про ток все равно не согласен. по вашим расчетам ток постоянно ипротекает черезпервичную обмотку солового тр-ра я же на осцилографе видел паузы тока примерно 2/3 ширины импульса (к сожалению все произошло слишком быстро чтоб успеть, что то задокументировать) из этого следует напряжение известно ~140в, нагрузка ~440W время открытого состояния каждого ключа примерно 1/3 периуда =>
440/140 /0,33 =9.5А+ потери преобтазователя ~10% так что получается ближе к 12А
я так полагаю что ключи умерли всетаки из-за первышения тока коллектора.

про транзисторы я смотрел в из доступного в www.chip-dip.ru там есть такой параметр коэффициент передачи тока h2 что это ?

Это коэффициент усиления транзистора по току. Т.е. отношение тока коллектора к току базы. Для силового транзистора в ключевом режиме еще важно время рассасывания заряда базы, оно не должно быть больше чем у тех транзисторов, которые Вы используете сейчас. Иначе может не хватить "силы" у цепей управления вовремя закрыть транзистор.

Блин, давно хотел ответить, да кнопки управления у меня куда-то пропали. Долгл искал, но, наконец, нашел.


У меня при моделировании получается 12А.

Если бы знать число витков (или хотя бы коэф. трансформации), то промоделировал бы и процессы в схеме управления и силовом ключе.

сегодня размотал согласующий тр-р с выгоревшего до тла китайца соотношение витков в обмотках 2x37 первичная 2x9 вторичная отвод для связи с силовым тр-ром 2 витка ферит я так понял из надписей EE16

в моем изначасьно стояли транзисторы С2625
сегодня заказал C3996 если возможно смоделируйте, что получится?

Отношение коллекторного тока к базовому во включенном состоянии 9:2=4.5. Базовый ток в таком случае 12А/4.5=2.7А. Считаем, что конденсатор заряжается до амплитудного значения... Может, конечно что-то упущено, но первое впечатление ...
Надо приводить в порядок базовую цепь. Конденсатор при максимальном токе должен заряжаться вольт до ~4..6. Полное напряжение на базовой обмотке не должно превышать Uб=Uкэ.max*(9/37), Uкэ.max- для транзисторов управления (могут пробиться). Не уверен, но "чересчур резкие" попытки менять базовую цепь могут привести паразитным переходным процессам на закрытом переходе и сквозным токам.

Не сообразил сразу. Неплохо бы еще цепь коммутации первичных обмоток управляющего трансформатора знать.

пожалста
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
8,11 ноги tl494 к базам Q1, Q2
свободный вывод R7 к токовой защите.
С1,С3,С4 электролиты.
к "+" С4 диод с катода силового выпрямителя .
R5,R6 измерены в схеме без извлечения (цветовые колца потемнели и не читаются).

про ток базы если можено поподробнее, что то я не совсем включаюсь.
то есть ток базы в моем случае определяется током коллектора и отношением витков вторичной обмотки промежуточного трансформатора и "обмотки связи" так? а напряжение соответственно напряжением питания дежурного режима и отножением витков первичной и вторичной обмотки промежуточного трансформатора? я все правильно понял?
транзисторы управления С945 если память не изменяет до 100в
"черезчур резких" попытокменять цепи управления небыло разве что сопротевления в базе ключей менялись от 4.7 до 4.3 ом . сооствено потому и спрашиваю пара транзисторов=200 рублей.

