В принципе я еще даже не смотрел есть ли чего готового - навскидку в инете много чего найти можно - ведь не я первый такой расчет сделать хочу.
Спасибо за наводки на программы - посмотрю что они умеют.
В принципе пока я собираюсь моделировать по эквивалентной электрической схеме с источником тока и последовательными RC - цепочками на землю. То есть источник тока моделирует источник тепла - резисторы и конденсаторы - теплопроводности материалов, а напряжения - температуры - не знаю насколько такая схема приближается к реальности, но в инете достаточно распространена. Для нее в любом даташите на IGBT есть формулы для вычисления теплового сопротивления и тепловой емкости, по постоянным времени.
К сожалению это не я считал, а мой коллега, который инвертер собирал, но точно он это сделал только на информации из даташита. В итоге у меня сейчас есть схема из 6 RC цепочек. Значения R и С подсчитаны из даташита.
Например для моего 1200А модуля на 3кВ:
Самая первая цепочка - Кремний - Аллюминий - состоит из сопротивления 0,632е-3 К/Вт и конденсатора 2,484 Дж/К. Постоянная времени 1,57мс
и так далее для всех переходов: Ал-Чего-то там - Керамика - Медная подложка - Радиатор - Вода.
По крайней мере резисторы в этой схеме проверили просто - при постоянном токе - при температуре воды 50 град и 25кВт мощности температура кристалла составила 85 град - это примерно мы смогли измерить.
Но самое то интересное - это конденсаторы.
И вот построить импульсный генератор тока(мощности) для этой схемы - самое интересное.
Мой коллега специально для этого на рабочем инверторе умудрился посчитать энергию, выделяемую при переключении транзистора - хотя в принципе она почти совпала с даташитом, так что можно оттуда взять. А она ж зависит от тока через транзистор и температуры.
А у меня есть в симулинке работающая модель системы управления инвертером, которая на выходе генерит форму тока через транзистор и диаграммы включения и выключения для каждого транзитсора.
Таким образом я хочу, чтоб матлаб по этим диаграммам и току через IGBT в каждый момент времени вычислял выделяемую мощность с учетом энергии переключения и потерь на активном сопротивлении канала, и запихивал это в тепловую модель. В итоге я должен получить профиль нагрева кристалла на протяжении всего периода 50гц. Также если моделировать подольше можно посмотреть как будет изменяться долговременная температура.
А в принципе вообще я это делаю для того чтобы определить возможность перегрузки инвертера например в течении 1сек током в 2р больше номинального - возможно ли это в принципе - то есть не достигнет ли температура кристалла критической за это время и за сколько кристалл охладится обратно если эту перегрузку убрать. При чем интересно будет увидеть - не подскачет ли температура до критической за 1 период и как она себя поведет в течение пары десятков периодов - ведь кристал уже ж не будет успевать охлаждаться - значит когда-то ароизойдет перегрев и надо понять когда.

Не назвал я еще HEXRISE от International Rectifier.
Там можно в динамике, с учетом накопления тепла, посчитать. Но для одного транзистора и, ессно, только продукция IR.
Остальные названные программы - удобный экспресс-анализ для типичных конфигураций и условий работы.
А на счет NPC - имхо, надо без учета тепловой связи между модулями, потому как дело это темное. А минимизировать оную связь можно и конструктивно

Вообще-то я говорил о индукционном нагреве, а у вас электропривод с рекуперацией
Силовые тиристоры на 60...100 кГц это круто

Из опыта управления IGBT - важно согласовать волновое сопротивление лини передачи от выхода драйвера до входа транзистора.
Сам сначала не понял этой фишки и гонялся за уменьшением индуктивности подводящих проводов.
Требовалось управлять транзистором IRG4PH50S при помощи драйвера IR2121

Выходное сопротивление драйвера при заряде затвора 8 Ом, при разряде 4 Ом.
Подпаяв микросхему даже напрямую ко входу транзистора проблему не решил.

А дело вот в чём: имеем классическую линию передачи, работающую на емкостную нагрузку.
Согласование можно обеспечить либо поставив резистор на выходе линии (отпадает), либо включив последовательно с линией на передающей стороне.
В последнем случае имеем классику - затворный резистор. Сопротивление резистора + выходное сопротивление драйвера должно равняться волновому сопротивлению линии.

