ADS2012.08 должен считать подобное в принципе, так как он позволяет задавать разные параметры диэлетрика для различных областей в одном слое (это одно из ново-введений ADS2012.08) Как это делается конкретно надо копать примеры, в моей практике это мне не было нужно

Ну тогда вопрос к Артемию, какая версия адс?

Именно так!

Моментум считает только металлизированные отверстия.
Диэлектрические отверстия - уже FЕМ.

Где б его взять ADS2012...

У меня ADS2011.10. Именно так и приходится выкручиваться! Использовать FEM. А хотелось бы использовать моментум, но почему то там не задается область где есть диэлектрик, а где его нет. Естественно, для задач решаемых в моментуме диэлектрические виа задавать бессмысленно. Читайте мой первый пост.

Спасибо всем за ответы!

Гуру, адс 2012, подскажите как, блин, в нем оптимизировать лейаут?
Рисую схематику, оптимизирую ее, генерю по ней лейаут, получаю слегка изменившиеся характеристики, хочу их поправить - отоптимизировать его - КАК ЭТО СДЕЛАТЬ?? Все бубны уже перепробовал, ничего не могу сообразить как влезть в эту железобетонную связь схематики и лейатута....
Пытаюсь делать по алгоритму: создал еще одну схематику с описанием переменных и добавленным оптимизационным компонентом, добавил мой горе-лейаут, как subcircuit (сгенерил предварительно символ и указал, чтобы использовал ЕМ-симуляцию). При запуске оптимизатора - ниче не происходит, изменения внешних переменных никак не сказывается на подцепи...
Пробовал в лейауте добавлять параметры, такие же как и переменные, но это не катит, т.к. оказывается , что они дублируются с параметрами схематики и сыпятся ошибки.... Чего делать? Спасибо!

1) Рисуем схему


2) Параметризуем в ней то, что надо (символ и единица измерения). Генерируем Layout


3) В этой Layout Выбираем Параметры


и прописываем числовое значение без единиц измерения для каждого параметра


4) Здесь же запускаем квадрат ЕМ


и устанавливаем нужные параметры ЕМ-модели, в том числе и символ тоже.

5) Создаем новую схему с символом ЕМ-модели, которую сделали на предыдущих шагах


Как видите, модель параметризована. Для каждого параметра устанавливаем диапазоны для тюнинга и оптимизации, при необходимости.

6) Ставим соответствующие контроллеры, граничные условия.

7) Выделяем символ, жмем кнопку выбора, выбираем схему


т.е. работать будем со схемой, в том числе и оптимизировать ее.


Как видим, S2 уперлось в потолок, т.е. его надо подкорректировать вручную или тюнингом, перед следующей оптимизацией.

8) Выделяем символ, жмем кнопку выбора, выбираем emModel


Теперь Шестеренка и Оптимизатор будут работать на Layout


Filter_10000_10e20_wrk.7zads

Всем добрый день! Подскажите, пожалуйста, как распределить одну задачу на несколько компьютеров в сети? Что нужно для этого сделать? Как добавить "Submit queue"? (см. рирунок)Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Параллельные (распределенные) вычисления возможны только на Линуксе.

Удаленные вычисления на ОС любой платформы.

Спасибо, ser_aleksey_p, за объяснения, я примерно так и делал, но после добавления параметров и нажатия на шестеренку в схематике с вставленным лейаутом (выбрал emModel ) адс мне писал, что параметры дублируются! тирически я могу его понять, т.к. после генерации лейаута, переменные УЖЕ существуют и им присвоено значение, т.е. добавляя вручную новые параметры мы типа делаем дубли...

Хм, а теперь вдруг все заработало, шайтанама ....... Спасибо!

Спасибо!
А программы есть какие нибудь (сторонние) по параллельному распределению задния, которые работают с ADS?



Как это сделать? как добавить Simulation host? Что нужно для этого делать на удаленном ПК?

Тут уже поднимался вопрос про задание сопротивления порта из файла, но я хочу сделать частотно-зависимый резистор и трансформатор. Это вообще возможно?
Сейчас пока только резистор задается и при этом возникает ошибка:

О чем идеть речь? Что за сторока 3 (line 3)?
Привожу кусок схемы и файл

То, что сразу в глаза:
- дискретный mdif не поддреживает complex данные, можно попробовать Generalized - отсюда и ошибка в количестве данных при чтении
- резистор не поддерживает комплексные значения, можно попробовать Equation-Based Z, т.е. Z1p_Eqn

ser_aleksey_p, а что делать если подложка сделана непосредственно в layout? Т.е. у меня нет в schematic подложки типа MSub.

Возможны два варианта.
1 Из родительского гнезда, на этапе 4:

В дереве EM Setup выбираем Substrate.
Справа появится тип используемой подложки и его картинка. В выпадающем списке можно выбрать любую из ранее созданных. Кнопкой Open выбранную подложку можно открыть для редактирования, а кнопкой New - создать новую.

По окончании EM Setup надо сохранить, обновить Model и Symbol.



