Цитата(l1l1l1 @ May 8 2014, 13:38) 
я вам задавал вопросы про сервер лицензий.
вы снова не отвечаете на вопросы.
на вашей второй картинке написано:
это ответ.
вы снова не отвечаете на вопросы.
на вашей второй картинке написано:
это ответ.
О Я шайза.
Полная версия этой страницы: Вопросы по Agilent ADS
Форум разработчиков электроники ELECTRONIX.ru > Аналоговая и цифровая техника, прикладная электроника > Rf & Microwave Design
О Я шайза.
Подскажите пожалуйста где взять элементы 2 и 4 (или это простой резистор?) . Заранее спасибо
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
2 элемент это диод Шоттки
элемент 1 - "Sources-Freq Domain"-"P_1Tone"
элемент 4 - "Simulation-S_Param" - "Term"
элемент 4 - "Simulation-S_Param" - "Term"
Челом бью, третий день не сплю, 4й не ем, не могу решить....
Как работать с данными из датасета в Measuremet Equations? Пытаюсь действовать по аналогии с дата дисплеем:
my_dataset = "имя моего датасета"
a1 = $my_dataset..var1
a2 = $my_dataset..var2
получаю: Unknown exception ocured... Хелп до дыр зачитал, ничего не нашел... помогите... спасибо!
Как работать с данными из датасета в Measuremet Equations? Пытаюсь действовать по аналогии с дата дисплеем:
my_dataset = "имя моего датасета"
a1 = $my_dataset..var1
a2 = $my_dataset..var2
получаю: Unknown exception ocured... Хелп до дыр зачитал, ничего не нашел... помогите... спасибо!
Ребят, подскажите, пожалуйста. Как импортировать в версии 2011 года данный архив. В котором присутствуют файлы формата .s2p и главный файл формата .dsn
В инструкции, которая лежит внутри дан алгоритм для ADS более ранней версии, где в окне Schematic присутствует кнопка copy design
В данной версии не нашел ничего подобного.
В инструкции, которая лежит внутри дан алгоритм для ADS более ранней версии, где в окне Schematic присутствует кнопка copy design
В данной версии не нашел ничего подобного.
Закину очередной невод....
Как автоматически преобразовать mdf файл в датасет?
Через дата файл тул руками я умею. Можно ли это как-то это автоматизировать?
Как автоматически преобразовать mdf файл в датасет?
Через дата файл тул руками я умею. Можно ли это как-то это автоматизировать?
Цитата
Как автоматически преобразовать mdf файл в датасет
AEL должен позволить это делать, только разбираться с AEL не всегда быстрая история
да я тоже думаю, что можно написать какую-то юзер дефайнед функцию, только я там в упор не вижу инструментов для этого...
в хелпе АЭЛа ниче похожего не нашел.
апд: действительно, нашел я файл dftool.atf в котором внутри видны куча ф-ций вида df_*. и ни одна в хелпе не описана, такого раздела df вообще нет. из файл, атф, понятно, сложно что-то выяснить.
может где-то в закрытых закромах есть описание семейства df ?
в хелпе АЭЛа ниче похожего не нашел.
апд: действительно, нашел я файл dftool.atf в котором внутри видны куча ф-ций вида df_*. и ни одна в хелпе не описана, такого раздела df вообще нет. из файл, атф, понятно, сложно что-то выяснить.
может где-то в закрытых закромах есть описание семейства df ?
Возможно вопрос не совсем по теме, но попробую...
Может у кого есть хоть приплизительная стоимость лицензий для ADS?
(на одно рабочее место и на 1 физический CPU)
Может у кого есть хоть приплизительная стоимость лицензий для ADS?
(на одно рабочее место и на 1 физический CPU)
Цитата
Может у кого есть хоть приплизительная стоимость лицензий для ADS?
В чем проблема обратиться напрямую
www.agilent.ru
что перекинет вас на
http://www.home.agilent.com/agilent/home.j...c=rus&cc=RU
там телефоны указаны, звоните и узнаете из первых рук.
Цитата(nadie @ Jun 2 2014, 12:12)
AEL должен позволить это делать, только разбираться с AEL не всегда быстрая история
в папке bin оказывается есть секретная консольная утилита ds_import (и аналогичная экспорт)... она и конвертит нужные мне MDIF в датасеты.
Написал cmd, всех делов на один for оказалось...