Эксперимент:
Линия передачи с волновым сопротивлением 11 Ом.
Включены параллельно 6 отрезков равной длины плоского кабеля с Z=66 Ом
Использовал 80 жильный IDE - шлейф
К выходу драйвера подключен резистор, после него вход линии передачи. Выход линии передачи подпаян ко входу IGBT вблизи корпуса.

Выглядело это примерно так:

Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Меняя сопротивление резистора, наблюдаю картинку на входе IGBT и добиваюсь согласования.
При сопротивлении резистора 2,7 Ом наилучшая форма импульса.
Что изумительно совпало с расчётами:
2.7 + 8 = 10.7
66 / 6 = 11
Примем во внимание погрешность в измерении выходного сопротивления драйвера и разброс параметров шлейфа.

Вот картинка на затворе:

Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Потом ещё пробовал вот такую весчь:

Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Результат: имеется "полочка" сопротивлений согласующего резистора, при которых картинка на затворе практически не изменяется.
Это следствие взаимовлияния линий передач.
Диапазон сопротивлений в этом случае 1.8 Ом ... 2.2 Ом.

Длина шлейфа чуть больше 10см.
На бОльших длинах получается даже лучше - меньше неоднородность лини передачи.
Вот так. Чем больше "провод" - тем лучше
А вы говорите, поближе к IGBT
Правда, задержка сигнала возрастает.
Думаю, это пока не существенно

Следующий опыт, который хотел поставить - сделать драйвер на 3х слойной печатной плате, реализовав линию передачи в виде микрополосковой линии и избавиться от затворного резистора вовсе...
Но, планы резко изменились и проект повис в воздухе.

Как в ТВ-рекламе: "Не пытайтесь повторить увиденное на экране".
Я страх как боюсь этих экспериментов по одной причине:
когда через Cres_off повалится весь этот понос, кто заткнет затвор? Длинная линия?

Что есть Cres_off ?
Понос - это не технический термин.
Выражайтесь конкретнее и корректнее.

Длинная линия затыкает затвор ничуть не хуже витой пары.
Которая по сути тоже есть длинная линия.

В данных условиях всё в пределах допустимого, я не призываю коммутить так же ключи на сотни ампер.
Там можно было бы применить микрополосковую или полосковую линию на печатной плате.
Если требуется - на гибкой печатной плате.
Это обеспечит низкое значение индуктивности для НЧ процесса, бегущую волну для ВЧ процесса и отличную помехозащищённость.
Для Z = 8 Ом ширина микрополоски около 1,8мм при толщине слоя изоляции 0,1мм

Не знаю как у Вас, а у нас Драйвер IGBT устанавливается прямо на модуль. При этом затвору он выдает напряжение +-15В. Резисторы, конечно, стоят в цепи затвора.
http://www.igbt-driver.com/english/ тот который наверху.
Но это для 2кВ 1000А
А в домашних условиях 100А 380В - отдельные провода от драйвера где-то длинной 15-20 см сечением 0,75. И без всяких волновых сопротивлений.

Это не у вас. Это у CONCEPT'а.
Замечу, что вся геометрия подобрана и жёстко задана.


Да, так работает. Сами так делали или что-то похожее.
Вопрос только в том, наилучшим ли образом оно работает?
Волновое сопротивление там всё же какое-то должно быть
Провода скручены, наверное?
Вопрос в скорости нарастания напряжения на ВХОДЕ линии передачи.
Т.е. для полноты картины нужно сказать, какие у вас драйверы и величина затворных резисторов.
Есть у вас осциллограмма напряжения на затворе?
Очень хочу посмотреть.

В принципе напряжение на затворе не меряли. Нас больше интересовали напряжения эмиттер-коллектор. Там все было нормально - как и должно быть при работе инвертора. Поэтому дальше и не заморачивались.
А что значит наилучшим образом, я не понимаю. Что при этом будет? Меньше потери на переключение? Меньшее перенапряжение или что-то еще?

Провода не скручены, а просто два отдельных провода. Даже не вместе.

Драйверы вот такие: http://www.igbt-driver.com/index.php?id=2sd106ai
Резисторы пока не могу сказать - надо посмотреть на плате.
Может тогда и осциллограму сниму.

А в январе будем новый 50-амперный трехуровневый инвертор испытывать. Так там вообще вместо драйвера какой-то изолированный усилитель и резисторы. Решение простейшее до невозможности. Но вроде работает отлично. Нам его предложила немецкая фирма, которая специализируется на инверторах. Они фигню не разрабатывают.

