Есть ли готовые установки и где по измерению S-параметров отечественных СВЧ-транзиторов в РФ ?

Вопрос в догонку.
Есть ли метод измерения S-параметры без использования дорогостоящих векторных анализаторов ?

http://www.ellics.com/facilities/microwave-measurements
Есть большой опыт по измерению СВЧ транзисторов. К осени совместно с ТУСУРом планируем завершить монтаж уникальной для РФ установки по LoadPull характеризации транзисторов на пластине.

S - параметры в общем случае комплексные величины, т. е. нужен векторник, например, фирмы Микран.

Метод всегда можно найти. Напимер СВЧ генератор+линия передачи с передвижным зондом.
Только мучений много и динамики как у векторника никогда не получить.

Возможно ли получить адекватные результаты при моделировании импульсного усилителя мощности, если использовать S-параметры активного элемента снятые в режиме большого сигнала ?

Это вряд ли! Проблема моделирования нилинейных элементов как раз и состоит в том, что известные параметры, которые используются при моделировании, должны быть измерены в режиме, близком к режиму моделирования. И что за импульсный усиитель? Наверное, радиоимпульсы, раз СВЧ!? Тогда, возможно, какой-то более менее приемлемый результат получится, но тоже под вопросом.

А как будет выглядет данная установка к примеру на диапазон 15 ГГц ? Реализуем ли будет в данном случае зонд для измерения ?

Посмотрите прикрепленный файлик. Там как раз описание подобной установки, но отсутствуют блок-схемы. Попросили со схемой помочь, хотел было по описанию сам нарисовать, но есть некоторые сомнения. Наверняка в каком-то ГОСТе или ОСТе этот метод, как стандартный прописан. Хотя бы номер или название документа.

ИМХО, не стоит заниматься такими мамонтозаврами. С такими методами сейчас далеко не уедешь. Метод, основанный на измерительной линии принципиально работает на одной частотной точке. Пока Вы будете весь частотный диапазон гонять, этот транзистор уже никому не нужен будет!!!

Соласен на счет мамонтозавров. Лучше использовать измеритель компл. коэффициента отражения и передачи.

Синтезировал согласующую цепь комплексно-сопряженную по входу и выходу с транзистором, при этом коэффициент усиления получился намного ниже ожидаемого. Все расчеты проведены в AWR. Непонятно почему получился такой результат, так как все сделано по теории ?

Чтобы получить ответ на свой вопрос, опишите подробно, какие импедансы согласовывали и на каких частотах.

А где-нибудь в России производят автоматические тюнера импедансов типа http://www.maurymw.com/products/rfdcs/load...ds/atsintro.htm? Желательно с гармониковыми нагрузками. В принципе ведь устройство простое- китайцы успешно содрали. А без двух таких коробок измерять парамтеры транзисторов- это явный мазохизм. И что делать с софтом? ведь тюнера должны быть сопряжены с нетворканалайзером в единый комплекс?

Ну, положим, есть и другой способ. Это измерения малосигнальных S-параметров транзистора при различных смещениях, а затем перевод их в Z- и Y-параметры и создание нелинейной модели транзистора. Правда, это требует и измерительной установки, и компьютерного моделирования, например, с использованием программы ICCAP, и конечно это не так просто. Однако, если один раз такое сделал или купил, в дальнейшем нет проблем. Ну а при наличии нелинейной модели, и просимулировать можно соответствующим образом, с учетом высших гармоник и в разных режимах.

Кто нибудь может скинуть ссылку где описана методика измерения S-параметров с помощью векторного анализатора цепей. И нужно ли еще дополнительное устройство помимо самого векторника при этом ?

Методика калибровки если только, а так подключил устройство и измеряй. Дополнительное устройство нужно при измерении параметров компонентов, например.

