International Rectifier делает транзисторы с сопротивлением до 10...20 миллиОм, но они позиционируют их как мощные (даже в микрокорпусах) и поэтому ставят внутри диод в обратном включении. А есть ли транзисторы без такого диода, чтобы можно было использовать в качестве аналогового ключа?

А такой транзистор будет работать, если ему сменить полярность на истоке/стоке на обратную? Или, что подразумевается под аналоговым сигналом?

Скорее всего, нет. Можно включить 2 встречно- последовательно истоками, затворы в параллель, и управлять плавающим напряжением- между стоками и затворами.

Будет, только для запирания нужно на затвор подавать отрицательное напряжение, иначе он может открыться от отрицательного напряжения на стоке.

Именно это. Собственно, нужен аналоговый ключ, но сколько я ни смотрел, у всех сопротивление не меньше 20 Ом, а нужно хотя бы 0.5

Может быть Вам полнее огласить параметры сигнала и условия работы? Больше вероятности, что смогут посоветовать что-нибудь подходящее)

Может быть
Нужно сделать делитель напряжения с переменным коэффициентом деления. Для этого ставятся несколько "нижних" резисторов и каджый из них подключается к земле через полевик. Сопротивление самого низкоомного резистора 56 Ом, поэтому для точности 0.1% сопротивление ключа должно быть <0.5 Ом

А цифровой потенциометр не подойдет? Из первого поста следует, что мощности у Вас небольшие.

А нельзя вообще избавится от необходимости коммутировать "земляные" концы делителя? Это давно решенный вопрос.

IRF7301 или подобные сборки.

Мне больше понравиласть IRF7907, у него сопротивление канала меньше 20 мОм. Но там внутри стоит диод, который не позволит работать с отрицательными напряжениями.



А что ето?


А как?

Делается лестничный делитель, коммутируются отводы от него- выходы. Предполагается, что они нагружены на высокоомную чепь.

Но все равно через ключи будет идти переменное напряжение. А в ключах - диоды

Так можно применить специальные ИМС коммутаторов, где эти проблемы решены. или маломощные КМОпы, с выводом подложки.

Название, pls

Я конечно извиняюсь, но вы вообще знаете какая структура MOSFET?
Эти диоды являются паразитными, и без них конструктивно невозможно сделать данный тип транзистора.
Откройте хотябы книжку Воронина "Силовые полупроводниковые ключи" увидите как сделан мосфет.

На мосфетах двуполярные ключи делаются встречным включением, либо в диагональ диодного моста.

При встречном включении получаете суммарное сопротивление чуть меньше чем 2*Rканала_прямое.

Поищите у AD, например. Или, если отечественные- из серии 561,564, 1564. КТ, КП.

Слушай - точняк! Забыл теорию...


Искал, у них сопротивление канала в лучшем случае - десятки ом

Ой, только не надо предлагать это говно. Если ностальгия мучает, то предложил бы ключи серии 590

Да ну? Если вывод истока с подложкой не соединять, то и не будет паразитного диода. Наглядный пример - ну, скажем, транзистор КП305.



Если в этой книге так и написано, что невозможно, то эту книгу - фтопку, аффтара - апстену.


Другое дело, что мощные транзисторы всегда выполняются с этим соединением. Посему, единственное решение - встречно 2 транзистора и напряжение на затворы подавать или выше максимального уровня коммутируемого сигнала на несколько вольт для отпирания (если транзисторы n-канальные), или на несколько вольт ниже минимального уровня для запирания.

Так делители напряжения с переменным к-том деления не делаются. Лучше сделать цепочку последовательно соединённых резисторов с отводами, и коммутировать последние с помощью аналогового мультиплексора.
Мультиплексоры можно найти, например, у AD.
Также можно поискать у ONsemi, LT или Maxim-а.
Если назовёте параметры делителя, подскажу, как сделать конкретно.