Задача цепи управления - поддерживать силовой транзистор в приоткрытом состоянии. Энергии для этого "много не требуется". "В приоткрытом состоянии" базовая цепь достаточно низкоомна, поэтому "довольно точно" происходит взаимная компенсация потоков от выходного и базового тока. Таким образом автоматически поддерживается соотношение Ik/Ib, не позволяя транзитору зайти в глубокое насыщение во всем диапазоне рабочих токов. ( Много кавычек из-за попытки упрощенного описания. )
Если увеличивать сопротивление базовой цепи, заданное соотношение Ik/Ib все равно будет стремиться выполняться, однако с меньшей точностью. Часть энергии будет уходить на перемагничивание. На больших токах это должно быть меньше заметно (?). Во всяком случае, пока "сердечника хватает", Ib=k*Ik за вычетом "расходов" на доп. перемагничивание. Выключение силового транзистора происходит при закорачивании обмотки управления ( включаются оба транзистора, принимая на себя выходной ток, Iвых*2/39 на время выключения выходного транзистора ). D5 устраняет шунтирующее влияние цепи питания управления ( когда на управляющей обмотке напряжение превышает питание 12В ). D6 - в цепи защиты, кажется должен идти на компаратор. Сигнал в этой цепи через параметры базовой цепи и трансик характеризует выходной ток.

Вроде пока все..

спасибо объяснение на пальцах вам вполне удалось
однако вопрос о практических изменениях связанных с заменой силовых ключей на более мощные остается открытым. что следует менять и в каком направлении? как проконтролировать "удачность" изменений?

Дать "точечный рецепт" задтрудняюсь. Из общих соображений: для начала восстановить работоспособность. Часто вылетают элементы базовых цепей (следует тщательно порверить все, вплоть до конденсаторов - приходилось сталкиваться с потерей емкости). На малых-средних нагрузках посмотреть ( если Вы еще не сделали это ) сигналы в базовой цепи относительно эмиттера.
Критерием "удачности" будет надежное окрывание силовых транзисторов, отсутствие превышения Uбэ.max, отсутствие "сквозняка", достаточно малая амплитуда паразитных выбросов на базе закрытого транзистора при коммутации "соседа". Мертвое время при необходимости можно увеличить. Конденсаторы в базовых цепях видимо следуте взять "покрепче". Такое впечатление, что хлипковаты они для таких импульсных токов ( можно как минимум поставить парочку в параллель ). R1..R4 надо уменьшать, D1,D2 взять помощнее. R1,R2 определяют обратное напряжение на базе, R3,R4 демпфируют паразитные колебания при коммутации. 2SC945 может оказаться слабоват ( 100ма ). Его "замена" должна надежно закорачивать обмотку управления при макс. нагрузке.
Успехов.

спасибо сегодня привезут транзисторы и помолясь.... во имя альта, контрола и дела и всемогущего ресета - Аминь.

собственно я опять с вопросами.
заменил ключи на воттакие Нажмите для просмотра прикрепленного файла
уменьшил сопративления в базах до 3.9 ом
с нагрузкой 10.5А 18V все хорошо все умеренно теплое.
увеличил нагрузку до 16А ключи начали активно разогреваться.
заменил емкости с 1мкф на 2.2 какихлибо изменений не заметил.
как заставить транзисторы греться не так активно?

Явно базового тока не хватает - транзисторы начинают на линейный режим выходить. Вы видимо уже выходите за ту предельную мощность, на которую рассчитан блок питания. Уже наверное проще новый посчитать и построить, чем этот мучить.
Надо, наверное, резисторы, ограничивающие ток через базовый трансформатор, уменьшать. Но что-нибудь еще может нагнуться - например мелкие транзисторы.

Желательно определить, с чем бороться. Скорее всего, растут статические потери ( маловероятно, но может и сквозняк ). Можно попробовать измерить Uкэ в насыщении. Это позволит как выяснить причину, так и оценить эффективность будущих мер. Т.к. напрямую измерить невозможно из-за большой амплитуды, надо обрезать лишнее. Простейший способ ( полной уверенности нет, но вроде должно получиться ): резистор с последовательной цепочкой маломощных диодов (стабилитрон не желательно - емкость и напряжение большие ) в качестве стабилитнона между К-Э + пробник с малой емкостью. Если взять резистор в районе 3кОм ( ток через диоды 100 ма имп. ) постоянная времени 3к*(15пФ+n*Cd)=... xxx нс, вроде должно быть видно. Удастся измерить - дальше будет ясно куда двигаться . И посмотрите напряжение на базе ( могу ошибиться, но там все должно "зашкаливать" ).

