На пальцах, так как рисовать это время, можете объяснить как два встречных однотактника на общую емкость?
А если поставить два токовых монитора (см. Рис.), то есть на ферритовых кольцах (или из распыл. мет.) сделать датчики тока, которые будут логике указывать на величину тока в диоде и соответственно блокировать включение транзистора пока не спадет ток до безопасного? Регулировать глубину сигнала при помощи нагрузочного резистора, а кол-во витков взависимости от силы тока просчитать. Ведь обратный ток через диод будет течь до тех пор пока не разгрузится индуктивность, а значит ждать полного исчезновения тока безсмысленно, поэтому привязать разрешение включения транзистора к безопасной величине. Стоит этот вариант развивать?
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
В принципе думаю что оного кольца хватит, просто контроллировать направление и силу тока перед включением транзистора.
Забыл ранее написать что датчик тока стоит между дросселем и конденсатором, в принципе на компараторах защита есть, но медленная из-за тормознутого датчика. Перед убийством транзисторов я эту защиту загрубил чтобы не свистела.
Жду коментариев.
С ув. Сергей


Осцилограммы - это проблема, нет цифрового осциллографа. На высоких скоростях с частотой 16кГц и изменяющая ШИМ по синусоидальному алгоритму - ничего не засинхронизировать, только мог уровни рассмотреть на затворах и в цепи питания инвертора - все ОК. Но под нагрузкой даже лезть туда не хочется. Лишнее прикосновение шупом к затвору на больших токах - это ...
Если все таки грешить на монтаж из-за которого выбросы - это решается, хотя монтаж силовой части довольно ровный и короткий. Получается с Ваших слов о затворном сопротивлении следует, что если я увеличу сопротивление затворного резистора уменьшу риск лавинного пробоя на более высоких токах? Если так, тогда это совпадает с испытаниями инвертора на 10Ом-ых резисторах - тогда ключи вылетали раньше и на меньших нагрузках, после установил 18Ом и смог раскачать до 2,5кВт безболезненно, что ж все таки увеличить еще сопротивления?
Кстати, оставшиеся живые два транзистора лучше убрать и поставить новые? Заказал 8 шт. завтра приедут.
С ув. Сергей

Это интересное наблюдение - вполне может выбросы по питанию из-за крутых фронтов, либо наводки на управляющую часть, опять-же из-за крутых фронтов. Но это только одно предположение из десятков возможных вариантов.
Попробуйте ещё увеличить - и выйти на бОльшую мощность, правда цена эксперимента - пара мертвых транзисторов

Мне кажется надо конструкцию оптимизировать. Конденсаторы по шине постоянного тока и минимальные концы последовательно с транзисторами. Также защиту на транзисторы, хоть RC-цепи что-ли. Трансформаторы тока в таком вкючении будут подмагничиваться или насыщаться.

Ну, как...Один от + питания обычный степдаун , один от минуса питания...Дроссели на выходе обьединить...
Один будет отрабатывать положительные токи, другой - отрицательные. Одновременно им работать никогда не надо. Обратная связь разберется какой когда включать... Это очень похоже на двутактный выходной каскад унч, так что пояснения по ОС не особо нужны, я думаю. Есть варианты с местными ОС в каждом плече, но ту книгу Кибакина в инет еще никто не выложил, известна только
бумажная библиотека где она лежит... Да впрочем необязательно оно здесь...



Ну. Нормально , можно и так - на прерывистом токе работать. Очень может неплохо выйти. Но и работы много. Дроссель много меньше будет и с устойчивостью работы побольше наверное. Не продумывал такое, но очень интересно.
Из глобальных проблем - только треугольный ток в транзисторах, то есть увеличенные потери в статике...
Действительно занятно...
Если еще рассчитывать перед каждым включеним транзистора потребную на период энергию...поскольку известно наряжение на выходной емкости к началу периода, известно необходимое к концу периода и потребляемый ток выходной тоже известен - ОС останется немного работы...Или она там будет не нужна...

Ну и конечно, необходимо уже не просто ШИМ делать, а включать только необходимое плечо. Не молотить туда-сюда, а подбрасывать импульсами в нужную сторону точно рассчитанные порции энергии...