Одним векторником только малосигналку мерять можно. А для большого сигнала нужны тюнера типа тех, что по ссылке наверху. Сначала с помощью векторника калибруется грубо тюнер, Составляется многомерная таблица калибровок. Потом на транзисторе тюнером грубо выставляется необходимое согласование чтобы привести импеданс к 50 омам (для данной частоты) и потом используя векторник в качестве индикатора расстройки тюнером доводится согласование до наилучшего. Полученное положение тюнера интерполируется по калибровочным таблицам. Меняем частоту и следующая точка или короткими отрезками по частоте где изменение импеданса несущественно.
Хорошие тюнера имеют дополнительные зонды, настраиваемые на гармоники основгого сигнала, что позволяет управлять импедансом и на гармониках. Там алгоритм еще "забавнее".

1. Немного непонял что калибруется (если тюнер, то во всех точках комплексной характеристики тюнера и на всех частотах и на всех мощностях?)
2. как боротся с самовозбуждением при подключеном тюнере.
3. Как разведена плата при измерении? на сайте китайцев сделана фотография ихних тестовых плат. Очень смахивает на типовую что приводят в описаниях на транзистор.

Мне раньше казалось, что при измерении параметров транзистора методика следующая:
а. Запаять на тестовую плату
б. Отрегулировать на нужной частоте
в. Демонтировать транзистор. И измерить параметры входной и выходной цепи.
Следствия из моей гипотезы:
и поэтому когда читаеш описание транзистора то параметры даны в 3...5 точках!!!!
если бы все делалось автоматом то давалось бы больше измеренных точек (запустил автоматическую проверку и пусть измеряет хоть месяц)

p.s.
А кто занимается в россии измерением параметров мощных транзисторов? (У нас, с нашими "технологическими" отставаниями это возможно?)

Мы пытаемся заняться обмером S-параметрами.
Но вопрос в другом: какую мощность необходимо подавать на АЭ для измерения S-парамеров в малосигнальном режиме ?

Мы занимаемся. И еще с десяток-другой компаний. А больше и не нужно. Часто слова про ""технологическими" отставаниями" обусловлены неинформированностью и нежеланием искать.
Кстати S-параметр - это по определению малосигнальная величина (и не зависящая от уровня сигнала). При измерениях на большом сигнале нужно говорить о комплексных коэффициентах отражения, передачи и пр., причем зависящих от уровня сигнала.
Когда используют тьюнеры типа Маури, то имеет смысл их применять как раз при настройках на большом сигнале. На малом - это из пушки по воробьям, проще юзать просто векторник.

Спасибо, поржал!!! Т. е. малосигнальные S-параметры не комплексные и их фазы - это фантастика? S-параметры, по определению, это коэффициенты связи между падающими и отраженными (рассеянными) волнами на портах устройства. Могут быть линейными, а могут и нелинийными (зависимыми от подаваемой мощности), но, тем не менее, теми же S-параметрами рассеяния.

Если очень обобщенно, то , например, у каждого транзистора есть с определенной степенью приближения линейный участок рабочей характеристики, в первую очередь зависит от мощности прибора. Диапазон мощности входного сигнала соответствующий этому участку и будет являться малым сигналом. А вот как, например, оценивать характеристики транзистора для его моделирования, который в реальном устройстве будет работать в импульсном режиме на большом сигнале, вопрос жутко темный!!!

Я небольшой спец и прошу помощи в понимании

к Anga
вопрос про измерение S-параметров:
1. Почему иногда применяют тюнеры а иногда нет? Какие ограничения и различия в применении методов.
Наверно без тюнера не измерить шумовые характеристики но и пожалуй все что я вижу! Разницы м/у большим и малым сигналом не ощущаю. Помогите с пониманием.
2. Как решается вопрос с самовозбуждением транзистора при измерении тюнером? А то все говорят, а ни кто не говорит как.
3. Про вашу работу. Что вы можете измерить? (частоты, мощности, шумы, размеры и т.д.) Я буду горд за нашу науку.



Немного о технологическом отставании:
Я могу судить только о том что я вижу пусть на примере ХОРОШЕГО завода ЭЛЕКОНД (был я там недавно).
- нужен алюминий технический высокой чистоты - в россии не делают, говорят пивные банки проще и выгоднее (закупка или китай или европа).
- нужна химия - все что можно уже израсходовали, в россии не делают (приходится тамже покупать)
- бумага - молчу.....
немного добавлю и скажу для тех кто считает - что алюмин электорлит конденсаторы уже умерли это не правда, без них еще долго техника не сможет обойтись. Я даже готов плюнуть в того кто так скажет.

