Цитата(MaslovVG @ Aug 24 2009, 15:36)

В таком случае проверте делитель на заведомо прямоугольных иммпульсах хотя бы посмотрите двумя лучами один через делитель другой без делителя что нибудь максимально прямоугольное хотя бы импульсы в схеме управления и убедитесь что делитель не искажает форму.
Спасибо, за подсказку. На самом деле искажения вносил делитель. убрав делитель и подключив купленный щуп-делитель на 100 картинка стала ясной и чёткой. Но, ксожалению, вторая пара транзисторов была испорчена, после вскрытия транзисторов выяснилось что пробит кристал транзистора по переходу коллектор-эмитер. Параметры сигнала на затворе транзистора:
1. Частота - 50кГц
2. Скважность сигнала - 50%
3. Нагрузка - холостой ход.
То есть транзисторы вылители при холостом ходе, при этом слышно было что их прошивает, после 10-20 секунд после включения они хлопнули.
Я в недоумении - почему?
неужели снаберные цепи не справились?
Привожу значения параметров снаберных цепей:
1. VT1 - SKM100GAR123D Время закрывания транзисторов tf = 90 nS
2. VT2 - SKM100GAL123D
3. C1,C2 - 8,2 nF 1000V По расчёту получился 6,8 nF
4. R1,R2 - 12 Om 100W Греются, сильно.
5. VD1,VD2 - HFA30PB120
Заменил, транзисторы и установил конденсаторы 7,5 nF, довёл ШИМ до 46 % на выходе 255 Ампер, правда транзисторы греются сильно (на радиаторе окола 75 градусов) и снабберные резисторы.
Привожу осцилограммы напряжения на переходе коллектор-эмитер транзистора
1. при различных скважиностях ШИМ.
Нажмите для просмотра прикрепленного файлаНажмите для просмотра прикрепленного файлаНажмите для просмотра прикрепленного файлаНажмите для просмотра прикрепленного файла2. На этой картинке ШИМ - 46% под нагрузкой
Нажмите для просмотра прикрепленного файлаНа всех картинка, если посмотреть, то есть параметр "Вр нарастания", и везде он разный, я заметил что с увеличением скважности это время уменьшается.
А вот картинка перехода коллектор-эмитер холостого хода
Нажмите для просмотра прикрепленного файлаЗдесь время нарастания очень большое.
Мой вопрос: Могло ли пробить транзисторы из-за того что время нарастания сигнала было намного меньше времени заряда конденсаторов C1,C2?
Время заряда конденсатора ёмкостью 8,2 nF - 116nS, а ёмкостью 7,5 nF - 106 nS, как видно на картинке DS0004.BMP время нарастания 198 nS, есть запас но не приведёт ли увеличение скважности к тому что это время станет меньше 106 nS и не вылятят снова транзисторы?