Не совсем так - в каждой схеме есть некая идея, от которой все детали танцуют - например Сbс * Kус для выхода или S/Rb для входа. Тут трёх типов схем для понимания явно не достаточно, более того эти 3 типа не несут в себе какой-нибудь существенной идеи, а лишь дают обзор возможностям, которых на деле гораздо больше - можно сразу добавить дифкаскад и каскод как отдельный тип, поскольку в них другая идея.

тау
Уважительно:
Я не замечание сделал, а высказал СВОЕ мнение по поводу Вашей картинки в данной теме, соответственно всему содержанию темы и не более того. Вы сами для себя можете толковать мое сообщение как хотите.

Я придерживаюсь здравого смысла в схемотехнике и всегда считаю, что первоисточник схемы - это голова Автора схемы. Все остальное и то что и как называть - это просто вопросы понимания РАЗНЫМИ людьми физических процессов, протекающих в конкретных схемах. Если нет понимания однозначного для всех в этой теме, то скорее всего это результат того, что нет общего понимания по вопросу КЛАССИФИКАЦИИ. Я считаю, что источником сигнала может быть любой источник энергии и в данной обсуждаемой схеме им во время нахождения каскада в активном режиме является конденсатор. Мне так удобнее понимать схему.
Не вижу никаких противоречий в том, что каскад включен по схеме с ОЭ.
Когда будет в ЭТОЙ СХЕМЕ синус идти с выхода микросхемы, вот тогда я и смотреть на каскад буду по другому.

Я согласен с мнением тау в той части, что люди мыслят образами (абстракциями) и образное представление схем наиболее доступно для восприятия. Если рассматривать данный топик более широко, в общефилософском плане, то вся человеческая наука носит описательный характер на базе выявленных ими причинно-следственных связей и закономерностей. То бишь людей в первую очередь интересует причина и следствие: что от чего зависит, что и как на эту связь влияет? Именно поэтому основополагающими в понимании электрических схем являются понятия входа (причина) и выхода (следствие), метод выбора общего провода. Ну и представление транзистора как модели-четырехполюсника тоже отсюда же идет (вход-причина и выход-следствие). Я нисколько не умаляю значения математического аппарата, используемого при анализе схем, принципа эквивалентности математических преобразований и различия (более и менее точных) моделей транзистора. Но дискуссия уже больше месяца ведется на разных уровнях абстракций. Схема включения транзистора и модель транзистора Гуммеля-Пуна это разные образные уровни. Если для первой принципиально важен выбор общего провода, то для второй совершенно неважен ввиду эквивалентности математических преобразований. Мнится мне, что уже пора все это подытожить и осознать сей факт. Тогда настанет консенсус и бескомпромиссный спор возможно прекратится. Особенно, если вернуться назад и внимательно прочитать исходный заголовок топика

Действительно, подход с моделями общих точек даёт возможность что-то там быстро оценить. Но на практике никто не просит давать оценку различных схем со скоростью 10шт в минуту или даже в день. А вот ошибки, следующие из недостатков этого быстрого анализа на каждом шагу. Прежде всего это токи по земле - пытаясь сохранить этот самый общий провод, конструктор предпочитает сделать заливку землёй, тем более, что это просто - натянул прямоугольник на плату и готово. Более того, при таком подходе макет обычно не проявляет больших проблем, но вот потом, в составе более большого устройства возникают проблемы.
Второе - от моделирования при анализе схем всё-равно никуда не убежать : оптимизация схемы на основе четырёхполюсников приводит к согласованию каскадов , но не к выявлению ключевых моментов оптимизации - конечно, порой достаточно и согласования.
Итог у меня такой - модели с общими точками более уместны при эксплуатации и ремонте, но не при конструировании, кроме того полезны как элемент общения, позволяющий быстро рассказать о схеме.