Не исключено, что эта Ваша идея просто гениальна. В этих структурах я подобного не встречал. Респект, тёзка...
С уважением. Сергей

Монтаж изменю и все сближу, все равно буду транзисторы менять и ставить еще поодному параллельно, но никто так и не прокоментировал что из этого получиться . Каким макаром защиту транзисторов на RC-цепях? Трансф. тока на ферритах наверно будут уходить в насыщение - тут Вы правы, так как основная несущая 50Гц. У меня есть небольшое кольцо намотанное лентой из ЭТС 0,08мм материал пермолой, попробую намотать датчик тока на нем.
С ув. Сергей

Может и не нужно датчиков тока.
Сама Ваша идея прерывистого тока решает все проблемы в общем-то.
Можно на дроссель кинуть еще небольшую обмоточку и смотреть когда на ней напряжение начнет меняться - это есть окончание тока.
Ловить переход через ноль, к примеру. И подхватывать с задержкой - включение почти при нуле напряжения и нуле тока.

Короче, даташит на TDA4605...Там все есть.

Всё супер, кроме непрямоугольной формы тока... Однако, не так уж сложно добавить транзисторов я думаю... Зато в динамике потери минимальные.

PS Ну это кагбы перспективная разработка, а Вы хотели просто схему запустить срочно.
Так Вы поставьте последовательно с транзисторами мощные шоттки низковольтные навстречу встроенному диоду, зашунтировав их от обратного напряжения маломощными диодами ампера на три , а параллельно ко всей этой петрушке заменитель бывшего встроенного диода - хороший быстрый. Лучше шоттки, если найдете на 150V. И все заработает и так.

С этим все понял! Но этот вариант я давно откинул, он мне не понравился, вроде как подходит к маломощным приложениям, или у меня руки не правильно заточены.

Работы в моем случае - это только намотать трансформатор тока и подключить к готовой на плате схеме токоограничителя на компараторах, единственное правильно сопряжение сделать, то есть так чтобы компаратор не сходил с ума от высокочастотных импульсов, да и при этом сохранить быстродействие защиты. А вот с дросселем так и не понял, Вы наверно имеете ввиду поставить дополнительные дросселя в каких местах?

Что это такое прямоугольный ток? За счет принудительного плавного запирания диода транзистором, то б иж ток спал до ?А и транзистор открылся и запер своим более сильным током диод? А потери в статике - что имеется в виду?

Сергей, спасибо за сей респект, но не пойму какая именно идея, с датчиком тока что ли?

Я уже проектирую схемку для такой защиты и прикидываю кол-во витков для ТТ.
С ув. Сергей


С дросселем конечно тоже можно, но даст ли он нужные высокочастотные импульсы, при чем линейной зависимости может не быть из-за изменения нагрузки, напряжения питания или... Все таки думаю что датчик тока будет линейнее и точнее, и его одного хватит, например поставить перед дросселем - можно контроллировать не только обратный ток надиодах, но и ток дросселя в накачке другим компаратором.

Действительно это надо было запустить еще вчеееера. Но этот фокус я все равно на выходных попробую. А вот с диодами шотки проблемы, у меня их нет, а заказывать - это время да и пока не подобрал. Сидел сегодня в IRF и как раз смотрел на 150...200В диоды, но пока ничего не нашел и похоже прийдется в будущем ставить диоды HEXFRED, например сейчас у меня есть HFA30PB120 - это ультробыстрые диоды 30А 1200В Нажмите для просмотра прикрепленного файла. Надо самые низковольтные и током больше выбрать, пока обнаружил на 400В вот Нажмите для просмотра прикрепленного файла, наверно очень дорогие.
Я ошибся, это два диода в одном корпусе, нашел вот Нажмите для просмотра прикрепленного файла
С ув. Сергей

Не, это как раз для мощных...Ну если нет - то и не обязательно.

Про последовательный шоттки я говорил оттого, чтобы потери в статике уменьшить - нам нужно только немного более напряжение открывания чем основного диода.

Если бы параллельный диод был шоттки на 150V - то последовательный все равно бы был нужен, потому что у высоковольтных шоттки слишком большое падение напряжения. Но работа улучшилась бы и без последовательного - все же меньше тока бросалось бы в встроенный диод.