2 При работе с несколькими подложками для их оперативного переключения (или создания) можно использовать следующую процедуру:

войти в emModel, нажать Edit. Откроетя emSetup state file. В нем часть установок серые - изменение не доступно. Подложка активна, и с ней можно выполнять выше описанные операции. При нажатии кнопки Save применятся установки, сделанные с этой страницы.




Но, если вольно или невольно, Вы вдруг зайдете в EM Setup п. 4 и обновите там Model, то проект будет считаться именно с этими установками.

Попасть в родительское гнездо можно и так:


и там уже создавать-редактировать подложку хоть через квадрат ЕМ, хоть напрямую через кнопку Substrate.

К сожалению, почему то возникает следующая ошибка. Старался делать все по вашей инструкции
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Чтобы проверить, приложите проект.

Проект Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Пока шастал по Agilent-у, и Вам повезло, случайно увидел вот это. Почитайте пока.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Добрый день.
Есть такая проблема с ADS2011 (может только у меня).
Как загрузить библиотеки производителей компонентов. Для ADS2011 последовательность простая. Скачиваешь .zip у производителя, грузишь ADS, далее цепочка Design Kit-Manage favorite design kit-Add labrary definition file- и далее ссылка на файл lib.defs в папке, где хранится библиотека (например murata_library_ADS2011-17e).
Все это прописано в инструкциях. Нигде никаким образом я не нахожу библиотеку.
В ADS 2009 и других проблем никогда не было.
Подскажите, pls., как вам удается грузить библиотеки?
Спасибо.



не следует создавать новую тему, когда уже существует тема соответствующего содержания.
вашу тему присоединил к существующей.

l1l1l1

RFTech, по АДСу есть специально прикрепленная тема наверху страницы.


Что это значит ? Вы не можете найти файл lib.defs ? Может нужно сначала разархивировать PDK.
А так у Murata на палитре элементов слева появляется дополнительное меню.

Где-то ошибка в Вашем проекте:


Возможно она связана с тем, что Layout и Schematic Вы поместили в одну папку. Поэтому сделал так:

А дальше как обычно:


Тогда при изменении width1 в Schematic




После проверки, что все функционирует, можно установить настройку, оптимизацию...

Да, действительно, ошибки больше больше нет, спасибо за разъяснения!

И все таки хочу еще раз поднять вопрос об ограничении слоя диэлектрика в определенной области.
Я попытался использовать так называемую nested technology, но к сожалению опять bounding area layer игнорируется и диэлектрик находится повсюду над металлическими проводниками и основной подложкой.
Но в видео роликах Agilenta есть проекты с включением модели корпуса микросхемы на печатную плату. На этих видеороликах четко видно, что диэлектрик соответствующий части компаунда корпуса ограничен в пространстве.


Может быть кто то подскажет по этому поводу? Заранее спасибо!

.... вот тут 2013 версия появилась.... может там все хорошо теперь....

Указывать Bounding Area Layer можно и по частям, выбрав соответствующий слой в подложке.

Может нижний хелп поможет:

У меня достаточно наболевший вопрос.

Можно ли в ADS быстро загрузить сразу много результатов измерений в виде S-параметров (например, в виде s2p-файлов), скажем, сразу 100 или 200 файлов? Я знаю, что можно вручную для каждого файла ставить по два Term, потом еще два и так далее, но когда много файлов, то это очень долго. Я бы хотел, чтобы можно было выбрать нужную мне папку или выделить сразу все файлы в папке, а ADS сам уже открыл все эти файлы. Или может есть программный метод перебора всех файлов в папке по расширению?

Все что вы хотите может быть сделано с использованием AEL, языка на котором написано большая часть интерфейса ADS и Data Access Component, только вся заморочка, что среды разработки (как для большинства общераспространенных языков программирования) нет. Поэтому написание кода и его отладка достаточно замочное занятие.

Уважаемые знатоки ADS подскажите возможную причину возникновения данного окна.

Файервол.

Спасибо. Об этом я и не подумал.

Вот еще хелп:

Попробуйте вот этот пример FEM, может подойдет:

Ну вообщем то окончательно разобрался, в FEM можно делать отдельные области из диэлектрика, а при подсчете в Momentum нельзя. Только сплошные диэлектрические слои без вырезов и ограничений.

Всем спасибо за помощь в понимании этого вопроса!

Возник интересный вопрос по поводу разбиения сетки Momentum Mesh.
Создал проектик, где используются um в качестве масштаба. В проекте структура, в которой есть зазоры на уровне 1um и точность сетки построения полигонов и т.д. соответственно еще выше. Размеры структуры порядка 10*10мм. В итоге при генерации сетки в соответствии с правилами получается около 2000 ячеек, что в принципе немного! Но памяти при подсчете Momentum потребляет немеренно, все 8Гб.

Возможно ли такое, что это связано с масштабом сетки проекта, выбором размерности um, mm?

