Вот что есть по Murata http://kambing.ui.ac.id/onnopurbo/orari-di...tool/parame.pdf . Для конденсаторов почему то только shunt mode. В пункте 3 сказано, что пады сдээмбедены. Не знаю насколько применимо к остальным моделям.
Вопрос: как для таких моделей (без падов) задавать порты (калибровку) в лейауте? SMD или NONE?

Да я вот как-то и не знаю... В библиотеке мураты (с сайта мураты) у элементов есть лейауты, так вот точки подключения у них стоят на концах падах, не внутри где-то, а вот там... странно это.
Почему шунт мод - не знаю, его бывает делают для больших катушек, которые в принципе так и будут использоваться - шунтом на землю. Может ут тоже, для больших емкостей?
В библиотеке, кстати, у них все нормально, можно включать как угодно.

про порты.. В начале был порт None и применялся он для наших целей много лет, но была у него видимо паразитная индуктивность и емкость, и сказал агилент тогда, что не хорошо, да будет SMD... Подозреваю толк от него будет на высоких частотах, но нормально он ставится только между одинаковых выступов или в разрыве, иначе ругается и сбрасывается в none.

Добрый день!
Была импортирована спайс модель, но при запуске симуляции возникает ошибка:

Error detected by hpeesofsim during netlist parsing.
ADS-syntax parser error in '<ADS netlist>', line 43:
syntax error

подскажите, пожалуйста, как можно исправить эту проблему

В 43 строке ошибка, но узнать, что в этой строке может только кисайт, т.к. читаемый исходник ael интерпритирован в нечитаемый aef, который разогнуть обратно в читаемое состояние могут только они.
Кстати, ну посмотрите глазами чего там в том спайсе, это же текстовый файл.

При моделировании LDMOS транзистора LSSP расчет не проходит, пока не поднять смещение с 1.6 В до, например, 1.61 или 1.63 В. И так в зависимости от номиналов элементов схемы согласования. Очень мешает оптимизации. Кто-то встречался с такой ситуацией? Как ее можно побороть?

А как отсюда пробовали ? Поэтапно сначала просто от модели узнавая ток и напр. смещения.

У меня есть у самого вопрос, как промоделировать диодный детектор чтобы узнать какое напряжение будет на выходе ? Модель диода HSMS-282K. Смысл такой что бы узнать одновременно какое согласование будет у детектора при реальном сигнале который будет открывать диод, а также пост.напряжение которое будет на выходе ?
Может у кого есть ссылки на статьи или готовый шаблон ?

Добрый день. Вопрос к опытным ADSовцам. Использую компонент MixerIMT2. Создал интермодуляционную таблицу, подсунул,с огрехами но работает. Встала задача задать коэффициенты отражения на входах смесителя не в одной частотной точке, а в диапазоне. Создал mdif файл с комплексными коэффициентами отражения вида:
BEGIN DATA_S_TERM
% port_freq(real) port_S(complex)
1.0000000000E7 5.86555070693E-2 -6.7912234553
.
.
.
END

Поставил DAC компонент, указал ему путь к файлу, в свойствах смесителя в графе SP11 установил FileBased, указал там DAC1 и переменную "port_S". Жмякаю шестеренку, и....
"Error detected by hpeesofsim in device 'MIX1.SDD7P1' during circuit set up"
"Improper frequency dependence in SDD parameters"

Собирал по такой схеме порт с частотно зависимым импедансом (как в начале темы) все работало. В чем косяк?

Вот здесь пишут по этой ошибке: One or more of the implicit relationships depends on freq or omega. Frequency dependence is not allowed. Гугл говорит что сие означает, что частотная зависимость не допускается( Кто нибудь может что нибудь сказать/опровергнуть?

У меня основная проблема как раз в применении команды LSSP - чтобы просчитала на всех частотах, то изменяю и напряжение на затворе и входную мощность в небольших пределах и параметры солвера.

А вам команда LSSP не подойдет? Она как раз показывает согласование и тут же можете обычным HB посмотреть, какое у вас значение напряжения на выходе.

А кто может подсказать, если я импортирую из гербера переходные отверстия, я могу их потом в проекте каком использовать именно как via? А то я создал подложку, добавил via между слоями, поставил этой via в соответствие импортированный слой(?) а он мне говорит, что металлизация для этой via будет проигнорирована в процессе моделирования. И потом в layout цепи далее этих "via" не формируются.
Непонятно, почему он в слой какой-то via импортировал а не создал ПО для нее?

Возможно поможет переместить все виа с этого слоя на какой нибудь стандартный слой, типа hole.

Не, не спасает. Визуально via выглядят как на скриншоте. Слои металла на разных слоях, вроде как, соединяются, но металлизацию по via(с указанием толщины металла) игнорирует. Уж не знаю - нормально это или нет?

Как правильно задавать виа в структуре полосковой линии ? Хочу сделать FEM анализ структуры состоящей из 3 слоев метала и 2 диэлектрика, при этом виа проходят насквозь соединяя все 3 слоя. Хотел сделать все по правильному с finite ground и ограничениями по диэлектрику в виде вырезов, но чет не получается.
виа вытаскивал из палеты TLines-Microstrip, и кажется это не правильно, но по другому не умею.

Добрый день!
При создании фильтра на микрополосках график на схеме и график после переноса на Layout имеют разный вид. При этом подложку импортирую на layout со схемы. Почему график меняется, и как получить один и тот же вид?

