добрый день.
подскажите, пожалуйста:
планируется использовать полевой ключевой транзистор mosfet (макс. мощность напр. 100ватт) в усилителе аналоговых сигналов частота от десятков кГц до сотен кГц, в полумостовой схеме вых. каскад, рассеиваемая мощность при этом например 70вт на транзистор.
какие при этом будут ограничения на использование его в таком режиме, вроде необходимо снизить мощность, следует ли опасаться шнурования токов и разрушения канала (или это явление возникает на более низких частотах), насколько вообще такой вых. каскад будет "управляем", помню некоторые пр-ли прямо советовали не использовать их ключевые тр-ры в лин. режиме.