосредственно переводится в мощность, дробовой шум является всего лишь флуктуацией тока, и ему соответствует определенная мощность только при втекании этого тока в некоторый импеданс.
Такой импеданс в транзисторе есть, но это не выходное сопротивление коллектора, а дифференциальное сопротивление эмиттера: rэ - величина, обратная крутизне характеристики при малом сигнале и равная kT/qIc. Наличие такого импеданса приводит к появлению шумового напряжения, которое может быть приведено к переходу база/ эмиттер. Соответствующая спектральная плотность есть произведение шумового тока на данное сопротивление, и она равна kT/qIc*sqrt(2qIc), или kT*sqrt(2/qIc).

Вот так, с ходу, точно не отвечу. Думаю, что вы где-то ошиблись в вычислениях.

Интересный факт, что указанное произведение тока дробового шума на данное сопротивление идентично напряжению шума, генерируемому реальным сопротивлением, величина которого в два раза меньше. Например, в рассматриваемом примере r_e равно 25,86 Ом, а шум реального сопротивления номиналом 12,93 Ом также составляет 463 пВ/ Гц. Чтобы показать это, запишем произведение дробового шума на rэ в виде sqrt(2kTrэ) , что в свою очередь равно sqrt(4kT(rэ/2)). Данная величина совпадает с шумом Джонсона резистора R, sqrt(4kTR), в случае, когда R = rэ/2. Это действительно так, хотя общая картина от этого яснее не становится. Откуда возникает такая интересная взаимосвязь между двумя очень непохожими друг на друга фундаментальными шумовыми процессами? Но это уже тема для следующей статьи.

И сразу (поскольку книжек никаких нет под рукой) поясните пожалуйста, 2q[size=2]∆f(Ic-Ie/m) - не есть ли это шум тока базы (ток базы =Ic-Ie/m)?

Вот тут в статье
Схожий процесс возникает при инжекции зарядов из эмиттера в базу биполярного транзистора. Флуктуации в ходе эмиссии/инжекции вызваны непрерывными, очень маленькими изменениями в энергии носителей в зависимости от работы выхода катода или от энергии запрещенной зоны полупроводникового перехода. Во втором случае (в отличие от электровакуумного диода) некоторые из инжектированных носителей рекомбинируются в области базы; при этом шум на коллекторе изменяется соответствующим образом. В связи с этим данный эффект называют дробовым шумом коллектора, хотя такое название может вводить в заблуждение, поскольку первопричина кроется в источнике инжекции.
Обратите внимание на то, что шум Джонсона вызван случайным движением зарядов в проводящей среде, а дробовой шум- случайным появлением этих носителей в барьерной зоне.

Ну а где ж у них учет фликер-шума?

l/f-шум — явление загадочное. Он неизбежно присутствует почти во всех электронных приборах и, тем не менее, физические причины его возникновения до сих пор все еще остаются неясными. Многочисленные экспериментальные и теоретические исследования l/f-шума выявили лишь его многогранный и неподатливый характер; после всех затраченных усилий относительно этого шума нельзя сделать почти никаких определенных выводов. Имеющиеся экспериментальные данные часто находятся в противоречии друг с другом или же остаются открытыми для интерпретации. Этим можно объяснить факт существования научной школы, сторонники которой твердо полагают, что l/f-шум – явление объемное, мысль, которая встречает отпор тех, кто полагает, что этот шум создается на поверхности. Подобно этому, и модели флуктуации числа, и подвижности носителей заряда– каждая имеет своих защитников, хотя бесспорные экспериментальные доказательства, которые лишали бы одну из них права на дальнейшее существование в качестве рабочей гипотезы, отсутствуют. Возможно, единственное указание на систематичность поведения 1/f-шума - это эмпирический закон Хуга, который гласит, что уровень шума обратно пропорционален суммарному числу носителей в образце. Однако и закон Хуга не является общим. Даже в случае металлических пленок, для которых он и был первоначально сформулирован, он не всегда справедлив.