Это не г..но, а нормальные микросхемы.
Делитель на них сделать, безусловно, можно.
Г...о же, в основном, находится в головах некоторых особо прытких разработчиков, с трудом представляющих себе действие закона Ома.
И считать они не умеют. 0,1% от 56Ом - это 0,05 Ом, а никак не 0,5.
Прошу прощенья за оффтоп.

4051, 4052, 4053



Будет. Попробуйте откройте мосфет и потыкайте омметром d- s и s-d. Или дц БП со стабилизацией тока


Иногда полезно делить на высокоомном делителе, а потом буфернуть, благо приличных ОУ сейчас навалом

Так, чтобы сопротивление открытого ключа и евонный дрейф были малы относительно стабильных резисторов делителя



Не надо гнать на 590-е ключи, особенно с 5 приёмкой, если их в руках никогда не держал.

Там разница сопротивлений 4-х ключей в одном корпусе... её нет практически.

Неужели я написал что-то двусмысленное?

Как из этого следует, что я "гоню" на 590-е ключи? Может вас смутило то, что я нехорошо выразился ключах 561-й серии? Но они действительно говно и кроме коммутации цифровых сигналов ни на что не годны.

Пардон,777777, показалось

176КТ1 я сам за ключи перестал давно принимать, а 561/564КТ3 только есть, которые что-нибудь на gnd замыкают.

Ну вы конечно нашли с чем сравнить...

Когда найдёте хоть один силовой мосфет без диода, дайте мне знать.

А если вы говорите о P области подключеной к истоку, то я не представляю как вы собираетесь создавать канал в этой Р области если она не будет подключена к истоку. Иначе под затвором просто не будет эл. поля.

Подложкой в мосфете является сток, поэтому эта Р область и образует со стоком диод.

Это всё сказано для N канального мосфета, естественно.

Про книжку: прочтите ещё раз первое слово названия этой книги.

У Вас какие-то возражения? Не такие чернила? Как известно, размер - это еще не главное



Вы невнимательно читаете то, что я пишу. Я написал





Посмотрите на эту картинку. Есть возражения?


Если нет, то объясняю, что для правильной работы полевика с отдельным выводом подложки на этот вывод необходимо подать напряжение меньшее или равное минимальному напряжению на стоке или истоке (для n-канального). Что может быть устроено соединением вывода истока с подложкой. Это и делается в мощных полевиках.

Ну вот, почему- то стало правилом вопросы по делу в бодягу превращать. Я же подчеркивал не использовать в программируемом делителе коммутацию резисторов на землю, и вообще не использовать такую коммутацию, при которой ток делителя протекает через ключ. И даже вроде объяснил, как это может быть сделано. В этом случае ключи коммутируют не ток, а напряжение, и их сопротивление на погрешность деоителя влияния не оказывают. Отсюда и совет- самые дешевые. На 590 у вас денег не хватит, если с приемкой, а не с буквой "К". Я их и не предлагал- поскльку можно обойтись. Не бывает принципиально плохих или хороших элементов- каждому свое место. Бывают разработчики не очень копенгаген.

Возражений нет, зато есть уточнения: это структура МДП транзистора, а силовой мосфет это совсем другой мдп.
Структура силового мосфета сильно отличается от приведённой вами, и использование вами структуры маломощного транзистора при обсуждении силового мосфета я считаю неуместным.

А вообще наш спор о диоде уже выходит за рамки этой темы.

Спасибо, я все понял, сделаю именно так. Но ключи 564 серии все равно не поставлю.

Даже если с буквой К, все равно они будут дороже, чем импортные, я вот нашел ADG411. Но это уже проблема не изготовителей, а нашего правительства, задравшего курс рубля не собирающегося лечить "голландскую болезнь".

Выходит, но давайте все-же уточним до конца.

http://www.irf.com/technical-info/appnotes/mosfet.pdf

Figure 1.

Так объясните, чем чернила для разных классов отличаются? МДП, MOS, MOSFET - это все аббревиатуры названий одного и того-же.

