я использую refinebox . Задаю основную сетку достаточно крупной, например 1.5 мкм а затем через refinebox в областях истоков-стоков например делаю сетку 0.3 мкм а под затвором 0.1, ну или мельче, если позволяют ресурсы сервера =) На мой взгляд это очень удобно, так как там где не надо мелкую сетку она будет грубой, а там где надо мелкой.

Выложил файлы проекта. Можно прогнать не всю технологию а хотя бы одну операцию

А почему я вижу внутри файла формат diosа.
Вы diosом моделируете или floopsом?

В floops_lig_cmd ? Написал его в лигамент флоу
К сожалению оттранслировать в команды флоопса не могу ибо "3D pattern not yet implemented"
Диос даже трогал

у тебя в созданном проекте,в лигаменте, для большинства типов травления указано "speific" при последущей трансляции выходной командник для диоса не содержит никакой информации об этом травлении(кроме материала),можешь сделать по-хитрому, перевести в командник для диоса и выложить его?

Да вроде каждое травление описано у меня как анизотропное, не совсем соответствует реальности, но для первого приближения сойдет. Перевел, выложил.
Господа, а кто нибудь моделировал технологическое создание 3D структуры размером так 60х60 микрон с разгонками по 10 часов. Не могли бы вы оценить время этого действия с точность до порядка (процессор P4 3.2GHz)

чтото идеи по поводу проблемы с 3D масками закончились... а между тем вопрос по прежнему актуальный) у меня такая же фигня =((

проблема с масками решается вставками кода вручную и в мануале 2007года об этом записи есть. кто-нибудь знает, от каких настроек mgoals зависит вышибет ли из процесса симуляции или досчитает до конца? Пока с этим полный рандом и логика floops(sprocess) непонятна.

mgoals определяет стратегию формирования сетки, следовательно чем меньше там параметры тем мельче будет сетка и больше вычисленний прийдется делать процессору, больше необходимо оперативной памяти. Поэтому угадать заранее невозможно, все зависит от возможностей вашего сервера, если вылетает значит надо сделать крупнее сетку, увеличить шаг уменьшения сетки, уменьшить точность, вобщем сделать все чтобы снизить число решаемых уравнений.

Кто -нибудь может поделиться synopsys.src для синопсиса 2008 года?

KriegerNsk, когда не хватает оперативы, флупс сообщает об этом. все расчеты делаюься при минимальной точности. и ошибка звучит как internal error...

Вопрос снят. Проблема решилась установкой нового ткада

Ну по своему опыту Internal error появлялся на более слабых машинах при одной и той же версии тикада. На процессорах целерон так чуть ли не через раз. Думаю тут дело в оптимизации работы тикада под определенное железо, в вашем случае помогла установка более новой версии программы. У меня эта ошибка появлялась даже на core e7200 при разгоне до 3.6 ГГц, убрал разгон и ошибка исчезла. На повышенных частотах процессор чаще "делает ошибки" =)

Здравствуйте.
У кого-нибудь есть опыт моделирования pHEMT в Sentaurus TCAD? Подскажите, пожалуйста, какие физические модели обязательно надо использовать?
И какой вариант структуры pHEMT для моделирования лучше выбрать: 1) как в реальности, когда омические контакты сверху, или 2) оставить только область транзистора между омическими, а сами омические расположить по краям структуры (т.е. сделать контакт напрямую к каналу)?

Как решить проблему с Newton didn't converge, попробуйте с более мелким шагом?
Собственно сама схема:
System {
Vsource_pset V1 (n1 0) {dc = 1800}
Isource_pset I1 (0 n4) {pwl = (0 0 1e-6 1 11e-6 1 12e-6 0 13e-6 0) }
Resistor_pset R1 (n2 n33) {resistance = 10}
Capacitor_pset C1 (n33 0) {capacitance = 0.25e-6}
Set (n33 = 1800)
Inductor_pset L (n1 n2) {inductance = 20e-6}
Thyristor Vs ("cathode" = 0 "anode" = n2 "gate" = n4)
}

И решалка:
Solve {

Coupled { Poisson }
Transient (
InitialTime=0e-6 FinalTime=13e-6
InitialStep=1e-9 MaxStep=5e-7 MinStep=1e-14
Increment=1.5
Decrement=2.5
)
{ Coupled (Iterations=20) { Poisson Electron Hole Circuit Contact Temperature }
}
}
И как можно время моделирования уменьшить, T-CAD 10, не вставляет ни разу по дню ждать на моделирование 14 мкс.

