Открываем даташит на использованный haker_fox 2N3904. Смотрим динамические характеристики:

Это то самое время рассасывания неосновных носителей. С чего бы это они указывали ток базы, если он, по вашим утверждениям, "не влияет"?

То есть по сравнению с ним десяток килоом или несколько сотен ом - все же существенная разница?

Да вы что, первый раз на свет родились, что ли? Они же обязаны указать режим измерения, без этого их или в суд потянут, или будут презирать за непрофессионализм и не станут покупать продукты.

И обратите внимание, что в указанном в даташите режиме глубокого насыщения (ток базы 1 ма, ток коллектора 10 мА, при типовом коэфф. передачи по току 300) время смехотворно мало - гарантируется не более 0.2 мкс. То есть, безо всяких там резисторов с базы на землю, в глубоком насыщении, просто так, с кондачка, при помощи святого духа и золотого легирования базы, транзистор будет прекрасно шпарить на частоте 5 МГц. И стоит ли на этом фоне сопли по стеклу развозить?

Ага. И 1mA закрывающего тока тоже от святого духа берется.

Дабы поставить точку. Попросил товарища промоделировать в микрокапе:
вариант с R3 = 10К, R2 = 1.2К:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

вариант с R3 = 680 Ом, R2 = 1.8K:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Если для вас уменьшение времени закрывания почти в 6 раз - "несущественно", "в пределах погрешности измерения", то дальше спорить смысла нет.
Видимо микрокап не знает, что "догмы из учебников полувековой давности" отменили.

Диспут продолжается) Я прошу прощения, интерес к теме не потерял, сильно загружен работой, даже нет времени на симуляцию, вернее сил... Спасибо!

А какой практический смысл в этих ваших "в 6 раз", если для данного транзистора даже для более худшего случая гарантировано 0.2 мкс, тогда как время срабатывания оптопоры, которой он управляет - аж 4 мкс? Ну, даже если доведете вы время срабатывания транзистора до 1 нс, то когда начнете измерять параметры устройства, то заметите ли разницу? Нет, не заметите. Все ваши ухищрения уложатся в разброс времени срабатывания между разными экземплярами оптопар. Поэтому когда вы возьмете два устройства, с вашими улучшениями и без них, и будете измерять параметры, то не сможете уверенно сказать, какое из них сделано по-вашему, а какое - нет. Все эти мнимые улучшения уложатся в погрешности измерения и в разбросы параметров.

Не говоря уж о том, что моделирование для конкретного транзистора в контексте топика - есть практически чистое жульничество. Я же ясно сказал, что в тепличных лабораторных условиях можно выжать заметную разницу, однако никакого смысла она не имеет. Просите вашего коллегу выдать результаты для минимальной и максимальной рабочих температур, а также для минимального и максимального коэфф. передачи по току для транзистора., вот тогда будете графиками трясти. Если, конечно, будете - подозреваю, что желание их демонстрировать резко уменьшится.

Мы рассуждаем о том, как делать правильно, или о том, что "в данном случае и так сойдет"?
Вот сами и выдавайте результаты. От вас пока только общие сотрясения воздуха. Я писал что резистор существенно уменьшает время закрывания - я это показал. Вы утверждали обратное. Хотите - доказывайте. Не хотите - будем считать это сотрясениями воздуха. Мне надоело в одностороннем порядке тратить на вас свое и чужое время.

А был ли смысл?
Ну все теперь уже убедились в неграмотности "теоретика", который вместо проверки чего-то на практике, будет УТВЕРЖДАТЬ, что этого не может быть потому, что ОН этого не понимает.

а вот не поленюсь сейчас, и промоделирую. но после этого Вы обязуетесь принести публичное извинение и признать свою неправоту. идет?

Так что, поленились таки? Ну, тогда я не поленюсь. Симулятор Simetrix, спайс-модель транзистора 2N3904 взята на сайте OnSemi. Оптрон представлен тремя последовательно включенными диодами, питание 5В, сигнал амплитудой 3.3В, частота 10 кГц, фронты 1 нс. Обычное transient моделирование, однако шаг выбран мелкий, 0.1 нс, чтобы не было сомнений.

Схема

Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Результаты прогона:
- исходная схема R1=1.2k, R2=12.4k - зеленая линия
- улучшенная схема R1=1.8k, R2=680R - синяя линия

Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Обещанного "улучшения в 6 раз" почему-то не наблюдается... Сергей, может, ваш товарищ КТ315 использовал для моделирования?

Смех смехом, однако замечу, что представленный мной результат поддается независимой проверке, все необходимые сведения я привел. А что там ваш анонимный коллега моделировал - бог весть...



А что есть "правильно", по-вашему? Добиться улучшения работы устройства на 0.01%, затратив кучу времени на поиск никому не нужных блох? Или же сконцентрироваться на тех местах, где можно добиться реального улучшения работы и не заморачиваться бессмысленным улучшательством?

Для инженера "правильно" - это прежде всего "оптимально".

