Помощь - Поиск - Пользователи - Календарь
Полная версия этой страницы: tcad начало
Форум разработчиков электроники ELECTRONIX.ru > Cистемный уровень проектирования > Разработка цифровых, аналоговых, аналого-цифровых ИС
Страницы: 1, 2, 3, 4
nikolascha
Цитата(JuliaLesh)
Я с удовольствием бы занялась организацией такого сайта.

А зачем сайт открывать, есть же вики на этом форуме... Можно там разместить полезные статьи. Только есть недостаток в том, что закачать картинки нельзя...
baumanets
JuliaLesh смотри мануал по флупсу, команду region. Лигамент это всего лишь редактор из 2х частей: технологии и топологии.
Команда region описывает исходный материал.
nikolascha т.е. тут даже GIFки нельзя загрузить? А ссылки на картинки хоть сделать можно?
baumanets
Цитата(JuliaLesh @ Feb 23 2010, 00:53) *
To baumanets

Я с удовольствием бы занялась организацией такого сайта. Правда, в программе пока плоховато разбираюсь, но тоже отчасти переводила документацию и согласна переводить дальше. =)

Насчёт сайта сморти в личке.
electronic_girl
Здравствуйте!Помогите,пожалуйста,разобраться в командных файлах для директорий DIOS, MDRAW, DESSIS, INSPECT в TCAD 7.0. Я хотела спроектировать n-МОП транзистор с длиной канала 1 мкм. Командные файлы для этих директорий взяла из учебного пособия ([url="http://window.edu.ru/window_catalog/files/r59541/may07094.pdf"] Но после выполнения команды "Run all" в директории Status, программа сообщает, что неправильное имя "POISSON". И никаких результатов не выводит, при этом в FAMILY TREE прямоугольники, соответствующие директории "PARAMETR", загораются красным цветом,что соответствует ошибке. Очень долго пытаюсь разобраться в чем проблема. Сама командные файлы точно не напишу, а других примеров в интернете найти не могу. Есть также методички "Физико-топологическое моделирование в САПР TCAD" и "Технологическое моделирование", но и там недостаточно информации.
Помогите, кто может, а то совсем голову сломала help.gif
baumanets
Можешь конкретно ошибку привести, в какой именно прорамме пакета она происходит?
Хорошо бы посмотреть сам проект целиком, ну если не можешь тогда хотя б скрин сделай и(или) лог файл приведи.
electronic_girl
Цитата(baumanets @ Mar 10 2010, 18:54) *
Можешь конкретно ошибку привести, в какой именно прорамме пакета она происходит?
Хорошо бы посмотреть сам проект целиком, ну если не можешь тогда хотя б скрин сделай и(или) лог файл приведи.

Вот скрины из моего проекта по шагам.

Нажмите для просмотра прикрепленного файла

А вот что мне пишет программа в Execution Log:

'gen' release 7.0, version 7.0.9
Copyright © 1994-2001 ISE Integrated Systems Engineering
Loading global tool database 'C:/ISE/tcad/7.0/lib/GENESISelib/tooldb.tcl'
Loading preferences 'C:/ISE/project/pref_win_spm.7.0'
Warning: couldn't load user's preferences: C:/ISE/project/pref_win_spm.7.0 doesn't exist
Loading project 'C:/ISE/project/n-MOP/NEW_90310'...done
--------------------------------------------------------------------
'local' submitted jobs:
default: 2 5 6 7 3 8 9 10 4 11 12 13
--------------------------------------------------------------------
Mar 11 11:13:03 <NEW_90310> started locally: nodes "all"
local% submit job 2 for local execution
local% submit job 7 for local execution
local% submit job 3 for local execution
local% submit job 10 for local execution
local% submit job 4 for local execution
local% submit job 13 for local execution
local% exec "genjob -nice 19 -job 2 @ISEDB@/n-MOP/NEW_90310"
Mar 11 11:13:03 job 2 <dios> started on host 'spm': "dios -u n2_dio.cmd"
Mar 11 11:13:06 --- job 2 <dios> exited abnormally: exit(44)
local% exec "genjob -nice 19 -job 7 @ISEDB@/n-MOP/NEW_90310"
Mar 11 11:13:09 job 7 <inspect> started on host 'spm': "inspect -f pp7_ins.cmd"
Mar 11 11:13:15 +++ job 7 <inspect> done (6 secs)
local% exec "genjob -nice 19 -job 3 @ISEDB@/n-MOP/NEW_90310"
Mar 11 11:13:18 job 3 <dios> started on host 'spm': "dios -u n3_dio.cmd"
Mar 11 11:13:21 --- job 3 <dios> exited abnormally: exit(44)
local% exec "genjob -nice 19 -job 10 @ISEDB@/n-MOP/NEW_90310"
Mar 11 11:13:24 job 10 <inspect> started on host 'spm': "inspect -f pp10_ins.cmd"
Mar 11 11:13:30 +++ job 10 <inspect> done (6 secs)
local% exec "genjob -nice 19 -job 4 @ISEDB@/n-MOP/NEW_90310"
Mar 11 11:13:33 job 4 <dios> started on host 'spm': "dios -u n4_dio.cmd"
Mar 11 11:13:36 --- job 4 <dios> exited abnormally: exit(44)
local% exec "genjob -nice 19 -job 13 @ISEDB@/n-MOP/NEW_90310"
Mar 11 11:13:40 job 13 <inspect> started on host 'spm': "inspect -f pp13_ins.cmd"
Mar 11 11:13:46 +++ job 13 <inspect> done (6 secs)
Mar 11 11:13:52 <NEW_90310> failed

SCHEDULING REPORT
+++ done : 7 10 13
--- failed : 2 3 4
not started : 5 6 8 9 11 12

gen exits with status 1
baumanets
что даёт output c
job 2 <dios> exited abnormally: exit(44)
job 3 <dios> exited abnormally: exit(44)
job 4 <dios> exited abnormally: exit(44) ?
В 10м Ткаде view output или с клавиатуры Ctrl+W на выделенной задаче
KriegerNsk
Приветствую всех!
Столкнулся с такой проблемой, моделирую технологию стабилитрона, с технологической точки зрения все получается правильно, профили красивые biggrin.gif все хорошо.
но как дело доходит до моделирования ВАХ то напряжение пробоя стабильно держится на одной отметке, примерно в 2 раза больше чем планировалось.
Пробовал играться с технологией это ни к чему существенному не привело. Стал копаться в выходных файлах SDEVICE обнаружил что туннелирования через p-n-переход нет(( Подскажите пожалуйста как включить модели туннелирования в SDEVICE ? Читал в мануале про Band2Band туннелирование, там необходимо обозначить регионы или материалы через которые собственно и происходит туннелирование, но как их задать напрямую в SPROCESS так и не понял.
И сразу еще один вопрос спрошу) Как после SPROCESS'а включить NOFFSET3D чтобы на выходе ноффсета была не только сетка но и показывалось легирование структуры? Заранее спасибо.
baumanets
Цитата(KriegerNsk @ Apr 6 2010, 10:08) *
Приветствую всех!
Столкнулся с такой проблемой, моделирую технологию стабилитрона, с технологической точки зрения все получается правильно, профили красивые biggrin.gif все хорошо.
но как дело доходит до моделирования ВАХ то напряжение пробоя стабильно держится на одной отметке, примерно в 2 раза больше чем планировалось.
Пробовал играться с технологией это ни к чему существенному не привело. Стал копаться в выходных файлах SDEVICE обнаружил что туннелирования через p-n-переход нет(( Подскажите пожалуйста как включить модели туннелирования в SDEVICE ? Читал в мануале про Band2Band туннелирование, там необходимо обозначить регионы или материалы через которые собственно и происходит туннелирование, но как их задать напрямую в SPROCESS так и не понял.
И сразу еще один вопрос спрошу) Как после SPROCESS'а включить NOFFSET3D чтобы на выходе ноффсета была не только сетка но и показывалось легирование структуры? Заранее спасибо.

Какая версия TCADа?
passat
Добрый день. Поставил на WinXP SP2 T-CAD 10.0. C горем пополам добился того, что стал запускаться GENESISe. Однако всплыла другая проблема-при запуске mdraw выдается такая ошибка (в прикрепленном файле). Однако эти файлы лежат в директории %ISEROOT\tcad\10.0\ix86\WinNT\lib\mdraw. Перекинул всю папку в %ISEROOT\tcad\10.0\lib, потом отдельно их туда закинул. Эффекта ноль. Может у кого была уже такая проблема и кто-то знает, куда нужно их кинуть, чтоб запускался mdraw?
KriegerNsk
Цитата(baumanets @ Apr 10 2010, 23:10) *
Какая версия TCADа?


