Да обычно ставил, основные пакеты. Установил tcad и менеджер лицензий. Скопировал файл лицензий в /usr/local/tcad/licenses. В файле .flexlmrc должен быть прописан путь к этому файлу лицензий.
Когда установил tcad и пробовал запускать он начал жаловаться на отсутствие некоторых библиотек. Я скопировал требуемые файлы из /usr/local/tcad/bin/runtime/GLIBC_2.3/lib в директорию /usr/lib. Стал запускаться нормально. По видимому по дефолту федора ставит самые последние библиотеки, а tcad требует более старые. После установил переменные среды в файле .bash_profile в своей корневой директории (/home/psygash):
ISEROOT=/usr/local/tcad
PATH=$ISEROOT/bin:$PATH:$HOME/bin
ISEDB=/home/psygash/TCAD_DATA
export ISEROOT PATH ISEDB
Вроде все.
Запускаю просто: вхожу в рабочую директорию, например #cd /home/psygash/TCAD_DATA/CMOS
из рабочей директории запускаю нужный модуль, например #DESSIS cmos_des.cmd или #inspect. GENESISe редко запускаю, т.к. предпочитаю работать с отдельными модулями - мне так удобней.
Ставил tcad под рутом, но для работы вхожу как пользователь.

Кстати, в директории $ISEROOT/bin находятся не сами экзешники, а ссылки (sym.link) на них. Экзешники находятся в $ISEROOT/tcad/10.0/ix86/2.2/bin. Скрипт GENERIC из $ISEROOT/bin запускать не нужно. Как я понимаю, при вводе команды, например GENESISe, в командной строке символьная ссылка отсылает к скрипту GENERIC с соответствующим аргументом. В этом скрипте описаны действия в зависимости от установленной ОС. Срабатывает скрипт и запускает требуемый исполняемый файл.


Ставил также на другую машину AMD64 с осью Suse 64. Там при установке выбрал установку ранних версий библиотек. И копирование библиотек, как в федоре, не потребовалось.

Спасибо огромное за столь подробное описание
сегодня попробую

а что за файл .flexlmrc
у меня такого нет
где он должен лежать
если не трудно приложите свой файл .flexlmrc

Должен находиться в корневой директории пользователя, там же, где и .bash_profile. Создается при установке менеджера лицензий.

он у меня не создался
ну да ладно скопирую Ваш

теперь у меня другая проблема
установил tcad - скопировал 2 библиотеки в /usr/lib
и теперь у меня вот что
[sivent@localhost first]$ mdraw
/usr/local/tcad/bin/mdraw: line 1071: 2131 Недопустимая инструкция $ISEROOT/tcad/$ISERELEASE/$ARCH/$OS/bin/mdraw -v 2>/dev/null >/dev/null
Недопустимая инструкция
[sivent@localhost first]$ GENESISe
Недопустимая инструкция
[sivent@localhost first]$ inspect
Недопустимая инструкция
[sivent@localhost first]$ GENESISe &
[1] 2167
[sivent@localhost first]$

это я запускал из /home/sivent/TCAD_DATA/first

никто не поможет?

уважаемые форумчане.

уже неделю мучаюсь с этой проблемой
устанавливал этот дистрибутив (tcad10) на различные оси
на fedore core 5 и asplinux 11
результат один и тот же
выдает ошибку

[sivent@localhost first]$ mdraw
/usr/local/tcad/bin/mdraw: line 1071: 2131 Недопустимая инструкция $ISEROOT/tcad/$ISERELEASE/$ARCH/$OS/bin/mdraw -v 2>/dev/null >/dev/null
Недопустимая инструкция

мне кажется проблема в дистрибутиве
прошу если есть у кого возможность проверить его

или

выложите-прикрепите кто нибудь файл GENERIC (это скрипт запуска)
попробую его заменить на своей машине

с уважением, Sivent.

До сих пор не приходилось сталкиваться с технологическим софтом. Однако возникла задача создать учебную SPICE модель МОП транзистора для технологий < 100нм (с перспективой на создание учебной библиотеки). Можно ли это сделать с помощью TCAD, или этот пакет нужен совсем для другого? Если не TCAD, то что?