Если в доме вообще нету шоттки - даже низковольтных - то все на быстрых можно сделать, просто нагрев выше.

По поводу контроля тока - ничего не выйдет со старым дросселем. Не так быстро в нем спадает ток.
И опускать ток до безопасного нет смысла - лучше тогда до нуля, по времени небольшая разница.
И естественно, для этого нужен меньший рабочий дроссель, накапливающий за полпериода всю энергию.
Но как говорил я уже - это новая работа, с неизвестным результатом - так что заморачиваться не стоит..


PS не берите многопереходные диоды...прямое падение при 1A д.б. около 0,6V ...

А последний hfa90nh40r.pdf у Вас слишком медленный... Вам бы 30нс хотя бы...

orthodox, ну Вас занесло . Какие прерывистые токи? Шел бы разговор о DC-DC я бы еще понял. Для нашего случая в нагрузке(индуктивной) непрерывно течет ток 10 милисекунд в одном направлении и 10 в другом. на частоте шим 16кГц можно его вообще принять неизменным в течении периода 62,5 мксек(условно).


И это правильно!! Как информация к размышлению для sna: смотри конец 6 и начало 7 страничек в документе от IR http://valvolodin.narod.ru/articles/Ir/An/an-966.pdf . Как раз твой случай.

Спасибо за рекомендации . Диодов нет, а значит незнаю что и делать. Вроде бы как внутренний диод на транзисторе с неплохими характеристиками.


Я тоже так думаю, поэтому ждать полного отсутствия тока за 62,5мкС безполезно, индуктивность будет гораздо дольше возвращать энергию.

Большое спасибо за ценную инфу! Есть над чем поразмыслить, а пока поставлю в параллель еще мост, вот только пока незнаю полностью запараллелить или все же развязать дросселями?
Может кто подскажет как лучше будет. Почему дросселями по 1мГн, потому что знаю что при 2мГн дросселя давал инвертор 2кВт и не боялся перегрузов просто падало напряжение на выходе но он не звенел так как ограничивался ток, последний раз я уменьшил индуктивность в два раза и получил ...
С ув. Сергей

А раз нет диодов, то может быть стоит подумать и о конкретных IGBT?

Ну, едва ли меня занесло...
В рабочем дросселе ток может быть прерывистым, вкачивая импульсами порции заряда в накопительную емкость...

Я не стану иронизировать и приводить в пример какой-нибудь флай , который на выходе вообще постоянный ток обеспечивает, тем не менее работает в прерывистом режиме...




200-300 нс - не хорошо для лобового решения...
При таком времени восстановления годятся только решения с спадающим током на момент включения...
Ну или решения типа задержки нарастания тока...


Ага, хороший.
По крайней мере боди диод у него вдвое быстрее...
Но падение на нем в два раза больше при 40 А

Быстреют IGBT все время...Скоро решусь начать применять их...

А я уже.
А если переходить на IGBT, то топикстартеру надо поднять напряжение батареи втрое.
И все будет ОК. Ток упадет.

Да у меня лежат образцы упомянутых...
Как решу с динамическими потерями - чего-то соберу...
Не люблю hard режимы...



Это уже на большую мощность...
А можно и понизить - спараллелить аккумуляторы для удобства работы...
Тогда и с мосфетами как-то попроще... А то шоттки не втыкнуть если захочется...

Я как-то прикидывал это дело. Получается, что овчина выделки не стоит.
При резонансе снижаются динамические потери, но возрастают статические из-за непрямоугольности импульсов.
Получается замена шила на мыло, только при возросшем расходе полезных материалов.


С мосфетами - перерасход материалов для классических мостовых и полумостовых схем.
Правда, в схемах с косым полумостом и при синхронном управлении трансом в остальных приложениях,
когда встроенные диоды практически не работают - несколько иной компот...

По-разному можно же... Резонанс необязателен и не везде годится.
Кроме того, как раз IGBT вроде как непрямоугольность тока - не мешает, как диодам...




Я сижу пока на низких вольтах и больших токах... Мне мосфеты лучше...
В статике особого экономического выигрыша до 400 V питания не увидел для себя.
А дубовость их предполагаемая не сильно увлекает - защищать надо как бы, а не рассчитывать на дубовость...