а что уважаемый ALL скажет поповоду такого вот включения транзисторов.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
с поправкой на подбор пар транзисторов?
по поводу того, что я преодолел порог источника полностью не согласен.
этот же источник выдавал 300W и грелся при этом сравнительно не сильно.
вопрос замены ключей стал после того как я попросил от него ~450W
при этом стояли ключи С3024 12А и несколько больше h2
сейчас стоят С3996 у них ток коллектора 15А но при этом меньше h2

Из справочных данных следует, что уже при токе 12 А минимальное значение h составляет 4. В то время как коэффициент трансформации тока управляющего трансформатора - 4,5. Транзистор вполне может выходить из насыщения. У штатного варианта источника этого не происходило, потому что транзисторы имели большее значение h.
Поэтому один из критерий выбора транзистора для этой схемы - при максимальном рабочем токе h должно быть больше 5.

Думаю, что изменения соотношений резисторов в цепи управления малоэффективны. Нужно либо применять транзисторы с большим h, либо уменьшать коэффициент трансформации тока (к примеру, домотав еще один виток в токовую обмотку. Тогда коэф. трансформации должен стать не 4.5, а 3, увеличится базовый ток и транзистор не будет выходить их насыщения)

p/s/ С моделированием схемы управления с ходу не получилось, а разбираться с заморочками пока нет времени.

меня пугает "Полной уверенности нет" , дальше не понятно..
что значит напряжение в базе должно "зашкаливать"?
ориггинальные транзисторы с2625 Iб 3А Uбэ 7в, сейчас С3996 Iб 3А Uбэ 6в отличия не глобальные.
я специалььно в предидущих постах вешал pdf что бы знающие люди сказали где я просмотрел и что изменить.
поповоду сквозняков, ток коллектора с паузами не меньше 2 мкс полный периуд 16мкс.





может в промежуточный трансформатор виток домотать/снять?

Ну вот, пока я дополнение к ответу писал, ты и сам сообразил

R5 и R6 надо, наверное, в любом случае уменьшить. Они ограничивают мощность в цепи базы, а раз ее надо увеличивать, витками не поможешь.
Можно к L3 виток добавить, но это может быть чревато изменением режима силовой цепи. Параллельное включение биполярных транзисторов h не увеличит.
Вообще, биполярные транзисторы параллелятся существенно хуже, чем полевые, т.к. если один оказывается горячее другого, то у него растет h, и соответственно, ток еще увеличивается, пока он не сгорит. У полевика ток при нагреве уменьшается. Поэтому если можно обойтись без запараллеливания, лучше ставить один транзистор.

Другого пути у базового тока как через R1 и R2 нет. Этот ток вынужден заряжать С1 и С2 до амплитудного значения Iб*R1. Ток разряда не соизмерим с зарядным. Обратное напряжение при закрывании ключа прикладывается к переходу БЭ. Вроде многовато получается. Наверное не желательно превышать обратное БЭ больше 6..7В.

домотал виток в L3 на 10А все нормально, на 16 жестко сработала защита начала срывать генерацию.
уменьшил R5 до 75 Ом защита стала срываться меньше но всеже шелестит сволочь ... похоже завтра дорисую недостающую часть схемы и буду задавать дурацкие вопросы


пожалста не издевайтесь над не грамотным.
из этого следует что R1 следует уменьшать вплоть до 2 Ом т.к. Iб мах из даташита 3А
выше мне писали что никаких резких телодвижений, а тут аж в 10 раз!?

Даже и в мыслях не держу . "Критерий истины - практика". Может, в рассуждениях упущен какой-то важный момент (а реально все по-другому). Вам же спокойнее будет - убедиться - превышаются допустимые режимы или нет. Надеюсь, времени и сил много не займет, а даже наоборот, сэкономит. Нужны параметры выраженные в числах. Это позволяет прогнозировать результат, дает уверенность, избавляет от расточительной траты средств и времени методом проб и ошибок. Померял, посчитал, спланировал направление... Изменил... Снова померил. Совпадает результат с прогнозом? O'k. Нет? - где ошибка? Анализ, испралвление... Тогда Вам и "помощь клуба" может будет лишней. Зачем? И так все ясно (извините за "лирическое отступление").