Господа-коллеги, никого не удивило использование 65-го для подобных измерений?
ПС
Кстати если мой источник информации не врёт (а причин сомневаться пока не было), то эти измерения производились без согласованного делителя на самопальный шнур с неизвестной емкостью и волновым сопротивлением...

Да. Критика принимается.
Лучше техники тогда не было.
Сейчас в планах повторить эксперимент.

Шнур действительно был самодельный. Z = 50 Ом.
Ёмкость около 100 пФ.
Плюс входная ёмкость осциллографа 25 пФ.
Всё это, конечно же, сказалось на результатах измерений.

Но, тогда не нужно было проводить количественные измерения.
Достаточно было сравнительных.

Для использованного предела измерения
Нормальный диапазон АЧХ канала вертикального отклонения 10 МГц.
Но, при этом время нарастания переходной характеристики не превышает 8 нс
Это соответствует 50 МГц осциллографу.

65-й не так плох, в нем заложены приличные технологические запасы. Когда я работал в метрологии, ради развлечения на спор отстраивали его и до 100 мГц в линию(5% или точнее). Фронты более 5 нс довольно достоверны, и даже звон на них можно видеть, хотя его амплитуда уже меньше, конечно....

А по поводу длинных линий - она же в обе стороны длинная линия. хоть фронт передаст и крутой, но задержка будет и оттуда сюда и отсюда туда. Так что решение с драйвером прямо на затворе корректнее , хотя бы на закрывание. Ну как минимум если ее использовать, лучше бы позаботиться хоть об ограничении уровня на затворе, чтоб транзистор сам себе затвор не пробил при крутом фронте.

Впрочем, об этом уже писали, извините.

Спасибо вам за поддержку.
Если у вас есть возможность, прошу повторить мой эксперимент.
Все данные вышлю.
По поводу отражённых сигналов и длины линии.
Вся соль в том и состоит, чтобы убрать отражения в линии передачи.
Вернее, чтобы было одно отражение и в результате U/2 + U/2 = U На входе.
А задержки можно учесть.
И ещё - задержка она и есть задержка.
Что в сигнальной линии от платы управления до драйвера, что в силовой линии от драйвера до транзистора.
Величины будут примерно те же.
Так что, в результате, в задержке большого выигрыша не будет.

Когда проводил эксперимент, нагружал транзистор на резистор от источника 12В.
Ток был около 1А.
Смотрел фронты на коллекторе.
Так вот, он усиливал эту ВЧ пульсню!
При уменьшении звона на затворе звон на коллекторе тоже уменьшался.

Да, меньше потери на переключение.
Плюс меньше RF излучение и снижение Fknee.


А почему?
Это же увеличивает индуктивность по сравнению с витой парой.
Или они настолько коротки, что их невозможно скрутить?
В любом случае, волновое сопротивление там какое-то есть.


Очень бы хотелось увидеть осциллограмму.


А драйвер в первую очередь и есть изолированный усилитель с резисторами.
Вопрос не в этом.
Вопрос в скорости нарастания напряжения на выходе драйвера и в длине линии.
От этого зависит, будут ли проявляться волновые эффекты.
Точнее, нужно ли их учитывать.

Давайте оценим.
На выходе обычно стоят полевые транзисторы.
Возьмём для примера IRLML2402
20V; 0.25 Ohm; tr = 9.5 ns
Пусть tr будет 10ns. Значение типичное для подобных транзисторов.
Скачок напряжения на выходе драйвера 15В.
Но, из-за эффекта Миллера в IGBT сигнал остановится на 5В, двигаясь к 15В.
При скачке 15В было бы 10 ns.
До 5В он дойдёт за 3.3 ns.
Скорость распространения электромагнитной волны в обычно применяемых средах колеблется от 120 до 180ps/inch.
Это даст "электрическую" длину фронта
lmin = 3.3ns/180(ps/inch) = 18.3 inch для PCB FR-4
lmax = 3.3ns/120(ps/inch) = 27.5 inch для хорошего коаксиала
Общую длину, включая выводы транзистора ВНУТРИ корпуса не сделать меньше дюйма.
Обычно это несколько дюймов.
Критическая длина проводника обычно считается 1/6 от электрической.
Тогда в худшем случае это будет 18.3 / 6 примерно 3 inch
В лучшем 27.5 / 6 примерно 4.6 inch
То есть, 5 дюймов - это гарантированно проблемы с отражёнными волнами даже в коаксиале.
3 дюйма - гарантированно на печатной плате.
Но нет гарантии, что при длине 1 дюйм проблем не будет.
1/6 - это всего лишь оценочная формула.
Даже при 1/32 КСВ может быть достаточно большим.
Так что, даже дюйм не застрахует от стоячих волн.

Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Что Вы, батенька, алхимией занимаетесь?
Теперь выясняется, что Вы не подошли к тому значению dv/dt, после которого и начинаются проблемы с "пульсней" - в настоящем смысле этого слова - когда через Cres_off (см. рис.) транзистор открывается и горит, если он в полумосте, либо бесстыдно генерит в одиночном включении.
Т.е. для того, чтобы убедиться в плохости длинной линии, в эксперименте надо было включать транзюк за 4 наносекунды. (т.е. добиться dv/dt >= 3В/нс).

Да, на высоком не испытывал. Не дошёл до этого потому что.
Вообще, предпочитаю действовать по шагам - сначала на низком.
Это способствует пониманию и экономии средств.
Зато научился круто открывать IGBT.
Дальше продолжим позже, когда подойду опять к этому проекту.
Скорость нарастания на выходе драйвера к сожалению нигде в записях не осталась
Это нужно повторять эксперимент.
Но, значение 3В/нс очень знакомо.
ПУЛЬСНЯ была. Генерации не было.
Самое подлое заключается в том, что пульсня висит именно на полочке, когда IGBT в линейном режиме.
Я понял вас. Действительно, чем длиннее линия, тем больше вероятность, что возникнут проблемы.
Но, если взять равной длины согласованную линию и несогласованную, то согласованная будет лучше.
С проблемами генерации сталкивался.
http://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=33397
Вот здесь выносил на обсуждение.

Лучше-то оно будет - вне сомнения, только вот ОБР всей системы сужается настолько, что встает вопрос: А зачем, собсно, оно?
А насчет скорости нарастания - можно все оставлять, имхо, как есть, но добавлять потихоньку напряжение и ток (уменьшать сопротивление). Извините, пока не сгорит.

Спасибо всем, кто высказался на эту тему. Моя проблема выбора за это время решилась однозначно в пользу драйвера в затворе.
Действительно, как ни согласовывай длинную линию - из-за -задержки воспрепятствовать тому, что лезет со стока (пардон, коллектора) может и не успеть. А если речь идет о верхнем драйвере, и сделан выбор в пользу трансформатора - то индуктивность рассеяния тоже не особо даст получить крутых фронтов. Делал я для этого случая трансформатор из четырех витых пар впараллель... все вроде хорошо - да плюнул и вынес драйвер на затвор. По сложности проиграл аж диод с конденсатором(для моего случая с парой драйверов полдиода и пол конденсатора ) - переживу, но надо ж чем-то питать тот драйвер.
Зато как приятно осознавать, что транс какой попало, даже свивать не надо, а в цепи затвора индуктивности на единицы нГ, все рядышком. Вот после этого можно и согласованную линию применять, кому надо точности - теперь не помешает.

На всякий случай - парочка IRLML2803 - IRLML5103 в SOT23 прекрасно раскачивает затворы до 30 нФ. Пиковый ток 15 А - легко...

Да. Свой драйвер - лучше!
Когда умеешь его делать
Можете поделиться опытом использования/изготовления трансформатора?
Сам сейчас думаю над ШТЛ.

Насчёт длинной линии, задержек и затыкания затвора.

Согласованная длинная линия ведёт себя как резистор!
Поэтому, длина не важна, если линия согласована.
Она будет затыкать затвор также, как если бы к нему был подпаян резистор с сопротивлением Z.
Это пока теория. Не проверял на опыте. Возможно, ошибаюсь.

1. Уважаемые коллеги! Очень интересует опыт использования DC-DC конверторов TRACO POWER для питания драйверов затворов. Я уже задавал этот вопрос в "Компонентах", но ответов не было. Наверное, здесь у нас гораздо более оживленное общение.

Например, можно ли от TMV0515S запитать драйвер IPM PM100CLA120(Mitsubishi) ?
Навскидку - можно, и оно даже лучше, чем M57140. Однако, подобные случаи науке неизвестны

2. Внимательно перечитал то, что сам же написал в позапрошлом посте. Нашел неточность. Прошу прощения.
Насчет dv/dt - совсем не принимал во внимание входную емкость затвора Cies.
Проблемы-то начинаются не столько при определенных значениях dv/dt, сколько при определенно высоком коммутируемом напряжении в сочетании с высоким dv/dt. И в опыте SAVC на 12-ти вольтах можно делать многое до тех пор, пока не начнут сказываться индуктивности выводов транзюка.

