Не подскажете - существуют ли в природе платы на AT91RM9200, AT91SAM9260, LPC2468, где в качестве внешней памяти используется асинхронная SRAM? Попутно может укажете "большие" SRAM с 32-х разрядным интерфейсом, если такие существуют...

K6X8016T3B например.
А вообще посмотрите у самсунга.

А по Вашим оценкам на сколько быстрее будет работать AT91 в связке с SRAM по сравнению с SDRAM? Вообще, чем вызвана необходимость использования именно SRAM? Просто я сейчас борюсь за производительность и есть мысли попробовать SRAM вместо SDRAM.

SRAM вешается к at91rm9200 по 16-битной шине, SDRAM - по 32 разрядной. Посему SRAM работает медленнее.

А если взять связку AT91SAM9260 + SRAM, будет ли премущество в быстродействии перед связкой AT91SAM9260 + SDRAM?

Если задача хорошо ложится в кэш, то большого выйгрыша от использования SRAM не будет.

не надо гнать пургу!
при включенных кешах инструкции и данных разрядность шины
у внешней памяти практически не играет роли.

сам подсоединял 16-битную SRAM на частоте 50 МГц. Размещал в ней видеобуфер и код программы. Условное число FPS было 160

далее подсоединял две микросхемы SDRAM (16*2=32 бита) на частоте 50 МГц. Разместил видеобуфер и код. Число FPS было около 70

плюс с применением SDRAM возникают огромные проблемы, если нет достаточного опыта в разводке на высоких частотах!

Со SRAM проблем никогда не возникает (хоть ты 10-сантиметровыми проводами её к контроллеру припаяй!)

Всё вышесказанное мной - видили мои глаза, поэтому оспариванию НЕ ПОДЛЕЖИТ!!!
Можете верить или не верить - дело ваше...

Теперь по шине:
У ATMEL ARM9 шина статики действительно урезана до 16 бит (за что им кидаем в фейс помидоры!)
У Philips ARM7 шина 32 битная, но нет кешей

Вывод: нужно искать ARM9 с кешами и нужной 32-битной шиной



256k x 16 слишком маловасто.

у ИССи, ЦИПРЕСа и ТОШИБы есть 1M x 16. Цены у них взлётно- большие

SRAM тоже разная бывает : есть 7-10ns которая кушает почти 2000mW (>16Mbit), а есть низкопотребляющая 45 - 70 ns.

Я придерживаюсь следующего критерия для памяти во встроенных системах промышленного применения: DDR, SDR SDRAM c ECC или SRAM. Ибо SRAM надежнее по принципу действия. Для многих ИМС SRAM, в частности Cypress, заявленная нижняя температура -55.

В AT91SAM9260 SDRAM, вроде, можно подцепить на 100МГц, а SRAM на 50 МГц, и ту и другую по
32 -битной шине ... Поэтому на первый вызгляд по быстродействию почти один хрен ?

У AT91SAM9260 шина SRAM 32 битная или я ошибаюсь?


Почем, если не секрет?

На Самсунг к сожалению смотреть уже нельзя. Они собрались снимать с производства большие SRAM типа 8016 и 1616. Вместо них бриллианс будет делать. У всех остальных память к сожалению дороже на 20-30%.
Теперь по теме. С AT91RM9200 Самсунг работал нормально. Параллельно ставил динамику от Исси. По скорости особой разницы не обнаружил. С 2468 ситуация практически такая же. Разве что по вполне понятным причинам все медленее.
Несколько хуже ситуация была на Циррусе EP9302. Там почему то статика притормаживала. Тест написан на gcc и читает и пишет массив 512К.

Не вполне понятно почему все медленнее у 2468? Если внешняя память у 2468 работает на частоте ядра, то при пересылках память - память связки AT91RM9260+SRAM и LPC2468+SRAM должны показывать быстродействие одного порядка.

А где взять SRAM с ШД 32бит ? Бутерброды из двух- четырёх- микрух делать не хочеца



Не помню...
Глянте в "точку опоры". Fast Speed SRAM.
Есть экспонаты до 1M x 16. Кушают действительно много


Однозначно да! И более устойчива по рассогласованию на High Speed

cделал 10 слойку на ней at91sam9xe512 +sdram (2 x k4s561632j-ui75 - samsung)

классически не запускается микросхема сдрама. упреждая вопросы - терминаторы стоят, микросхемы от проца на расстоянии около 10мм, отдельные слои питания и земли. Дорожка клоков идет через терминатор 10 ом от проца к памяти. Начинал запускать со 100МГц, опустился до 10МГц дабы разобраться с проблемами. Вот что обнаружил. В настройках СДРАМ контроллера в АРМе установил питание контрола 3V3 осцилом вижу клоки на уровне 1.4-1.6 Вольт. Пробовал настройки проца и HIGH и LOW DRIVE - результат сильно не меняется. Кто использует подобную микросхему памяти - ответьте что может быть не так и какого уровня клоки у Вас.

