Это и есть те самые две ошибки, которые и требуется учесть путем калибровки Isolation.
Вы хотите сказать, что с учетом всего вышесказанного, проводить данную калибровку Isolation не имеет смысла?

Я хочу сказать, что Вам бы необходимо прикинуть целесообразность калибровки на изоляцию при построении модели корпуса мощного СВЧ транзистора. Мне думается, что это лишнее.

Вот прикинуть у меня и не получается, т.к. непонятна ситуация с этими ошибками при калибровке, вклад каждой из них в погрешность измерения. В зарубежных статьях на эту тему приводятся измерения параметра S21 для сравнения с расчетом, но вот про тонкости калибровки они не пишут, пишут просто, что проводилась TRL калибровка и все. Мне не хочется читать тонну литературы на эту тему и разбираться с этими ошибками, так как времени особо нет, а просто провести калибровку на изоляцию и сравнить есть результат или нет. Поэтому и спрашиваю как ее проводить.

Возможно, вам бы помогла книга Михаэль Хибель "Основы векторного анализа цепей"

Да эта книга пригодилась бы, но в интернете ее достать не получается.

В подобном случае монтировали в тестовый зажим корпус транзистора без кристалла и обмеряли его на проход. Был еще изврат, где в корпус транзистора был замонтирован аттенюатор с известным ослаблением (кажется 20 дб), с 10 или 5 омной нагрузкой (а не 50 омный) и его обмеряли. Однозначных результатов, надо ли так извращаться, получено не было.

Гуглится в Библиотеке Академии Наук. Вы москвич, по-идее, проблем нет...

Тоже делал подобные тесты, только без корпуса транзистора, с х.х. и нагрузкой 50 ом на краях полосков при фиксированном расстоянии между микрополосками (|S12| при х.х. получается 0,01 на 3 ГГц). Но можно ли вычесть |S12| при х.х. или 50 ом из измерений корпуса с проволоками - непонятно.

А вы попробуйте сделать модели каждой половинки микрополосковой оснастки по отдельности в EM-симуляторе. Потом нарисуйте в EM-симуляторе всю оснастку (две половинки). Исключите из модели всей оснастки две половинки, которые моделировались по отдельности. Замерьте S21 модели корпуса в оснастке и сравните с S21 чистой модели корпуса. Вот таким образом Вы и узнаете, имеет ли смысл калибровка на изоляцию в Вашем случае.

Конечно же просто вычесть |S12| нельзя. Так можно было поступить, если бы вы работали в идеальном согласованном режиме. Например, если бы измеряли аттенюатор, а не корпус транзистора. Да и в общем случае такая математическая операция является большим допущением, слишком далёким от физики СВЧ-цепей.

А разве deembeding микрополосков до сечения вывода транзистора не даст того же самого? Параметр S12 не зависит от того, вычитаются полоски при deembeding'е или нет из расчета (при этом S12 примерно равен 0,0015 на 2 ГГц). Или я Вас не правильно понял?

Такой Deembeding исключит половинку оснастки без учёта взаимного влияния этих половинок друг на друга.

S12 зависит и от deembeding'а и от того, как взаимно расположены микрополосковые половинки оснастки друг относительно друга и ещё от многих других внешних факторов.

Если я правильно понял, Вы предлагаете найти чистое влияние микрополосков оснастки друг на друга таким образом: сделал модель одной и второй микрополосковой оснастки. Затем делаю модель всей оснастки, вместе с корпусом. Исключаю из нее эти две микрополосковые оснастки, остается S12 в корпусе + S12 из-за влияния микрополосков друг на друга. И этот результат я сравниваю с результатом при расчете S12 чистого корпуса, без микрополосков. Таким образом, при вычитании одного из другого, я получу S12 из-за влияния микрополосков друг на друга. Таким образом, получается результат:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
где кривая "deembeding" - это вычитание микрополосковой оснастки из суммарного расчета с корпусом транзистора (с закороченными на фланец проволоками);
кривая "korpus_poloski" - это суммарный расчет микрополосков с корпусом транзистора;
кривая "korpus" - это расчет просто корпуса транзистора, без микрополосковой оснастки.

Видно, что влияние микрополосков друг на друга (S12(korpus_poloski) - S12(korpus)) все-таки есть, и его неплохо бы учесть при калибровке для измерения такого рода тестов.

Что-то похожее на правду. На 4 ГГц неучтённое взаимное влияние микрополосков оснастки завышает коэффициент передачи |S12| на четверть. Попробуйте делать калибровку на изоляцию.

Теперь изначальный вопрос задан более корректно, спасибо за помощь в понимании проблемы. Но в том то и дело, что не получается делать калибровку на изоляцию в ходе TRL калибровки. Может быть проведение ее после TRL калибровки даст результат в уточнении параметра S12 или же это так же не правильно?

Можно измерить S-параметры корпуса, используя стандартную TRL-калибровку оснастки. А уж потом в симуляторе исключать ошибку коэффициента передачи. Если хочется максимально точно, то скорее всего без выводов математических формул не обойтись.

Понятно. Спасибо за помощь!

В пустом корпусе без кристалла связь вход-выход намного больше, чем в корпусе где стоит пассивный иммитатор кристалла (аттенюатор). Если сделать трехмерное моделирование то видно, что в пустом корпусе ЭМ волна намного сильнее вылазит пространственно и перекрывается с волной со второго вывода.