сопротивления R9 R10 уменьшил до 15 Ом
в базе транзистора положительные импульсы амплитудой 5в отрицательные ~7в измерял на R15 непосредственно к ногам врабочем состоянии не подобраться.
полагаю ни какого криминала однако с третьим витком в L3 немогу даже и пытаться подключить еще 90 W нагрузки, защита срывает генерацию...

А если убрать домотанный виток ? По идее, чем больше ток коллектора, тем больше в базу будет добавляться через L3, может и без него будет работать с меньшими R9, R10 ?

только что снял амплитуда напражений не изменилать защита, при почти 300W нагрузки, молчала транзисторы разогрелись до неприличия втечении 30 сек на осцилографе луч сначала начал дрожать потом размазавться дальше услышал как зашелестела защита.

А на базах что при этом - сколько падает на 3.9 ом при открытом состоянии и в момент закрывания транзисторов ? Если на R15 только 5 вольт при открытии , то ток через базу около 1 ампера всего течет, это явно мало. Может надо последовательные с базой сопротивления до 1.8 ома уменьшать ?

Может L2 попробовать уменьшать? 8w... 7w.... ? Вот только есть опасность увеличения времении закрывания из-за бОльшего насыщения.

попробую уменьшить резисторы R11 R12. что полчится напишу.
смотать собмоток L2 невозможно ферит Ш проклеен намотано накаркас в следующей последовательности L2(2 слоя), L1 L1(1 слой), L2 (2 слоя) ,L3 так что смотать с L2 и L1 симметрично невозможно надо разбирать полностью.

Да, по поводу совета домотать еще один виток я, пожалуй, погорячился. Ведь, если я правильно понял, цепь D6, C2, R7 является датчиком токовой защиты. Когда добавился виток, возросли напряжения в базовой цепи (падение напряжения на резисторах). А коэф. трансформации первичка/вторичка не изменилось. Соответственно, напряжение, пожаваемое на вход токовой защиты возрасло, что и вызывает ее преждевременное срабатывание.

нашел в "архиве" выгоревший в дежурном режиме Powerman 300W там стоят транзисторы 13009 от FIR они очень похожи на мои R9,R10 39 Ом R11,R12 2.2 R14,R15 1.8k перекинул к себе трансформатор, R9-12. время разогрева ключей до увеличилось с 30сек до 4 минут потом ток в обмотке силового трансформатора потихоньку стал приближаться к миандру
R5 560 Ом тоже непонятно. транзисторы Q1,Q2 отмаркированы 2222А что это такое непонятно.
какие будут предложения?


точно так

Есть возможность снять осциллограмму на базовых резисторах (R11, R12) ? Из того, что уже намерено, видно, что не хватает базового тока, но вот в какой момент работы его не хватает, не ясно. Если бы Вам удалось измерить ток базы, много чего бы прояснилось.

1.8v положительный импульс 2 ровно отрицательный получается около 800 мА

Форма прямоугольная ? Или сразу выпрыгивает 1.8 В, а потом спадает (за какое время ?) Если импульс не прямоуголный в положительной его части, может 2.2 мкф уже не хвадает для поддержания тока базы ? Какой сейчас максимальный ток коллектора, а то уже сложно это по ветке выяснить ?

от фронта к спаду разница примерно 100мВ думаю что все нормально. явного треугольника нет.

Если я правильно понимаю, что ток коллектора превышает 7 А, 800 ма - мало. Транзистор должен находится в насыщении, т.е, если h=4, то граница насыщения = 1.75 А, для гарантии должно быть 2 А.