TCAD нужен для моделирования:
- технологических процессов создания полупроводниковых приборов
- характеристик полупроводниковых приборов (отдельно, не в составе ИС)
Для схемного моделирования он избыточен, т.к. в основе моделирования электрических характеристик в TCAD используются основные уравнения физики полупроводников: ур-я Пуассона, непрерывности. Прибор разбивается на сетку, в каждой точке которой решаются уравнения. Для моделирования схем это слишком медленно.
Для SPICE-модели такие подробности, как для tcad-овской модели не нужны (в частности, нет нужды моделировать пространственные характеристики прибора, так, например, толщину подзатворного окисла можно учесть одним параметром ТOX).
Для создания SPICE-модели никакого специального ПО не надо - модель пишется на С. Для встраивания своей модели в SPICE-симуляторы потребуется их компиляция с учетом требований конкретного симулятора.
В качестве примера модели посмотрите http://www-device.eecs.berkeley.edu/~bsim3/bsim4_get.html. Это свободная SPICE-модель для МОП-транзисторов субмикронных размеров. Там выложены исходники.

А какой у тебя процессор, он поддерживает SSE?

duron 850 , sse он навряд ли поддерживает (только если произойдет чудо)
а что может быть из-за этого?

Прога не запуститься, у меня недавно была такая же ситуация (Duron 750). Пришлось менять мать с процом

Спасибо огромное
сменил процессор и материнку на селерон 1,7 теперь все работает
еще раз огромное спасибо за помощь

Такой вот вопрос:

Есть у меня в наличие TCAD от Synopsys (Sentaurus, Taurus) от 2006 года выпуска

А есть ли на форуме под него лицензии? Я так понимаю лицензии от ISE TCAD 10-й версии не подходят, так как вроде другой демон в лицензии используется?

Не могли бы поделиться

TCAD от Synopsys (Sentaurus, Taurus) от 2006 года выпуска

Приветствую всех.
Есть для начала пара вопросов:
Кто-нибудь моделировал на нескольких машинах, больше 2? При этом применяли ли распараллеливание на эти машины одной задачи, к примеру, при моделировании силового прибора в DESSIS, при указании в команднов файле метода ParDiSo - к примеру?

У меня есть небольшой опыт, могу поделиться в вопросах настройки системы для распараллеливания под LINUX, под виндой не пробовал. Удавалось решать проект на 2 имеющихся машинах, при этом все они были задействованы.

но сам нуждаюсь в помощи, т.к. начинающий.
Вопрос состоит в том возможно ли вообще распараллелить одну задачу (интересует DESSIS) на разные машины, т.е. увеличиваем колличество процессоров, памяти, а следовательно и производительность, в решении уравнений непрерывности, ионизацонных интегралов и Пуассона - в частности?
Жду ответов можно в личку

Если нетрудно то поделитесь пожалуйста :-). Сейчас как раз сейчас возникла необходимость распараллеливания задач. К сожалению ничем помочь не смогу - поскольку являюсь в этой области таким же начинающим.

Для начала, что мы имеем в плане оборудования - сколько машин
Далее что собираемся распараллелить, оговорюсь ещё раз у меня получалось разделить только проект (TCAD 10.0), где было дерево параметров для DESSIS, при этом для каждого параметра, "узел" решался на отдельной машине. Распараллеливать DIOS и др. не пробовал не было надобности.
В общем вот мои вопросы для начала..
для более скорой настройки, напомню всё есть в документации на TCAD, а именно на GENESSIS, DESSIS, ну и для общего развития SOLVERS.

В наличии есть 2 рабочие станции (основная нагрузка на них) и 5 компов. Для начала TCad и планирую, в перспективе HFSS .

Всем здравствуйте!

Скажите, пожалуйста, кто-нибудь занимался 3D-моделированием в ise10.0 с помощью программы devise?

Добрый день !

Подскажите пожалуйста откуда Вы качаете TCAD 10 ?

Может быть у кого есть такие программы, как SSUPREM 3 или 4 ?

Спасибо !