В принципе до этого детища я собирал изолированный от сети трехфазный инвертор (21кВт по 7 на фазу, фазы независымы друг от друга, типа стабилизатора с собственной нейтралью) на IGBT (IRGPS60B120KD), а на полевиках это первое мощное. IGBT работают по мягче токов КЗ не так боются, но греются по круче КПД не ахти, а полевики холодные КПД 0,95. Хотел сразу на IGBT но не нашел низковольтных. Сейчас у меня лежат правда 2шт. IRGP35B60PD и 6шт. IRGP30B120KD - слишком высоковольтные и ток под пределом будут кипятком стоять.
Была сразу задумка сделать DC/DC (+96В/+-375В) и дальше полумост на IRGP30B120KD или несколько в параллель полумостов и через фильтр нижних частот (LC).
Вообщем прийдется єтот уже добивать.

orthodox, каюсь. Может я я поспешил с выводами. Мешает зашореность частотным приводом. Там фильтров во многих случаях вообще нет, а ток в двигателях чистенькая синусоида (напряжение на выходе естественно прямоугольное). Но то о чем вы говорите подразумевает активную нагрузку на выходе емкостного фильтра. Не спорю сформировать синусоиду в этом случае можно. Но индуктивная нагрузка и сдвиг тока относительно напряжения....? нужно думать... тема интересная... .

Здесь получается, что при таком разделении реактивности самой нагрузки вообще "дробятся на куски" и не важны почти.
То есть непосредственно в процесс нарезания синуса не лезут как бы...

Начал продумывать параллельно с тем что раньше делал на эту тему, совместимо вроде...

И получим то, с чем боролись. Не надо низковольтные ничем шунтировать, а надо найти на необходимое напряжение.

Нет. У низковольтных шоттки падение меньше, и шоттки ставятся даже не для скорости, а для низкого падения.
Открываться будет быстрый параллельный диод.
Но при закрывании мало ли какие выбросы - оттого и защитный параллельный маломощный к последовательному шоттки, на всякий случай...

Я не навскидку советовал, а кагбы в теме...

Нарисовать?

Нарисовайте... Хотя, и так вроде ясно... Хотите сказать, что боди-диод не будет открываться вообще?

Ага...к нему шоттки окажется встречно...Не то чтобы старались - просто так вышло...

Вообще-то шоттки либо открыт, либо закрыт напряжением порядка 1 вольта - но поскольку токи в схеме приличные , то ради приличия и по причине паранойи насчет игольчатых выбросов обратно-параллельно ему ставим еще маломощный..Ну, не обязательно, конечно.Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Здесь D1 - боди диод
D2 - низковольтный шоттки
D3 - маломощный высоковольтный диод на случай паранойи
D4 - быстрый диод взамен медленного боди диода для приема реактивного тока.

А мне по душе пока нарезания синуса по методе частотника, во-первых простота схемы, без заморочек получается чистый синус при чем даже под индуктивной нагрузкой. Пробовал очень давно нарезать синус при помощи DC конвертера с задающим сигналом синуса для обратной связи регулировки амплитуды напряжения, добиося кВт но с такой ужасной синусоидой, то есть вся была в пульсациях по контуру, да и сам преобразователь шуршал, хотя частоты за 20кГц были. Вообщем не получилось.
Ребята, все таки кто подскажет как мне лучше запараллелить полевики, с IGBT понятно, а вот полевики не знаю. Или их запараллелить полностью, или:
1. Запараллелить как есть кроме затворов, а затворы развести резисторами.
2. Собрать рядом второй мост, то есть получиься два моста управляющих от одних драйверов разнесенных резисторами, для каждого моста дроссель, эти дросселя соединяются в одну цепь на кондер фильтра. Индуктивность каждого дросселя настроить до нужного ограничения по току.
Что можно ожидать в первом и втором вариантах. Большая просьба прокоментируйте, завтра буду собирать в кучу а метаюсь не зная как лучше сделать. Сейчас накидаю варианты на рисунке, тут показан вариант 2, в нем в дополнение нарисовал сверху один дроссель с двумя обмотками - может на одном сердечнике собрать?
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Жду с нетерпением рекомендаций!
С ув. Сергей