Вы умолчали одну из основных частей процесса - а именно более подробное рассмотрение процесса между t1 и t2, а не такое, как Вы дали, которое как раз для начинающих. В реальном процессе, когда емкость со стороны базы VT101 пусть на порядка три меньше емкости нагрузки, процесс проходит в две стадии - t1...t2 и t2...t3. Происходит разряд (и дальнейший перезаряд) емкости со стороны базы, и нарастание тока КЭ у VT101, в котором транзистор ведет себя вначале похоже на эмиттерный повторитель. Но вместе с нарастанием тока через КЭ нарастает и падение наряжения на сопротивлениях тела коллектора (это омическое сопротивление между наружним пином корпуса и переходом) и тела эмиттера, что приводит в момент времени t2 к переходу от активного режима в режим насыщения. При этом потенциал истинного коллектора транзистора (в точке, соответствующей границе p- и n-областей в нем) оказывается выше потенциала базы, и транзистор оказывается насыщен под воздействием тока от бутстрепного конденсатора (хотя с виду, осциллографом например, обманчиво кажется, что транзистор еще в активном режиме). С этого момента VT101 работает как открытый насыщенный ключ, разряжая нагрузку на своем паразитном внутреннем сопротивлении перехода, и падение потенциала базы вместе с потенциалом эмиттера обуславливается уже не работой в режиме повторителя, а уменьшением падения на сопротивлении тел коллектора и эмиттера в результате уменьшения тока КЭ при насыщенном транзистора. Что, собственно, является ошибкой проектирования, так как в этот момент через КЭ течет ток, превышающий абсолютный допустимый максимум, что приведет к преждевременному выходу из строя этого транзистора в результате, как минимум, электромиграции, а может даже (хотя и маловероятно) и локальных перегревов. Я при симуляции этих процессов специально ввел резистор вне транзистора, чтобы показать истинные процессы, протекающие в схеме, а не кажущиеся с виду. И на графиках отчетливо видно, что транзистор насыщается значительно раньше, чем емкость нагрузки оказывается разряжена.

Так что не надо писать, что у меня всего два состояния. У меня все три, просто третье более глубоко проанализировано. И я приводил график переходного процесса уже давно вот там:

http://electronix.ru/forum/index.php?act=a...st&id=39634

повторю легенду:

синий - выход ИМС
зеленый - база
малиновый - эмиттер
красный - нагрузка

И четко видно различие между малиновой и красной линиями, обусловленное сопротивлением, при правильной схеме - установленном в схеме, при неправильной - паразитном внутреннем у транзистора. К сожалению, на графике непосредственно не видно, когда начинается насыщение, но можно примерно оценить - тогда, когда расстояние по вертикали между красной и малиновой линиями станет больше, чем расстояние от нуля до зеленой. И это отнюдь не меньшая часть переходного процесса.


Да нет, не стёб (хотя автор, думаю, хотел спозиционировать ее именно так). Действительно, мой подход таков:

0) Выбираем, как будем анализировать каскад (О[К/Б/Э])
1) Выбираем общую точку на заданном выводе исходя из 0).
2) Исходя из 1) и "всей остальной схемы" аналитически получаем, что есть источник сигнала для получившегося в 1) транзистора-четырехполюсника, а что нагрузка.
3) анализируем этот каскад как О[К/Б/Э] с полученными в п. 2 источником и нагрузкой.
4) если надо, пересчитываем результат на реальные (обозначенные на схеме) нагрузку и источник, а не те, что были временно использованы в п. 2/3, так как они далеко не всегда совпадают.

И, как следствие, если в исходной схеме общий (фиксированный потенциал) и так уже оказался волею судьбы на каком-то выводе, то 0) и 1) убираются, а сразу выбирается, с какой схемы включения начать анализ, и процесс начинается с п.2.

Согласен с замечанием, перегнул малость в злопыхательстве . Каюсь.
Это так будет при большой бэтте и сравнительно большом Rk (или внешнем резисторе в коллекторе).
А я предлагаю представить что в схеме GetSmart-a транзистор с очень малым Rk (например 0,1 Ом) и малой бэттой <100. В таком случае насыщение не наступит на бОльшей части переходного процесса в этой схеме. Транзистор в активном режиме будет разряжать Cload. Вы будете утверждать что схема включения зависит от того насыщен\ненасыщен ? или грубо говоря от бэтты ? или , как я раньше ставил вопрос - от вида сигнала на входе базы?
Похоже что ответа на эти вопросы я не получу.