Конечно же, величина коммутируемого напряжения важна. Она влияет на dv/dt на коллекторе, а значит, на ток через ёмкость Миллера. Нужно научиться считать эти процессы и выбирать оптимальные режимы работы ключа. Открыть ключ как можно быстрее - это не та задача, которую нужно решать. Нужно решить задачу об оптимальной скорости открытия ключа. И здесь несущественных вещей нет. Система решаемых уравнений сложна, и способ подбора корней чуть ли не единственный. Поэтому так важно моделирование и интерактивные среды разработок. Впрочем, Америку не открываю

Действительно, следующий барьер - индуктивность выводов, которая задана и от которой никуда не деться. Я подпаивался к выводам непосредственно у корпуса.
И сразу встаёт вопрос, а какое волновое сопротивление системы выводы - кристалл?
И как им можно управлять?
Кстати, я думаю, что в IGBT модулях волновые сопротивления корпуса посчитаны, и вместе с платой драйвера образуется система с равномерной ПХ вплоть до кристалла.
Ещё момент, длина выводов при подпайке непосредственно к корпусу мала, поэтому можно попробовать посчитать волновое сопротивление сосредоточенной системы, используя индуктивность выводов и входную ёмкость IGBT. Ну, и поставить эксперимент
Тогда откроется возможность управлять входным волновым сопротивлением, изменяя индуктивность. Вешать бусинки, масенькие дроссели и т. п. И заново откроется смысл индуктивности в цепи затвора.
Тут есть проблема - входная ёмкость меняется в зависимости от режима работы IGBТ...

Да, собственно, если не надо очень уж крутой фронт и емкость затвора мала (1n или около) - то проблем нет, импульсный трансформатор любой работает. Ну, надо покруче фронт - мотают витой парой (тройкой и т д ? смотря по числу обмоток). А вот если на приличную емкость работаем, а желания драйвер на затвор выносить нету, тогда упираемся в крутизну фронта по причине конечно малой индуктивности рассеяния. То есть провода уже свили, но не хватает. Стандартный прием - брать побольше сердечник с малым окном (длинное кольцо, напр), и просчитывать обмотки впритык - минимальной индуктивности, лишь бы драйвер по току не перегружали. Ну а далее - надо просто менять форм-фактор обмоточного провода. И поскольку мало у кого будет желание мотать лентой микрон 50, то просто мотаем параллельно несколькими витыми парами, а потом разбираем по обмоткам. Можно и скрутить эти пары, главное - не скручивать все провода разом. а сначала по группам. потом группы вместе.
Или. проще говоря - намотать транс не один раз. а несколько раз на том же сердечнике и спараллелить обмотки. При этом параллелятся и все паразитности - в т ч индуктивность рассеяния, а основные индуктивности - нет (они связанные, потому что....). Так можно получить весьма высокий коэффициент связи, следовательно и широкополосность, что и нужно на крутые фронта.

Но меня все равно все эти хлопоты утомили, и драйвер - только на затвор. Китайцы не будут витыми парами кольца мотать, лучше рассчитать на стандартный импульсный транс...


И еще просьба: просветите меня, где могут потребоваться реально крутые фронта на закрывание? Я пока сталкивался лишь с необходимостью быстро закрыть транзистор, чтобы не греть его, а дать сработать снабберу. Так что чем быстрее закрыл - тем не хуже, напряжение на стоке все равно небыстро нарастает - снаббер не даст.

Да. Стоимость намотки транса может быть очень большой.


Да в нашей как раз области - в индукционном нагреве
Это если не считать модель, а просто следит за переходом тока через ноль.
Тут быстро не бывает
Посмотрите, хотя бы на ESBT транзисторы...
http://www.st.com/stonline/products/famili...s/esbt/esbt.htm

1. Например для аварийного выключателя - если инвертор "сорван" (опрокинулся) ток будет нарастать весьма резво
2. Слишком быстро закрывать тоже плохо - большое dU/dt может вызвать срабатывание паразитного тиристора в структуре транзистора (название эфекта не помню). Если не запямятовал то три года назад в Москве симметроновцы устраивали встречу по применению мощных IGBT Митсубиши, среди прочего был драйвер "затягивающий" выключение (т.е работа в линейном режиме) для уменьшения dU/dt. Естественно транзистор греется но не "схлопывается"


Небольшое уточнение - при подключении линий с разными волновыми сопротивлениями без использования согласующих устройств будут образовываться обратные волны
ПС С1-65 Свх =30пФ

Мда. Проект, который, видимо, никогда не будет реализован.
Надо бы попросить Антона высказаться по этому поводу...