Про другие отрасли:
Если вы представляете компанию которая разрабатывает микросхемы - то почему я невижу микросхемы по цене, параметрам и габаритам мирового уровня? где наши ERA-3, где наши Atmega, где наши Spartan и акулы? (почему в перечне МОП их нет?)
Про космос:
Видел я блок для космического корабля где устанавливали кварцевые резонаторы HS-49 фирмы сунмао!!!!!! и какой я должен сделать вывод? Технологии замерли на уровне 83 года (оцениваю по 2 институтам нашей страны которые в москве)
Про авто:
Привозят нам (в россию) сборочые линии даже после кореи и китая и мы гордимся нашими новыми заводами и новыми авто!!!!!. Уже свое даже не пытаемся сделать.
Про глонасс:
Разработка РНИИ КП 80 годов, до сих пор не вывели на 100%.
Одежда, чеснок и огурцы из китая.
Куда я должен смотреть? и кого искать?

р.s. Мне интересно измерение S-параметров хочу научится. Могу чем могу помочь тем кто поможет мне.

[quote name='serega_sh____' date='Jul 1 2009, 13:54' post='616110']
Я небольшой спец и прошу помощи в понимании

Я тоже не большой спец в измерении S-параметров. Но пытаюсь провести работу, на данный момент, начитавшись литературы иностранной, конструируем технологические корпуса, чтобы потом попробовать обмерить тупо S-параметры на 4-х портовом векторном анализаторе. Как что то стоещее получиться обязательно сообщу.

[quote name='serega_sh____' date='Jul 1 2009, 13:54' post='616110']
Я небольшой спец и прошу помощи в понимании

Чем больше занимаюсь проработкой измерения S-параметров отечественых транзисторов, тем больше хочеться обратиться с этим вопросом к кому-нибудь насторону. К примеру к http://www.ellics.com/facilities/microwave-measurements

Какова мощность транзистора? Если более 10 Вт и на транзисторе будет питание в момент измерения (а как иначе? :-)) то тупо лишитесь анализатора, спалив вход загенерившим транзистором. До 10 Вт в принципе можно мерять с аттенюаторами. А при больших мощностьях нужна согласованная нагрузка по входу и выходу. По выходу лучше применть load pull, отдельный мощный ВЧ усилок со следящим генератором, который работает в противофазе с измеряемым транзистором и "съедает" всю генерируемую вч энергию.
Не забывайте, что анализаторы в основном 50 омные по входу и выходу, поэтому н той зондовой станции что на фотографии можно мерять только достаточно высокоомные транзисторы (малой мощности). Если вы попытаетесь обмерять на ней 50 ваттный транзистор в режиме большого сигнала, то будет фейерверк ценой в несколько килобаксов как минимум.

Зачем S-параметры? Почему недостаточно вх и вых импедансов (измеряемых по старинной методике Моторолы).
В чем проблема обмерить на векторнике мощный каскад, скажем на 30 Вт. Ставим нв выходе 100 Вт аттенюатор на 40 Дб и вперед. Я это проделывал с RD30HVF1 и векторником Advantest. Настраивал вручную цепи на входной КСВН и максимальный КПД при заданной вых. моще и частоте, затем вынимал транзюк и обмерял полученные импедансы вх и вых. цепи на настроечной плате. Правда, импедансы мощных каскадов очень низкие - 0,5...1 Ом и точный замер просто невозможен.

Аттенюатор то 50 омный, а транзистор, как сами справедливо заметили, 1-омный. Что будет со стабильностью схемы?. А с транзистором? Моща то пойдет обратно в транзистор при таком КСВ, а не рассеится в аттенюаторе.
А вот тут вы сами тюнером работали, только не автоматическим а ручным с педальным пардон, паяльным приводом :-)
Потому что S-параметров достаточно для моделирования схемы (по крайне мере при таком самом режиме каскада). И если уже возможность померять вх и вых импедансы, то что стоит на автомате домерять еще два коэффициента?