Почему же не получите? Мои утверждения остались такими же, какими и были:

- Схема включения зависит лишь от условной точки, принятой за общий перед началом анализа каскада, и ни от чего более.
- Схема включения - самое первичное исходное данное для анализа, на основании которого затем определяются источник сигнала и нагрузка, а уже дальше токи и напряжения в них. Но не результат анализа.
- И в ОК, и в ОЭ, и в ОБ транзистор может быть как в отсечке, так и в активном, и насыщении и инверсии. Это как мухи и котлеты - схема включения одно, а квадрант, в котором находится транзистор по смещениям переходов в то или иное время, другое, друг на друга не влияющее.

А мое уточнение было лишь к Вашим словам, что я забыл про переходной процесс , а отнюдь не непосредственно к теме - схеме включения.


Да не суть важно, насыщен или нет. Важно другое - что когда емкость выхода микросхемы разрядилась, ее транзистор закрылся, что на порядок-другой быстрее всего остального процесса разряда нагрузки, и от всей микросхемы остался пикофарадный кондер (а точнее диод катодом к общему ИМС и анодом к выходу), транзистор VT101 можно рассмотреть хоть как эмиттерный повторитель, который "повторяет" сам на себе напряжение, определяемое бетой транзистора, резистором, зарядом бутстрепного кондера и разрядом нагрузки получающимся током КЭ, так и как усилитель тока c ОЭ, который усиливает ток базы, определяемый тем же резистором и тем же бутстрепным кондером, и разряжает этим током нагрузку.

В первой половине поста 257 Вы косвенно соглашаетесь с тем что от вида сигнала схема включения не зависит . Потому что зависит лишь от условной общей точки (как на картинке поста 245 ) .
Во второй половине поста 257 Вы почти явно соглашаетесь с тем , что таки зависит схема включения от вида сигнала! А если на порядок медленнее ?

Вы чем читаете? Во второй половине поста я более чем явно сказал, что анализ схемы с ОК равнозначен в правах с анализом ОЭ, что, так же явно, говорит о том, что схема включения от видов сигналов где либо не зависит.

"...можно рассмотреть хоть как эмиттерный повторитель....так и как усилитель тока c ОЭ...."

Если на порядок медленнее, то ничего принципиально не меняется, кроме того, что источник сигнала для этого момента времени усложняется тем, что кроме воздействия R103 и бутстрепного кондера добавится еще и ток с микросхемы, рассматриваемой уже не как диод катодом к ее общему, а сложнее.

UPD:
анодом к общему, конечно. Сорри, очепятка.

Ну , собственно, это я и хотел услышать от Вас, чтобы при случае передать Getsmart-у. Так как это для него важно, а Вам не очень ( по вашей системе , отличия между схемами включения - лишь условности). С легкостью перепрыгивая от ОЭ к ОК , Вы, тем самым , просто размываете смысл этих понятий, сводя информационное содержание к нулю ( в переносном и прямом смыслах ) .

В общем - именно так. Я считаю, что это - ОК/ОЭ/ОБ придуманы лишь для удобства, а удобство - понятие субъективное. Одному удобнее, например, включить нагрузку в состав источника сигнала, а другому сделать источник питания плавающим (это я про high side драйвер). Один проанализирует как ОК, второй - как ОЭ. Результаты у обоих получатся равными. Но первому было удобно так, второму - эдак. И каждый по-своему пришел к тому же результату оптимальным для себя методом. Т.е. информационное содержание действительно равно нулю, каждому из анализировавших совершенно непонятно, зачем другой делал не так как он, однако экономия времени у каждого - на лицо, так как каждому было так удобнее.

Раз меня обвинили в стёбе. Стебанусь ещё
Вот картинка lowdrop параметрического стабилизатора. В реале её сделать сложнее, чем класический из-за необходимости наличия второго изолированного источника напруги. Но зато характеристики схемы (например в симуляторе) просто шикарные. Транзистор тоже способен входить в насыщение (если считать его ОК). Вопрос в том, что, если ОС сигнала заведена в режиме ОК, то почему я должен считать такую схему включения именно ОК? Ведь при низком напряжении на входе (OR выходе) схемы (когда стабилитрон будет выключен) каскад работает в ОЭ.

Вот ещё вопрос на засыпку. В токовом зеркале как включены оба транзистора? И существует ли "в природе" источник тока в режиме ОК?

первый - вообще в диодном включении.