У человека стоит снаббер.
Поэтому быстрое закрыване транзистора вовсе не приведёт к большим du/dt.
Вообще, решения могут быть разными.


Кто б спорил то?
Сейчас я бы поставил эксперимент по-другому.
Но, тогда было сделано так, как я описал.
И, вообще, по поводу точности я уже всё написал выше.


Смотрю в "Техническое описание", приложенное к осциллу.
Там написано
"входная ёмкость, параллельная входному сопротивлению, не превышает 25пФ".
Но, это всё не так уж и важно на фоне 100пФ ёмкости шнура.

Учим матчасть - даже в случае использования плоских шин с минимальной индуктивностью и использования RC цепей при мгновенном выключении транзистора (теоретически) выбросы будут присутствовать
Часть графиков с коментами есть здесь
http://www.infineon.com/dgdl/ed_pcim06_120...112b40ecf06128b
А здесь залежи
http://www.infineon.com/cms/en/product/cha...112ab69e66f0362

Сыпать цитатами не могу - геморройно искать. Но читал неоднократно то же самое. В смысле, что снаббер для IGBT - это совсем не то, что снаббер для биполярника. И выключать его надо мягко. Хотя, если вспомнить, что время выключения IGBT практически не зависит от резистора в затворе, возникает вопрос: за счет чего, собсно, эта мягкость? Имхо, за счет того, что мы проходим линейный режим несколько медленнее. Поправьте, если что не так.



это читали? Особенно с.23-25.
Или
вот это
Нормальный совершенно расчет. Но для IR, где Cres,Cies и т.д. указаны с точностью до пикофарад.
А там, где Cres пишут, например, равна 0.1 нф, становится понятно, что использовать этот параметр нет смысла, потому как для закрытия транзюка надо использовать отрицательное напряжение. Тем более, что Semikron и Infineon, например, так и пишут в своих conditions +/- 15V.
Вот и получается, что для Вашей хрустальной мечты (согласованной линии) лучше всего подходят International Rectifier. Система параметров позволяет на "молекулярном уровне" работать.

Эт точно. Увлекаться не нужно. Похоже, это я сбил с толку - влез со своей темой.
Важнее. чтобы то, что открывает/закрывает затвор - жестко его держало. А скорости, конечно, есть предел. А то и индуктивности своих выводов хватит для приличного выброса.
Вот тут и появляется сомнение насчет длинной линии и как-то привлекательнее кажутся пара транзисторов в затворе прямо на выводах, да и к тому же более быстрых транзисторов (потому что мелкие)

В догонку.


Прочитал я про IRG4PH50S внимательно.
Там есть зависимости всех емкостей, про которые уже лень писать, от напряжения коллектор-эмиттер.
Так вот, Вы были на Vce=12В, и там (посмотрите сами) Cres~500pF. Это дохренищща.
ИМХО, феномен пульсни:
1. Драйвер включился. Пусть все задержки драйвер-затвор уже прошли. Добрались до полочки. По ходу, пороговое напряжение на затворе уже достигли.
2. Сам канал транзюка еще не открылся, потому что есть задержка включения. Если к началу образования канала полочка на затворе уже есть, то...
3. Через огромное значение Cres на затвор наводится нечто, что дает Вам пульсню.

Проверяйте.
И если эксперимент повторять, сразу берите 20В

хе-хе
Какая у нас оживлённая дискуссия получается.
Мне нравится.

Пробовал сначала БЕЗ нагрузки - пульсня была.
Всё сильнее хочется повторить опыт и самому кое-что ещё дополнительно попробовать.
Действительно, IR мне больше подходит, я и ориентируюсь только на них.
Вообще, питаю очень сильное уважение к IR и истории их компании.

Питать затвор планирую +15V/-5V
Это даст +10V/-10V с учётом +5V порогового напряжения.
И использовать равные затворные резисторы для открытия/закрытия.
Или один резистор
А за ним согласовнная линия


Прелоняюсь перед вашим знанием математики.
Нам, самоучкам, за вами не угнаться.

Только ж Вы ж не забывайте, что у буржуев есть +15/-8.2
На сей случай даже DC/DC конверторы заточены...... VLA106-15242

хым. Вот, даже как...
Вряд ли меня устроит -8.2V
Скорее всего, будет свой БП.