Во всяком случае, это гораздо быстрее чем руками 10 файлов вводить. Как-то так все засекречено у агилента....
Цитата
утилита ds_import
А описание ключей и параметров, откуда откопать удалось?
Цитата(nadie @ Jun 19 2014, 00:15)
А описание ключей и параметров, откуда откопать удалось?
ds_import /?
вот батник для конвертации кучи Generic MDIF файлов из текущей папки InputDir в датасеты из папки OutputDir
Код
@set InputDir=%CD%
@set OutputDir=C:\ADS\MyPrj_wrk\data
@set ADSDir=C:\Agilent\ADS2014_01\bin
For %%a IN ("%InputDir%\*.mdf") do %ADSDir%\ds_import.exe "%%~fa" -t gmdif -d "%OutputDir%\%%~na.ds"
@set OutputDir=C:\ADS\MyPrj_wrk\data
@set ADSDir=C:\Agilent\ADS2014_01\bin
For %%a IN ("%InputDir%\*.mdf") do %ADSDir%\ds_import.exe "%%~fa" -t gmdif -d "%OutputDir%\%%~na.ds"
стыдно сказать, до этого я делал это хитрым скриптом AutoIt-a...
Здравствуйте, уважаемые коллеги.
Ищу человека, который мог бы в ADSе посчитать согласующие цепи усилителя MAGX-000035-09000P имеется нелинейная модель. Мои попытки, увы, безрезультатны. За подробностями прошу обращаться в лс.
Ищу человека, который мог бы в ADSе посчитать согласующие цепи усилителя MAGX-000035-09000P имеется нелинейная модель. Мои попытки, увы, безрезультатны. За подробностями прошу обращаться в лс.
Нелинейная модель - это хорошо, но для солг. цепей надо знать как раз слабосигнальную модель. А так разве, что самому снять S параметры голого усилителя и использовать их для симуляции.
Добрый день!
Используем для моделирования S-параметров устройства SDD элемент и вводим задержку через функцию взвешивания,
т.е. exp(-i*omega*Tau).
Вопрос к знатокам:
когда Tau константа - проблем нет, но вот что делает ADS, когда Tau зависит скажем от входного напряжения не очень понятно.
Т.е. бы хотелось понять, как ADS считает S-параметры в случае, если задержка не константа и определена через сигналы.
Используем для моделирования S-параметров устройства SDD элемент и вводим задержку через функцию взвешивания,
т.е. exp(-i*omega*Tau).
Вопрос к знатокам:
когда Tau константа - проблем нет, но вот что делает ADS, когда Tau зависит скажем от входного напряжения не очень понятно.
Т.е. бы хотелось понять, как ADS считает S-параметры в случае, если задержка не константа и определена через сигналы.
Добрый день!
Какой самый простой способ моделирования задержки, которая зависит от двух напряжений?
Какой элемент лучше использовать?
Какой самый простой способ моделирования задержки, которая зависит от двух напряжений?
Какой элемент лучше использовать?
Пришлось вот изучать ADS. Есть схема детектора на транзисторе. Напряжение только постоянное. Как узнать напряжения и токи в ветвях и узлах? Есть какой-то пробник? Это делается в режиме свип или DC?
Аналогично предыдущему посту: совсем начинающий в ADS. Удавалось делать только моделирование S-параметров.
Сейчас есть потребность в переходном анализе и анализе спектров.
Приложенное к пакету описание очень путаное и сложное. Поэтому вопросы вот какие:
1) существует ли внятное руководство по ADS, от A до Z?
2) в комплекте разных sink есть SpectrumAnalizer. Как им пользоваться?
Спасибо!
Сейчас есть потребность в переходном анализе и анализе спектров.
Приложенное к пакету описание очень путаное и сложное. Поэтому вопросы вот какие:
1) существует ли внятное руководство по ADS, от A до Z?
2) в комплекте разных sink есть SpectrumAnalizer. Как им пользоваться?
Спасибо!
афигеть. это каг же ж? ажилент - таво?
шел на выходные был ажилент, вернулся - уже кейсайт.
http://www.keysight.com/
шел на выходные был ажилент, вернулся - уже кейсайт.
http://www.keysight.com/
В новостях было уже в том году. В этом году ажылент неустанно тыкал всех носом, что электронщина перейдет под новый бренд, а ажылент останется для life sciences.
не работает простая фигня.
надо увидеть значение переменной подцепи....