Первые наблюдения l/f-шума выполнены более восьмидесяти лет тому назад. Сейчас установлено, что l/f-шум является универсальным типом флуктуации, он проявляется не только при измерениях в электронике, но и во все расширяющемся ряде наблюдений в самых различных сферах. Это отмечено, например, для таких явлений природы, как землетрясения, грозы, изменения уровня течения реки Нил, хотя, конечно, спектры, которые выявляются в таких случаях, нельзя считать спектрами мощности в обычном смысле этого слова. Кроме того, некоторые биологические системы также обладают l/f-шумом: нормальный период сердцебиения человека имеет флуктуации, спектральная плотность которых изменяется приблизительно по закону 1/f для частот ниже 0,3 Гц, подобную же форму имеет спектр флуктуации волн мозга, в частности так называемых α-волн на электроэнцефалограммах (ЭЭГ). Хорошо известно, что нейромембраны обладают флуктуациями 1/f.

Другой областью, где имеется l/f-шум, является музыка. Было обнаружено, что соотношение между интенсивностью и высотой звука в классической музыке (Моцарт, Бах, Бетховен, Дебюсси), в джазовой музыке, в музыке ансамбля «Битлз», а также в музыке различных эпох соответствует зависимости 1/f.

Возможно, еще более удивительным является то, что индивидуальное восприятие музыки существенно определяется видом ее спектра. Так, три музыкальных отрывка, «скомпонованные» на основе случайных чисел и имевшие зависимости спектральных плотностей от частоты в виде l/f2, l/f и l/f0 (белый шум), характеризовались слушателями как скучный (l/f2), раздражающий (белый шум) и доставляющий удовольствие 1/f . Выходит, что «хорошая» музыка имеет спектр 1/f, вероятно, из-за того, что ее время корреляции не настолько мало, чтобы сделать ее выводящей из равновесия своей беспорядочностью, но она проливает мало света на физические механизмы возникновения такого шума.

Небольшой оффтоп если позволите.

Тоже немного оффтопа - Релаксационная Спектроскопия Глубоких Уровней, РСГУ или DLTS, с помощью луча электронного микроскопа, как способ оценки одного из многих возможных источников фликер шума в транзисторах, была темой моего диплома (закрытого, кстати) 25 лет назад. Но забыл почти все с этой СВЧухой.
Кстати, интересно было бы оценить шумы 2SK117 и 2SK170, хоть и полевики, но мы их ставили на прошлой работе в микрофонные усилители - если не палево - нормально. Пробовали и LM1837 (вынули из какого-то брендового кассетника) - так полевики больше понравились.

На килогерце они даже лучше, но у них раньше начинается фликкер - герц со 100. Поэтому на более низких частотах (и малом сопротивлении источника, порядка 600 ом) начинают проигрывать биполярам. По крайней мере, по модели, но и на практике сильно шумят на низких частотах. Отобрать, конечно можно, но...

Тоже немного оффтопа - Релаксационная Спектроскопия Глубоких Уровней, РСГУ или DLTS, с помощью луча электронного микроскопа, как способ оценки одного из многих возможных источников фликер шума в транзисторах, была темой моего диплома (закрытого, кстати) 25 лет назад. Но забыл почти все с этой СВЧухой.
Кстати, интересно было бы оценить шумы 2SK117 и 2SK170, хоть и полевики, но мы их ставили на прошлой работе в микрофонные усилители - если не палево - нормально. Пробовали и LM1837 (вынули из какого-то брендового кассетника) - так полевики больше понравились.

Вроде ничего, но сложновато как-то. А какая проблема с питанием - автономная работа от батарейки? Почему по выходному кабелю не запитать?

Немного в сторону. Сам радиопередатчиками такими не занимался, но на экспертизы притаскивали зухера. В качественных, по крайней мере, хотя бы кондер небольшой емкости параллельно микрофону стоял, в более серьезных - помехоподавляюшие LC фильтры - защита от детектирования входным каскадом собственного ВЧ сигнала. Когда микрофон хотя бы 40-50 мм экранированным проводком подключался и который уже работал как антеннка. Это если данный усилитель должен с передатчиком использоваться

Извините, что встреваваю в обсуждение, может об этом уже говорилось, но почему вы закладываетесь на транзисторы, которые Toshiba не рекомендует применять в новых разработках? Если смотреть на графики, то у неё есть транзисторы поновее с нехудшими характеристиками по шумам. Ну или обратите внимание на других производителей.