Цитата(тау @ Jan 8 2010, 00:07)

SM так не считает, у SM-а только 2 состояния - отсечка и насыщение в этой схеме. На самом деле есть два момента времени t1 и t2, в промежутке между которыми происходит основной смысловой процесс - снижение потенциала эмиттера по отношению к коллектору и одновременное снижение потенциала базы.
Вы умолчали одну из основных частей процесса - а именно более подробное рассмотрение процесса между t1 и t2, а не такое, как Вы дали, которое как раз для начинающих. В реальном процессе, когда емкость со стороны базы VT101 пусть на порядка три меньше емкости нагрузки, процесс проходит в две стадии - t1...t2 и t2...t3. Происходит разряд (и дальнейший перезаряд) емкости со стороны базы, и нарастание тока КЭ у VT101, в котором транзистор ведет себя вначале похоже на эмиттерный повторитель. Но вместе с нарастанием тока через КЭ нарастает и падение наряжения на сопротивлениях тела коллектора (это омическое сопротивление между наружним пином корпуса и переходом) и тела эмиттера, что приводит в момент времени t2 к переходу от активного режима в режим насыщения. При этом потенциал истинного коллектора транзистора (в точке, соответствующей границе p- и n-областей в нем) оказывается выше потенциала базы, и транзистор оказывается насыщен под воздействием тока от бутстрепного конденсатора (хотя с виду, осциллографом например, обманчиво кажется, что транзистор еще в активном режиме). С этого момента VT101 работает как открытый насыщенный ключ, разряжая нагрузку на своем паразитном внутреннем сопротивлении перехода, и падение потенциала базы вместе с потенциалом эмиттера обуславливается уже не работой в режиме повторителя, а уменьшением падения на сопротивлении тел коллектора и эмиттера в результате уменьшения тока КЭ при насыщенном транзистора. Что, собственно, является ошибкой проектирования, так как в этот момент через КЭ течет ток, превышающий абсолютный допустимый максимум, что приведет к преждевременному выходу из строя этого транзистора в результате, как минимум, электромиграции, а может даже (хотя и маловероятно) и локальных перегревов. Я при симуляции этих процессов специально ввел резистор вне транзистора, чтобы показать истинные процессы, протекающие в схеме, а не кажущиеся с виду. И на графиках отчетливо видно, что транзистор насыщается
значительно раньше, чем емкость нагрузки оказывается разряжена.
Так что не надо писать, что у меня всего два состояния. У меня все три, просто третье более глубоко проанализировано. И я приводил график переходного процесса уже давно вот там:
http://electronix.ru/forum/index.php?act=a...st&id=39634повторю легенду:
синий - выход ИМС
зеленый - база
малиновый - эмиттер
красный - нагрузка
И четко видно различие между малиновой и красной линиями, обусловленное сопротивлением, при правильной схеме - установленном в схеме, при неправильной - паразитном внутреннем у транзистора. К сожалению, на графике непосредственно не видно, когда начинается насыщение, но можно примерно оценить - тогда, когда расстояние по вертикали между красной и малиновой линиями станет больше, чем расстояние от нуля до зеленой. И это отнюдь не меньшая часть переходного процесса.
Цитата(131959G @ Jan 8 2010, 12:48)

А кортинка скорее не "жесть", а "стёб".
Да нет, не стёб (хотя автор, думаю, хотел спозиционировать ее именно так). Действительно, мой подход таков:
0) Выбираем, как будем анализировать каскад (О[К/Б/Э])
1) Выбираем общую точку на заданном выводе исходя из 0).
2) Исходя из 1) и "всей остальной схемы" аналитически получаем, что есть источник сигнала для получившегося в 1) транзистора-четырехполюсника, а что нагрузка.
3) анализируем этот каскад как О[К/Б/Э] с полученными в п. 2 источником и нагрузкой.
4) если надо, пересчитываем результат на реальные (обозначенные на схеме) нагрузку и источник, а не те, что были временно использованы в п. 2/3, так как они далеко не всегда совпадают.
И, как следствие, если в исходной схеме общий (фиксированный потенциал) и так уже оказался волею судьбы на каком-то выводе, то 0) и 1) убираются, а сразу выбирается, с какой схемы включения начать анализ, и процесс начинается с п.2.