В дизайне верхнего уровня пишу:
x = SubNetworkCellName.Variable
получаю - bad path name. Та же самая фигня, если вместо Cell Name - имя inastance. Ожидаемо она не видна и в дизайне верхнего уровня при обращении прямо по имени.
Почему-то в оптимизационных переменных формат "SubNetworkCellName.Variable" работает нормально, а тут - нет.
Чего я делаю не так??
надо увидеть значение переменной подцепи....
В дизайне верхнего уровня пишу:
x = SubNetworkCellName.Variable
получаю - bad path name. Та же самая фигня, если вместо Cell Name - имя inastance. Ожидаемо она не видна и в дизайне верхнего уровня при обращении прямо по имени.
Почему-то в оптимизационных переменных формат "SubNetworkCellName.Variable" работает нормально, а тут - нет.
Чего я делаю не так??
Здравствуйте.
Моделирую патч-антеннку.
ADS, метод FEM.
На субстрате проводящий слой, над ним воздух, затем Cover - 377 Ohm termination.
При одной и той же топологии (питающий микрополосок, переходное отверстие, антенна) разные результаты в зависимости от толщины слоя воздуха.
Чему верить, как выбрать адекватную реальности модель?
Спасибо.
Моделирую патч-антеннку.
ADS, метод FEM.
На субстрате проводящий слой, над ним воздух, затем Cover - 377 Ohm termination.
При одной и той же топологии (питающий микрополосок, переходное отверстие, антенна) разные результаты в зависимости от толщины слоя воздуха.
Чему верить, как выбрать адекватную реальности модель?
Спасибо.
Добрый день!
Подскажите как в ADS сделать перебор (sweep) параметров модели ?
Есть IBIS-AMI модель передатчика, некий канал и заглушка-приемная модель (pass-through).
Можно в ручную указывать пред- и пост- искажение источника, но это довольно утомительно, насколько я понял это можно вынести в переменную и сделать пакетную симуляцию (batch mode).
Но как именно это сделать разобраться не могу и прошу помощи.
Модели и тестовый проект (ADS2014) приложены.
Спасибо!
Подскажите как в ADS сделать перебор (sweep) параметров модели ?
Есть IBIS-AMI модель передатчика, некий канал и заглушка-приемная модель (pass-through).
Можно в ручную указывать пред- и пост- искажение источника, но это довольно утомительно, насколько я понял это можно вынести в переменную и сделать пакетную симуляцию (batch mode).
Но как именно это сделать разобраться не могу и прошу помощи.
Модели и тестовый проект (ADS2014) приложены.
Спасибо!
не понял, что с этими пред- и пост- искажениями, но:
1. если это просто цифра, то в чем проблема, tune {1 to 10000 by 1}?
2. если эти модели в виде некоего набора файлов, то:
- создаете mdif файл, в нем прописываете все файлы моделей
- в проект добавляете датасет и источник для него вот этот самый файл, iVar1=@1, iVal1=переменная в дизайте отвечающая за выбор модели
- в параметрах устройствах в пректе говорите, чтобы использовал этот датасет, т.е. file {DAC1, "filename"}, где filename - это имя независимой переменноой в мдифе.
в хелпе это есть, см раздел о датасетах.
1. если это просто цифра, то в чем проблема, tune {1 to 10000 by 1}?
2. если эти модели в виде некоего набора файлов, то:
- создаете mdif файл, в нем прописываете все файлы моделей
- в проект добавляете датасет и источник для него вот этот самый файл, iVar1=@1, iVal1=переменная в дизайте отвечающая за выбор модели
- в параметрах устройствах в пректе говорите, чтобы использовал этот датасет, т.е. file {DAC1, "filename"}, где filename - это имя независимой переменноой в мдифе.
в хелпе это есть, см раздел о датасетах.
не понял, что с этими пред- и пост- искажениями, но:
1. если это просто цифра, то в чем проблема, tune {1 to 10000 by 1}?
2. если эти модели в виде некоего набора файлов, то:
- создаете mdif файл, в нем прописываете все файлы моделей
- в проект добавляете датасет и источник для него вот этот самый файл
- в параметрах устройствах в пректе говорите, чтобы использовал этот датасет, т.е. file {DAC1, "filename"}, где filename имя независимой переменно
1. если это просто цифра, то в чем проблема, tune {1 to 10000 by 1}?