Дык я же согласовываю выходной цепью 1 и 50 Ом, зачем моще идти обратно?
Естественно согласование делаю аккуратно, сначала при пониженном питании и смещении, чтоб не попалить.
К-ты передачи S21 и S12 померить можно при наличии включенного каскада, и S11 тоже.
А вот S22 - косвенным образом оценить через комплексно-сопряженное сопротивление выходной цепи на плате.

А что мешает составить нелинейную модель транзистора и расчет согласующих цепей проводить в каком нибудь симуляторе???
Ну а если усилитель в классе А, то для расчета согласующей цепи по критерию максимальной выходной мощности достаточно и малосигнальной модели.
Например у "IMST" (www.topas.imst.de) есть программа для расчета параметров нелинейной модели транзистора, по измеренным малосигнальным S-параметрам (вроде и пробную версию скачать можно).
Также довольно подробно эта процедура описана во многих книгах.

Например вот здесь довольно подробно описана процедура составления малосигнальной и нелинейной модели

За статьи спасибо. А по поводу только моделей- в этих же статьях видна верификация модели измерением реального транзистора. Чем мерять будете? Или надо впихнуть старый советский транзистор в новую разработку (ну попадаются странные заказчики). Или расскажите мне как по малосигналке наристовать модель для GaNовского транзистора, особенно для такого, которого еще в реале нет, и ширина затвора еще не выбранна итд. А когда кристалл сделают, прийдется мерять S-параметры при полукиловатной мощности, а иначе неинтересно.
Чего вы боитесь так этих тюнеров? Обычная воздушная коаксиальная линия. Ездит по ней пара стабов фторопластовых, ближе-дальше пододвигается. Три шаговика, три ходовых винта. Не сложнее матричного принтера устройство.
Кстати, выпаивать транзистор ненадо именно потому, что тюнера прокалиброванны перед измерением, и по калибровочным таблицам интерполяцией импедансы легко вычисляются.

Еще раз повторюсь для составления нелинейной модели транзистора, ненужно измерять S-параметры при большой мощности. А проверять ее адекватность надо уже в спроектированном усилителе.

Модель СВЧ транзистора как мне кажется очень сложно описать не имея в этом опыта, все равно что пальцем в небо попасть. И вообще данную модель только сам разработчик этого АЭ может привести, если таковой вообще есть на отечественые АЭ. А так нам то надо S-параметры на 2Т9119А-2, 2Т982А-2 и т.д. по перечню МОП, которых нету в ТУ. За скромное вознаграждение конечно же.

Как я понял основные специалисты измеряют мощные транзисторы и на низких частотах.
1. А зачем вам S-параметры для мощных транзисторов?, ведь вы при постановке задачи нарушили основные концепции S-параметров. (S-параметры - параметры малосигнальные). Это первая погрешность которая у Вас вкралась. Потому что Вы разогнали свой транзистор до P1db или еще хуже до P3db.
2. Погрешности при измерении и калибровке, особенно по фазе! у вас еще сильнее сведут ваше творчество к нервному стрессу.
3. Если вы измеряли параметры транзисторов то:
3.а. Есть ли повторяемость параметров у транзисторов?
3.б. Сходятся ли Ваши измеренные модели с реальными (отрегулированными) платами. Или потом как обычно все индием залеплено.

Может мы говорим не о том? Может S-параметры правельнее применять для расчета других цепей? (например малошумящих транзисторов)




Можете набросать эскизик схемы измерения? (Цепь согласования содержит 2 порта (вход и выход), если к одному порту подключен анализатор то к другому подключен .....). Как калибруется это что то что подключено ко второму порту? Какая конструкция у этого чегото?


1. Почему? измеряют ведь ESR конденсаторов при помощи E4396 а это тотже векторник, но с установленной програмкой пересчета матрицы рассеивания.
2. Как Вы оцениваете погрешность измерения? может она у Вас превышает измеряемый параметр и поэтому вам показалось, что точный замер не возможен.