Вы, кстати, спрашивали про питание драйверов.

Обычно я не юзаю готовых источников...
Для питания драйверов полевых транзисторов использовал такую вот схемку: Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Единственно, у меня напряжение между обмотками было не больше 50В.
Если нужно больше - транс мотать по-другому. Не ленточным кабелем

Мне, честно говоря, не понятно, как встала такая проблема - из +5В получать +15В для питания драйверов?
То есть, я бы сделал одну общую шину +15В. Можно заюзать для этого AC/DC. Что-нибудь из линейки TML, например, если брать TRACO-POWER. Скажем, TML30115C
Из неё бы получил столько развязанных +15В, сколько мне нужно - использовал бы примерно такую схемку, как привёл сейчас.
Ну, и +5В ещё заодно, уже стабилизированное и со всем делами... Можно DC/DC поставить.

1. Раз 8.2 вольта у них стандарт, повод задуматься. Рано или поздно кривая выведет все равно туда же.

2. Про TML не скажу- нет под рукой. Серия TMV, о которой говорю я: Емкость вход-выход 60пФ. Это лучше, чем M57140 или VLA106 (там 100пФ). Смущает то, что Traco Power не декларирует в application, что, мол, IPM, IGBT driver etc...
А там неясно, как ведет себя это хозяйство при комбинации факторов {Low voltage+high dv/dt+ 70градусов температуры}. Поэтому и жду какого-л мнения.

3. Еще есть Gate Drive Transformers, например PA-0184. У нас - чуть больше 1 евро. См док.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

4. Спасибо за схему, хоть и все ясно, а уверенности прибавляет .

Да. Может быть.
Ведь, порог не ровно на +5В. Он чуть ниже...
Зато, в своём источнике я всегда могу покрутить напряжение, там видно будет.


Тоже ничего не могу сказать.
Может быть, у них просто спросить?
Например, через ArgusSoft?
Они, вроде бы, TRACO POWER поставляют...


Такое малое рассеяние при достаточно большом, по всей видимости, кол-ве витков.
Интересно.

Вообще, если говорить о малой проходной ёмкости, сразу в голове рисуется колечко.
С одной сторны первичка, с другой - вторичка...
Колечко покрыто полимеркой.
Кол-во витков малое.
Чтоб вручную мотать
Сверху каплю лака с одной стороны и каплю лака с другой стороны.
Или даже не лак, а что-нить силиконовое быстросохнущее...
Делаем обратноходовый источник с контролем тока в первичке.
Это, чтоб по максимуму использовать индукцию кольца.
Или же, наоборот, берём колечко чуть больше, а индукцию по-меньше.
Приращение задаём меньше минимального по DS.
Потери будут ниже в итоге, а запасаемая энергия не будет зависеть от температуры...

Используем TEN8 для питания проходного тиристора, условия работы жуткие - зимой холод и снег (через вентиляцию надувает), летом жара, по силовой части обстановка жуткая - своих помех хватает + помехи от сварочников (сеть г..но - дизгенератор). Выпускается в серии около года, отказов с Сахалина не наблюдаю.
Насколько помню модули покупаем у петроинтрейда


Матчасть - Материальная часть, про математику ни слова


Историю ППЧ-20-10 напомнить?

Сейчас вот намотал, не поленился.
Взял колечко К10х6х3
С одной стороны первичка 20 витков провода ПЭВ-0,25
С другой - такая же вторичка.
Края скруглены, кольцо покрыто лаком.
Измерил межобмоточную ёмкость.
Получилось 10пФ.

Индуктивность обмоток по 240uHn.
Индуктивность рассеяния 16uHn.

Что вполне годится для обратноходового источника.
Если бы кольцо было N87, а не К2000НМ1-36, то приращение индукции было бы 0,3Тл.
Это при 15V даст 0,12us
Что выливается в 1Мгц тактовой частоты для схемки, что я привёл чуть раньше.
Нужна ещё одна обмотка - для рекупераци...
Намотать поверх первички. На ёмкости не скажется.


Точнее будет - рассказать.
Я, ведь, не застал начало.
А мне никто и не рассказывал, собственно...

Хочешь сказать, был всё-таки проходной IGBT?
Видимо, что-то не срослось, раз поставили тиристорный выключатель?

