А даташит посмотреть не позволяют религиозные убеждения ? Примерно 100 mV при токе коллектора 10 mA.

нашёл
при токе коллектора 10 мА и токе базы 0,5 мА - 90...250 миливольт
а вот при токе коллектора в 100 мА - аж до 0,6 вольт - благо это не наш случай

"saturation voltage"

СПАСИБО!

Могу вот такого зверька PDTC143ET порекомендовать. В нем уже все посчитано.

ХМ. вообще-то это не совсем так... ну да я не знаю согласно каким резонам вы так считаете.. Если конечно думаете что datasheet СИмом -это таки "грааль" науки и граница инян находится таки именно нна 3.3В..
ну тогда оно конечно.. коли первопричин не ведаете, то тады оно лучше даташит симкома - библия тора и коран электроники- в одном флаконе

Конечно в запуске SIMов танцы с бубном присутствуют, но ине так страшно.
Про согласование уровней интересно с точки зрения мазохизма. 0 он и есть 0 соответственно 1 считается 1.
Silicon Laboratories CP2102, в обвязке 4,7 mF пара резисторов для спокойствия по 24 ома, и вот оно счастье, Машина подхватывает порти делай с симом что хочеш. И перепрошивку тоже. Mega16 5v питания те же 24 ома, понимают друг друга без проблем. Для баловства с USB запитывается без проблем, 2электролита по 1500 mF и стабилизатор , можо регулируемый 3,9 4v выставить, или 3,3 и землю через прямо включённый диод, 3,9 на выходе и не надо париться. Знаю что далеко не по датшиту но всё работает.

Не надо людей вводить в заблуждение. USB по питанию даёт +5v@0.5A .

Будет жить от USB пока модуль с голосом работает. Среднее потребление 200-400mA. 2 ампера по включению скомпенсируются конденсаторами.
Но как только дойдет до передачи данных при плохой соте, то получим сгоревший USB порт. Причем гарантировано - проходили уже.
Единственное применение USB здесь, это подзаряжать аккумулятор от которого уже работает модуль. Но это если время в эфире будет меньше чем время заряда от USB.

у мну часто от пиккита работает )) причем в GPRS /
по питанию 22uF керамики и все. на пикките 3.6V
первый раз вообще случайно включил при отладке. а сейчас уже отдаженые девайсы просто прошиваются конфигурятся тестируются через пиккит ( через командную строку) ..

Ну дык никто и не говорил что не заработает. Только до поры, до времени. А потом вполне реален маленький бадабум.....

Я ни кого и не куда не ввожу, 5v 0,5A это что даёт USB порт.На CP у Силикона есть утилитка, там прописывается ток порта.так что USB выживет. Если машине обьяснить что на этом КОМе у неё модем с этим девайсом и ДПРС соединение будет работать.
Это не теория а практика, правда проверялось на 300. 900 сей девайс перешивает минуты за 3 ,4 , и по основному и по дебажному портам. Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Уж прямо так и "сгоревший" ? Что-то мне в жизни не доводилось видеть USB-портов, не защищенных самовосстанавливающимися предохранителями, а харддиски, подключаемые к USB, и по-больше жрут. Отключиться - запросто. Физически выйти из строя - это какая-то особо левая "мать" или китайский хаб.

Самовостанавливающиеся предохранители могут не успеть отключить порт когда у модуля резко прыгнет потребление. Тут лотерея - выживет или нет.
Случай который я видел это ноут НР. Запитали SIM508 от USB - делали трекер на нем. После того ни на одном USB порту нет питания.
Предохранители целые.

В USB-шных CDMA модемах иногда применяется питание от двух портов (как сводится, не в курсе, скорее всего 2 диода Шоттки + LDO). Но там максимальный потребляемый ток - 700 мА и резких скачков нет.

Для CDMA SIM5215E SIMCOM сам пишет в доках, что если не будете использовать его в GSM режиме, то можете питать от одного порта USB.

Скажите пожалуйста, а если и мк и Сим900 будут питаться от одного источника 3.7В Нужна микросхема согласования. Или напрямую можно подключать?

конечно нужна. на входы SIM900 нельзя подавать 3,7В, можно не более V_ext а это 2,8

Понял, спасибо.

Прочитал несколько тем. Нарисовал схему включения SIM900. Проект "для себя". Дозвон и отправка SMS. Работа только по TXD и RXD. Питание контроллера 3,0в. Посмотрите, может накосячил где. Да и наивных вопросов будет меньше. Надеюсь мой будет последним.
Красными точками отмечены неиспользуемые выводы.