2. если эти модели в виде некоего набора файлов, то:
- создаете mdif файл, в нем прописываете все файлы моделей
- в проект добавляете датасет и источник для него вот этот самый файл
- в параметрах устройствах в пректе говорите, чтобы использовал этот датасет, т.е. file {DAC1, "filename"}, где filename имя независимой переменно
Спасибо за ответ.
Модель имеет следующие параметры:
Как переменную связать с интересующим параметром ? (TXPRECURSOR/TXPOSTCURSOR/TXDIFFCTRL )
Модель имеет следующие параметры:
Код
(xilinx_ultrascale_gth_ami_tx
(Reserved_Parameters
(Init_Returns_Impulse (Usage Info) (Type Boolean) (Default False) (Description "Init_Returns_Impulse False"))
(GetWave_Exists (Usage Info) (Type Boolean) (Default True) (Description "GetWave_Exists True"))
(Use_Init_Output (Usage Info) (Type Boolean) (Default False) (Description "Use_Init_Output False"))
(Max_Init_Aggressors (Usage Info) (Type Integer) (Default 2147483646) (Description "Max_Init_Aggressors 2147483646"))
(Ignore_Bits (Usage Info) (Type Integer) (Default 0) (Description "Ignore_Bits"))
(Tx_Jitter (Usage Info) (Type Float) (Format Gaussian 0 0) (Description "Tx_Jitter"))
(Tx_DCD (Usage Info) (Type Float) (Format Value 0) (Description "Tx_DCD"))
)
(Model_Specific
(TXPRECURSOR (Usage In) (Type Integer) (Format List 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31) (Default 0) (Description "TXPRECURSOR"))
(TXPOSTCURSOR (Usage In) (Type Integer) (Format List 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31) (Default 0) (Description "TXPOSTCURSOR"))
(TXDIFFCTRL (Usage In) (Type Integer) (Format List 12 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15) (Default 12) (Description "TXDIFFCTRL"))
(TX_PVT (Usage In) (Type Integer) (Format List 0 0 1 2) (Default 0) (Description "TX_PVT; 0 is typical corner, 1 = fast corner, 2=slow corner"))
)
)
(Reserved_Parameters
(Init_Returns_Impulse (Usage Info) (Type Boolean) (Default False) (Description "Init_Returns_Impulse False"))
(GetWave_Exists (Usage Info) (Type Boolean) (Default True) (Description "GetWave_Exists True"))
(Use_Init_Output (Usage Info) (Type Boolean) (Default False) (Description "Use_Init_Output False"))
(Max_Init_Aggressors (Usage Info) (Type Integer) (Default 2147483646) (Description "Max_Init_Aggressors 2147483646"))
(Ignore_Bits (Usage Info) (Type Integer) (Default 0) (Description "Ignore_Bits"))
(Tx_Jitter (Usage Info) (Type Float) (Format Gaussian 0 0) (Description "Tx_Jitter"))
(Tx_DCD (Usage Info) (Type Float) (Format Value 0) (Description "Tx_DCD"))
)
(Model_Specific
(TXPRECURSOR (Usage In) (Type Integer) (Format List 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31) (Default 0) (Description "TXPRECURSOR"))
(TXPOSTCURSOR (Usage In) (Type Integer) (Format List 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31) (Default 0) (Description "TXPOSTCURSOR"))
(TXDIFFCTRL (Usage In) (Type Integer) (Format List 12 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15) (Default 12) (Description "TXDIFFCTRL"))
(TX_PVT (Usage In) (Type Integer) (Format List 0 0 1 2) (Default 0) (Description "TX_PVT; 0 is typical corner, 1 = fast corner, 2=slow corner"))
)
)
Как переменную связать с интересующим параметром ? (TXPRECURSOR/TXPOSTCURSOR/TXDIFFCTRL )
Здравствуйте! Не подскажете, есть ли примеры по созданию layout через AEL с хорошим описанием? Самому пока не получилось наладить такую связку. Единственное, что получилось, это открыть пример в \examples\Training\EM\EM_Class_Params_Cosim_wrk.7zads, lab3. И изменяя там их ael файл создать свою топологию. Но почему-то не получается добавить больше двух pin.
Цитата(toshas @ Sep 20 2014, 20:11)
Спасибо за ответ.
Как переменную связать с интересующим параметром ? (TXPRECURSOR/TXPOSTCURSOR/TXDIFFCTRL )
Как переменную связать с интересующим параметром ? (TXPRECURSOR/TXPOSTCURSOR/TXDIFFCTRL )
прямо, видимо, никак.