я понял колдую...
1 уменьшил К6 до 100 Ом реакции нет.
2 уменьшил R9,R10 до 15 Ом импульс на R11 0.8 в
3 вернл обратно R9,R10 39 Om уменьшил R11, R12 До 1.5 Ом импульс как заколдованый 1.8 V но ток теперь получается 1.2А я провильно понимаю и делаю или у меня шарики за ролики уже заехали?

Давайте, все-таки уходить от "метода тыка". Есть конкретная проблема - перегрев. При каком Uкэ происходит недопустимый перегрев, при каком - допустимый? Если Uкэ нас. будет 2В - это как, горячо или холодно? Нажмите для просмотра прикрепленного файла Если диодиков не хватит, добавьте. 3кОм - не меньше 2W, но не "проволока". Цепочку замыкать только на время измерения, чтобы резистор не сгорел: коснулся, отпустил. Смотреть надо пробником, "хвостики" минимальные (земляной - тоже, иначе будете "цеплять" все наводки). Не желательно, но, в конце концов, можно вынести наружу выводы КЭ на не очень длинных скрученных проводах и спокойно смотреть. Руки лучше пускай будут свободны: все подготовьте в "холодном состоянии".
Нужны данны Uкэ, Iк для "умеренно теплого" и "горячего" состояния.

Если окошко в трансике позволяет, можно попробовать намотать по 1w "в обратную сторону" у базовых обмоток (только аккуратно, не перепутать полярность).

Да, конечно, ток теперь вырос. Течет ли основная часть тока через R9 или через конденсатор ? Может диод уже ток не тянет ?
Меняется ли размах на L2, когда Вы меняете R5, R6 ? Кстати, какая амплитуда сигнала на L2 ?

Увеличилось ли время до перегрева транзисторов при резисторах 1.5 ома ?

сгородил, измерил вот что получилось:
нагрузка 10.6A 18v тут транзисторы умеренно горячие
нагрузка 16A 18v тут транзисторы жутко греются.
периуд следования импульсов 16мкс
измерительный трансформатор (по схеме К2) в первичной обмотке 1 виток во вторичной 100 нагружен на 10 ом.
ширина импульсов тока 5 и 6 мкс соответственно амплитуда на R20 300 и 400мВ.
общий осцилогафа к эмитеру Q4 ампльтуда на диодах собраного девайса 0.2 в положительный импульс и 0.8 отрицательный с нагрузкой 10.6А
0,25 вольта положительный импульс и 0.6 отрицательный с нагрузкой 16А
и что это все значит?
или что то опять нетак сделал?

основная часть тока течет всеж таки через емкость иначе уменьшение R9 увеличило напряжение на R11
если диод не тянет то ему смерть от перегрева, а там все элементы холодные
К обмотке не подобратьсяс одной тороны плата (дорожками к корпсу) с 3х радиатор ключей с одной трансформатор а ноги какраз между радиатором и трансом. короче если для конкретного подсчета то извернусь... вынесу наконец провода
через 2 минуты об радиатор обжегся

Получается, амплитуда тока коллектора не 7А, а всего 4 А ? Выходит, зря базы мучали.

С измерениями на коллекторе что-то, наверное, не получилось, не похожи на правду результаты. Либо, если результаты правильные, то транзисторы перегреваются из-за сквозного тока, например, закрыться не успевают при большой скважности. Какая длина импульса отрицательного тока на базовом резисторе ? Транзистор закрывается в момент, когда из базы перестает вытекать ток, а не в момент изменения полярности на базе.

значит так меряю на R11 осцилограф щупом к базе отрицательный импульс 4мкс 2в (выглядит воттак \__|)нарастание фронта ~1мкс положительный 2 амплитудой 1.4в почти прямоугольник. причем следуют сначала отрицательный затем положительный после положительного затухаюшие колебания длительностью 1.5мкс амплитудой в начале 3в
откуда там сквозняк если импульсы тока в первичной обмотке 3/4 полупериуда !!! еслибы была попытка к сквозняку ток в обмотке присутствовалбы всегда!!!