DTR - можно оставить в воздухе.
NRESET - можно оставить в воздухе, конденсатор там не нужен - если предполагаются помехи - через 10К на Vext.
При питании контроллера 3.0 вольта можете выбросить транзисторы согласования - соединяйте напрямую.
Не забудьте только отслеживать STATUS програмно и только после его появления подключать порт контроллера.

Большое спасибо за ответ.
По поводу ключей на транзисторах. У меня нет возможности программно отслеживать STATUS. Так как повторяю простую (чужую) конструкцию. Только вместо телефона- модем. Решил сделать контроль аппаратный. Поэтому подключил базы транзисторов к выходу STATUS. Транзисторы служат для перевода в Z состояние цепей RXD и TXD при низком уровне на выходе STATUS.
Или не переведут? Уже сам начал сомневаться...
Поправте если что не так.
С уважением.

Потеряете 0.7 вольта на переходах тразисторов - тогда уж лучше полевики.
Отключать достаточно одну линию - вход модуля.

Ну и програмно - "вместо телефона- модем" - есть большая вероятность что не заработает, просто не поймет команды.
Вполне может оказаться разный синтаксис или параметры.

Охранку проверил собрав макет на SIM300DZ. Думаю по основным АТ командам они близнецы.Покупать второй модем SIM300DZ за 950 рублей жаба душит.Пока разберусь со схемой, печаткой, глядишь появится в продаже SIM900.
Если используя эту схему верхние выводы резисторов R1 R2 объединить и подключить выводу STATUS будет нормально?

Зачем?
Для вывода RxD модуля (вход) R1 и затвор подключаете со стороны модуля к Vext, R2 со стороны управляющего контроллера подключаете к его питанию.
Уровни согласовываются нормально (если питание более 3 В) и фантомной запитки модуля не будет.
Вывод TxD модуля подключаете напрямую к управляющему контроллеру (если сможет "1" от модуля распознать).

Нужен дельный совет. Сделал преобразователь уровня, как в сообщении №124 (два поста выше) только на биполярном транзисторе BC847C. При внимательном рассмотрении осциллограммы передачи числа 55h видно, что при переходе с 0 в 1 на стороне модуля (уровни 2,8В) есть подленький всплеск.

Вопрос. Критично ли это для здоровья SIM900 или же все таки будет жить. Понимаю, что вопрос философский, но нужны мнения.

Вопрос действительно философский , может поставить супрессор перед модулем.....
Я понял, что лучше не усложнять жизнь и использовать 2 варианта: 1 - применять питания 3.0 вольта для того, кто с модулем обменивается данными; 2 - Тх модуля подключать на прямую, а Rx подтягиваем на V_EXT (не помню точно, но помоему даже в модуле уже есть эта подтяжка) и ставим дальше диод плюсом к модулю (я использовал LL4148).

К сожалению 1 вариант не проходит, потому что выбран микроконтроллер, у которого напряжение питания 3-5В (т.е. 3В - нижняя граница). Стараюсь не делать устройства с пограничными режимами работы, а то потом умаюсь с бубном плясать.

Вариант 2 - делал в предыдущем варианте своего устройства. Но есть одна особенность - при выключеном напряжении на модуль нужна полное отключение линий модуля от UART, так как к этим линиям еще иногда подключается дата кабель для програмирования настроек. Транзисторный преобразователь уровня - как раз самое то!

Сегодня вместо биполярного BC847 впаял полевик 1N7002 и исключил ограничивающий в базу резистор - результат на лицо.
А теперь расчет BC847+1*0805+=3цента+2 точки пайки=5центов. 1N7002 - 6 центов. Мораль - нафига та экономия и заморочки?
Вобщем, вопрос снят. Ну а тем, кто будет делать согласование уровней на БП - подробная карта расположения граблей , по которым я побродил - двумя постами выше :-)

Всем привет. Собираюсь освоить SIM900. Встал вопрос по согласованию уровней. МК у меня питается от напряжения 3,3 вольта - XMEGA. И меньшее напряжение не сделать, ибо обязан иногда работать по USB!
Я вот че подумал. В направлении МК->SIM900 у меня получается всего 3-и линии (SIM900 линии RXD, RTS, DTR), плюс одна от MAX3232 на DBG_RX или RXD (выбирается перемычкой). Если поставить буфер 74LVC125 - 4 управляемых вентиля. Входы буфера толеранты вплоть до 5,5 вольт. Питание буфера взять от VDD_EXT GSM модуля - всегда 2,8 вольт. Один вопрос- у VDD_EXT максимальный ток 10 мА. Хватит ли для питания буфера? В статике, понятно, жрет мало, но вот в моменты переключений по даташиту че то непонятки у меня.

