Если в опциях по умолчанию Вы имеете ввиду когда в самом начале создавли проект то гляньте что у Вас стоит
в Options-Preferences-Units/Scale в окне Lenght (смотреть в Layout, а не в Schematic)

Так я в Layout и смотрю, и стоит там мм, но все равно во время рисования в Layout у меня в углу справа mils

Такой вопрос. В окне Shcematic можно задавать вид модели импортированного из Layout элемента. Есть варианты "emModel" и "Layout". Нажмите для просмотра прикрепленного файлаНе совсем понимаю что это и чем они отличаются ? При смене этой настройки результаты нехило отличаются. В каких случаях надо задавать emModel, и в каких "Layout" ???

И еще, какую калибровку портов при симуляции в Layout для чего лучше использовать ? В каких случаях None? что такое TML калибровка ? Про SMD вроде как ясно..







Ответ зарыт с способе рисования устройств. Можно рисовать, используя библиотеку линий, можно рисовать фигурки, там полигоны, прямоугольники. Результаты разные получаются. Но почему ???? И в чем отличие этих способов рисования ? не понятнооооооо(((

Что-то Вам никто не отвечает пока, то ли из-за периодического подвиса форума, особенно со вчерашнего дня, то ли еще из-за чего, но... Вы в хелп заглядывали? Я думаю, ответы на вопросы там есть. К сожалению не имею возможности посмотреть и с ADS не работаю, но чтобы хотя бы подвигнуть Вас на самостоятельное углубленное изучение вопроса предполагаю, что в одном случае (Layout) расчет выполняется на основе теории цепей с распределенными параметрами, а сам Layout нужен только для проектирования топологии. В другом же случае (emModel) выполняется электромагнитный анализ элементов устройства и, как следствие, получается более точный результат. В этом случае должно быть заметно увеличение времени расчета (если не очень для Вашего устройства, попробуйте для эксперимента усложнить в несколько раз).
Удачи! И не забывайте про хелп! Вроде бы у Agilent он нормальный. Бывало и похуже и пробивались.

Все зависит от того, что Вы хотите посмотреть или посчитать. Данная опция позволяет оперативно переключаться между функциями. Поясню на своем примере.
Надо разработать фильтр. В схематике он считается быстрее, в Layout - точнее. Сначала делаем схему:

Из этой схемы генерируем топологию, параметризуем ее (назовем "параметры по умолчанию") и задаем условия симуляции (кнопка "ЕМ в окошке"):

Затем создаем схему анализа:


Теперь ответ на Ваш вопрос:
1. Если выберете Schematic, то анализироваться будет схема по картинке 1.
2. Если выберете Layout, то анализироваться будет, якобы, топология по картинке 2.
3. Если выберете emModel, то анализироваться будет схема, точнее говоря - топология, по картинке 3.

Отличие топологий картинки 2 и картинки 3 (emModel) в том, что в картинке 2 модель построена по параметрам, заданным по по умолчанию, и они не изменяются, даже если в картинке 3 Вы поменяли какие-либо значения параметров. Причем расчет будет вестись в соответствии с тем, какие "элементы" на картинке 2 нарисованы - а это топологическое изображение схемных элементов. Т.е. картинка 1 и картинка 2 - это одно и тоже. Значения параметров по умолчанию используются только для построения символа модели.
Если Вы запускаете анализ emModel, то, после нажатия кнопки, в дереве проекта создадутся временные файлы модели с натуральными размерами по заданным параметрам и условиями симуляции.


Топологию с натуральными размерами можно получить, сгенерировав Layout картинки 3 (emModel).

Различие в результатах анализа тем больше, чем меньше соответствие электромагнитной модели схемной.

Теперь я объясню на примере ))) Рисуем 2-е 50Ом линии в окне Layout. Одну рисуем с помощью элементов из библиотеки TLines Microstrip, а другую с помощью инструмента "Polygon" вручную. Подсоединяем порты, считаем, сохраняем емМодели. Открываем в окне Schematic обе модели. В способе счета и там и там выбираем допустим Layout. Считаем. В линии, нарисованной с помощью элементов библиотеки, параметр КСВн близок к реальному. (есть реальное изделие и анализатор цепей). В линии, нарисованной вручную, этот параметр на всем диапазоне чистая единица. Такое невозможно.