Народ уже два десятка сообщений написал про транзистор, питающий светодиод оптопары. Есть ведь транзисторы с интегрированными резисторами. Почему бы не использовать их (или хотя бы подсмотреть номиналы резисторов). Вот например nxp, onsemi, fairchild.

Как правило, американские фильмы с суффиксом "-2" хуже первых. В данном случае проглядываются параллели. Оригинальная схема из первого сообщения имела линию для переключения RX/TX. В новой версии решено использовать стартовый бит для переключения. Притом сделано безобразно (диод-резисторная логика...). В худшем случае может вообще не переключиться (мороз, максимальное напряжение выхода оптопары, минимальное напряжение переключения триггера Шмита). А если переключиться, то сильно укоротив стартовый бит. А его длительность принципиально важна. От этого фронта приёмник отсчитывает середину интервала, для приёма данных.

Если ставить D2, R8, C4, то лучше заменить 74HC14 на 74HC132. Один вход 2И-НЕ элемента подключить туда, где сейчас вход U3A, второй вход на выход оптопары U2. выход 2И-НЕ на разрешение передатчика U4. В этом случае стартовый бит будет передан лучше.

Нельзя с этим не согласится, хоть это уже и философия, но исходя из оптимальности могу привести два утверждения (от меня естественно):
1) "оптимально" оно должно быть ещё и по времени разработки. (В данном конкретном случае, на мой взгляд, улучшение времЕнных характеристик не существенно). Достаточно того что есть.
2) С точки зрения оптимальности резисторы в 1,2кОм и 12,4 кОм несколько странноватый выбор. Думаю если поставить 1 и 5,1кОм будет всё отлично работать и резисторы ходовых номиналов



Есть небольшой геморрой с использование транзисторов с внутренними резисторами. Первый это тот что не очень-то они доставабельны. Ну, а после того как достали и всё сделали, то уже ничего подкорректировать не получится, а вот с резисторами снаружи вполне ещё можно "поиграться" номиналами в процессе настройки.
ЗЫЖ правда это плохо относится к отлаженным устройствам выпускаемыми 1000-ми штук. Тогда и технологичней и дешевле использовать тр-ры с интегрированными резисторами. И партию в 1000-10000 шт. достать легче и на монтаже сэкономить можно

Как вы здорово цитаты дергаете. В том же предложении вам был задан вопрос, без ответа на который остальное бессмысленно.
Либо вы не умеете им пользоваться, либо его надо выкинуть. Ибо эта картинка имеет мало общего с реальностью. Почему напряжение насыщения отличается почти вдвое, если транзистор в обоих случаях находится в насыщении и ток коллектора одинаков? Где на ней прописанное в даташите то самое Storage time? Где влияние емкости коллектор-база?
Блох искать не нужно - зная теорию можно сразу проектировать правильно.
И каков же критерий оптимальности в исходных номиналах этого узла?

Так пользуйтесь им сами, если вы умелец. Симетрикс официально бесплатен для простых схем, все данные я привел. Проверяйте.


Потому что напряжение на коллекторе зависит от глубины насыщения, а ток базы разный. Для исходной схемы ток базы примерно равен 2 мА, для схемы с вашими номиналами - примерно 0.3 мА.


Посмотрите даташит внимательнее. Минимальная величина Storage time там не указана. А вопрос о том, насколько реалистична представленная спайс-модель, можете задать службе поддержки Onsemi.

Пикантный нюанс, связанный со Storage time, состоит в том, что это время измеряется после подачи в цепь базы тока противоположного направления и фиксации отрицательного потенциала базы на уровне более чем -1 В. То есть, что исходный вариант схемы, что с вашими номиналами - оба в подметки не годятся схеме измерения, приведенной в даташите.

Нажмите для просмотра прикрепленного файла


С вашими номиналами скорость нарастания увеличилась вдвое как раз вследствие уменьшения влияния эффекта Миллера. А иначе, по вашему, в честь чего бы фронт стал круче?


В данном контексте оптимальность, очевидно, состоит в отсутствии граблей и грубых ошибок. И в этом смысли исходные номиналы для транзистора были вполне удовлетворительны. А вот уменьшение резистора с базы на землю потенциально чревато тем, что при некотором стечении обстоятельств транзистор может не открыться. К таковым обстоятельствам относится и возможная замена транзистора на другой тип.



С этой точки зрения оптимально было бы поставить два одинаковых резистора. Собственно, в большинстве так наз. "цифровых транзисторов" именно так и сделано. Простое и надежное универсальное решение.

Базовый шунт-резистор нужно выбирать так чтобы на нём падало не менее 1 вольта. Иначе будет риск не влючиться на минусовых температурах. А уж разные типы биполярных транзисторов имеют разброс намного меньше чем изменение падения на кремниевом переходе от температуры.

Спасибо haker_fox за схему, собрал себе такую-же (без гальванической развязки) все работает отлично.

На здоровье, схема не моя) Я ее тоже позаимствовал.

А у меня все пока руки не доходят до опробирования гальваноразвязанной схемы... Уже более месяца(