Кстати, хотел спросить заодно. Скажем, для формирования синуса ШИМом используем N периодов модулирующей частоты на период (или на полпериода, неважно) формируемой. Длительность импульса варьируется с определённой дискретностью, определяемой разрешающей способностью ШИМа. Допустим, минимальная длительность такого импульса и есть шаг квантования. Итого, имеем К возможных значений длительности. Значениями N и К будет определяться необходимая тактовая частота для формирования ШИМа, которая всегда небесконечна. Вопрос: каков оптимальный компромисс между величинами N и К с точки зрения лучшего приближения к синусоиде? Как их выбирают?

Сумасшедший простор для творчества...
Тактовая от 5 кгц до 100 кгц , сответственно и качество синуса...
Приличная часть гармоник и тактовой обычно фильтруется выходным фильтром, чаще всего двух ступенчатым ...



Первый вариант - п 1.

Исправил ошибку в схеме, дроссель включается к нижним ключам, чтобы верхние ключи привязывать к одному драйверу по два, то есть к общему истоку.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла


В моем случае частота ШИМ 16кГц, максимальный импульс получается 62,5мкС, но по сути при максимальном регулировании импульс не более 60мкС, но буду еще увеличивать чтобы увеличить время для обратного хода. Количество участков квантования за период 320, что дает очень чистую линию синуса. Длительность на каждый шаг квантования задается по синусоидальному закону и никак не связана с обратной связью, содной стороны имеем недостатки: при включении нагрузки появляется впадина, которая исчезает буквально через пару шагов квантования, с другой стороны преимущества явные в четком формировании самой состовляющей синуса и отсутствие пульсаций так как нет жесткой мгновенной обратной связи. Чем выше частота тем ниже К, а значит ниже глубина регулировки по амплитуде, зато плотность заполнения выше так как выше N и меньше фильтр нижних частот. Дискретность по длительности в моем случае получилась 0,125мкС, то есть возможность 500 выбора длительности.
Думаю что оптимал N и К надо искать для каждого приложения свой, который будет зависить от необходимых электр. характ.: мощность, глубина стабилизации, динамика стабилизации, схемное решение и .т.д... У меня четко 220В, динамика стабилизации выходного напряжения в пределах нормы для бытовых приборов.
Ребята, подскажите как мне лучше запараллелить.
С ув. Сергей

Да нет, я понимаю, но как правильно? К примеру, тактовая ограничена и повышать её некуда. Можно побольше импульсов на период, но с "грубой" дискретностью, а можно поменьше, но зато более "точных". Есть же оптимум?

ОК, Сергей спасибо! Теперь дальше вопросы, если Вы позволите.
1. Не случится ли так что один полевик первым возмет на себя ток и ..., или боди диод который последним закрываться будет? Как при параллельном соединении себя ведут полевики?
2. Почему вариант 2 не подходит? Я уже получил 2,5кВт одним мостом и при 2мГн схема работала устойчива, думал каждый мост так сделать чтобы ограничить индукивностью токи, а при соединении умножить в двое. Или во втором варианте спрятана бомба?
С ув. Сергей

Да нет, просто сложнее...

PS Не грузите реактивные токи в боди диоды...Не надо..

А ответы на вопросы по первому варианту, если не сложно?
Чем сложнее, в наладке, в дросселе (думаю одного хватит) или...?
Всмысле, не понял: "Не грузите реактивные токи в боди диоды...Не надо.." - объясните, пожалуйста, как?

Да просто всегда проще навешать баян из транзисторов, чм что-то другое.
Я не говорил, что второй вариант нерабочий - почему нет?
Я тоже параллелю блоки, если под рукой тольок 50 амперные, а заказ на 100 А...


Так обсуждали же выше, что они медленные у Вас в транзисторах.. схемка для простейшего отвязывания выше...