Делаем наоборот, ставим обеим линиям считать как emModel. Результаты одинаковые, но опять же далеки от реальности, причем до обсурда. КСВн сильно больше измеренного на приборе (а ведь есть еще разьемы, увеличивающие это значение).

Выходит единственный правильный способ - это рисовать топологию только библиотечными элементами, и потом считать как Layout ? зачем тогда нужны инструменты для ручного рисования топологии, раз рисованные ими устройства считаются неверно ?

Так же стоит вопрос о способах калибровки портов. Для чего TML, в каких случаях None и т.д.

Ну нарисовал библиотечный и ручной элемент:


Создал схему измерений:


Программа посчитала и выдала для обеих цепей абсолютно одинаковый результат:


В схеме сделал такой же полосок:


И вот Вам два графика КО: ЕМ и схемный расчет. В КСВН-ах разницу будет трудно увидать:

И вот Вам два графика КО: ЕМ и схемный расчет. В КСВН-ах разницу будет трудно увидать:

[/quote]

Во-первых когда речь идет о простой 50-омной линии, это огромная разница. Схемный расчет и то оказался много точнее ЕМ-модели...(способ Momentum). В случае с FEM ситуация несколько улучшилась, но все равно схемный расчет ближе к реальному результату чем ЕМ-модель. Выходит, или ЕМ-анализ в ADS полное фуфло, или я что то не так задаю...

Про порты видимо никто не в курсе((( Кстати, никто не знает чем отличаются симуляторы Momentum RF и Momentum Microwave ?

Кстати, если нарисовать полосок с помощью библиотеки в Layot (причем изогнутый), в ем-модели выбрать "Layout" и сравнить с той же линией, нарисованной в Schematic то результаты полностью совпадут. Спрашивается, зачем функция счета "Layout" при выборе типа анализа, если можно просто рисовать в Schematic ?

Проделал тот же опыт, отличия минимальны. Может лучше приложете свой проект чтобы было видно что Вы делаете или не делаете.
А так Вы вообще еще больше запутали (я к словам не придираюсь, но сначала Вы привели пример с 50 ом-ными полосками, теперь у вас 50 ом-линии большая разница. Как-то "не порусски" мысль излагаете )
Про порты TML (если образно сказать) Вы подсоединяете (возбуждаете ЭМ волну) к своему полоску либо полосок бесконечно длинны, либо с нулевой длиной (TML -zero lenght).

Про порты Job Manager все прекрасно сам объясняет - почему. Причем, каждый раз, при запуске ЕМ анализа, это объяснение так и маячит перед глазами. Так светофорит, что и в хелп лезть не надо.

И как пользоваться портом типа СМД ?? Картинка та больше красивая, чем полезная.
Я уже спрашивал когда-то по поводу этих портов в теме, никто ничего не написал... Там есть ссылка на агилентовскую пдф, но ее можно только правильным юзерам читать, если бы что-то скачал, это б сняло немного вопросов...

Эта пдф только в вебе доступна, ну и распечатать можно, тоже веб, а скачать - нет.
Посмотрите вот это оттуда: Selecting SMD Calibration
Единственное, что меня смущает - это сам смд-элемент. Его контактные плошадки, все-таки, не нулевой длины. И они сидят на ламинате (полоск и диэлектрик с определенной геометрией). То есть, это уже четырехполюсник.

P.S.
Качаются EM Simulation.pdf

Ух, спасибо за хелпы, теперь-то хоть понятно как смд порт назначить!!
Ламинаты и модели это вечная проблема, собственно поэтому и существуют моделистиксы и их модели деталей на разных подложках.

Помогите разобраться с моментумом в Ads. Не возможно выбрать материал.

В 9-ке уж не помню как, вроде не было таких ситуаций, но попробуйте хотя бы один порт поставить.

Наверное, нет смысла создавать отдельную тему по EmPro, т.к. вопросов мало.

А вопрос такой: В CST для моделирования скин слоя предлагается использовать материал "normal" с параметрами, на значения которых я задал вопрос в теме CST.



В EmPro тоже есть такая возможность, для этого надо активизировать опцию металла “Surface impedance correction” и указать частоту.

Какое значение частоты надо ввести, может еще что-то надо поменять, чтобы промоделировать скин слой, например, волновода?