Проблема запуска mdraw в связке Cygwin + TCAD под XP.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Данная проблема поднималась уже в этой ветке passat'ом год назад
http://electronix.ru/forum/index.php?act=f...&pid=743390
но ответа тут в теме так и не последовало...
Может кто подскажет сейчас?

Добрый день. Есть следующая проблема.
Поставлена задача рассчитать пробивное напряжение диода N-карман в P-кармане. Также присутствуют поликремниевые кольца. Какими методами можно рассчитать пробой?
Пробовали считать ионизационным интегралом, получили некоторые результаты, но насколько адекватны они?
Также пробовали рассчитать пробой с помощью внешнего резистора, однако метод подбора номинала резистора, описанный в мануале, не получается, иногда получается рассчёт, но чаще происходит обрыв рассчёта. Данная проблема касается не только диода, но и при расчете других приборов.
Заранее спасибо.

Доброго времени суток. При выращивании структуры с помощью sprocess сталкиваюсь со следующей ошибкой после генерации SnMesh: invalid face. Что-то нигде не могу найти что это значит, менял несколько раз шаг сетки, заданной с помощью refinebox - не помогло. Не сталкивались с этим? Заранее благодарен.

Это может быть всё, что угодно. Файл команд выложи - посмотрим.

Здравствуйте.
Только начинаю изучать TCAD (10 версия), столкнулся со следующим вопросом. Создаю новую папку, создаю новый проект. Теперь хочу его сохранить, выдает:
"C:/DATAFILES/MYISEDATA/... Not a valid GENESISe project directory"
При этом если я беру проект Tutorial он сохраняется без проблем. Немогу понять чем они отличаются и как сохранить чистый проект.

Прошу прощения за поднятие некротемы, но появился вопрос, на который сам ответить не могу:

Есть ли в ISE TCAD, во floops'e возможность вывода поверхностного сопротивления в процессе моделирования?

Поясню, в последних версиях Synopsys TCAD есть команда SheetResistance, которая в ходе выполнения показывает в логах глубину залегания перехода (Xj)
и поверхностное сопротивление (Rs). В мануале к старенькому ISE floops ничего похожего найти не смог, может не там ищу? Подскажите, буду благодарен.

P.S. ISE версии 10.0

Добрый день. ищу примеры проектов TCAD с оф.сайта поддержки sso.synopsys.com/
может есть у кого?
или доступ туда... у нас, поддержка закончилась, а нового ничего не покупали а сейчас возникла острая необходимость разобраться с одним вопросом

Если закончилась только поддержка, а лицензия perpetual, то доступ к SolvNet должен быть.
В противном же случае, закончилась не только поддержка, но и действие лицензии, соответственно, легально использовать тулы всё равно нельзя.

Кстати, примеров в составе дистрибутива мало?

не всё есть в составе examples - очень много примеров для скачивания выложено отдельно на solvnet'е.

Доброго вемени суток!
Работю в ATLAS Silvaco. При попытке extract распределения заряда по телу диода выдает ошибку error filling internal structure. Может кто встречался? А то не могу понять что не так. Заранее благодарен.

И вот спустя 4 года прошу, пожалуйста, ответьте уже на этот вопрос.

Можно ли в TCAD моделировать деградацию, например, биполярного транзистора вследствие диффузионного расплывания легирующих примесей? То есть, можно ли в TCAD сделать следующее-нарисовать структуру транзистора, задать уровни легирования и прочее, а затем загнать на моделирование в заданных электрическом и температурном режиме и посмотреть, как истончается база, расплываются переходы (а также как видоизменяется зонная диаграмма), как меняются вольт-амперные характеристики прибора? Я понимаю, что диффузия даже при +125 идет гораздо медленнее, чем при выращивании структуры, но она идет. Можно ли в TCAD смоделировать ее влияние. Я с этим пакетом раньше не работал, вот и хочу понять, умеет ли он моделировать деградационные процессы в полупроводниковых приборах, в том числе и за счет диффузии.

Наверное, как-то можно, хотя сам не пробовал.
По запросу "transistor degradation tcad" вроде-бы много ссылок, но в основном про влияние облучения и горячих носителей.
И еще - где-то осенью (?) прошли подобные вебинары по деградации структур (в Silvaco). Можно там посмотреть.
А вообще-то, ведь в TCAD моделируются техпроцессы, в том числе, диффузия.
И, получается, можно промоделировать исходную структуру, потом промоделировать структуру с "размытыми" слоями и сравнить результаты.

Вопрос по mdraw.exe. (ISE TCAD 10, windows xp)

При запуске вываливает ошибка:



Может кто подскажет что править?