Sentaurus tcad 10
сейчас пробую после Sprocess'a вставить SDE и в нем определить регионы для туннелирования. но пока не очень успешно
baumanets
Цитата(passat @ Apr 12 2010, 14:05) *
Добрый день. Поставил на WinXP SP2 T-CAD 10.0. C горем пополам добился того, что стал запускаться GENESISe. Однако всплыла другая проблема-при запуске mdraw выдается такая ошибка (в прикрепленном файле). Однако эти файлы лежат в директории %ISEROOT\tcad\10.0\ix86\WinNT\lib\mdraw. Перекинул всю папку в %ISEROOT\tcad\10.0\lib, потом отдельно их туда закинул. Эффекта ноль. Может у кого была уже такая проблема и кто-то знает, куда нужно их кинуть, чтоб запускался mdraw?

Пиши в личку, на паблик не буду выкладывать.

Цитата(KriegerNsk @ Apr 13 2010, 13:44) *
Sentaurus tcad 10
сейчас пробую после Sprocess'a вставить SDE и в нем определить регионы для туннелирования. но пока не очень успешно

У меня в синопсисе 10 для снятия вахов в программе DESSIS есть 4 модели для работы
дрейфово-диффузионная, термодинамическая, гидродинамическая, квантовая.
Нечто подобное ИМХО должно быть и тут.
passat
baumanets, у меня пишет, что мне нельзя использовать личные сообщения. Если не сложно, можно на почту отправить: wersun DOG rambler POINT ru
passat
baumanets? пока вы здесь, личка заработала, вчера сообщение отправил.
KriegerNsk
Sorry za translit. Pishu s servera, tut russkoy raskladki net ((

Vobshem modeley dlya tunnelirovaniya tut 5 shtuk. Problema v tom chto pri prostom podhode, toest' prosto propisav ispol'zuemie modeli v komandnike DEVICE tunnelirovanie ne shitaetsya. Neobhodimo oboznachit' v razdele Physics region ili material gde neobhodimo uchitivat eti modeli. Naprimer:

Physics (RegionInterface="JN_Region/JP_Region")
{
Recombination ( Band2BandTunneling ....


}

Ya dobilsa razmechenih oblastey s pomoshyu SDE, no tunnelirovanie vse ravno ne shitaetsya((((
Rikky
Цитата(KriegerNsk @ Apr 6 2010, 10:08) *
Приветствую всех!
Столкнулся с такой проблемой, моделирую технологию стабилитрона, с технологической точки зрения все получается правильно, профили красивые biggrin.gif все хорошо.
но как дело доходит до моделирования ВАХ то напряжение пробоя стабильно держится на одной отметке, примерно в 2 раза больше чем планировалось.
Пробовал играться с технологией это ни к чему существенному не привело. Стал копаться в выходных файлах SDEVICE обнаружил что туннелирования через p-n-переход нет(( Подскажите пожалуйста как включить модели туннелирования в SDEVICE ? Читал в мануале про Band2Band туннелирование, там необходимо обозначить регионы или материалы через которые собственно и происходит туннелирование, но как их задать напрямую в SPROCESS так и не понял.
И сразу еще один вопрос спрошу) Как после SPROCESS'а включить NOFFSET3D чтобы на выходе ноффсета была не только сетка но и показывалось легирование структуры? Заранее спасибо.


может это?

Physics(MaterialInterface="<mat1>/<mat2>") { Recombination(eBarrierTunneling(nonlocal)) }

Math(MaterialInterface="<mat1>/<mat2>") { NonLocal(Length=1e-6) }
KriegerNsk
Цитата(Rikky @ Apr 23 2010, 15:56) *
может это?