Слушайте, откуда Вы взяли про малосигнальность S-параметров, дайте линк что ли!? S-параметры связывают падающие и рассеянные на (от) устройство(а) волны!!! Выбрали мощность зондирующего сигнала и измеряете при этом эти параметры, взяли другую мощность - опять же получаете S-параметры, но если устройство начинает проявлять нелинейность, они будут отличаться.


Потому что векторники имеют минимальную погрешность при подключенном импедансе, близком к 50 Ом.

P. S. Кстати, S-матрица рассеяния, а не рассеивания, правильно обзывается.

А что физика работы отечественных транзисторов отличается от зарубежных????????
Причем разработчики не всегда предоставляют модель транзистора.
Что касается измерения S-параметров элементов (любых), непосредственно в референсной плоскости , то в app.note у agilent все довольно подробно описано
(еще важно обратить внимание на фазу сигнала при составлении модели разъема)

Не физика а документация. Где вы видили S-параметры для отечественных транзисторов? Хотя бы в виде одномерных таблиц, а не многомерных массивов (частота, ВЧ мощность, режим по постоянке).
Аппликуху agilent надо тоже с головой читать. Там как то умалчивается, что вдали от 50 ом получится полная фигня. В принципе, можно обмерять не очень мощные транзисторы используя самодельные направленники с волновым сопротивлением 12.5 ом или 5.55 ом, а после и перед векторником ставить трансформаторы 1:4 или 1:9. Но это только в том случае, если векторник позволяет использовать внешние направленники, т.е только самые дорогие модели. И набор калибрационных мер тоже нужен низкоомный. По крайне мере мы S-параметры лазеров для СВЧ модуляции именно так обмеряли, но там хоть мощности высокой нет-

Почитай вот это, и открой прикрепленные файлы, там тоже можно почитать:

И еще советую походить на лекции по математическому моделированию к какомонибудь хорошему преподавателю. А то тут пальцы растопырил.
Слово малосигнальный, смысл не в величене мощности работы, ведь она всегда относительна.

И давайте не будем спамить. Лучше по существу и без личностей.

А вот про погрешность на 50 Омах вы правы. Я изучил документацию на анализатор.
Тогда как измеряются транзисторы с 1 омом по входу или выходу(мощные например)? Это же вообще получается не зачем делать с не нормированными погрешностями.......

Как-то не "вставляет" сейчас столько английского перерабатывать, тем более с переводом таких тонких терминов могут возникнуть неоднозначности... Поэтому объясните мне Вашу фразу:

И, соответственно, следующую:

В чём по Вашему смысл малосигнальности? Давайте уж определимся с терминами.


Никто ничего не растопырил, а на личности, ИМХО, Вы уже начали переходить, хотя, согласен, на них переходить не следует, иначе никакого коструктивного диспута не получится.

Да, это проблема наших транзисторов. Только почему-то производители никак не проснутся. Наверное, старый принцип совковский, что к ним придут, в ноги начнут кланяться и просить продать продукцию. На многих предприятиях в службах снабжения, по крайней мере, засели люди именно с таким совковским восприятием, а руководство даже не догадывается (это тоже уже проблема, но руководства). Приходилось на таких нарываться.

Вообще, для получения адекватных результатов, параметры транзистора надо измерять в условиях, максимально приближенных к его рабочим в готовом устройстве, но далеко не всегда это возможно, поэтому и проблема стоит очень остро. В некоторых векторниках предусмотрена возможность измерения большесигнальных S-параметров двухчастотным методом, но в этом методе уже заложена неустранимая методическая погрешность в определении (S11, S21) и (S12, S22) на разных, хотя и близких частотах. Да и вообще малопонятна физика большесигнальных параметров при возбуждении усилителя со стороны выхода, как "ответит" на это транзистор и как это применять!?

Полность согласен с автором данного утверждения, но возникает вопрос, как в таком случае буржуи приводят s-параметры измереные в малосигнальном режиме http://www.eudyna.com/e/products_e/s_param..._parameter.html. По ним они проектируют усилители мощности. Получается что s-параметры измеренные при малом зондирующем сигнале (это и понятно векторник больше и не даст) мало будут отличаться от s-параметров измеренные при большом зондирующем сигнале (если это возможно) ? Иначе бы их УМы не работали.