Замечательная идея!
Если мне придётся участвовать, то в роли первопроходца, который по ходу освоения TCAD описывает основные шаги и встречающиеся трудности. Есть опыт написания книг по освоению прикладного ПО и созданию сайтов. А также опыт по работе в реальной микроэлектронике (разработка технологии ЛИС). В учебных материалах важен логичный и системный подход. На первых этапах, наоборот, практически неизбежно происходит слепое и хаотичное метание.
Пока дошёл только до 7-й страницы темы "tcad начало". Досмотрю все 12 страниц - отвечу подробнее.


Процитировал всё сообщение, чтобы пояснить, что при 125°С сдвинуть p-n переходы уже практически невозможно, они формируются при гораздо более высоких температурах. Кстати, температура 125°С не случайно выбрана для проведения электро-термо-тренировки (ЭТТ) на 100% образцов ответственных изделий (в процедуре т.н. военной приёмки). ЭТТ продолжается 168 часов (7 суток). За первые несколько суток отказывают потенциально ненадёжные образцы, дальше всё идёт гладко и отказов не должно наблюдаться. Если же таковые имеются, то необходимо останавливать приёмку и срочно разбираться с причинами. После ЭТТ не отказавшие приборы полностью пригодны для дальнейшего использования без снижения ресурса надёжности. При 125°С в основном перераспределяются заряды в полупроводнике и диэлектриках, ионы быстро диффундирующих примесей (в народе именуемые "грязь") затягиваются электрическими полями в область p-n переходов, ухудшая их характеристики (утечки, пробивные напряжения, коэффициенты усиления, пороговые напряжения и т.д.). При 125°С ещё не происходит ускоренной деградации полупроводниковых приборов. Это наблюдается при длительной выдержке при 140-150°С - материалы могут вступать в химические реакции, образуя соединения, не свойственные исходным структурам и не предусмотренные в них. Может ли TCAD моделировать подобные процессы? Возможно для этого существует какая-то его особо специализированная версия. Это не простое направление, оно относится к вопросам надёжности. TCAD может моделировать облучение электронами (или даже гамма-квантами от источника Co-60) а также альфа-частицами. Нейтроны формально относятся к военному применению, поэтому в учебных пакетах их не должно быть. На этом приходится прервать, так как тема неисчерпаема...

Про 140-150°С: ведь КМОП для гораздо бОльших температур проектируют, у X-Fab есть завод 1х10, там HTSOI до 220°С. Да и то, наверное, ограничение больше из-за утечек, а не деградации

Какой бы Fab не построили, кремниевые микросхемы не эксплуатируются при температурах свыше 125°С. Нет необходимости. ЭТТ делают на 100% образцов при 125°С. Возможно, что для некоторых типов кремниевых микросхем допускаются кратковременные перегревы. А вообще можно поГуглить на эту тему.
Помню, что для Штатовской комической станции, которая должна была совершить посадку на Венеру, планировали сделать высокотемпературные транзисторы на основе карбида кремния. Но это экзотика, которая в промышленности не применяется. Советская станция таки села и работала там несколько часов. В том числе передавала изображение (хотя и не долго, так как температура на поверхности около 500°С, давление 100 атмосфер.
__"
«Венера-13» и «Венера-14» — спускаемые аппараты станций в марте 1982 года совершили мягкую посадку на поверхность планеты.
__"
https://ru.wikipedia.org/wiki/Венера_(космическая_программа)

Интересная у Вас аргументация. Я пишу про реальный фаб и процесс, где заявлено 220 градусов, а Вы мне пишете про ЭТТ для отечественной госприемки. Уверен, X-fab разработал свой высокотемпературный КНИ не для того чтобы ЭТТ проходить

Ну, положим, что т.н. стандарты "отечественной приёмки" скопированы из штатовсих стандартов , так как там потребность в этом возникла раньше. Кстати, если указанное изделие предназначено для ответственного бортового оборудования, то ЭТТ для всех 100% образцов неизбежно. Может только температура выбрана другая.
Итак, по Вашей ссылке смотрим Datasheet:
https://www.xfab.com/fileadmin/X-FAB/Downlo...0_Datasheet.pdf

Используется технология SOI (Silicon on Insulator), что означает "Кремний на диэлектрике". Известны несколько способов создания таких структур. Анонсирована "Полная двойная диэлектрическая изоляция карманов, 3 металлических слоя с возможностью работы при высокой температуре до 225°C. Присуща радиационная стойкость.
Для меня в этом ничего сверх-нового. Обычная квалифицированная работа технологов.
Следует обратить внимание на то, есть две технологические модификации:
- Tj = -40°C to 125°C (without HTMET), - обычная температура для кремниевых приборов.
- Tj = -40°C to 225°C (with HTMET) - высокотемпературная.
Могу предположить, что HTMET означает (Height Temperature Metallisation) высокотемпературную металлизацию (разводка тугоплавкими металлами с низкой растворимостью в Si и малым коэффициентом диффузии в Si. Прямой поиск в Google к сожалению, не дал быстрого результата по этой аббревиатуре.