Я тут занимался. Но это не совсем так как вы пишете. Device - не симулятор технологических процессов, а редактор структур с элементарными возможностями и технологии (осаждение слоев, травление - он использует свой движок Prosem для этого). Чтобы полностью моделировать трехмерную технологию Devise (Device - это старое название в 10-ом ТИКАДЕ еще когда его создателем выступала швейцарская фирма ISE, теперь уже в Синопсисе эта утилита Sentaurus Structure Editor), так вот Device нужно использовать в связке с Floops (Sprocess в Синопсисе). Вот тогда и получите реально трехмерные профили распределения примеси в приборе. Хотя можно и тупо сделать из двумерной структуры трехмерную путем extrude, (Device или Structure Editor это поддерживают) - так называемого вытяжению двумерной структуры по оси z на требуемую ширину.

Кто нибудь встречался со следующим в ise10.0 DIOS зависает
в выходном out файле следующее

Opening: "n4_dio.grd"
gzip -f n4_dio.grd
csycmd: system call returned error status= -1

** ERROR ** Error from "gzip -f" call

Opening: "n4_dio.dat"
gzip -f n4_dio.dat
csycmd: system call returned error status= -1

** ERROR ** Error from "gzip -f" call

Операционка RHEL4. Пробывал как на Opteron'ах так и на Xeon'ах.

Я не понимаю как разрешить эту проблему

Помогите,плиз,решить проблему.
Пишу диплом по TCAD, в Synopsys'е как практическое приложение надо спроектировать полевик по заданным техпроцессам.
Все встало на диффузии областей стока/истока.
Надо провести диффузию фосфора с концентрацией 5e19 из газовой фазы в кремний, параметры процесса - время 10мин, темп. 900С. Вроде тривиально, но как?
Просто diffuse не поддерживает произвольного газа,только кислород, водород и т.д...gas_flow вроде тоже не позволяет задать произвольную концентрацию компонента.

в силвако тривиально - diffus time=10 temp=900 c.phos=5e19
и все ок...

Как быть?
Помогите,плиз,очень срочно надо допроектить

Поставь RHEL 3 и сразу все решится)))) Через это тоже проходил. RHEL4 - для более поздних версий и уже не ISE а Synopsys, начиная с версии по-моему Z.2007-03.




Все он поддерживает! Если вы про floops (он же Sdevise) то вот Вам синтаксис, вначале описываете поток газов

gas_flow name=example pressure=1 flowO2=5 flowHCl=0.01 flowN2=5

А потом вставляете его в строчку для диффузии

diffuse temperature=900<C> time=10<min> gas_flow=example

Это если операция с потоками газов, а если без них просто в инертной среде (т.е. в азоте) то еще проще
diffuse temperature=900<C> time=10<min>

В кислороде
diffuse temperature=900<C> time=10<min> O2 Читайте мануал к флупсу там термические операции хорошо описаны.

Всем добрый день!

Встретились с проблемой: devise при запуске через Х-терминал (пробовали XWin 9.1 и Exceed 3D) выдает ошибку

HOOPS STACK -- Compute_Coordinates
HOOPS STACK -- Compute_Transform
HOOPS Error -- The device for '/driver/opengl/:0.0+0/scene' doesn't seem to be alive

При движении мышью на окне devise в терминале выдается это сообщение, все висит.
При запуске локально все работает. Операционная система - RedHat Ent 4

Кто-нибудь сталкивался с подобной проблемой, как решить?

Спасибо.

Да сталкивался - пропиши в .Bashrc (свой файл в home директории) export HOOPS_PICTURE=<твой IP>:0.0

- то же самое как переменная DISPLAY - если есть вопросы пиши еще в эту ветку отвечу поподробнее

Планирую установить ISE TCAD 10 под Linux-ом. Опыт работы с данной ОС отсутствует полностью. Порекомендуйте, кто уже работает на такой платформе, какой дистрибутив Linux наиболее оптимален и где его можно скачать? .... Можно ли установить ISE TCAD на винт или флешку с ОС Knoppix (версию не помню). Заранее, спасибо.

