Помощь - Поиск - Пользователи - Календарь
Полная версия этой страницы: TRL калиброка на анализаторе цепей N5230C PNA-L
Форум разработчиков электроники ELECTRONIX.ru > Аналоговая и цифровая техника, прикладная электроника > Rf & Microwave Design
Страницы: 1, 2
Stefan1
Цитата(MePavel @ Mar 30 2015, 22:05) *
У этих двух оставшихся ошибок должно быть название или буквенное обозначение. Если не делать калибровку Isolation, то уже, как минимум, две ошибки Exf и Exr будут не учтены...

Это и есть те самые две ошибки, которые и требуется учесть путем калибровки Isolation.
Вы хотите сказать, что с учетом всего вышесказанного, проводить данную калибровку Isolation не имеет смысла?
MePavel
Цитата(Stefan1 @ Mar 31 2015, 10:43) *
Это и есть те самые две ошибки, которые и требуется учесть путем калибровки Isolation.
Вы хотите сказать, что с учетом всего вышесказанного, проводить данную калибровку Isolation не имеет смысла?

Я хочу сказать, что Вам бы необходимо прикинуть целесообразность калибровки на изоляцию при построении модели корпуса мощного СВЧ транзистора. Мне думается, что это лишнее.
Stefan1
Цитата(MePavel @ Mar 31 2015, 23:22) *
Я хочу сказать, что Вам бы необходимо прикинуть целесообразность калибровки на изоляцию при построении модели корпуса мощного СВЧ транзистора. Мне думается, что это лишнее.

Вот прикинуть у меня и не получается, т.к. непонятна ситуация с этими ошибками при калибровке, вклад каждой из них в погрешность измерения. В зарубежных статьях на эту тему приводятся измерения параметра S21 для сравнения с расчетом, но вот про тонкости калибровки они не пишут, пишут просто, что проводилась TRL калибровка и все. Мне не хочется читать тонну литературы на эту тему и разбираться с этими ошибками, так как времени особо нет, а просто провести калибровку на изоляцию и сравнить есть результат или нет. Поэтому и спрашиваю как ее проводить.
Green_Smoke
Возможно, вам бы помогла книга Михаэль Хибель "Основы векторного анализа цепей"
Stefan1
Цитата(Green_Smoke @ Apr 1 2015, 11:42) *
Возможно, вам бы помогла книга Михаэль Хибель "Основы векторного анализа цепей"

Да эта книга пригодилась бы, но в интернете ее достать не получается.
khach
Цитата(MePavel @ Mar 31 2015, 21:22) *
Я хочу сказать, что Вам бы необходимо прикинуть целесообразность калибровки на изоляцию при построении модели корпуса мощного СВЧ транзистора. Мне думается, что это лишнее.

В подобном случае монтировали в тестовый зажим корпус транзистора без кристалла и обмеряли его на проход. Был еще изврат, где в корпус транзистора был замонтирован аттенюатор с известным ослаблением (кажется 20 дб), с 10 или 5 омной нагрузкой (а не 50 омный) и его обмеряли. Однозначных результатов, надо ли так извращаться, получено не было.
VCO
Цитата(Stefan1 @ Apr 1 2015, 11:37) *
Да эта книга пригодилась бы, но в интернете ее достать не получается.

Гуглится в Библиотеке Академии Наук. Вы москвич, по-идее, проблем нет...
Stefan1
Цитата(khach @ Apr 1 2015, 17:14) *
В подобном случае монтировали в тестовый зажим корпус транзистора без кристалла и обмеряли его на проход. Был еще изврат, где в корпус транзистора был замонтирован аттенюатор с известным ослаблением (кажется 20 дб), с 10 или 5 омной нагрузкой (а не 50 омный) и его обмеряли. Однозначных результатов, надо ли так извращаться, получено не было.

Тоже делал подобные тесты, только без корпуса транзистора, с х.х. и нагрузкой 50 ом на краях полосков при фиксированном расстоянии между микрополосками (|S12| при х.х. получается 0,01 на 3 ГГц). Но можно ли вычесть |S12| при х.х. или 50 ом из измерений корпуса с проволоками - непонятно.
MePavel
Цитата(Stefan1 @ Apr 1 2015, 09:37) *
Вот прикинуть у меня и не получается, т.к. непонятна ситуация с этими ошибками при калибровке, вклад каждой из них в погрешность измерения. В зарубежных статьях на эту тему приводятся измерения параметра S21 для сравнения с расчетом, но вот про тонкости калибровки они не пишут, пишут просто, что проводилась TRL калибровка и все. Мне не хочется читать тонну литературы на эту тему и разбираться с этими ошибками, так как времени особо нет, а просто провести калибровку на изоляцию и сравнить есть результат или нет. Поэтому и спрашиваю как ее проводить.

А вы попробуйте сделать модели каждой половинки микрополосковой оснастки по отдельности в EM-симуляторе. Потом нарисуйте в EM-симуляторе всю оснастку (две половинки). Исключите из модели всей оснастки две половинки, которые моделировались по отдельности. Замерьте S21 модели корпуса в оснастке и сравните с S21 чистой модели корпуса. Вот таким образом Вы и узнаете, имеет ли смысл калибровка на изоляцию в Вашем случае.
Цитата(Stefan1 @ Apr 2 2015, 09:43) *
Тоже делал подобные тесты, только без корпуса транзистора, с х.х. и нагрузкой 50 ом на краях полосков при фиксированном расстоянии между микрополосками (|S12| при х.х. получается 0,01 на 3 ГГц). Но можно ли вычесть |S12| при х.х. или 50 ом из измерений корпуса с проволоками - непонятно.