если эта модель представляется файлом, делаете набор с разнообразием характеристик (100500шт файлов).
создаете список этих файлов и скармливаете в DAC по схеме, которую я описал выше и привязываетесь к дискретной переменной-индексу, которая и будет отвечать за одну конкретную характеристику.
Её и перебираете.
Спасибо!
Все оказалось несколько проще:
1. в модели требуемые параметры выбираем как user-defined,
2. включаем отображение параметров модели на блок-схеме,
3. создаем переменные и указываем их в параметрах требующих изменения,
4. создаем batch-controller с перебором по выбранным переменным
Все оказалось несколько проще:
1. в модели требуемые параметры выбираем как user-defined,
2. включаем отображение параметров модели на блок-схеме,
3. создаем переменные и указываем их в параметрах требующих изменения,
4. создаем batch-controller с перебором по выбранным переменным
Гуру, параметрики, подскажите что я делаю не так...
Я оптимизирую лейаут делителя мощности. Он в 2х вариантах: схематике и ЕМ-модели (сгенерил дейаут из схематики).
Все переменные этого дизайна видны наружу через Desig parameters.
Делитель включен в оптимизационный дизайн, и его Desig parameters инициализаруются там же. Т.е. у самого делителя есть только какие-то значения по-умолчанию, к реальной ситуации они отношения не имеют, а присвоение идет только в дизайне верхнего уровня.
Все имена переменных уникальные.
Беда: когда я оптимизирую схематику ВСЕ работает. Когда я переключаюсь на ЕМ-модель - ВСЁ ВРЕМЯ оптимизатор использует ОДИН И ТОТ ЖЕ лейаут независимо от того какие значения переменных он подставил, проще говоря, оптимизатор всегда мусолит одно и тоже...
Хуже того, в параметрах ЕМ-модели, я вижу все итерации, что делал оптимизатор, все данные. Но не смотря на то, что там разные наборы подставленных переменных, по факту все дизайны идентичны и равны исходному.
Помогите пожалуйста, страдают дети.
Я оптимизирую лейаут делителя мощности. Он в 2х вариантах: схематике и ЕМ-модели (сгенерил дейаут из схематики).
Все переменные этого дизайна видны наружу через Desig parameters.
Делитель включен в оптимизационный дизайн, и его Desig parameters инициализаруются там же. Т.е. у самого делителя есть только какие-то значения по-умолчанию, к реальной ситуации они отношения не имеют, а присвоение идет только в дизайне верхнего уровня.
Все имена переменных уникальные.
Беда: когда я оптимизирую схематику ВСЕ работает. Когда я переключаюсь на ЕМ-модель - ВСЁ ВРЕМЯ оптимизатор использует ОДИН И ТОТ ЖЕ лейаут независимо от того какие значения переменных он подставил, проще говоря, оптимизатор всегда мусолит одно и тоже...
Хуже того, в параметрах ЕМ-модели, я вижу все итерации, что делал оптимизатор, все данные. Но не смотря на то, что там разные наборы подставленных переменных, по факту все дизайны идентичны и равны исходному.
Помогите пожалуйста, страдают дети.
всем добрый день.
Не подскажите есть ли функция возведения числа (в моём случае это число 10 ) в степень (эти данные получаются в результате моделирования)?
Похоже на функцию exp().
А то пересмотрел весь Math Functions for Simulator Expressions, но найти никак не могу.
Не подскажите есть ли функция возведения числа (в моём случае это число 10 ) в степень (эти данные получаются в результате моделирования)?
Похоже на функцию exp().
А то пересмотрел весь Math Functions for Simulator Expressions, но найти никак не могу.
Цитата(nord85 @ Oct 6 2014, 16:35)
Не подскажите есть ли функция возведения числа (в моём случае это число 10 ) в степень (эти данные получаются в результате моделирования)?
Похоже на функцию exp().
Похоже на функцию exp().
похоже, что нет.
да она и не нужна. позвольте напомнить, что:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
а**б
это не мат запиканый, это возведение "а" в степень "б".
это не мат запиканый, это возведение "а" в степень "б".
Pir0texnik, l1l1l1
Спасибо Вам. Оба способа работают, но второй записывать в формулу удобнее.
Спасибо Вам. Оба способа работают, но второй записывать в формулу удобнее.