Официально поддерживается Red Hat Enterprise 3. Но это коммерческий дистрибутив и совсем не новый.
А так можно ставить практически на любой линукс, например, openSuse http://ru.opensuse.org
Насчет флешки не знаю, не задавался таким вопросом. Непонятно зачем, типа мой TCAD всегда со мной

Вопрос про TCAD на флешке скорее любопытство. Вдруг кто-нибудь пробовал) Так сказать технический аспект совместимости Knoppix и TCAD на флешке
Вы сказали, что практически любой линукс сгодится, нашел у знакомого Fedora Core2. Именно этот дистрибутив и попробую. Надеюсь, проблем не будет.
Есть вопросы по возможностям и использованию ISE TCAD. Фактически, кремниевая технология БИС и СБИС интересует мало, так сказать чисто научный и теоретический интерес. Фактический круг интересов имеющий возможность практического подтверждения это материалы A3B5. В первую очередь GaAs, InP и гетероструктуры на их основе. Приборная реализация - транзисторы и малошумящие усилители СВЧ. Как мне представляется на данный момент данные материалы поддерживаются на уровне построения профиля структуры активного элемента, топологии и дальнейшего расчета статических, динамических и СВЧ характеристик прибора с дальнейшей возможностью экстракции параметров модели активного элемента, по крайней мере SPICE. В связи с этим есть следующие вопросы:
1) Возможен ли импорт/экспорт топологии в GDS формате. Интересует возможность использования в TCAD-е слоевых прорисовок, созданных в Microwave Office. Понимаю, что вопрос специфический, но вдруг сталкивались с чем-то подобным.
2) Возможно ли использование средств Ligament и Dios применительно к технологиям MESFET и pHEMT? Как частные случаи, ионное легирования в GaAs - построение профилей распределения примесей, описание эпитаксиального роста при формировании гетероструктур, анизотропия жидкостного и сухого травления арсенида галлия и других A3B5. Напрямую, указания на такую возможность я ни в одном источнике не нашел ((( Может быть есть иная возможность.... например, через пользовательские библиотеки? (хотя даже на вскидку их создание представляется практически неподъемной задачей).
3) расчет S параметров устройства возможен. в какой частотной полосе?
4) можно ли моделировать такой параметр как минимальный коэффициент шума транзистора (NFmin)? Фактически, меняем топологию и слоевую конфигурацию - смотрим как изменяются шумы?
5) с какими моделями транзистора (линейными, нелинейными) можно работать в TCAD-е? Интересует применительно к экстракции параметров этих моделей по результата моделирования. С точки зрения интеграции с СВЧ CAD-ами интересуют модели TOM, FETN, Materka, Angelov.
6) поддерживается ли в ISE TCAD расчет тепловых полей для приборов, реализованных на материалах A3B5? Все тот же GaAs или GaN.
7) и вроде бы из насущно интересующего последний вопрос. Если все, что написал в ISE TCAD не реализуемо и не поддерживается, то есть ли другие CAD-ы или отдельные программы, решающие какие-либо частные задачи?
Заранее спасибо за любую полезную информацию.

Импорт файлов из GDSII поддерживается (насчет поддержки иерархии не уверен).
Насчет СВЧ опыта не имею, я с КМОП работаю. Но судя по описанию A3B5 поддерживается, в том числе и при моделировании электрики. Экстракция транзисторов - BSIM3, BSIM4, BSIMSOI, BJT Gummel–Poon.

спасибо за ответ. попробую, что получится. будут вопросы, напишу))). отпишусь и о любых результатах. правда, думаю, что быстро не получится. указанные модели - в значительной степени физические, даже если попробовать приспособить их к GaAs pHEMT - ,будет круто!!! ))) что получится - сообщу! ... боюсь, что при настройке могут возникнуть вопросы, буду спрашивать, если что. С уважением, Strelok!!! до связи)))

C 10-ой версией не вышло. В состав дистрибутива входят три диска. у меня только CD1. Буду пробовать с 7-ой. В связи с этим вопрос. Можно ли описать топологию транзистора и профиль структуры без описания технологии и используя dessis расчитать СВЧ параметры? Исходный материал - арсенид галлия. И вобще СВЧ-электронщики или ростовики пользуются TCAD-ом?)

Можно описать профиль транзистора и без моделирования технологии - в MDRAW (2D) или в MESH (3D).

Описание в Mdraw это хорошо. Но мне еще очень важна топология транзистора, поскольку она существенным образом может повлиять на параметры прибора. Единичная ширина затвора, гребенка или просто Т-образная структура затвора. Ширина пальца стока и истока, размеры контактных площадок и т.д. Все эти геометрические характеристики по совокупности могут существенно повлиять на параметры прибора на высоких частотах (более 18 ГГц).

Для мощных приборов это еще важнее.