Критерии оптимизации могут быть разные - меньше гармоник или, например, меньше потерь.
Steplocked Magic Sinewaves

Спасибо большое за ответы!
Я догадывался, но надо было переспросить. Мне ничего не остается как оставить мост без изменений до лучших времен, то есть когда подберу диоды и их приобрету.
С другой стороны я тут прикинул для себя успокоительное:
1. Чтобы купить диоды надо заплатить сумму не меньше чем за транзисторы которые мне обошлись по 40грн., я сомневаюсь что шотки на такой вольтаж будут дешевле плюс дополнительные диоды.
2. При параллельном соединении поднимаем силу в два раза, при этом увеличиваем мощность корпуса за счет двух, уменьшаем сопротивления каналов хорошо, что драйвера с большим запасом.
3. Если ставим последовательно диод добовляем потери, усложняем лишними последовательными связями силовой монтаж, а в итоге получаем возможность избежать сквозных токов транз.-диод ну ни больше чем в два раза и при этом транзистор раскачиваем большим током и получаем увеличенные потери.
Сейчас КПД инвертора 0,95 при 1кВт - думаю что не плохо, добавив транзисторы потери в ключах на этой мощности уменьшаться ну пусть 1.5раза.
Чтобы избежать больших реактивных токах в боди я ограничу ток увеличив индуктивность дросселя, а чтобы сквозные токи уменьшить увеличу сопротивление резистора затвора, то есть немного смягчу его открытие и он помягче закроет боди диод - если конечно я правильно мыслю.
Большое спасибо за помощь, главное что можно быть уверенным что основная проблема в боди диодах, что дальше вылезет будет видно. А пока соберу и погоняю, если не забуду отсниму на фото и выложу.
Скоро поеду в село, но еще раз загляну сюда, может кто еще какое наставление мне даст.
С ув. Сергей

Дроссель можете не увеличивать - ничего не даст.
А дополнительные резисторы в затворе - могут дать чего-то...
Только тогда их шунтировать надо еще диодиком, чтобы закрывание не замедлять - это вроде как не нужно...

У меня ключи вылетели когда я уменьшил индуктивность, а уменьшил чтобы поднять напругу на выходе. Я думаю что зашунтировать диодами хуже не будет, да и закрывать ключи будет по шустрее. Резистор на затворе был сначало 8Ом транзисторы стреляли на более низких токах чем при 18Ом, может при 30Ом будет еще лучше, по крайней мере ключи на 1кВт даже не теплые.

Спасибо, интересует именно минимум гармоник. Я вот методу автора так и не понял, хоть к теме это имеет слабое отношение. Понял только, что период у него разбит на 320 отрезков по 62,5 мксек - отсюда частота 16 кГц. А вот про блоки и то, что их "от 0 до 255"...

В память МК зашиваются коды отрезков на полпериода синуса, получается один блок 80точек, эти блоки формируются от меньших значений длительностей точек до максимальных. Каждый раз МК корректирует стабилизацию выходного напряжения выбирая из памяти блок с нужными значениями.

А отчего не на четверть? Хотя теперь уже все равно, раз сделано...

Да действительно, на четверть - спасибо что поправили.

А что внутри блока (простите за назойливость)? 80 точек с нарастающими длительностями импульсов, а вариантов таких блоков 255, так я понимаю? Отличаются блоки лишь средней длительностью для регулировки амплитуды? Какова минимальная длительность импульса и дискретность её изменения внутри блока?

Кстати, да. Топикстартер поясните, как это вы амплитуду от 0 до 255 регулируете? Скажем, если амплитуда 1 условная единица, то на выходе меандр с частотой 50Гц получается? Я тут как-то делал привод для маломощного асинхронника с вентиляторной нагрузкой, так у меня регулировка амплитуды только в диапазоне 25%-100% получалась. ШИМ примерно такой частоты как и у вас был. Частота синуса от 50 до 450Гц, 33 отсчета на период.

Правильно поняли - это как ступени регилировки. Минимальная длительность зависит от того как Вы раскидаете количество ступеней (блоков), а дискретность внутри блока зависит от частоты, то есть это и есть количество импульсов частоты ШИМ за период в моем случае период для 50Гц.