Именно поэтому в ранних аналоговых ключах было принято подавать заведомый минус на подложку.

И даже больше того- в качественных ключах делают следящую схему, которая повторяет переменное напряжение на затворе, тем самым, сохраняя напряжение затвор- подлжка и, таким образом, поддерживая постоянным и независимым сопротивление ключа от вх. сигнала.

А в современных - много хитростей с напряжением подложки, чтобы не сильно менялось сопротивление канала при изменении напряжения коммутируемого сигнала.

Максим, это ,Вам ничего не напоминает? у меня устойчивое состояние дежавю.

Никто не мешает изготовителю встроить кучу всего в кристалл, который позиционируется как 4 ключа. В т.ч. и преобразователи в минуса и кучу следилок.
Мало кто помнит, что в 24ц64 какой-нибудь есть встроенный генератор Vpp.




Эх. РесурсоманИя

А мне объясните, о чем речь? Мне тоже интересно

Вот
и
вот.
Правда у меня нет их опыта применения.

Собственно я под силовым мосфетом подразумеваю то что изображено на рисунке 3.

И на нём как раз видно, что если не подключать область p+ Body Region к истоку, то эл. поля в канале не будет, ну или будет в какой то его части (от n+ области).
Кроме того если даже канал создастся, то при таком поле паразитный JFET в канале будет сильнее ограничивать ток, поскольку в дальней части канала поле будет слабее, этим объясняется горизонтальная область на характеристиках Id(Uds), как видите она сильно зависит от Ugs, а без подключенной к истоку p+ области, это ограничение будет намного сильнее.

Я хотел бы попросить кого-либо из модераторов отделить от этой темы обсуждение различий между силовым мосфетом и КП305 в отдельный топик, и я с удовольствием обсужу там этот вопрос.



В чем же его глобальное отличие от рисунка 1? Кстати, подпись под рисунком 1 гласит про то, что это Power MOSFET.

Если я сделаю отдельный вывод p-области с рисунка 3 и подключу его к точке, напряжение на которой меньше чем на стоке и/или истоке - что изменится?

Этим вы отсоедините анод диода от истока, однако они будут соединены через эту эдс. В итоге получится что мы избавимся от диода только если сделаем эту эдс больше чем приложенное обратное напряжение, а это для силовых приборов весьма приличная величина.

Чем отличается рисунок 1 от рисунка 3 это вопрос к технологам.
Моё мнение что отличие в том что охлаждать прибор с рисунка 3 проще, и высоковольтные версии не будут расти в ширину, а будут становиться толще, что очень важно для высоковольтных приборов на большие токи.

Ээээ... Вот "соединение через эту эдс" - это как? Да повторю вопрос, в чем же отличие от обычного полевика с выводом подложки?

Если следовать вашим словам, то это вот так:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
где эдс - это тот самый потенциал ниже потенциалов стока и истока, описаный вами. Отсюда чётко видно, какие величины обратного напряжения возможны в этом варианте.

Скажу честно, обычные МДП полевики не изучал и не применял, ещё не возникало необходимости.

Почти. Есть еще один диод, он от истока к подложке. Эти диоды - они между подложкой и стоком/истоком, а подложка в мощном полевике соеденина со стоком. Но суть не в этом. Сначала Вы заявляете, что


Затем -



Нет такого "совсем другого мдп - силового мосфета". Принцип всех мдп одинаковый и топологически (в математическом смысле) они одинаковы.

В конце концов Вы заявляете -


Что, конечно, ставит под большое сомнение Ваши первые утверждения

Rst7

Если у вас есть какие то замечания к моим словам относительно теории силового мосфета, то пожалуйста высказывайте это.
А так я уже сказал что в данной структуре избавиться от диода весьма проблематично, по крайней мере без ухудшения параметров.

