Цитата(Stefan1 @ Apr 1 2015, 09:37)

Вот прикинуть у меня и не получается, т.к. непонятна ситуация с этими ошибками при калибровке, вклад каждой из них в погрешность измерения. В зарубежных статьях на эту тему приводятся измерения параметра S21 для сравнения с расчетом, но вот про тонкости калибровки они не пишут, пишут просто, что проводилась TRL калибровка и все. Мне не хочется читать тонну литературы на эту тему и разбираться с этими ошибками, так как времени особо нет, а просто провести калибровку на изоляцию и сравнить есть результат или нет. Поэтому и спрашиваю как ее проводить.
А вы попробуйте сделать модели каждой половинки микрополосковой оснастки по отдельности в EM-симуляторе. Потом нарисуйте в EM-симуляторе всю оснастку (две половинки). Исключите из модели всей оснастки две половинки, которые моделировались по отдельности. Замерьте S21 модели корпуса в оснастке и сравните с S21 чистой модели корпуса. Вот таким образом Вы и узнаете, имеет ли смысл калибровка на изоляцию в Вашем случае.
Цитата(Stefan1 @ Apr 2 2015, 09:43)

Тоже делал подобные тесты, только без корпуса транзистора, с х.х. и нагрузкой 50 ом на краях полосков при фиксированном расстоянии между микрополосками (|S12| при х.х. получается 0,01 на 3 ГГц). Но можно ли вычесть |S12| при х.х. или 50 ом из измерений корпуса с проволоками - непонятно.
Конечно же просто вычесть |S12| нельзя. Так можно было поступить, если бы вы работали в идеальном согласованном режиме. Например, если бы измеряли аттенюатор, а не корпус транзистора. Да и в общем случае такая математическая операция является большим допущением, слишком далёким от физики СВЧ-цепей.