Цитата(Methane @ Nov 13 2010, 19:36) 
То что один делает за $100к, другой делает за $100. Такая уж она есть, правда жизни.
Я так понял, что Вы из тех, кто делает за 100$, когда остальные делают то же за 100k?
Цитата(_Pasha @ Nov 13 2010, 09:26)
Вообще-то есть спайс-муделька, на ней все видно.
Вот она:
CODE
.SUBCKT 102N21A 10 20 30
* TERMINALS: D G S
* 1000 Volt 21 Amp 0.45 ohm N-Channel Power MOSFET
* REV.A 01-09-02
M1 1 2 3 3 DMOS L=1U W=1U
RON 5 6 0.3
DON 6 2 D1
ROF 5 7 .1
DOF 2 7 D1
D1CRS 2 8 D2
D2CRS 1 8 D2
CGS 2 3 5.5N
RD 4 1 0.45
DCOS 3 1 D3
RDS 1 3 5.0MEG
LS 3 30 .5N
LD 10 4 1N
LG 20 5 1N
.MODEL DMOS NMOS (LEVEL=3 VTO=3.0 KP=3.8)
.MODEL D1 D (IS=.5F CJO=1P BV=100 M=.5 VJ=.6 TT=1N)
.MODEL D2 D (IS=.5F CJO=400P BV=1000 M=.4 VJ=.6 TT=400N RS=10M)
.MODEL D3 D (IS=.5F CJO=900P BV=1000 M=.3 VJ=.4 TT=400N RS=10M)
.ENDS
Здесь термодела не моделируются.
Как может быть видна зависимость от температуры, если ее нет в модели?
И еще.
Результаты моделирования к уголовному делу не пришьешь, когда это все бахнет в ответственный момент.
А диаграммы со схемами измерения - это другой компот.
Выходит, что IXYS ответственности за свои изделия не несет, почти как Microsoft.
Mosfet level 3 - лучшее, что придумано для моделирования, с учетом саморазогрева.
никто не подозревал, действительно кто мешает погуглить а не изобретать квазиинверторы, новое слово в
) методами. И если Вы боитесь за целостность генератора при закидонах нагрузки, что мешает использовать для развязки, например, параметрический трансформатор? Скорее всего тоже экономика.