Добрый день. Подскажите, пожалуйста, какую-нибудь книгу на русском языке по проектированию СВЧ схем в Agilent ADS. Уровень нулевой или около того) Или хотя бы пару штук базовых уроков.
Цитата(Gleber @ Oct 22 2014, 09:14)
Добрый день. Подскажите, пожалуйста, какую-нибудь книгу на русском языке по проектированию СВЧ схем в Agilent ADS. Уровень нулевой или около того) Или хотя бы пару штук базовых уроков.
например http://cmpo.vlsu.ru/reason/wp8/index_r.html
Здравствуйте!
Занимаюсь разработкой антенн для RF метки. Моделирование провожу в ADS2014 используя FEM. Волновое сопротивление чипа составляет 50+j300. Как задать волновое сопротивление измерительного порта таким же при электромагнитном моделировании.
в окне ports это сделать легко, программа позволяет.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Но после начала симуляции лог выдает такую запись
=== WARNING ===
=== The following warning was generated during the import:
=== WARNING === The imaginary part of the impedance of port "P1" is nonzero, which is not supported. Only the real part will be used.
Так как же задать мнимую часть порта, если потом пишется, что это не поддерживается?
Занимаюсь разработкой антенн для RF метки. Моделирование провожу в ADS2014 используя FEM. Волновое сопротивление чипа составляет 50+j300. Как задать волновое сопротивление измерительного порта таким же при электромагнитном моделировании.
в окне ports это сделать легко, программа позволяет.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Но после начала симуляции лог выдает такую запись
=== WARNING ===
=== The following warning was generated during the import:
=== WARNING === The imaginary part of the impedance of port "P1" is nonzero, which is not supported. Only the real part will be used.
Так как же задать мнимую часть порта, если потом пишется, что это не поддерживается?
Коллеги, помогите кто сможет!
Хочу импортировать в ADS 2014 элемент описанный файлом в формате HSPICE. Импортируется не пойми что. Пробовал с этим работать - не получается.
Может кто попробует? (Файл прилагаю).
Или это бесполезно и лучше не мучатся?
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Хочу импортировать в ADS 2014 элемент описанный файлом в формате HSPICE. Импортируется не пойми что. Пробовал с этим работать - не получается.
Может кто попробует? (Файл прилагаю).
Или это бесполезно и лучше не мучатся?
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Цитата(Artemij14 @ Nov 12 2014, 23:44)
Здравствуйте!
Занимаюсь разработкой антенн для RF метки. Моделирование провожу в ADS2014 используя FEM. Волновое сопротивление чипа составляет 50+j300. Как задать волновое сопротивление измерительного порта таким же при электромагнитном моделировании.
в окне ports это сделать легко, программа позволяет.
Но после начала симуляции лог выдает такую запись
=== WARNING ===
=== The following warning was generated during the import:
=== WARNING === The imaginary part of the impedance of port "P1" is nonzero, which is not supported. Only the real part will be used.
Так как же задать мнимую часть порта, если потом пишется, что это не поддерживается?
Занимаюсь разработкой антенн для RF метки. Моделирование провожу в ADS2014 используя FEM. Волновое сопротивление чипа составляет 50+j300. Как задать волновое сопротивление измерительного порта таким же при электромагнитном моделировании.
в окне ports это сделать легко, программа позволяет.
Но после начала симуляции лог выдает такую запись
=== WARNING ===
=== The following warning was generated during the import:
=== WARNING === The imaginary part of the impedance of port "P1" is nonzero, which is not supported. Only the real part will be used.
Так как же задать мнимую часть порта, если потом пишется, что это не поддерживается?
никак. с комплексным импедансом порта вас ждет фееричный активный S11. проверьте в hfss ему все равно на что нормировать.
этот импеданс моделируется не так: 300Ом порт + последовательный (или параллельный) реактивный элемент.
и... моделируйте лучче это в hfss, быстрее будет. :-)
Так как же задать мнимую часть порта, если потом пишется, что это не поддерживается?
Можно попробовать провести моделирование в базисе 50 Ом с помощью FEM, создать EM-Component и перенести его в схематик. В схематике уже моделировать с требуемым импедансом на входе.
В схематик можно использовать Include Netlist и подключить таким образом требуемый файл. Затем расставить порты, для которых задать имена соответствующие subcircuit в списке соединений. Должно работать.
Цитата(Pir0texnik @ Jan 9 2015, 05:39)
Так как же задать мнимую часть порта, если потом пишется, что это не поддерживается?