Что расказать?
Проходной IGBT там и не планировался (только на словах в далёкой перспективе), изначально стоял конденсаторный выключатель для обеспечения наиболее безболезненного перехода от 000 БУЗа к новому (историю с "новой системой управления" надеюсь расказывать не придётся?). IGBT А.В. отработал по полной программе на макете, Роберт и КО заканчивают заделы по "старой" схеме. У меня всё "на мази", по команде Е.В. запускаю в призводство редакцию под IGBT

Да чуть не забыл, у TENов была выявлена одна мелкая неприятность - напряжение на выходе при включении растёт достаточно медленно, что-то около 0,3...1 сек. Сразу оговорюсь - на выходе я поставил 100мкФ, в остальном замечаний нет

Да, это я знаю.
Не, историю системы управления рассказывать не надо...


Я не в курсе происходящего.
Рад, вообще говоря, что дело сдвинулось с мёртвой точки. Ты молодец.
А вот при словосочетании IGBT А.В. что-то неприятное зашевелилось в груди.
Не понимаю, как ты умудряешься с ним работать.

Omen_13

А, всё-таки, был где-нибудь реализован аварийный выключатель на IGBT или нет?

Вот такие "сальности" я и имел в виду. Потому что, когда горит модуль за 1000 баксов, поздно кушать женьшень
Попутно вопрос: UVLO должно это все убирать. У Вас драйвера правильные или свои?

До кучи к PA-0184 нагуглил аппликуху к P0926 (из того же семейства)Здесь

P.S. Это ж я забыл уточнить, что интересует опыт использования traco power dc/dc для питания ВЕРХНЕГО драйвера IGBT в полумосте. На всякий случай, если кто не понял

Правильный драйвер - это всегда покупной драйвер???


Понял, да.
Я уже начал понимать философию ваших разработок.
И, всё-таки, можно вопросик?
Почему бы не поставить колечко? :-X
Масенькое такое. Чтоб проходная ёмкость 10пФ.
Точнее, зазор, всё-таки, нужен будет, скорее всего.
Это что-то П-образное получается...

1. Там, где фирма предлагает законченные решения, лучше опираться на них.
2. Габаритные размеры. Эти трансы PA-0184 мне симпатичны и по этой причине.
3. О правильном драйвере. Если Вы хотите обойтись без Concept, это одно дело.
А для "скромных" 50-200 амперных лучше ставить HCPL-316J, например.
Делать собственный драйвер, это побороться с такими неприятностями:
- UVLO
- Минимальные размеры
- Корректная работа на стороне управления
- Хороший подбор времен задержки и их стабильность.
А это разрушает мозг не хуже алкоголя и наркотиков

Хех. Пожалуй.
Для каждого случая есть своё оптимальное решение.
Но вот с габаритами транса - 10 мм. не так уж и много.
Всё равно меньше делать опасно - а как же пробой по поверхности?
Эти трансы не намного меньше.
10 пФ - это ж круто.
А у этих трансов про межобмоточную ёмкость вообще ничего не сказано...

Недавно сваял драйвер с задержкой 20нс.
Это от выхода передатчика на плате управления до затворов транзисторов раскачки в драйвере.
10нс даёт электроника, 10нс - кольцо.
Уменьшать дальше смысла не вижу.
Температурная стабильность задержки под вопросом.
Но, даже, если это будет 2 раза для кольца. Меня бы это устроило...

Чем меряли? Лучше отследить зависимость от частоты.


Круто!
P.S. видели ли Вы Infineon 1ED020I12-S ?

Мерил я китайским мостом
Если заниматься дальше, тогда надо бы...
И сердечник другой взять надо бы.
Это просто пример.


ага.
Я доволен до безумия.

Блин. Разговор у нас,как в чате - подписка на мыло не успевает.
Видели ли Вы драйвер Infineon 1ED020I12-S?

Нет. Не видел.
Скачал, глянул пока только Propagation Delay
У них 200ns. Я танцую
Чуть позже изучу подробно.

Я видел трансформаторы-кольца от IXYS мелкие такие в SMD корпусе.
Было это год назад, кажется.
Где-то у меня был на них PDF...

Во, по трансам:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

И ещё вот классная микросхемка:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Как-то думал использовать в паре.

А что в ней классного, если нету Active Miller Clamp? Фейерверка хочется?
За трансы спасибо.

Неа. Фейрверк я не хочу...
Вообще, против фейерверков.
В одном корпусе схема раскачки полевиков + сами полевики.
Это было для меня привлекательней россыпи...
Вот и всё, собственно.