Взависимости от выходного напряжения увеличиваю или уменьшаю номер блока. Любой блок дает синус, но амплитуда напряжения зависит от питания источника и нагрузки, ну и конечно от длительности импульсов в блоке. Для частотника алгоритм сложнее, так как он связан с изменением выходной частоты, самый простой вариант это UF-регулирование, а вот векторное требует еще и вычисление коэффициента мощности. Если у Вас 33 отсчета при любой выходной частоте, значит ШИМ повторяет несколько раз одну и туже длительности - это уже ступеньки, у меня же каждая точка строится своей длительностью отсюда и чистый идеальный синус. Амплитуда на выходе при таком методе имеет предел внизу, то есть от нуля не получится, у меня на ХХ при 0-м блоке амплитуда в верхней точке синуса порядка 50В, а максимальная равна напряжению питания умноженное на коэффициент трансформации минус небольшое падение на ключах и на индуктивном сопротивлении дросселя.
С ув. Сергей

Прошу прощения, что соскочил. Не подумайте дурного, постоянно немножко занят..., но по-порядку.

Ток запирания диода в таких случаях ограничивают да, снабберами. Снабберы для этой цели могут быть в виде насыщающегося трансформатора тока(ТТ) или в виде ненасыщающегося небольшого дросселя. В первом случае при включении ключа, ТТ выходит из насыщения и берёт на себя всё напряжение на время рассасывания неосновных носителей в диоде, ток при этом задаётся коэф. тр-ции и тем током, который этот ТТ насыщал (обычно это ток основного дросселя). Меняя Ктр, можно задавать амплитуду запирающего тока. Недостаток - включение ключа на ток. Достоинство - ток можно задавать, делать его небольшим.
Во втором случае, как я уже писал, это небольшой дроссель. Ключ включается на нулевом токе, а скорость его нарастания определяется питанием и индуктивностью дополнительного дросселя. Когда ток дорастёт до тока основного дросселя, начнётся рассасывание с прежней скоростью. Достоинство - включение на нулевой ток. Недостаток - амплитуда тока может быть значительной (больше скорость - больше амплитуда).

Предельную скорость тока (для дроссельного снаббера) следует брать из приводимого в data sheets теста на время восстановления (trr=340nS max, при di/dt = 100A/µs для Вашего MOSFET). Хотя производители её не классифицируют как предельную, я читал об этом. Поверьте.

Провод сечением 2мм^2 на постоянке в 5А греться не может, если он медный, а то, что имеется говорит о наличии переменной составляющей тока в дросселе и о наличии вихревых токов (всё-таки 16кГц, 2мм^2, всего-то 1мГ и слоёв-то, видимо, прилично). Словом, дроссель надо рассматривать на предмет эффекта близости.

В файле MOSFET failure говорится, что при большом обратном токе отпирается паразитный нормально-закрытый биполярник (читай body diodе превращается в транзистор) за счёт напряжения на р-слое (напряжение из-за обратного тока), что образует резистор между базой и эмиттером. То же самое происходит при большой dU/dt только из-за ёмкостных связей. Биполярник открылся - капут MOSFEТу.

Что касается Вашей схемы. Я бы включил 2 дросселя с обоих сторон первичной обмотки и два конденсатора, но на минус. Зачем Вам дёргать транс? Дросселя можно (нужно) уменьшить, увеличте конденсаторы, если боитесь плохой фильтрации. Не бойтесь треугольности. Хотя амплитуда увеличивается в два раза (это, если Critical mode), cтатические потери за счёт этого возрастут незначительно - на интервале полуволны RMS увеличится всего на 15-20%, поэтому параллелить MOSFETы я бы не стал. Кстати, при Вашем алгоритме, без нагрузки (или при некоторой реактивной нагрузке) у Вас будет soft switching, поэтому ключи холодные, но при определённой нагрузке всё это пропадает, и проблема. С меньшей индуктивностью дросселя это нагрузка будет больше, а риск меньше. Однако переменная составляющая дросселя будет расти, и будут греться провода даже на холостом ходу. Над дросселем придётся работать.
Решайте сами - или большая индуктивность, холодный простой дроссель, но снабберы, или никаких снабберов, но поиск компромисса в значении индуктивности, её усложнение (может стоить нескольких MOSFETов, а дроссель не влезет на прежний сердечник хоть и витков меньше), или всё же диоды (на все транзисторы). Последнее самое простое.


SNA, все эти вопросы весьма ёмкие, их не раскрыть на форуме, одно перечисление сути занимает кучу места и времени. Но Вы найдёте ответы, если покопаете.