никак. с комплексным импедансом порта вас ждет фееричный активный S11. проверьте в hfss ему все равно на что нормировать.
этот импеданс моделируется не так: 300Ом порт + последовательный (или параллельный) реактивный элемент.
и... моделируйте лучче это в hfss, быстрее будет. :-)
никак. с комплексным импедансом порта вас ждет фееричный активный S11. проверьте в hfss ему все равно на что нормировать.
этот импеданс моделируется не так: 300Ом порт + последовательный (или параллельный) реактивный элемент.
и... моделируйте лучче это в hfss, быстрее будет. :-)
Можно попробовать провести моделирование в базисе 50 Ом с помощью FEM, создать EM-Component и перенести его в схематик. В схематике уже моделировать с требуемым импедансом на входе.
Цитата(uzig @ Jan 8 2015, 14:22)
Коллеги, помогите кто сможет!
Хочу импортировать в ADS 2014 элемент описанный файлом в формате HSPICE. Импортируется не пойми что. Пробовал с этим работать - не получается.
Может кто попробует? (Файл прилагаю).
Или это бесполезно и лучше не мучатся?
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Хочу импортировать в ADS 2014 элемент описанный файлом в формате HSPICE. Импортируется не пойми что. Пробовал с этим работать - не получается.
Может кто попробует? (Файл прилагаю).
Или это бесполезно и лучше не мучатся?
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
В схематик можно использовать Include Netlist и подключить таким образом требуемый файл. Затем расставить порты, для которых задать имена соответствующие subcircuit в списке соединений. Должно работать.
Вышел ADS2015.
Такой вопрос. Есть схема, необходимо ее промоделировать по S-param. Упрощенный вариант в аттаче. Суть такая, что параллельно измеряемому устрйоству висит микросхема, входной импеданс которой описан таблицей 0.98 102.42 -105.03 (freq, Re Im). я параллельно измеряемому устройству вешаю еще один терминатор с сопротивлением не 50, а 102.42-J*105.03 и провожу симуляцию в одной точке 980 Мгц, получаю результат.
Потом вместо терминатора вешаю S1P (см. рис.) и результат, мягко говоря странный. И это я еще использую только одну строку таблицы, а мне надо около 10 строк. Что я делаю не так?
Потом вместо терминатора вешаю S1P (см. рис.) и результат, мягко говоря странный. И это я еще использую только одну строку таблицы, а мне надо около 10 строк. Что я делаю не так?
1. Не видно странности результата, т.к. результат не приведен.
2. А схема странная, для S1P не нужно 2 терминатора. Или в term2 есть какой-то сакральный смысл?
2. А схема странная, для S1P не нужно 2 терминатора. Или в term2 есть какой-то сакральный смысл?
Суть такая: входной сигнал идет на микросхему с сопротивлением 50 Ом (Term2). И через емкостной делитель на другую микросхему, сопротивление которой частотнозависимое (описывается в соответствии с даташитом как a-jb). Мне надо посмотреть, насколько изменится поведение основной микросхемы, если на дополнительной микросхеме сопротивление будет комплексным, а не 50 Ом. Сейчас я выкинул емкостной делитель, дабы не путаться.
Результат отличается, все ж таки.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
И еще, есть подозрение, что должен использоваться RefNets - я прав или нет?
Результат отличается, все ж таки.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
И еще, есть подозрение, что должен использоваться RefNets - я прав или нет?
Цитата(Skandalli @ Feb 10 2015, 11:04)
Суть такая: входной сигнал идет на микросхему с сопротивлением 50 Ом (Term2). И через емкостной делитель на другую микросхему, сопротивление которой частотнозависимое (описывается в соответствии с даташитом как a-jb). Мне надо посмотреть, насколько изменится поведение основной микросхемы, если на дополнительной микросхеме сопротивление будет комплексным, а не 50 Ом.
И еще, есть подозрение, что должен использоваться RefNets - я прав или нет?
И еще, есть подозрение, что должен использоваться RefNets - я прав или нет?
На первой схеме к Term3 и 5 не подключена земля. Расчет скорее всего будет ошибочным.
Судя по второй (упрощенной) схеме у Вас два 50-омных устройства и посередине шунт на землю.
Для упрощения задачи можете вместо дополнительных Term использовать обычный резистор с комплексным сопротивлением - тогда не будет доп.портов. Чтобы задать параметрически R комплексное для разных частот можно использовать DAC-компонент. В этом случае S21 (передачи мощности от ИМС1 к ИМС2) будет считаться в 50-омном базисе.