Если можно описать топологию и структуру, то это оченьхорошо. как мэш моделирует 3D ? профиль поняино, а что такое, то есть как задается третье измерение?

Как и везде - координатами.

+ Эт понятно, что координатами) я имел в виду, что отобразив в MDRAW структуру транзистора, как задать ширину затвора? а если можно, то вобще привязаться к конкретной топологии? В этой же теме описано, как это делается в лигаменте: топология по слоям, затем сечение, описание техпроцесса и дальнейшее моделирование в дессисе. а вот как поступить без техпроцесса? (речь идет о моделировании GaAs FET)

Здравствуйте, уважаемые участники форума!

Не ответит ли кто-нибудь на следующие мои вопросы:
1) Можно ли в Диосе проводить двустороннее легирование (например, и сверху, и снизу)? И как это запрограммировать в lig.com?
2) Допустим, я в Mdraw подготовил описания нескольких приборов. Например, два-три диода которые почти полностью идентичны (вплоть до профилей легирования), но отличаются по толщине кремния (в Mdraw это прямоугольнички с разными длинами, но одинаковой шириной). Можно ли в Genesis-е сделать поток, который автоматизировал бы процесс расчета ВАХ всех сразу этих диодов и как это сделать? С чего нужно начать поток (с Mdraw или Dessis) и куда лепить параметры (и, кстати, какие)?

Опыта работы никакого. Изучаю Tcad 7.

Взялся за освоение ISE TCAD 7.0 с нуля. Первую задачу для себя выбрал построение семейства ВАХ для полевого транзистора с барьером Шоттки на арсениде галлия (ПТШ). В качестве основы выбрал пример Example_Library/GettingStarted/Dessis/advanced_Id-Vd . Описал в MDRAW cтруктуру ПТШ с указанием контактов, задал профили легирования и сетку. Немного изменил командный файл des.cmd , отключив лишнее, то же самое проделал с ins.cmd. Проект выполняется без ошибок, но вот отоброжаемое в inspect семейство ВАХ, я понять не могу. Меню полярность на затворе (из любопытства) тоже не то. Проект прилагаю. Кто разбирается, посмотрите, пжлста. Где я ошибаюсь? У самого глаза уже замылены и ошибки не вижу (((

В DIOS нет возможности сделать имплантацию с обратной стороны.
Беда небольшая, моделируется верхняя часть, а потом в .CMD добавляются аналитические профили, структура еще раз прогоняется через MESH и можно считать в DESSIS

Всем доброго времени суток.
Помогите разобраться в следующей задаче: необходимо просчитать какой заряд оставит высокоэнергетичный электрон в проэктируемом 2D девайсе. Пробовал команду Heavyion с параметрами Let_f=1,28e-5 , Time=1e-12, Wt_hi=1e-5, Lenght=200, picocoulomb, но получается полный бред. Если кто знает, какие параметры необходимы для описания электрона, буду весьма признателен.

Подскажите пожалуйста, где вообще можно скачать (приобрести) tcad? с английским к сожалению не дружу, учил другой язык. Заранее благодарен за ссылку.

Приобрести можно здесь www.synopsys.com (alt-s.com - дистрибьюторы в России)

Ребят ! Помогоите проблему разрешить ?? НЕ РЕШАЕТ ! 1 не правильная установка ? 2 Что то не правильно сделал ?

Год назад ставил TCAD7,0 на работе и по кгиге Горячкин Нестеров Сурин создал модель резкого p-n перехода (учебный пример) запустил, все заработало ! Считал минут 15-30 не помню точно но не долго.
Потом был перерыв с ТКАДом, за это время на работе переустановили виндовс ! Сейчас лицензионный с именем Admin. Установил опять ТКАД7,0 как в лечилке написано но МОЖЕТ я какойто момент упустил ?