Physics(MaterialInterface="<mat1>/<mat2>") { Recombination(eBarrierTunneling(nonlocal)) }

Math(MaterialInterface="<mat1>/<mat2>") { NonLocal(Length=1e-6) }



хм а вот в мат часть я ничего не добавлял. попробую, спасибо за совет. только сразу вопрос)
я так понял тут задается туннелирование через два материала например Оксид/Кремний а как быть если материал один, тоесть в кремнии необходимо увидеть
туннелирование между n++ областью стабилитрона и p+ карманом?
Rikky
Physics(Material="<mat>") { Recombination(eBarrierTunneling(nonlocal)) } попробуй
KriegerNsk
вот привожу командник. мож так проще будет понять че не так)


* --- Defining Electrodes

Electrode {


{ Name="Gate" Voltage=0 AreaFactor=250 }
{ Name="Source" Voltage=0 AreaFactor=250 }
{ Name="Drain" Voltage=0 AreaFactor=250 }
{ Name="Substrate" Voltage=0 AreaFactor=250 }

}
File {

* --- Defining Input Files

Grid = "@tdr@"
Doping = "@tdr@"

* --- Defining Output Files

Plot = "@dat@"
Current = "@plot@"
}

* --- Defining Physical Models


Physics ( Material="Silicon" ) {

EffectiveIntrinsicDensity (OldSlotboom)
Mobility (DopingDep HighFieldSaturation Enormal)
Recombination (SRH (DopingDep) Auger Avalanche (Eparallel)
eBarrierTunneling(nonlocal) hBarrierTunneling(nonlocal)
eBarrierTunneling(Band2Band TwoBand) hBarrierTunneling(Band2Band TwoBand)
Fermi
)

}

* --- Plot Section (Tecplot SV)

Plot {
eDensity hDensity
eCurrent hCurrent
ElectricField
eQuasiFermi hQuasiFermi
Potential Doping SpaceCharge
SRH Auger
eMobility hMobility
DonorConcentration AcceptorConcentration
Doping
eVelocity hVelocity
eEparal hEparal eTemperature
Bandgap Auger
eDirectTunneling
eBarrierTunneling
hBarrierTunneling
eQuantumPotential
qcBandGapShift
Band2BandTunneling
AvalancheGeneration RadiativeRecombination
eAvalanche hAvalanche
ConductBandEnergy ValenceBandEnergy
}

* --- Math Section

Math ( Material="Silicon" ){
NonLocal(Length=20e-6)
Extrapolate
Derivatives
RelErrControl
Avalderivatives
Digits=5
Notdamped=50
Iterations=30


Directcurrent
ErRef(hole)=1e10
ErRef(electron)=1e10
}

* --- Solve Section

Solve {

Coupled (Iterations=3000 LineSearchDamping=1e-4)
{ Poisson Electron Hole }


Quasistationary ( InitialStep=0.001 MaxStep=0.005 Minstep=1e-10
Goal { Name="Gate" Voltage=15 } )
{ Coupled { Poisson Electron Hole } }
}
KriegerNsk
Все с туннелированием разобрался. Необходимо было просто прописать в Physics строчку Band2Band ... как всегда все гениальное просто, не знаю как я раньше до этого не додумался))
спасибо за советы
M@kar
Всем доброго времени суток. К какому оборудованию привязана лицензия? Synopsys TCAD установлен на Linux, планируется смена мат. платы, это не повлияет на лицензию?
aht
Цитата(M@kar @ Jun 19 2010, 01:19) *
Всем доброго времени суток. К какому оборудованию привязана лицензия? Synopsys TCAD установлен на Linux, планируется смена мат. платы, это не повлияет на лицензию?

К мак-адресу привязана точно. Сменить его несложно, впрочем.
M@kar
Цитата
К мак-адресу привязана точно. Сменить его несложно, впрочем.
Благодарю.
KriegerNsk
Приветствую всех!

Кто нибудь занимался моделированием технологии кольцевых МОП транзисторов в ISE|Sentaurus TCAD'e ? Я так понимаю Floops|SProcess двухмерку считает в приближении классического транзистора, то есть потом при расчете характеристик в Dessis|SDevice он растягивает его параллельно на заданный AreaFactor и все. Но в реальности то затвор кольцевой, как это скажется на характеристиках?

И еще вопрос. Кто нибудь пробовал моделировать приборы с использованием Ligament Layout ? Нарисовать полностью топологию и потом совместить с технологией Ligament Flow?