Прошу прощения, я погорячился с личностями.

Привожу Вам статью где дано определение малосигнальности.
На стр.11 по файлу* (или 1-4) первая строка на листе(Перевожу как умею):
S-параметры полностью определяют поведение устройства при малом сигнале.

И мой коментарий - малый сигнал, характеризует устройство находящееся на линейном участке своей характеристики. Будь то, диод в открытом состоянии или транзистор в режиме А. Если же устройство начинает вносить нелинейные искажения, например сигнал становится большим, нужно описывать устройство другими, нелинейными характеристиками (например SPICE моделями).
Мощные транзисторы работают на участках с искажениями, обычно в точке с компрессией P1db (обусловлено получением максимального КПД). Вот от туда и растут ноги.
Достоинства и недостатки обоих видов моделей думаю Вы знаете....

По поводу S-параметров отечественных транзисторов:
Мое предположение. Технологии изготовления не позволяют получить повторение характеристик транзисторов (большой разброс параметров). Поэтому нет смысла приводить, то что изменяется очень сильно.
Вы измеряли характеристики отечественных транзисторов? повторяются ли характеристики от транзистора к транзистору в пределах партии или от партии к партии?


* - Прошу прощения прикрепить файл не получается, размер 5Мбайт.
Название: "S-parameters...Circuit Analisis and Design (AN 95) Agilent
Номер документа: 5952-0918
Издание: Сентябрь 1968

Ну вы прикололись . 1968 год- это более менее только S-параметры изобрели и стали внедрять. Понятие о большом сигнале для СВЧ транзисторов того времени- это вообще абстракция. Просто привыкните к тому, что на большом сигнале S-параметры это не одномерная табличка от частоты, а весьма многомерный массив, иногда даже с гистерезисом. Даст ли не даст производитель диск с этим массивом- это часто впрос подписания NDA. Необходимость этого массива для проектирования усилка тоже вопрос открытый. Зависит от широкополосности, необходимости работать с глубокой АРА на разных уровнях мощности итд. А SPICE модели только на НЧ используются.

Статья хоть и не свежая, но суть затрагивает. Не всегда новое это хорошо. Вы меня не убедили в том, что статья прокисла.

А вот про, то многомерный массив S-параметров я не слышал. Можно попросить у Вас нескролько статей на эту тему для затравки.
В каких программных продуктах это реализовано?
Кто из производителей мощных транзисторов делает такие массивы?
Почему они не для всех? (это же тормозит продвижение товара)

Может это еще одна идея от какогото производителя, которая пока не нашла широкого применения.

Дык вроде идея от Maury Microwaves. Читать например мануал от Automated Tuner System http://web.doe.carleton.ca/~nagui/labequip...ull/MT993-2.pdf Обратите внимание на Sweept power режимы и визуализации этих данных.

В описаниях не некоторые элементы приводятся характеристики устройства при разных напряжения питания. Вы это имеете в виду? Возможно есть и более подробные измерения. Но нужны ли они? Если их будет больше, то у меня монтажница лучше паять будет, или AWR расчитывать точнее будет?

А как по Вашему моделируют нелинейные характеристики устройств? Используют какие модели?



То, что я увидел:
Если это работает, то очень хорошо. Молодцы буржуины. Я рад за них.
Это комплекс для измерения параметров устройств. Автоматизированный. И ни чего более. Пусть я хоть и перестыковываю кабели при измерении но делать могу много из того, что они рекламируют (хотя пока еще не получилось нормально измерить S-параметры, чтоб показания были приближены к типовым).
Про тюнеры - это не панацея от всего. Мутные они какие то. Я пока не понял почему.
Про измерение шумов у них тоже немного странно (ГШ-НО-НО-Bias-tuner-СУ-DUT). Могут ли они измерить 0,4дБ с таким нагромаждением на входе (на картинке измеренное значение 6дБ). Я еще поизучаю как они калибруются. А то все просто, чего наши институты так схемы не стыкуют.