А мои первые утверждения лучше не ставить под сомнение, а опровергать, если есть что опровергнуть относительно трёхвыводной конструкции транзистора с вертикальным строением. Вдруг я действительно в чём то заблуждался относительно этого строения мосфета.

p.s. Вы мне так и не показали силовой мосфет без диода.

Turnaev Sergey, мне кажется, вы путаете структуры х-МОП и мосфет

В мосфете канал индуцируется полем затвор-подложка. В мощных её можно вывести наружу, только это никому не нужно, так как влечет за собой трудности, начиная от защиты d, s -подложка от обратных (весьма низких до пробоя), до использования четырёхногих корпусов

В мощных мосфетах подложка является стоком, а канал создаётся в области p под затвором. Или вы это опровергаете?

Эээ, когда мы тут говорим "подложка" в применении к mosfet, мы имеем в виду p-область между n-областями стока и истока. Эта область действительно под затвором. И именно эта область выводится 4м выводом в маломощных полевых транзисторах. И ее принято называть "подложка" вне зависимости от физической топологии транзистора.

Можно и опровергнуть, но зачем? на вам понравившейся 3. fig подложка это p-body . Вывод от него вам нужен?

Канал, кстати, индуцируется в n- Epi Layer

За ЭТО, кажется, Алфёрову дали Нобельпрайс. Или за V, я уж и не помню. Давно был курсовик по ФХОМЭ

Это же полевик с индуцируемым каналом. Т.е. канал при напряжении затвора меньше порога представляет из себя p-область (мы рассматриваем n-канальные полевики, чтобы избежать путаницы). Вот когда напряжение на затворе растет, тогда, грубо говоря, канал превращается в n-область.

А вот в полевиках со встроенным каналом - канал уже и есть n-область, и при повышении напряжения на затворе он становится как-бы еще более n и проводимость увеличивается. А чтобы запереть полевик со встроенным каналом надо подать отрицательное напряжение на затвор.

Конечно, это объяснение на пальцах, но оно достаточно близко отражает суть происходящих процессов.

Не верю
Канал там даже подписан, он образуется в р области под затвором, в результате притягивания эл. полем затвора электронов. И это становится как правильно сказал Rst7 фактически n область.

Ещё кстати одна проблема с отделением р области: если мы сместим потенциал этой области ниже потенциала истока, то это будет эквивалентно подаче на затвор положительного потенциала, т.е. открытию транзистора.
Чтобы этого не происходило придётся менять потенциал затвора отностительно этой р области, что для высоковольтных транзисторов становится проблемой, поскольку может пробиться переход исток - р-область, или окисел затвор-исток.
Получается замкнутый круг. Поэтому в такой конструкции мосфета невозможно избавиться от диода.
Конечно можно придумывать и применять другие конструкции, но в этой избавиться от диода очень непросто.


Обсуждение уже до JFETов дошло.

Я пока не очень готов для подробностей

Но у меня есть замечательная книга и эта тема меня натолкнула на мысль её вдумчиво перечитать. Начиная с Чохральского..

Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Спасибо Вам, Rst7, за пробуждённый интерес Вы- Моск!

П.С. За курсовик про топологию из 4-х 213 диодов c эпитаксиями, ионными имплантациями, топологиями и ФШ, кстати, было 4, "минусбалл" за то, что я отказал преподавателю подарить эту книгу.
Потом он уехал куда-то поблизость от silicon valley.
Буду рад, перечитав, продолжить беседу


Вы, э-эээ, не верьте всему подписанному Могут оказаться дрова


Дело в том, я давно замечаю, что и в унитродовских семинарах встречаются объяснения, э--ээ, далёкие от реальности-через-меазуремент&пощупинг

Эти семинары - публикации мнений отдельных неленивых индивидуумов, типа нас тут с вами

Такшта. Мнение личное надо выпестовывать, базируясь на разных источниках



Пацтул свалился от этой формулировки, Коллега

В данном случае я не только сказал где там канал, но и объяснил как он получается, а вы выдвинули своё замечание без всяких доказательств.

А что смешного? То что транзистор откроется?