Заранее спасибо.
baumanets
так там примеры есть home/TCAD/tcad/10.0/Example_Library/ISE_Training/main_menu.html
вот хтмл там написано, как и что делать.
Приборы моделировал, делал проект в генезисе, потом добавлял к нему файл топологии (брал gds-ник) и технологии.
Почитай, там разобраться легко.
Rikky
Цитата(KriegerNsk @ Aug 15 2010, 08:44) *
Приветствую всех!

Кто нибудь занимался моделированием технологии кольцевых МОП транзисторов в ISE|Sentaurus TCAD'e ? Я так понимаю Floops|SProcess двухмерку считает в приближении классического транзистора, то есть потом при расчете характеристик в Dessis|SDevice он растягивает его параллельно на заданный AreaFactor и все. Но в реальности то затвор кольцевой, как это скажется на характеристиках?


а в 3D нарисовать?
Цитата(KriegerNsk @ Aug 15 2010, 08:44) *
И еще вопрос. Кто нибудь пробовал моделировать приборы с использованием Ligament Layout ? Нарисовать полностью топологию и потом совместить с технологией Ligament Flow?

Заранее спасибо.


ligament это скорее ГУИ для спроцесса с возможностью использования топологии,он по сути переводит графические команды в командный файл спроцесс.
KriegerNsk
Сервер еле двухмерку тянет и это на грубой сетке((( 3D я даже заморачиваться не хочу. А с ligament'ом тоже не все так просто, через коммандник sprocess получается более гибкая структура, можно варьировать множеством дополнительных процессов. Через лигамент возможно тоже можно но через макросы а это трудоемко и не удобно. Пробовал нарисовать простую структурку в лигаменте по тренингу, пока безуспешно( с принципом разобрался, че куда вставлять но структуру так и не получил. Еще по ковыряюсь после выходных. спасибо за советы
baumanets
У меня четырёхядерник на работе её еле тянет, потому что распараллеливания по ядрам никакого.
Как выход если делать параметрическую оптимизацию можно несколько задач запустить (в одном столбце в генезисе).
Зато согласно мануалу дезиса, там распараллеливание возможно, но мне до него рано ещё.
KriegerNsk какие у тебя проблеммы с лигаментом, я просто этот этап успешно прошёл?
KriegerNsk
да проблема собственно в том что не получается маску нанести нормально=) нарисовал например два квадрата один внутри другого, указываю потом в тех процессе мол использовать внутренний квадратик в темном поле, и как будто ничего не происходит. После операции смотрю dat файлы в текплоте, там 2-х мерное распределение и никаких масок вообще нет. Ну это мне кажется решается легко, просто некогда копаться сильно в мануале лигамента.
R1kky
спроцессе в помощь, он имхо удобнее
кстати, хороший просмотрщик,альтернатива текплоту - tdx. легенький и шустренький.советую попробовать
baumanets
Цитата(R1kky @ Aug 23 2010, 15:09) *
спроцессе в помощь, он имхо удобнее
кстати, хороший просмотрщик,альтернатива текплоту - tdx. легенький и шустренький.советую попробовать

Но это уж на любителя, текплот рулит всё равно.

Цитата(KriegerNsk @ Aug 22 2010, 16:59) *
да проблема собственно в том что не получается маску нанести нормально=) нарисовал например два квадрата один внутри другого, указываю потом в тех процессе мол использовать внутренний квадратик в темном поле, и как будто ничего не происходит. После операции смотрю dat файлы в текплоте, там 2-х мерное распределение и никаких масок вообще нет. Ну это мне кажется решается легко, просто некогда копаться сильно в мануале лигамента.

Маска наносится на окисел, потом происходит травление, можно ввести макрос сохранения структуры (слово struct в справке) и потом смотреть в техплоте как травление произошло.
Когда ведёте травление, указывайте что травится.
R1kky
думаю,synopsys в ближайшие год-два откажется от текплота и перейдет на tdx, так что рано или поздно придется юзать =) так лучше раньше чем позже
KriegerNsk
Цитата(R1kky @ Aug 25 2010, 20:53) *
думаю,synopsys в ближайшие год-два откажется от текплота и перейдет на tdx, так что рано или поздно придется юзать =) так лучше раньше чем позже


хм, а с чего бы им от текплота отказываться?
R1kky
Цитата(KriegerNsk @ Aug 26 2010, 03:52) *
хм, а с чего бы им от текплота отказываться?