Все таки это не то что мне хотелось увидеть. Это описание инструкция по работе с оборудованием. А у вас есть материалы в которых проводятся исследование адекватности полученых результатов. Методику с раскрытием погрешностей при измерении больших сигналов. Повторяемость результатов при разных входных воздействиях. Измерять можно все и всем, вспомните мультик про 38 попугаев.

Обьясню почему я косо смотрю на это и часто не доверяю рекламным проспектам и этому волшебному оборудованию: - есть такое понятие "волшебный бубен", это когда сидит дядька с папиросой и измеряет все параметры какие нужно, периодически постукивая в бубен. Мне не хочется пологатся на "волшебный бубен".

Рад, что удалось повеселить. Однако, если бы вы перед тем как "ржать" внимательно прочитали мой пост, то увидели бы, что я говорю только о том, что S-параметры - это малосигнальные характеристики и нелинейными не могут быть по определению. Это, по сути, вопрос терминологический.
Коэффициенты связи - это более широкое понятие, и именно поэтому Agilent пытается ввести и измерять кроме S-параметров и другие характеристики связи.



1. C тюнером можно непосредственно настроиться на максимум мощности (или КПД) для активного элемента в режиме большого сигнала, а затем воспроизвести параметры тюнера в топологии согласующих цепей. Универсального тюнера (типа Маури) у нас нет - есть самоделка.
Из-за нелинейности параметры рассеяния транзистора в режиме малого и большого сигнала могут заметно отличаться, поэтому схема, хорошо согласованная на малом сигнале (в т.ч. путем измерения S-параметров), может не давать характеристик большого сигнала.
2. Решается как везде - настройками тюнера стараются не допускать
3. Можем мерить S-параметры, шумы, ВАХ, CV. Строим нелинейные модели. А что вам нужно?

Что касается отставания.
Конечно, мы по многим параметрам отстаем, но не по всем. Самая легкая позиция - стоять и посыпать голову пеплом: "мы отстали навсегда", гораздо труднее и почетнее - у себя на своем, пусть маленьком участке, добиться мирового уровня или выше. Я сейчас наблюдаю, что максимум отставания наблюдается даже не в оборудовании, а в головах.

Между прочим система GPS - разработка еще более старая чем Глонасс.

Рынок бу измериловки и технологического оборудования широко развит и используется во всем мире, а не только в России.

"почему я невижу микросхемы по цене, параметрам и габаритам мирового уровня? где наши ERA-3, где наши Atmega, где наши Spartan и акулы? (почему в перечне МОП их нет?)"
Росийские чипы для часов и калькуляторов по цене победили большинство остальных и имеют то ли половину то ли 2/3 мирового рынка - хотя это и не бог весть какой успех.

Цитата(EUrry @ Jul 4 2009, 23:11)

Слушайте, откуда Вы взяли про малосигнальность S-параметров, дайте линк что ли!?

См. например M. Albulet "RF power amplifiers" стр.47:
" The most common RF small-signal amplifier design procedure is

based on small-signal two-port parameters (y- or s-parameters). This is a

systematic, mathematical procedure with an exact solution and can be

applied to any active linear device. Unfortunately, these parameters are

useless for the design of very nonlinear RF PAs ... "




В принципе вы говорите правильно. Единственое: усилитель в классе А может таки работать и в нелинейном режиме, например вблизи компрессии.

Разброс действительно имеет место. Но как мне кажется дело не в нем, а в отсутствии хорошей метрики, плюс не очень ясное понимание изготовителями востребованности этих характеристик.

Нельзя ли ссылку на файл Agilent


Это всего лишь описание методики измерения.
Ни одна фирма не приводит для своих транзисторов "многомерных таблиц S-параметров для разных уровней входного сигнала и пр." независимо от NDA. Ни один CAD не заточен под работу с такими многомерными таблицами.
Есть S-параметры (возможно в разных режимах по питанию), есть нелинейные модели. Все остальное - это фантастика или благие пожелания автора поста + стремление переусложнить ситуацию, чтобы объяснить свое неучастие в ней

В таком случае указанные Вами комплексные коэффициенты отражения и передачи также не будут являться нелинейными. Они выражаются через те же S-параметры. При S11 = S22 = 0 коэффициенты обратной и прямой передачи равны S12 и S21.
Тогда уж "истинно" нелинейной характеристикой является, например, амплитудная Uвых(Uвх), которая и иллюстрирует нелинейность в прямом смысле этого слова (на СВЧ, наверное, корректнее мощности использовать). Эту характеристику можно либо измерить, либо рассчитать на основе измерений тех же S-параметров при различных уровнях входного сигнала (или, если хотите, комплексных коэффициентов отражения и передачи, которые в конечном итоге могут быть выражены через S-параметры).