Здравствуйте.
Я сделал модель этой антенны: 868 MHz, 915 MHz and 955 MHz Inverted F Antenna

в ADS 2016.1 и HFSS 14.0.1
Скачать проект антенны в ADS 2016.1 (~2Mb)
Скачать проект в HFSS 14.0.1 (~350kb)

результаты симуляции:

ADS FEM
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
HFSS
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

С чем может быть сязано такое большое расхождение? Или это результат неправильных настроек моделирования?
Я только учусь обращаться с ADS правильно.

Добрый день!
Я новичок в программе ADS. У меня такой вопрос. Можно ли в программе создать копланарный полосок с учетом внешнего покрытия? Ну т.е. полосок имеет опорную землю через слой препрега, а сверху еще учитывается слой диэлектрика (в простейшем случае маски).



Вопрос поднимал ранее в этой же ветке форума, но видимо не совсем по назначению. Поэтому и получил общие советы. Хотелось бы узнать конкретнее как учесть внешний диэлектрик в этой программе?
https://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=142444

Заранее спасибо!

в Schematics у ADS нет такого элемента.
вместо Schematics используйте Momentum - там можно создать любой стек.

Доброго времени суток, может кто подсказать как можно вывести диаграмму полюсов и нулей передаточной функции, если известна только такая таблица (dB(H) и phase(H) от частоты)? Провожу анализ стабильности усилителя в ADS, прилагаю картинку графика pole-zero (нашел в интернете) , который пытаюсь получить

Разве, например, MLSUBSTRATE3 из TLines-MultiLayer не подойдет?

Пришлось научиться настраивать стек платы в ADS Schematics. Чуть позже напишу как я это сделал и опишу получившиеся результаты.


Помогло следующее. Настроил подложку в Schematic. Далее выбирается компонент LTLINE, внутри него выбирается нужный стек.
Это пока коротко. Чуть позже выложу результаты. Спасибо!

Помогите в ADS2009 получить график спектра

Вот файл проекта

График должен получиться такой как AWR

В ADS получается такая фигня

Спасибо всем за помощь, все получилось как хотел

Нажмите для просмотра прикрепленного файлаДрузья, скажите, как правильно добавить референсный пин при EM моделировании?
не могу найти соответствующий квадратик для галочки, как на рисунке (у меня указанный раздел Simbol отсутсвует, может где спрятался)

Есть подозрение что без референсного пина ,при переносе результатов моделирования в схематику, будут ошибки (неверный результат)

Спасибо.

Добрый день!
В последних версиях ADS при анализе методом Моментум референсные пины задаются здесь.

То есть сначала расставляете их в топологии на нужные слои, а затем добавляете их в настройках пинов. Если их не добавить, Моментум сам выберет референс, что не всегда верно.

Сомнительно, что хоть какой-нибудь изготовитель возьмётся делать такую структуру. Вроде как количество металлических слоёв должно быть чётным, потому что многослойные печатные платы получаются путём склеивания двухслойных с прокладками (prepreg) между ними.


В Вашем случае необходимо использовать многослойные (multilayer) подложки. Если мне склероз не изменяет, TLines -> Multilayer. Или, может быть, TLines->MLines.
Для четырёхслойной платы дырка будет состоять из трёх via: со слоя 1 на слой 2, с 2 на 3 и с 3 на 4. При необходимости в соответствующих слоях добавить "пятачки" (pads) и освобождения от меди. Всё это - библиотечные элементы из того же раздела библиотеки про многослойные платы.

Коллеги, подскажите, как мне импортировать в ADS (2014.1) эту модель?
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

You are not allowed to import it... It is DesignKit, so use it as DesignKit.

В итоге получаем так

Здравствуйте, помогите настроить анализ load (source) pull для транзистора. Нужно узнать оптимальные входной выходной импеданс для двойного транзистора (push pull схема). Для транзистора в даташите указаны импедансы для частоты 108 мгц входной 1.94 +j2.87 и выходной 3.35 +j3.95, оба в балансном включении, то есть измерены gate to gate, drain to drain. Я собрал схему из шаблона адс для load pull анализа и конкретно не знаю как правильно настроить его.
По схеме предположил что можно собрать для одного транзистора, а затем все импедансы умножить на 2, правильно ли это ? Не понятны настройки в load pull которые выделил оранжевым. Особенно Z_Source_Fund, по началу предположил что это входной импеданс и вбил 0.97 +j1.94 половина от того что дана в даташите, в результате посчитать анализ не может, все invalid. Результаты выдает только если в Z_Source_Fund забиваю импеданс с отрицательной комплексной частью. Например 5 -j5.
В графиках результата есть графа Z_In_at_MaxPower это что ? входной импеданс при котором мощность наибольшая ? С цифрами из даташита результаты анализа не сходятся в даташите импеданс индуктивный +j а в результате анализа импеданс емкостный -j если ориентироваться на Z_In_at, этот момент вообще в ступор поставил, при этом выходной импеданс как то более менее похож на цифры из даташита. Как выбирать правильно импеданс далее ?

Здравствуйте. Вопрос такого характера. Можно ли использовать стандартные масштабируемые элементы из базового набора ADS для создания библиотеки элементов, выполненных по определенному технологическому процессу, то есть подогнать под свой STACKUP?