на последней презентации павел тихомиров из синопсис говорил, что их не очень устраивает работа текплота,его обновление, взаимодействия с разработчиками текплота и отметил,что они намерены в будущем продвигать свой визуализатор, так что вот как то так rolleyes.gif
zzzzzzzz
НЕ могу промоделировать физико-технологический процесс создания 3D моп структуры с использовнием floops и ligament с моей топологией. Реакция на оператор Pattern следующая : 'Pattern' failed: 3D pattern not yet implemented.

Кто-нибудь может помочь с фичами для генерации лиц.файла?
Ибо:

Checking license features:

Floops-1D: Ok
Floops-2D: Ok
Floops-3D: Ok
Floops-1D-MC: Ok
Floops-2D-MC: Ok
Floops-3D-MC: NA
AN-Impl3D: Ok
Floops-Atomise: NA
Floops-Parallel: NA
Floops-Parallel4: NA
baumanets
Цитата(zzzzzzzz @ Aug 26 2010, 12:38) *
НЕ могу промоделировать физико-технологический процесс создания 3D моп структуры с использовнием floops и ligament с моей топологией. Реакция на оператор Pattern следующая : 'Pattern' failed: 3D pattern not yet implemented.

Кто-нибудь может помочь с фичами для генерации лиц.файла?
Ибо:

Checking license features:

Floops-1D: Ok
Floops-2D: Ok
Floops-3D: Ok
Floops-1D-MC: Ok
Floops-2D-MC: Ok
Floops-3D-MC: NA
AN-Impl3D: Ok
Floops-Atomise: NA
Floops-Parallel: NA
Floops-Parallel4: NA


Под какой осью раюотаешь?
Это сообщение выводится в консоль при запуске флупса? или со спецпараметрами?
Если вин или лин, можно попробовать в дебаггере его "поотлаживаать", если что пишите в приват.
zzzzzzzz
Цитата(baumanets @ Aug 26 2010, 14:18) *
Под какой осью раюотаешь?
Architecture: i686
Operating system: Linux rel. 2.6.9-5.EL ver. #1 Wed Jan 5 19:22:18 EST 2005
Цитата
Это сообщение выводится в консоль при запуске флупса?
Да. Если завести упрощенный тех процесс (без pattern'a) на выходе - срез, не говорящий ни о чем.
Exiton
Добрый день!
Имею те же проблемы что и zzzzzzz
Есть своя топология кольцевого моп транзистора и технология.
моделирование во floops'е не проиходит когда region в environment в ligament layout - прямоугольник (пустой аутпут).
Эта же технология с топологией прут когда указываю region - сечение.
baumanets, это сообщение выводится при запуске floops'a с параметрами floops -v (проверка версии)
baumanets
В ligament layout нарисовал регион, потом его выбрал в ligaments flow editor, я правильно понял?
Если указывать прямоугольник - программа не работает, а еслит указывать сечение отрезком работает, правильно?
Окисление работает нормально
Пример Tools->2D->LOCOS работает ? Сначала посмотри что в примере было в текплоте, а потом запусти пример, если будет сильно разниться (константа окисления по умолчанию) значит с лизензией косяк.
Exiton
baumanets, не посмотришь возможности своей лицензии?
R1kky
Цитата(Exiton @ Aug 27 2010, 17:14) *
baumanets, не посмотришь возможности своей лицензии?