Не похоже на правду. Во время отрицательного импульса осциллограф должен показывать напряжение на четырех открытых диодах - явно больше 0,6В. И это напряжение не должно сколько-нибудь существенно зависеть от нагрузки.

Сегодня наконец-то запустил модель схемы управления (правда, так и не понял, в чем ошибка была). Много интересного там, оказывается, вроисходит. До конца сам еще не разобрался, как что результаты выложу позже. Пока же у меня получается, что трансформатор не может передать импульс тока без искажений (спад вершины из-за малой индуктивности) и к концу импульса транзистор выходит из насыщения, а иногда даже преждевременно выключается. Но это - предварительные результаты, за достоверность которых я не ручаюсь (не успел все проверить).

а немогли испоганить измерения D10,11 ?

Блин, Вы оказывается щупом к базе меряете. Тогда отрицательный сигнал - это открытие транзистора. Закрывается, видимо, нормально. Сквозняк небольшой можно и не увидеть, а разогреет транзисторы он будь здоров - 0.1 А при 150 В - это уже 15 ватт. Но тут вроде все нормально - 4 мкс открывающий сигнал, 2 мкс - рассасывание, у Вас как раз 6 мкс токовый импульс в коллекторе.

Время открытия большое. 1 мкс фронт - многовато. На трансформаторе базовом такой же фронт ?
У вас 2.2 мкф не электролиты случаем ? У них индуктивность может фронт затянуть.

На коллекторе явно не получилось измерение.

Если так - то я не правильно понял смысла фразы "отрицательный импульс", восприняв его как "закрытый транзистор".

Вот как должен выглядеть импульс после "датчика" (в прикрепленном файле - совмещенные диаграммы токов в первичной обмотке силового трансформатора и на выходе датчика, полученные с тремя разными значениями коэффициента передачи тока силового транзистора)
На первой диаграмме датчика - нормальный режим. Транзистор из насыщения не выходит.
На второй диаграмме - в конце такта транзистор выходит из насыщения и напряжение на нем скачком поднимается до 2,7В и до конца импульса он находится на границе насыщения.
На третьей диаграмме транзистор вызодит из насышения уже в середине такта, напрчжение на нем скачком растет до 2,7В, а потом плавно увеличивается до 3 В.

Во время вызода из насыщения на транзисторе рассеивается большая мощность. Во втором прикрепленном файле - сигналы с датчика и соответствующие мгновенные значения мощности на транзисторе.

значит первое непонимание постов этак на 10 рассеялось.... вы уж извините но причин тут две
1 меня на такое подключение толкнула фраза "измерить ток в базе" ну вот базу и щупал
2 в обратной полярности просто не возможно физически знал бы кнопку на осцилографе нажал

какие тут нафиг 15 ват!!! кусок люминя грам на 200 разогреть до 70 градусов за 2 минуты с 20 ребрами высотой 30мм и активным охлаждением тут как минимум на порядок больше!


естественно электролиты. как в оригинале было так и поставил. если керамика здесь лучше то невижу препятствий...

нижайший поклон. теперь я хоть знаю, что и где искать. там времени на измерения мне 1 минута иначе будет кирдык:-) и шуму хватает. как должно и как не должно выглядеть уяснил теперь как следствие вопрос о методах борьбы с выходом транзистора из насыщения.
что где надо растить и уменьшать. для получения идеала.
и еще вопрос, что за импульс такой с амплитудой -1в ?

Импульс с амплитудой -1B - это когда оба транзистора закрываются, а ток индуктивности рассеяния течет через обратный диод, стоящий параллельно транзистору.

Что нужно изменить в цепи управления - пока точно не скажу, надо анализировать. Пока у меня получается, что самое эффективное средство - использование транзисторов с большим коэф. передачи тока - h. Изменение резисторов почти ни на что не влияют. А вот с коэф. трансформации еще не разобрался.


Еще хочу отметить, что при снятии диаграмм с диодного датчика трудно увидеть "полку" насышения. Поэтому надо смотреть, не стал ли импульс на датчике короче импульса тока трансформатора. Если стал - то есть насыщение.