Здравствуйте. Разбираюсь с Em моделированием, есть вопросы по подложкам, т.к. не приходилось еще заниматься эм анализом. Вот у меня есть layout (FR4, Rogers, неважно) с посчитанным фильтром на микрополосках или, например усилитель на SMD компонентах. Как правильно указывать при разметке слоев, что есть что?
Т.е. верхний слой металлизации - это strip plane или slot?
на рис. - 1 - это sheet и по идее, это и есть проводящий слой (разведенная топология)
а 2 на рис - это железки, припой, который стоит поверху слоя металлизации - intrude into substrate .
Но в мануале сказано, что если есть sheet, то momentum и прочее не считают потери проводника. Отсюда возникает вопрос, а правильно ли я определился? Потери-то в слое металлизации не могут же не учитываться
Т.е. верхний слой металлизации - это strip plane или slot?
на рис. - 1 - это sheet и по идее, это и есть проводящий слой (разведенная топология)
а 2 на рис - это железки, припой, который стоит поверху слоя металлизации - intrude into substrate .
Но в мануале сказано, что если есть sheet, то momentum и прочее не считают потери проводника. Отсюда возникает вопрос, а правильно ли я определился? Потери-то в слое металлизации не могут же не учитываться
Цитата(Skandalli @ Mar 7 2015, 20:38)
Как правильно указывать при разметке слоев, что есть что?
Т.е. верхний слой металлизации - это strip plane или slot?
на рис. - 1 - это sheet и по идее, это и есть проводящий слой (разведенная топология)
а 2 на рис - это железки, припой, который стоит поверху слоя металлизации - intrude into substrate .
что если есть sheet, то momentum и прочее не считают потери проводника. Отсюда возникает вопрос, а правильно ли я определился? Потери-то в слое металлизации не могут же не учитываться
Т.е. верхний слой металлизации - это strip plane или slot?
на рис. - 1 - это sheet и по идее, это и есть проводящий слой (разведенная топология)
а 2 на рис - это железки, припой, который стоит поверху слоя металлизации - intrude into substrate .
что если есть sheet, то momentum и прочее не считают потери проводника. Отсюда возникает вопрос, а правильно ли я определился? Потери-то в слое металлизации не могут же не учитываться
Верхний - strip.
Правильнее наверное обойтись одним слоем металла - cond1 для верхнего проводника, а cond2 при необходимости использовать для внутренних слоев или нижнего слоя (земля), если его конфигурация отличается от сплошной заливки. Вряд ли припой удасться промоделировать просто металлом, да и нужно ли это? Лучше исключить.
Относительно sheet и thick. Потери (омические) будут учтены и в том, и в другом случае. А вот токи по бокам МПЛ - только в thick. Для усилителя это не критично, а на параметры фильтра может влиять. Посмотрите готовые примеры Microstrip фильтров и LNA.
Цитата(nik_us @ Mar 8 2015, 20:31)
Относительно sheet и thick. Потери (омические) будут учтены и в том, и в другом случае. А вот токи по бокам МПЛ - только в thick. Для усилителя это не критично, а на параметры фильтра может влиять. Посмотрите готовые примеры Microstrip фильтров и LNA.
thick - что Вы имеете ввиду под этим? Вроде как это нигде не фигурирует, при задании многослойной платы? Или я не прав?
Цитата(Skandalli @ Mar 9 2015, 04:44)
thick - что Вы имеете ввиду под этим? Вроде как это нигде не фигурирует, при задании многослойной платы? Или я не прав?
В классических ЭМ 2,5 САПР можно задать бесконечно тонкий металл (thin) или металл конечной ширины (thick). В новых версиях ADS появилась возможность (уже лет 5 как) для thick-металла указывать и "распространение" ширины: intrude/expand, что особенно актуально для многслойных структур: ПП, модулей и др.
В первом случае (thin) расчет быстрее в ущерб точности. Во-втором, ситуация обратная. Какой тип задания толщины МПЛ использовать решает пользователь. Для МПЛ-фильтров с F более 3...5ГГц предпочтительнее задавать МПЛ все-таки с конечной шириной.
Надеюсь ответил на Ваш вопрос.
Для просмотра полной версии этой страницы, пожалуйста, пройдите по ссылке.