Подключаем Мегу с таким же питание к SIM900 напрямую - проблем нет.
Может и не надо ничего согласовывать?

В ДШ на SIM900 написано не более 3,1 вольт можно подавать на вход, у XMEGA типовое VOH 3,19 вольт.

Может быть...
Посмотрел ещё раз питание меги - 3,7 В, и никаких проблем не возникало.

Наверное чудо... Китайское.

Как вариант, поставить на питание буфера ровно 3-вольтовый или 2,7-вольтовый LDO с включением от VDD_EXT. Их есть много всяких, в SOT-23-5(6) обычно. Хотя, кажись, избыточно, можно и делителем обойтись, если до старта модуля держать выходы меги в Z-состоянии. Во всяком случае, с MSP430 при питании 3,3 делитель работает без проблем.

Посмотрел даташит на SN74LVC125. Ток покоя Icc = 50 мкА, при переключении одного гейта - дельта Icc - 500 мкА. То что нужно. В основном то работать будет один гейт, который RXD коммутирует. Так что, на мой взгляд этот буфер самое то в качестве конвертера уровней. Питать буду прямо от VDD_EXT. Зашунтирую питание буфера двумя керамическими кондерами - 22 мкф и 0,1 мкф.

22, может, и многовато.

Почему?

Бросок тока при включении стабилизатора VDD_EXT в модуле... хотя это, кажись, маньячество. 1 мкФ на сотни мкА нагрузки во всяком случае хватит.

Такой вопрос: можно ли в этой схеме для применения к sim900 выкинуть сопротивление R1 ?
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Ведь внутри все входы подтянуты. И TxM тоже. Вроде как.
никто не проверял?

Поначалу я обрадовался Вашей интересной идее, но если открыть SIM900_Hardware Design_V2.00.pdf (это вроде как последний вариант) - то на стр.14 английским по белому написано, что для RxD необходимо подтянуть к Vdd_ext внешним резистором. Облом!

PCB версии 2.03 и выше

10K подтяжки на Vext в модуле стоят на выводах DCD, DSR, RI
15К стоит на SIM_data к Vsim
100K на Pwrkey к внутренним Vio

на Pwrkey внутри последовательный резистор 2.2К
на Nreset конденсатор 22pF на GND, подтяжки нет (была на платах версии 1.хх) - вроде как в самом чипсете что-то есть.

c RX подтягивающий резистор убран - был на платах версии 1.хх


SIM900_Hardware Design_V2.02 - последний

Печально! Действительно есть в такая информация в pdf-ке. Чтото влипло в голову, что все входы подтянуты...

Аааа, вот отсюда "влипло", со слов уважаемого CADILO.

http://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=107599

У самого еще в памяти доки от первых модулей. Сейчас просто открыл схему модуля и переписал где что подтянуто.
Эта подтяжка была раньше, если у кого есть старая плата 1.хх PCB, там резистор есть. Все в памяти не удержишь.
Так что извиняюсь.

И так. Плата изготовлена. Модуль прекрасно работает. Все уровни соответствуют паспортным. ИМХО, 74LVC125 лучший вариант.
В приложенном файле моя версия подключения SIM900 к микроконтроллеру. И фото устройства.

Можно поздравить с победой....

Прошивка Z091U - 9 европейская...
Обновитесь на 12 евро, а лучше на ENHANCED.

Черкните в личку я дам новую.

Поздравить то можно, ... Но по EMI 100% не пройдет и CE не получит. Проходили такое. Пока что, это любительская разработка.

Да, но и 90% разработок ничего проходить и не нужно.
Особенно если учесть - http://nnm.ru/blogs/samovar1/zato-my-delae...ety-v-garazhah/

А этому девайсу проходить ничего и не нужно - это пилотная версия.

Спасибо. Кстати, очень помогли Ваши сообщения в форуме!
А чем прошивка установленного на борту платы модуля отличается от Вашей? Модуль будет использоваться только для связи с удаленным сервером по GPRS.

Релизнотесы прошивок.
В расширеной есть все что в 12 + дополнения.

Кто подскажет, подойдет ли для согласования уровней Tx, ATmega8 (3,3 v питание), c Rx SIM900 - буфер К 155 ЛП 9.