Installation Instructions:

1) Install a PC X-Server (Not Supplied)
2) Install Cygwin for WinNT (in cygwin folder, run setup.exe)
3) Install ISE TCAD 7.0 (setup.exe in root folder)
4) Copy license.dat file to C:\ISE\licenses directory
5) Edit license.dat to your hostname
6) Check / Create Environment Variables
a. ISEROOT (ex. ISEROOT=C:\ISE)
b. ISERELEASE (ex. ISERELEASE=7.0)
c. TMP (ex. TMP=C:\TMP)
d. TEMP (ex. TEMP=C:\TEMP)
e. ISEDB (ex. ISEDB=C:\DATAFILES\MYISEDATA)
f. DISPLAY (ex DISPLAY=HOSTNAME:0.0)
7) WinNT License Daemon
a. Open lmtools.exe from the \ISE\bin directory
b. Click “Configuration using Services” box
c. Choose “Configure Services” tab
d. Type a name for the “Service Name” (ex. ISETCAD)
e. Fill in the “Path to the lmgrd.exe file” with C:\ISE\tcad\7.0\ix86\WinNT\etc\lmgrd.exe or the path you installed the software.
f. Fill in the “Path to the license file” with C:\ISE\licenses\license.dat or the path you installed the software
g. Fill in the “Path to the debug log file” with C:\ISE\licenses\license.log or the path you installed the software
h. Click on the “Start Server at Power Up” and “Use Services” box
i. Click “Save Service” button
j. Choose “Start/Stop/Reread” tab
k. Click “Start Server” button
l. Close lmtools.exe

Можетт здесь что то не правильно сделал, ХОТЯ ТКАД запускается и все делает сетку и т.д...
5) Edit license.dat to your hostname
6) Check / Create Environment Variables
a. ISEROOT (ex. ISEROOT=C:\ISE)
b. ISERELEASE (ex. ISERELEASE=7.0)
c. TMP (ex. TMP=C:\TMP)
d. TEMP (ex. TEMP=C:\TEMP)
e. ISEDB (ex. ISEDB=C:\DATAFILES\MYISEDATA)
f. DISPLAY (ex DISPLAY=HOSTNAME:0.0)

вставляю в файл лицензии просто следущее

ISEROOT=C:\ISE
ISERELEASE=7.0
TMP=C:\TMP
TEMP=C:\TEMP
ISEDB=C:\DATAFILES\MYISEDATA
DISPLAY=HOSTNAME:0.0 не понятно что за ХОСТНЕЙМ !

Если я устанвку на самом деле правильно сделал, то второй вариант, что я в ДЕССИСе что то не правильно набрал. НО я набирал символ в символ 4 раза перенабирал итог один !
ВЫДАЕТ СЛЕДУЩЕЕ :
'gen' release 7.0, version 7.0.9
Copyright © 1994-2001 ISE Integrated Systems Engineering
Loading global tool database 'C:/ISE/tcad/7.0/lib/GENESISelib/tooldb.tcl'
Loading preferences 'C:/ISE/WORK/DIOD_BOOK/pref_win_Admin.7.0'
Loading project 'C:/ISE/WORK/DIOD_BOOK/NEW_PROJECT_Admin'...done
Dec 10 20:27:37 <NEW_PROJECT_Admin> preprocessing started
Loading extracted variables in 'gvars.dat'
*** Preprocessing node n1 for tool 'mdraw'
n1: parsing 'mdr.cmd'
n1: parsing 'mdr.bnd'
n1: parsing 'mdraw' pre_tcl_cmd
n1: pre_tcl_cmd = " os_cp $edir/pp1_mdr.cmd $edir/n1_mdr.cmd; os_cp $edir/pp1_mdr.bnd $edir/n1_mdr.bnd "
n1: parsing 'mdraw' cmd_line
n1: cmd_line = "mdraw n1_mdr"
*** Preprocessing node n3 for tool 'dessis'
n3: parsing 'des.cmd'
n3: parsing 'dessis' cmd_line
n3: cmd_line = "dessis pp3_des.cmd"
*** Preprocessing node n4 for tool 'dessis'
n4: parsing 'des.cmd'
n4: parsing 'dessis' cmd_line
n4: cmd_line = "dessis pp4_des.cmd"
*** Preprocessing node n5 for tool 'dessis'
n5: parsing 'des.cmd'
n5: parsing 'dessis' cmd_line
n5: cmd_line = "dessis pp5_des.cmd"
Testing for cyclic dependences...ok
Writing 'gexec.cmd'
Writing 'gvars.dat'
Dec 10 20:27:37 <NEW_PROJECT_Admin> preprocessing successfully completed (0 secs)
--------------------------------------------------------------------
'local' submitted jobs:
default: 3
--------------------------------------------------------------------
Dec 10 20:27:37 <NEW_PROJECT_Admin> started locally: nodes "queued"
local% submit job 3 for local execution
local% exec "genjob -nice 19 -job 3 @ISEDB@/NEW_PROJECT_Admin"
Dec 10 20:27:38 job 3 <dessis> started on host 'microsof-35fca6': "dessis pp3_des.cmd"
Dec 10 20:27:54 --- job 3 <dessis> exited abnormally: exit(1)
Dec 10 20:28:00 <NEW_PROJECT_Admin> failed