Ну и где здесь доказательство? Просто говорится о том, что большинство малосигнальных усилителей проектируется с использованием двухпортовых малосигнальных параметров, но при этом не утверждается, что S-параметры только малосигнальными и бывают. Более того, если бы они являлись таковыми по определению и более никакими иными, то приставку "малосигнальные" просто бы опускали. К чему таскать ненужные слова?


+1

Их нелинейность выражается в их зависимости от уровня сигнала. Еще раз повторюсь - спор здесь терминологический. S-параметры - это частный случай коэффициентов отражения-передачи при малом уровне сигнвала. В общем случае коэффициенты отражения-передачи не выражаются через S-параметры.


Доказательство в том, что когда говорится о малосигнальных параметрах, то этот термин расшифровывается (в скобках). Т.е. подразумевается, что это синонимы. Соглашусь с вами, что таскать за S-параметрами приставку малосигнальные - это определенный признак недообразованности.

Да, спор терминологический. Известное правило формальной логики: прежде чем спорить, договоритесь о терминах.
Тогда получается, что ни S-параметры, ни указанные Вами коэффициенты отражения/передачи (но, еще раз повторюсь, все эти характеристики взаимосвязаны) не являются нелинейными характеристиками, т. к. в них нет нелинейности, если, конечно, не брать их зависимость от уровня сигнала в одной частотной точке для одномерного случая. Для многомерного случая нелинейность будет "проявляться" при рассмотрении массива частотных зависимостей S-параметров при разных уровнях сигнала.
Поэтому термин "большесигнальные" подразумевает линейные, например, частотные параметры, но с оговоркой, что измерены они при каком-то конкретном уровне сигнала и косвенно, а может прямо, указывают на нелинейную зависимость. Так что вопрос философский!

В общем вдвоем спорить не гоже: ни о чем можно не договориться. Надо, выслушать многие мнения.


В данном конкретном контексте, но не в общем. Так что пока я остаюсь при своем мнении.

Согласитесь, что слова могут только запутать читателя.
По определению линейные параметры - это параметры независящие от уровня сигнала, что, как правило, выполняется при достаточно малом сигнале.

Соглашаюсь, поэтому и говорю, что вопрос философский. К "истинно" нелинейной характеристике, как я говорил, следует отнести амплитудную. Но тем не менее определение "большесигнальные" несет смысл указания нелинейности параметров и указывает на то, что их, в отличие от линейных или малосигнальных, можно использовать при строго определенном уровне сигнала. В свою очередь, определение "малосигнальные" тоже накладывает ограничение на уровень сигнала, но не на конкретное значение, а на некоторый диапазон, в котором не проявляются нелинейные свойства устройства. Ну а без всяких определений параметры носят линейный характер.

Таковы мои измышления! Критикуйте!

Для повышения моей самооценки и патриотизма, можете сообщить
S-параметры:
- диапазон частот? (... до 1ГГц или выше)
- мощности (малошумящие или мощные или прочие)? (потому что мощные сложнее, и до каких мощностей измеряли)
- шумы? (Кш или Гопт)
- время Вашей работы по измерению параметров?
- при измерении сколько "случайно" выгорает исследуемых элементов?

Если есть возможность. Можно фотографию рабочего каскада , смоделированног по вашим данным!!!!!! (желательно не регулированного, потому что если все залеплено регулировочными элементами то грош цена такой модели)


Нелинейные модели?
время Вашей работы по измерению?
---"-- Можно фотографию рабочего каскада ---"----

Вот ссылка.
Измерение S-параметров AN95