Вот здесь http://edocs.soco.agilent.com/display/empr...ating+Materials пишут, что для FDTD это та частота потери на которой просчитаны наиболее аккуратно, а для FEM вообще не рекомендуют это использовать т.к точность падает на высоких частотах и поэтому опция частоты выключена. Теперь в FDTD
остается узнать на какой же частоте расчет наиболее корректен.

Спасайте, уже на грани нервного срыва. На схеме есть блок выражений VAR. Там написаны формулы и расчитывается значение праметра Zs (например Zs=50*(1+j*20)). Как посмотреть это значение? Где? Сколько получилось-то в итоге. В окне data display нет такой переменной.

Не надо нервного срыва Лучше вместо блока Var используйте блок MeasEqn
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Ага, работает . После microwave office очень тяжело даже простые вещи сделать в ADS. На каждой букве спотыкаюсь

Заметил неприятную особенность при создании нового символа - после каждого чиха пересохраняется файл itemdef.ael. Причем исходная конструкция файла заменяется на стандартную. То есть, например, надо мне создать новый символ, я описываю его на языке AEL, добавляю комментарии, включаю форматирование, чтобы было красиво, подключаю например функцию топологии, а потом бах - и он меняется на стандартный. Он будет работать, но все что там написано, уже написано в одну строчку, плюс нет комментариев, и стираются все функции, кроме create_item(). Это очень неприятно, и пока я борюсь с этим с помощью средств винды, выставляя для файлов itemdef.ael "Только чтение". Файлы перетираются таким образом, например, при изменении имени библиотеки, изменении имени проекта, после компиляции при создании dll.

Кто-нибудь сталкивался с этим? Может там надо где-то галочку поставить, чтобы файл не пересохранялся?

Добрый день!
Пожалуйста, кто-нибудь помогите полному новичку разобраться в ADS 2011.10. Перерыл help и предлагаемые в сети tutorial, но так и не нашел нужного примера. Очень сложно разобраться в ADS с нуля.
Нужно решить очень простую задачу: моделирование, расчет и оптимизация согласующей цепи антенны в рабочей полосе частот. Т.е. есть порт на 50 Ом, за ним какая-то согласующая цепь, за ней второй порт, входное сопротивление которого задается путем импорта данных из .s1p файла (взятого либо из HFSS, либо с network analyzer). Соответственно следим за треком на Smith Chart и пересчитываем сопротивление антенны на входной порт.
Кто-нибудь может кинуть ссылку на подобный пример или как-то подсказать, где есть подробный tutorial с наглядными примерами?Заранее благодарю!

Подскажите в таком вопросе.
Пассивный микрополосковый делитель\сумматор мощности,на 4 из 5 выводов висят P_1Tone по 100 Вт,хочу посмотреть суммарную мощность на 5 выводе(висит Term).
Подскажите как это сделать(пробовал LSSP+HB,такое ощущение что он в этом случае рассматривает схему с точки зрения расчета S-матрицы)

Посмотрите в нелпе как моделировать AC и все будет путем.

Пример: берем GP2X S-параметры, сумматор 2х1, переделываем на 4х1:

Создаем символ:

Собираем схему:

Жмем шестеренку, формируем дата-дисплей для Vout:

Результат:

Добрый день!
Подскажите в таком вопросе. Есть ли возможность перехода от модели трансистора ADS Agilent в нелинейную модель Spice ? Заранее спасибо.

Доброе время суток.
При моделировании 3-децибельного аттенюатора в данной САПР 2008 года столкнулся со следующей проблемой:
при моделировании с использованием тонкопленочных резисторов в Schematic получаю хорошие характеристики, далее топологию переношу в Layout, и пытаюсь получить характеристики там. После расчетов получаю невозможную картину по ним. К стати важная деталь, когда хочу глянуть отображение топологии в 3Д, то вижу только отображение микрополосков, а ,собственно, резисторы не отображаются. В связи с этим грешу на них, но ничего пока сделать не могу. Товарищи специалисты, может кто что знает по данному поводу, поделитесь информацией, буду очень признателен.

вопрос, поднятый участником ASDFG123 по поводу реализации полоового фильтра,
синтезированного им в Genesys, вместе с последующим обсуждением,
выделил в отдельную тему пассивный полосовой фильтр 125-165 МГц 4-го порярядка,
поскольку ни вопрос , ни последовавшее его обсуждение к САПР Agilent ADS отношения не имеют.