Лет 20-30 назад в кремниевых ИС в качестве металлической разводки использовался только алюминий (температура вжигания 550-600°С). При 220° уже возможна ускоренная деградация контактов из-за диффузии алюминия в кремний а также электромиграция (ионы алюминия просто выносит из некоторых мест и там разводка утончается). В технологии микропроцессоров и схем памяти уже давно перешли на медную разводку. Она менее подвержена электромиграции.
Я ориентируюсь в технологиях ИС, так как реально занимался этим но, естественно, не смогу отчитаться за все последние мировые достижения.
Уважаемый Shivers, я отреагировал на Ваш вопрос по одному из возможных направлений моделирования в TCAD «Деградация кремниевых полупроводниковых приборов после длительной выдержки при повышенных температурах» потому что хотел помочь Вам разобраться в этом непростом вопросе.
И ещё добавлю: для того, чтобы сдвинуть p-n переходы в уже изготовленной по полному технологическому маршруту микросхеме или транзисторе, нужно поднять температуру настолько, что еще задолго до начала движения p-n переходов металлическая разводка вожжётся в кремний и прибор перестанет существовать. Финишные слои ИС весьма низкотемературны и будут необратимо разрушены при перегреве.
Надеюсь, что мои сообщения были полезными, хотя и не исчерпывающими.
Кстати, стандарты испытаний на надёжность - это отдельная тема, я уже упоминал об этом.
Возможности моделирования в TCAD по этому направлению скорее всего ограничены.
-----
У меня же сейчас есть насущная задача - освоить моделирование в TCAD для типовых кремниевых приборов - биполярных транзисторов и полевых, управляемых p-n переходим (JFET).
В разделе "tcad начало" обнаружил, что уже существует версия под Windows, кроме того для работы под Linux используются виртуальные машины VMWare (например, скачал Red Hat for VMWare with TCAD). Но пока не смог разобраться что же из этого самое последнее и совершенное, и как с этим работать. Если сможете помочь хоть чем-то - буду благодарен.

Датировка Вашего сообщения 2006-м годом позволяет надеяться, что Вы уже значительно продвинулись в решении поставленной задачи.
Я же только приступаю. У меня практически та же задача - освоить моделирование в TCAD для типовых кремниевых приборов - биполярных транзисторов и полевых, управляемых p-n переходим (JFET).
В разделе "tcad начало" обнаружил, что уже существует версия под Windows, кроме того для работы под Linux используются виртуальные машины VMWare (например, скачал Red Hat for VMWare with TCAD). Но пока не смог разобраться, что же из этого самое последнее и совершенное, и как с этим работать. Если сможете помочь хоть чем-то - буду благодарен.

Sergey_VV
Я лишь указал на то, что кроме ЭТТ есть задачи разработки для высоких температур. Датчики для двигателей ДВС, сопла ракет, турбины самолетов, доменные печи, да мало ли куда может понадобится засунуть электронику. На +125С свет клином не сошелся точно.

HTMET - это вольфрам или сплавы. Медь/алюминий не годятся. Основной бонус КНИ в данном случае - вовсе не радстойкость, а низкий ток утечки, что очень важно на высоких температурах. Впрочем, я тоже не технолог, просто немного знаком с проблематикой.

Насчёт "я тоже не технолог" - а я, как раз технолог, поэтому проблематику не просто знаю, а многое пришлось разрабатывать лично. К сожалению, в 90-е эту отрасль уничтожили. Выбили из-под ног профессию, как палач табуретку
Насчёт рад-стойкости в том же Datasheet указано:
APPLICATIONS -
"Intrinsic radiation hardness"
Что можно толковать как "в конструкцию заложена повышенная рад-стойкость." То есть, на этом не делается акцент.

Это SOC, System-on-a-Chip, или Система На Кристалле
https://ru.wikipedia.org/wiki/Система_на_кристалле

Утечки p-n переходов неизбежны, но зато компоненты схемы диэлектрически изолированы, поэтому нет утечек карманов. (утечек между компонентами схемы). Такова особенность конструкции. Такие системы были известны как минимум 20 лет назад. В данном случае по этой технологии сделан серийноспособный прибор с выгодными потребильскими характеристиками.