Cпасибо

Подобных настроек в SDRAMC нет, есть только выбор типа устройства. На уровнях выходных сигналов это никак не отражается.
У осциллографа полосы точно хватает?

1) пардон эти настройки в EBI
2) полосы хватает

какая вообще может быть причина недовыдачи напряжения - мозговой штурм (а то у меня кризис идей)

EBI_CSA? Так он тоже уровень не изменит.


Форма сигнала нормальная?

да - меандр

выпаял терминатор - поставил перемычку, выпаял вторую микросхему. Теперь связка простая один проц - одна сдрам. Картина не меняется....

вообще это подозрительно половина 3.3 вольт....

Это подозрительно похоже на закоротку между выводами.

в смысле залип под БГА корпусом проца? у меня были подозрения, что при монтаже какие-то шарики склеились, я естественно посмотрел какими пинами окружен клоковый пин проца - пока не могу сказать уверенно, что проблема в этом

Прошу кого-нибудь с похожим кмплектном ткнуться осцилом в клоковую ногу памяти - какова амлитуда?

10 слоев это конечно хорошо, но есть интересный момент, Вы плату проверяли на предмет целосности сигнала с родными IBIS библиотеками? Дело в том что может попросту проявляется все таки както разводка. Если не проверяли, Проверьте хотя бы в томже HyperLynx`е.

.

проверяли гипером конечно с родными моделями, но сейчас речь даже не об этом - речь о примитивном идет клок порядка 10МГц, клок идет пин-то-пин процессор-сдрам, форма - идеальный меандр, но амплитуда - половинная....

Как? Форма сигнала правильная, амплитуда не соответствует ожидаемой на разных частотах. Разводку тут притянуть не получится.

vugluskr: на SDCKE единица нормальная?

опля!!! +1
косяк, косяк

Может, непропаи среди VDDIOM? Или вообще напряжение неправильное.

Вы знаете с питаниями все окей, а вот СKE похоже болтается в воздухе (судя по всему шарик бгашный сплюснуло), сейчас за базовую версию беру Вашу и буду разбираться (пойду мотажника укушу за ляшку)

спасибо за идеи, а то у меня уже мозг иссяк и бегал по замкнутому кругу в поисках решения

***************************

мда эпопея продолжается теперь сигнал SDCKE в норме амплитуда клоков 1.6
Если у кого будут идеи куда копать - будьте любезны отпишитесь

в результате тыкания осциллографом в пины микросхемы было обнаружено, что на пине DQMH (SDRAM) присутствует тот же клок с пониженной амплитудой, при выключеной микросхеме прозвонив CLK и DQMH оказалось, что между ними 4.7Ом. Выпаял проверил - угу между пинами есть это самое сопротивление. При прозвонке свежей не впаянной микросхемы пины не прозваниваются.
Таким образом пин CLK был соединен через это сопротивление с DQMH ( де факто - заземлен). Вот так вот.

Теперь интересует природа образования этого сопротивления..

Казалось бы шары B1-B2 - нет? Или B1-A1, но это было бы видно с торца.
Вполне возможно, что они не спеклись между собой, а просто что-то попало.

похоже не шары, всеткаи, при выпаяной второй микросхеме памяти с проца идет сигнал нормального уровня. А "всетаки" потому, что шары могут быть причиной пробоя.... В общем БГА в условиях российской действительности - дополнительный гемор для разработки

Пробоя чего? Замыкание же было.


Ну, это вопрос прямоты рук и оборудования, участвующих в монтаже. После некоторой тренировки BGA не воспринимается как дополнительная проблема, особенно если принять во внимание сэкономленную площадь на плате и более широкие возможности выбора.

А зачем собственно? Ведь если есть подозрение в браке при монтаже, выход все равно только один -- перепаивать.

верно, но лучше думать шире - малоли что не так, допустим, в питаниях....но пока баг устранен в данном случае действительнопроблема была в банальной закоротке