если командники пришлешь - я тоже могу проверить
baumanets
У меня возможности лицензии точно такие же как у вас.
Проверил сегодня.
Так что надо садиться за IDA-PRO и edb smile.gif
Пришли файлы, чтоб знать в какую сторону "байты править".
KriegerNsk
У меня сегодня чудеса на виражах начались) вобщем работаю в спроцессе через командный файл, моделирую двухмерку стандартного р-моп транзистора. Столкнулся с такой проблемой, делаю термическое тонкое окисление под затвор и при дальнейшем расчете ВАХ в SDevice получаю что этот окисел у меня "сквозит", тоесть через него идет ток причем ощуитимый... решил окисел не термически делать а просто нужной толщины нанести с помощью эпитаксии. В итоге при расчете ВАХ у меня даже первое приближение не сходится =( что делать ума не приложу, целый день проковырялся с этим окислом так ничего не смог сделать. Может у кого были такие проблемы? В предыдущей версии Sentaurus TCAD'a все работало вроде нормально...
baumanets
Цитата(KriegerNsk @ Aug 27 2010, 18:52) *
У меня сегодня чудеса на виражах начались) вобщем работаю в спроцессе через командный файл, моделирую двухмерку стандартного р-моп транзистора. Столкнулся с такой проблемой, делаю термическое тонкое окисление под затвор и при дальнейшем расчете ВАХ в SDevice получаю что этот окисел у меня "сквозит", тоесть через него идет ток причем ощуитимый... решил окисел не термически делать а просто нужной толщины нанести с помощью эпитаксии. В итоге при расчете ВАХ у меня даже первое приближение не сходится =( что делать ума не приложу, целый день проковырялся с этим окислом так ничего не смог сделать. Может у кого были такие проблемы? В предыдущей версии Sentaurus TCAD'a все работало вроде нормально...

Я тут ничем не могу помочь, потому что юзаю synopsys TCAD, а не sentaurus
R1kky
Цитата(baumanets @ Aug 29 2010, 11:06) *
Я тут ничем не могу помочь, потому что юзаю synopsys TCAD, а не sentaurus


synopsys tcad это как раз и есть sentaurus 1111493779.gif

а вот до synopsys tcad был ise tcad maniac.gif
Exiton
baumanets, а какие файлы присылать? свой floops.exe?
baumanets
Цитата(Exiton @ Aug 31 2010, 13:29) *
baumanets, а какие файлы присылать? свой floops.exe?

Опа, у вас точно floops.exe? Это под винду?
Мне нужно знать чем будет отличаться моделирование с включенными опциями лицензии и выключенными.
Или по крайней мере файлы проекта, которые должны работать, но у вас не работают.
В генезисе можно пакет создать gzp вроде.
Исполняемый файл ткада находится не в home/TCAD/bin, там только ссылка на него.
R1kky
Цитата(baumanets @ Aug 31 2010, 14:47) *
Опа, у вас точно floops.exe? Это под винду?
Мне нужно знать чем будет отличаться моделирование с включенными опциями лицензии и выключенными.
Или по крайней мере файлы проекта, которые должны работать, но у вас не работают.
В генезисе можно пакет создать gzp вроде.
Исполняемый файл ткада находится не в home/TCAD/bin, там только ссылка на него.


моделирование с включенными опциями не отличается от моделирования с включенными bb-offtopic.gif
разница лишь в том, что когда тул полезет за "нужной" - она либо будет (тогда моделирование продолжится) либо её не будет (моделирование "повиснет" в ожидании пока лицензия станет доступной)
кстати вы можете попробовать эту ситуацию, искуственно "заняв" какую-либо одну лицензию

gzp - это экспорт проекта (рекомендую очистить проект от лишних сгенерированных файлов ( grd,dat,tdr etc)

но это лирика smile3046.gif
baumanets
Ничего подобного, если выключить floops-1d лицензию, то флупс сам работать не будет, ибо она у него основная.
R1kky
Цитата(baumanets @ Sep 2 2010, 14:23) *
Ничего подобного, если выключить floops-1d лицензию, то флупс сам работать не будет, ибо она у него основная.


это ведь понятно, ясно дело,что и без флупса-2д 3д не заработает.
я говорил о том, что разница запуска моделирования с полным/частичным пакетом лицензий отличается лишь возможностями этих пакетов. результаты моделирования будут ОДИНАКОВЫЕ.
возможен лишь вариант, что не хватает определенной лицензии и процесс не запустится(будет ожидать появления свободной лицензии).


у меня вопрос по сеткам,насколько я знаю, в tcad'е очень важна расчётная сетка, она не должна быть слишком крупной,и слишком мелкой.
а посему вопрос по какому принципу вы строите расчетные сетки для приборного моделирования? cranky.gif
Для просмотра полной версии этой страницы, пожалуйста, пройдите по ссылке.
Invision Power Board © 2001-2025 Invision Power Services, Inc.