на вашу просьбу ответил ser_aleksey_p следующим образом:


к сожалению, из-за технической невозможности разделения поста, этот ответ выпал из данной темы при её разделении.

Кто-нибудь разбирался в ADS с каскадным кодом RS-сверточный-перемежитель?

Разочаровался я в ADS. Пакет хорош для моделирования систем в целом, или ВЧ плат созданной на конструкциях фиксированной длины, ширины и так далее. А как только переходим на трехмерную печатную плату и переходные отверстия тут все, буксует конкретно. Внутренние порты, у него похоже врут не "незначительно", а просто безбожно.
И реально отмоделировать плату не получается в Momentum. Убил две недели, порты задавал как поясняли, один пин на площадку детали, второй пин на план питания под ней. Затем объединил все это в порт.
Но даже на простой плате в 4 слоя, одна единственная трасса с одним переходным, классический кстати случай, трасса микрополосок идет по первому слою, ныряет через переходное на четвертый, внутренние слои, планы земли, прошитые переходными по контуру. И чего? Считал Momentum два часа, результаты, лучше б он их не выдавал.
Так что, для реальных плат он не годится. Только кусочно гнездовым способом, из набора стандартных микрополосков и только на двух слоях. Сигнальный и Cover. А переходные похоже надо в другом пакете вытаскивать модель и подсовывать в схему. Что конечно же не гуд. Не гуд.

а чего же вы хотели - чудес не бывает.
прошили по контуру отверстиями круглыми?
прикиньте, сколько процентов меша ушло на них.
в любой программе, основанной на методе моментов, в таком случае лучше не будет.
а лучше будет, скажу я вам, в HFSS, которому уже после третьего шага рефайнмента
станет безразлично, чем вы там прошивали контур. хотя и в нем можно всё испортить.

Из-за известных ограничений Momentum Agilent и пытается развивать EmPro (FEM). У кого-нибудь есть прямые сравнения результатов EmPro и HFSS?

Еще вопрос, по поводу утилиты Filter Design. Синтез фильтра по S21 ADS делает на ура, просто супер, вопросов нет.
Но вот дальше, как только пытаешься задать оптимизацию по параметру S11, чтобы он был ниже хотя бы -10dB у меня воообще не работает оптимизация.
Уже все перепробовал, и статистику задавал и % и линейную от минимума, до максимума, пределы значений компонентов выставлял широкие,пробовал фильтры разных порядков, разных типов.
Он просто не цепляет эту оптимизацию. Говорит "расслабьте условия", а куда уж слабее, фильтр 5го порядка, ФНЧ, заграждение -40 по второй гармонике, S11 -10dB в полосе пропускания.
Ни фига, как вкопаный стоит. Я уж думал, может проблемы с моделированием, или там теоретический порог, но нет.
Вбиваю ручками значения известного фильтра, все показывает, вместо -5dB легко выдает -15dB. Сам на оптимизацию ну никак не идет.
Может есть какой секрет.

да чудненький оптимизатор в адс, куча методов, оптимизируй - не хочу.
проблема может быть, по-моему, только в неправильных целях, либо в оптимизируемых перемененных, например, +- изменения сильно маленькие, вот оно и не может в таких узких пределах подобрать что-то путное по S11. так что, где-то ашипка....

Чтобы какой-нибудь САПР в мгновение ока оптимизировал 3D фильтр?! Мечта

Если вначале сгенерить параметрическую модель 3D фильтра, что ADS умеет делать достаточно разумно, то потом оптимизация под контретную частоту осуществляется практически в мгновение ока, так как 3D больше уже не рассчитывается.

telix, а Вы не задумывались о том, что Momentum своими результатами предупреждает о неправильной конструкции вашей ПП?

Отвечу сначала по оптимизации. Тут я стормозил, да так сильно, что стыдно признаться в чем было дело. Оптимизатор работает как часы.
А по поводу Momentum не буду тут ничего говорить, для себя решил так, использовать его только и исключительно с калиброванными портами.