SCHEDULING REPORT
--- failed : 3

gen exits with status 1

Не понятно что за
Dec 10 20:27:54 --- job 3 <dessis> exited abnormally: exit(1)
Dec 10 20:28:00 <NEW_PROJECT_Admin> failed 5 строчка снизу.

ИЛИ что значит следущаяя ошибка ?
Dec 10 20:31:29 job 3 <dessis> started on host 'microsof-35fca6': "dessis pp3_des.cmd"
Dec 10 20:31:40 --- job 3 <dessis> exited abnormally: exit(1)

exited abnormally: exit(1) что значит ????

А еще такое бывает в самом начале . . .

Copyright © 1994-2001 ISE Integrated Systems Engineering
Loading global tool database 'C:/ISE/tcad/7.0/lib/GENESISelib/tooldb.tcl'
Loading preferences 'C:/ISE/WORK/DIOD_BOOK/pref_win_Admin.7.0'
Warning: couldn't load user's preferences: C:/ISE/WORK/DIOD_BOOK/pref_win_Admin.7.0 doesn't exist
Loading project 'C:/ISE/WORK/DIOD_BOOK/NEW_PROJECT_Admin'...done
--------------------------------------------------------------------
'local' submitted jobs:
default: 1 3 4 5
--------------------------------------------------------------------
Dec 10 21:06:41 <NEW_PROJECT_Admin> started locally: nodes "all"
local% submit job 1 for local execution
local% submit job 3 for local execution
local% submit job 4 for local execution
local% submit job 5 for local execution
local% exec "genjob -nice 19 -job 1 @ISEDB@/NEW_PROJECT_Admin"
Dec 10 21:06:41 job 1 <mdraw> started on host 'microsof-35fca6': "mdraw n1_mdr"
ПОСЛЕ ЧЕГО НАМЕРТВО ! Ни че не считает . . на следущие ветки не переходит . .

Всем привет!
Народ, как вам идея по созданию сайта с разного рода разработками по ТКАДу, переводом документации, примерами и др. материалами на русском?
Если у кого есть какие наработки и желание поучаствовать отпишите.
ИМХО по этой темой у нас мало народа занимается. И весьма трудно новичкам читать по-английски.
Поэтому если желание есть может как-то скооперируемся и содадим сайт?
Сам я могу создать бесплатный хостинг и разместить там файлы. Отчасти переводил доки ткада.
В нете нарыл материала. В общем кто хочет участвовать - пишите!

Всем привет.
Помогите пожалуйста. Установил T-cad по инструкции, все пункты перепроверил по 2 раза. Запускаю genesis вроде всё работает. Но при запуске mdraw выводит ошибку, что tcl82.dll не найден, просит повторно переустановить всю прогу. При переустановке всё равно кричит что её не обнаружил. Переустанавливал 15 раз - эффект 0. Помогите пожалуйст, кто знает в чём дело!!!

А вы поставили cygwin? Насколько я помню виндовые версии т-када без него не работают.

Причём, насколько я помню, нужно выбрать в самой установочной программе CYGWINa для закачки tcl/tk пакеты из списка.

Добрый день!
Поскольку люди тут пишут умные и разбирающиеся, решила к вам обратиться. Может, кто-нибудь знает, можно ли в программе TCAD (версия 2008.12) провести моделирование процесса эпитаксиального наращивания (в ligament flow), но не кремния на кремний, а AlGaAs на GaAs? Не могу поверить, что такая сложная и многосторонняя программа не позволяет эпитаксиально наращивать различные материалы. Подскажите, пожалуйста..

To baumanets

Я с удовольствием бы занялась организацией такого сайта. Правда, в программе пока плоховато разбираюсь, но тоже отчасти переводила документацию и согласна переводить дальше. =)