Мелкие структуры любой проге считать сложнее. И времени, и ресурсов больше надо.
А если еще и "Mesh frequency" взять запредельную...
В логе у Вас что Моментум пишет?
"Substrate to be computed from 2 GHz to 10 GHz!
Using the minimal snap distance of 0.0004 mm
(4 layout resolution points) for layout healing."
Картинку сетки покажите, пожалуйста (самый узкий и самый широкий проводники).

Структура в целом выглядит так Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Так подробнее Нажмите для просмотра прикрепленного файла
еще подробнее Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Как видно, я опустился даже до такой грубой сетки разбиения, но все равно памяти для расчетов не хватает
отчет генерации сетки Нажмите для просмотра прикрепленного файла

snap distance ставил и 0.4 um и 2 um и 1 um и все равно практически

Посмотрел пример c:\Agilent\ADS2013_06\examples\Momentum\emcktcosim\LTCC_wrk.7zads
Папка: 1_Layout Designs\spiral
Ширина проводников 80 мкм. Данная модель считается в Моментум_RF несколько секунд, памяти немного. В Моментум_MW - несколько минут, но памяти тоже немного.

Лог файл EEsof_Job:
Simulation Mode: uW
Extending substrate from RF frequency range to microwave frequency range.
Using the minimal snap distance of 0.4 um
(4 layout resolution points) for layout healing.
Generating mesh at 10 GHz...
S-parameter simulation
Automatic selection: direct dense matrix solver
Using multi-threading (4 threads)
Matrix size: 2231 (reduced: 815)

Может, Вы, все-таки, FEM запускаете?

Ну я еще не совсем из ума выжил Точно Momentum
Да, модель считается быстро, но она очень маленькая, посмотрите на мою структуру.

Здравствуйте!возник вопрос по ADS. Пробую оптимизировать схему под известные S-параметры. Хочу в GOAL записать примерно следующее: если R(нагрузка в цепи) равно R1 (одно из значений), то S-параметры стремятся к таким то S1, если R равно R2, то S параметры стремятся к S2 и т.д. Изучение хэлпа не помогло, может ошибка просто в синтаксисе?Если можно, приведите пример или ссылку на литературу.

Значит



такое возможно.

Ну и пора покупать новый комп

Вы меняете номинал резистора, а при этом нужно чтобы переключался файл S-параметров? Скиньте скриншот задачки которую вы решаете, не совсем понятно.

Adding to non-allocated 1-based nonzero location (748,14131) in CrsMatrix ==> nothing done

- возникла такая ошибка, может кто-нибудь встречал?

Example-Setting up Momentum Simulation for MMIC

Хороший пример, а это к чему было?

Да просто так.
Может поможет кому с начальными установками.

Здравствуйте. Есть пара вопросов:
1. Можно ли в Layout из rectangle (прямоугольника) или полигона сделать Traces.
2. Поддерживает ли Layout 45 градусов линий Traces?

Спасибо. А полигоны, как я понял, не получится в Traces перегнать...

Еще раз здравствуйте.
Имеется Layout схемы VCO. При переводе в схематику подключаю OscPort и смотрю колебания.
Как это сделать именно в Layout? И еще: не пойму как в Layout подключать транзистор (без схематики)?
Спасибо...

Никак, да и не зачем. Моделируете то именно в schematic а из layout можете взять emModel вставить.
Опять таки можно footprint транзистора засунуть в layout, подключить порты в места припайки или по краям падов, промоделировать и сделать emModel данной топологии, а потом опять ее засунуть в schematic.
Сделать моделирование на уровне spice моделей в layout не получится. Соответственно в окне визуализации можно видеть прохождение по плате только тестовых одночастотных колебаний заданых из порта.

Еще раз здравствуйте. Помогите пожалуйста начинающему инженеру...
Вопрос по Layout: Можно ли смоделировать влияние полигона (например как земля вокруг элементов и дорожек), а так же как задать 2 слой платы с переходными отверстиями в полигон (землю) первого слоя??? Пытался через emModel: сделал все дорожки и область вокруг полигонами, подключил порты для элементов, создал emModel, далее символ. Потом в схематике подключил элементы, промоделировал. Показывает график (похоже с "идеальными" дорожками). Пробовал менять толщину подложки - ничего. Менял ширину дорожек в Layout-е... тоже ничего не меняется.
Объясните пожалуйста, что я делаю не так? И возможно ли вообще так сделать?
Или все-таки без Traces и MSub не обойтись? Если так, то как смоделировать опять же землю вокруг элементов и дорожек и под ними? Спасибо...

Ну это уже совсем простые вопросы, ответы на которые можно найти и в гугле или чуть посидев за примерами
Ответы: Можно. Через создание определенного substrate
вот так можно создать substrate
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

а в layout рисуете полигоны с такими свойствами
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

и получается у вас то, что хотели
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

На счет идеальных дорожек, надо задавать свойство материала, например, Copper, а не Perfect Conductor.
Хотя что именно вы имели ввиду я не понял.
А дальше создавайте модель и все.