Уважаю

Я тут сам закидал техподдержку вопросами в новой, для себя, области. Пока ждешь оттуда ответа, быстрее сам находишь ответ. Но прога действительно работает. Нужно только разобраться что и как правильно делать.

ads_2012_08_hf2 (General Hotfix)

Installation Instructions (.pdf) Download 945,574 bytes (923,4 kB)
Linux (.zip) Download 560,753,901 bytes (534,8 MB)
Release Notes (pdf) Download 56,950 bytes (55,6 kB)
Windows (.zip) Download 182,218,281 bytes (173,8 MB)

Issues addressed in this hotfix:

Selecting/deselecting objects in ADS2011.05 layout
Shift select should unselect a previously selected vertex
Version Control function update_all_files_in_path() is not refreshing open views.
Version Control: Delete Workspace menu needs to inform SOS that a workspace is being deleted so that SOS can check for checked out items within the workspace
Version Control: Need new interface function so ADS can tell SOS when a workspace is opened and closed
Layer Preferences empty
Layers in the Layers Window and Layers Preferences window are not shown
Agilent Survey Link is broken on WinXP 32-bit
Gerber Import: drill files do not properly handle decimals
IFF export is truncating most angles to an integer number of degrees
IFF import is ignoring library resolution setting and using default resolution
IFF import creates layout views without support for rotation, even if instances are rotated
CouplerDual has bad noise behavior at some coupling values
Design Kit part fails to tune when series component is added.
S4P_Eqn does not work in S-parameters noise simulation when it is terminated withTerm in all ports of the S4P_Eqn
Circuit converges easily on 2011, fails totally on 2012
Allow ADS_Diode data file to be stored at other than workspace ./data location (e.g., with the Design Kits).
Dynamic tuning is not working with subcircuit parameters when linear collapse is enabled
ADS hicum model with NQS turned on is slow and difficult to converge in HB simulation
Tuning produces incorrect results for S-parameter analysis with mixer
SI/PI analyzer does not label nodes correctly yielding to failure of inclusion of parts
Momentum versus FEM different treatment for the via
Momentum Virtuoso cannot invoke the Cadence Distributed Process window in IC615 ISR12 and later
Replace EM_Class_wrk in next ADS hotfix
Disappearing tabs in mailLVS Results Viewer
LVS Results viewing window: tabs for Component mismatches, Nodal mismatches, and Parameter mismatches are lost on repeated viewing
Replace modify "Sample Board setting using Strips" option in ADFI EESOF Export set up

И где же они, хотфиксы?

А реально ли сделать в Schematic систему для оформления электрических схем по ГОСТу ? Кто-нибудь пробовал что-то подобное? Или даже не стоит заморачиваться с этим в ADS ?

Довольно часто в теме звучит вопрос "с чего начать?". Можно поискать Agilent ADS circuit cookbook (мне гугл выдал второй ссылкой то, что надо). В книге доступно и пошагово расписано как в среде ADS возможно создавать те или иные проекты.

Думаю это неплохая отправная точка.

Даже и не думайте.

Можно ли ADS прочитать формат s2p? Если можно, то как это сделать?

Виталий

Да, можно. Нужно использовать элемент S2P на палитре Data Items.

Привет всем!

Моделирую линию задержки, которая состоит из меандра и по краям диэлектрики. Выглядит как на рисунке.

Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Проблема в том, что когда создаю substrate и указываю в качестве слоя диэлектрика свой материал, а в качестве bunding layer слой в котором находятся полигоны, на месте которых должны быть диэлектрики, весь слой над печатной становится диэлектриком, а не в определенных местах. Т.е. bounding layer игнорируется.

Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Одним из решений было создать диэлектрические via и тогда уже можно считать с помощью FEM. Но это долго и излишне для моей задачи. А Momentum диэлектрические переходные отверстия не считает.

Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Почему bounding layer игнорируется? Делал в этом слое структуры и полигоны и линии, и все равно получаю сплошной слой над всей поверхностью платы...

Терзают меня смутные сомнения, что моментум позволяет считать подобные 3Д структуры... Металлические виа и 3д диэлектрики - это как бы 2 большие разницы, так что возможно без фема никак.

А зачем тогда bounding area layer? Мне все таки кажется, что по крайней мере наличие и отсутствие в некоторых областях диэлектрика организовать можно и считаться будет. Вопрос в том, почему bounding area layer никак не ограничивает зону где есть диэлектрик.