Однако мне понравилась эта ветка, приятно было читать, я получил удовольствие.
Вот ещё интересно - о чём это предупреждают синие кубики под моим именем? Это опасно?

Да, Orthodox, Серёга +500 в мемориз... Ко мне обращаться на ты, особенно в третьем лице, и это всех касается.

Андрей, какие могут быть извинения, все нормально.
На счет снабберов вроде бы понятно, единственное понятней было бы со схемой, то есть куда их тулить (ТТ и дроссели), я так полагаю между двумя встречными транзисторами?
Провод грелся, я имел ввиду что в питающей постоянке ток был 5А, а на ключах хрен его знает, ну где-то в районе 7А. Да, дроссель надо улучшать, как можно ближе обмотку к железу, ну с литцендратом не получится, а вот скажем в 20-ть проводов диаметром 0,5мм можно, хотя наматывал скручивая их в косичку и просто жгутом друг возле друга - эффект тот же, только жгутом намотка плотнее и как мне кажется лучше были характеристики. Вообще проблема с железом, не могу найти ЭТС толщиной 0.08мм чтобы сделать менее габаритный дроссель, или дросселя бы найти с таким железом чтобы с них собрать нужный.

Включить два дросселя и два конденсатора на минус питания инвертора (ключей), даже не знаю что будет. Силовой трансформатор работает в своем режиме синусоидального тока, без него на выходе фильтра уже чистый синус, конденсатора вполне хватает, увеличив емкость кондера и уменьшив при этом индуктивность дросселя увеличаться токи на ХХ и начнет все грется, сейчас у меня на ХХ инвертор потребляет меньше 20Вт, для сегоднящней его выходной мощности 2.5кВт - это очень даже не плохо. Ранее я делал инвертор с синусом на 7кВт, там такой проблемы не было, там не много отличался метод нарезания синуса и кондер 50мкФ стоял на выходе 220В, дрпоссель грелся как печка и его вес был больше 20кг, при нагрузке температура уменьшалась - к этому я возвращаться не хочу.
Пока я решил запустить схему как есть в параллель поставив транзисторы, но к этому я изменил монтаж вокруг транзисторов, навешал на них всякой дребедени (конденсаторы, супресоры), вообщем страшно смотреть, поэтому не фотографировал чтобы не позорится, я сам люблю чтобы было все в акурате. Ко всему этому гальванически развязал выход 220В с питающим минусом при помощи маломощного транса для обратной связи. В программе увеличил длительность мертвого времени верхних ступенек, с 2.5мкС до 5мкС - думаю время для боди диода будет достаточно чтобы разгрузить схему от обратного хода и сбавить ток.
Дальше буду думать над активной защитой (монитор обратного тока, блокировка включения ключа)- это мне кажется будет по лучше снабберов, останется только разработать более простой вариант схемы защиты.
На счет диодов, наверно это неизбежно, прийдется как нибудь их поставить.
Андрей спасибо за разъяснения и рекомендации.

Да кстати, ко мне обращайтесь на ТЫ - это я ко всем обращаюсь.
С ув. Сергей

Всегда от Вас [тебя] что-то интересное узнаешь.
Я до такого момента не доводить старался обычно, не люблю жестко переключать - но все равно в мемориз...
Очень интересный момент...

Кстати, я также не против чтобы ко мне обращались "на ты".

Вот картинки.
В качестве бади дайодов взял MUR7020. Они покруче реальных, но поведение схемы отражают.

Нажмите для просмотра прикрепленного файла Нажмите для просмотра прикрепленного файла



Вот что без снаббера для разных резисторов в затворе.

Нажмите для просмотра прикрепленного файла Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Не забывай про MOSFET failure.

C такими снабберами схема, мне кажется, не защищена от выбросов при другом характере реактивности...
Но как пример, что без них нельзя - суперубедительно.

Индуктор всегда остаётся, а М1 и М2 меняются местами, т.к. ток изменил направление.

Проблема в разрядной цепочке для дросселей снаббера - D4 R3, - при смене квадранта это уже не работает...
Эти структуры надо рассчитывать на все четыре квадранта, оттого я и не люблю двутактных схем...
Но полюблю, когда научусь решать эту задачку