Конечно же просто вычесть |S12| нельзя. Так можно было поступить, если бы вы работали в идеальном согласованном режиме. Например, если бы измеряли аттенюатор, а не корпус транзистора. Да и в общем случае такая математическая операция является большим допущением, слишком далёким от физики СВЧ-цепей.
Stefan1
Цитата(MePavel @ Apr 4 2015, 23:59) *
А вы попробуйте сделать модели каждой половинки микрополосковой оснастки по отдельности в EM-симуляторе. Потом нарисуйте в EM-симуляторе всю оснастку (две половинки). Исключите из модели всей оснастки две половинки, которые моделировались по отдельности. Замерьте S21 модели корпуса в оснастке и сравните с S21 чистой модели корпуса. Вот таким образом Вы и узнаете, имеет ли смысл калибровка на изоляцию в Вашем случае.

А разве deembeding микрополосков до сечения вывода транзистора не даст того же самого? Параметр S12 не зависит от того, вычитаются полоски при deembeding'е или нет из расчета (при этом S12 примерно равен 0,0015 на 2 ГГц). Или я Вас не правильно понял?
MePavel
Цитата(Stefan1 @ Apr 6 2015, 10:15) *
А разве deembeding микрополосков до сечения вывода транзистора не даст того же самого?

Такой Deembeding исключит половинку оснастки без учёта взаимного влияния этих половинок друг на друга.
Цитата(Stefan1 @ Apr 6 2015, 10:15) *
Параметр S12 не зависит от того, вычитаются полоски при deembeding'е или нет из расчета (при этом S12 примерно равен 0,0015 на 2 ГГц). Или я Вас не правильно понял?

S12 зависит и от deembeding'а и от того, как взаимно расположены микрополосковые половинки оснастки друг относительно друга и ещё от многих других внешних факторов.

Stefan1
Цитата(MePavel @ Apr 6 2015, 20:33) *
Такой Deembeding исключит половинку оснастки без учёта взаимного влияния этих половинок друг на друга.

Если я правильно понял, Вы предлагаете найти чистое влияние микрополосков оснастки друг на друга таким образом: сделал модель одной и второй микрополосковой оснастки. Затем делаю модель всей оснастки, вместе с корпусом. Исключаю из нее эти две микрополосковые оснастки, остается S12 в корпусе + S12 из-за влияния микрополосков друг на друга. И этот результат я сравниваю с результатом при расчете S12 чистого корпуса, без микрополосков. Таким образом, при вычитании одного из другого, я получу S12 из-за влияния микрополосков друг на друга. Таким образом, получается результат:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
где кривая "deembeding" - это вычитание микрополосковой оснастки из суммарного расчета с корпусом транзистора (с закороченными на фланец проволоками);
кривая "korpus_poloski" - это суммарный расчет микрополосков с корпусом транзистора;
кривая "korpus" - это расчет просто корпуса транзистора, без микрополосковой оснастки.

Видно, что влияние микрополосков друг на друга (S12(korpus_poloski) - S12(korpus)) все-таки есть, и его неплохо бы учесть при калибровке для измерения такого рода тестов.
MePavel
Цитата(Stefan1 @ Apr 7 2015, 17:24) *
Если я правильно понял, Вы предлагаете найти чистое влияние микрополосков оснастки друг на друга таким образом: сделал модель одной и второй микрополосковой оснастки. Затем делаю модель всей оснастки, вместе с корпусом. Исключаю из нее эти две микрополосковые оснастки, остается S12 в корпусе + S12 из-за влияния микрополосков друг на друга. И этот результат я сравниваю с результатом при расчете S12 чистого корпуса, без микрополосков. Таким образом, при вычитании одного из другого, я получу S12 из-за влияния микрополосков друг на друга. Таким образом, получается результат:

Что-то похожее на правду. На 4 ГГц неучтённое взаимное влияние микрополосков оснастки завышает коэффициент передачи |S12| на четверть. Попробуйте делать калибровку на изоляцию.

Stefan1
Цитата(MePavel @ Apr 7 2015, 20:53) *
Что-то похожее на правду. На 4 ГГц неучтённое взаимное влияние микрополосков оснастки завышает коэффициент передачи |S12| на четверть. Попробуйте делать калибровку на изоляцию.

Теперь изначальный вопрос задан более корректно, спасибо за помощь в понимании проблемы. Но в том то и дело, что не получается делать калибровку на изоляцию в ходе TRL калибровки. Может быть проведение ее после TRL калибровки даст результат в уточнении параметра S12 или же это так же не правильно?
MePavel
Цитата(Stefan1 @ Apr 8 2015, 09:17) *
Но в том то и дело, что не получается делать калибровку на изоляцию в ходе TRL калибровки.

Можно измерить S-параметры корпуса, используя стандартную TRL-калибровку оснастки. А уж потом в симуляторе исключать ошибку коэффициента передачи. Если хочется максимально точно, то скорее всего без выводов математических формул не обойтись.
Stefan1
Цитата(MePavel @ Apr 8 2015, 22:03) *
Можно измерить S-параметры корпуса, используя стандартную TRL-калибровку оснастки. А уж потом в симуляторе исключать ошибку коэффициента передачи. Если хочется максимально точно, то скорее всего без выводов математических формул не обойтись.

Понятно. Спасибо за помощь!
khach
В пустом корпусе без кристалла связь вход-выход намного больше, чем в корпусе где стоит пассивный иммитатор кристалла (аттенюатор). Если сделать трехмерное моделирование то видно, что в пустом корпусе ЭМ волна намного сильнее вылазит пространственно и перекрывается с волной со второго вывода.
Для просмотра полной версии этой страницы, пожалуйста, пройдите по ссылке.
Invision Power Board © 2001-2025 Invision Power Services, Inc.