С точки зрения ОЭ (усилителя тока):
источник сигнала (из-за соединения Б и К) описывается формулой Iвх = Iin/(бета+1).
нагрузка подключается между К и Э, напряжение на ней около 0.6 вольт из-за того, что переход БЭ является диодом, и на нем падает ровно столько, сколько обусловлено разделением токов в базу и коллектор как 1:бета.

С точки зрения ОК (повторителя) - вообще красиво.
источник сигнала описывается очень просто: Uвх = Uкб = 0. На эмиттере, на выходе, соотв. согласно всем правилам повторителя напряжение примерно равно Uб-0.6 вольт, а так как Uкб=0, а нагрузка включена между К и Э - на нагрузке всегда около 0.6 вольт. Точное значение определяется также, как и в предыдущем случае, через разделение токов в коллектор и базу, ибо чудес не бывает, и как бы не был включен транзистор, он все равно просто транзистор, хоть неидеальный повторитель из-за конечной беты, хоть усилитель тока с конечным усилением из-за нее же.

второй транзистор...
С точки зрения ОЭ:
он, естессно, усилитель тока. На базу подается относительно эмиттера такое напряжение, которое задает точно такой ток базы, чтобы через коллектор тек заданный ток, который Iб*бета.

С точки зрения ОК:
Так как общий источника сигнала у нас теперь на коллекторе, то источник сигнала описывется теперь как сумма падения на нагрузке и того входного сигнала, что был в ОЭ-рассмотрении. Получается эмиттерный повторитель, охваченный глубокой ПОС за счет участия падения напряжения на нагрузке в составе источника сигнала. Составив уравнение, учитывающее неидеальность такого эмиттерного повторителя, обусловленного той же бетой, что и при ОЭ рассмотрении, увидим, что в данной схеме в результате действия ПОС на эмиттере будет выставляться такое напряжение, чтобы через нагрузку тек тот же ток, что и в предыдущем рассмотрении.


В природе просто существует источник тока просто на транзисторе. А вот с какой стороны его проанализировать - вопрос как кому удобнее. Не существует "режим ОК". Существует "схема ОК". Ключевое слово - схема - это лишь чертеж, рисунок. А режим бывает активный/насыщение/отсечка/инверсия. В токовом зеркале тот транзистор, что в диодном включении - всегда насыщен (почти не насыщен, по свойствам даже еще вроде как активная зона, но формально по определению - насыщен, так как переход БК всегда чуть-чуть обратносмещен из-за падения на Rc, превышающего падение на Rb). А другой - может быть как насыщен, так и активен, в зависимости от нагрузки.

Ну как бы не совсем. Диодное включение - не использование вообще 3-его пина или закорачивание одного из переходов транзистора. Либо даже запараллеливание обоих переходов. В токовом зеркале всё-таки транзистор находится в 100% активной зоне, хотя его вход непосредственно замкнут с выходом и никакого усиления нет. Может поэтому его и нельзя классифицировать. Двухполюсник вобщем.


ИМХО, с "правильной" "точки зрения" анализ всегда получается проще

Вобщем я прихожу к мнению, что не существует только 3-ёх схем включения. Точнее они есть в 50% случае в чистом виде, но в остальных 50% существуют всякие гибриды и прочие более сложные схемы включения, у которых названия другие должны быть (или их ещё не придумали).

ЗЫ. Моя схемка всё-равно брат-близнец high side driver-a и схема включения должна быть классифицирована аналогично.

Вообще - из абсолютно любого четырехполюсника двухполюсник делается одним мановением при помощи всего лишь пары проводов во внешней относительно него схеме Так что любой из трех вариантов транзисторов-четырехполюсников превращается в двухполюсник при помощи внешней схемы на раз. При этом сам в себе остается четырехполюсником, и четко классифицируется .


Не нужны они. Любая схема раскладывается на транзистор в любом включении, и соответствующие этому включению источник и нагрузку.

Вот две схемы включения составного транзистора из разнотипных транзисторов (схема Шиклаи). На первой схеме составной транзистор включён как ОЭ, на второй как ОК.

Вопрос к публике: как в каждой из схем включены отдельные транзисторы? И почему?

ЗЫ. SM просьба не повторяться с тезисом "как хочешь, так и включены"

Всем день добрый!

Странный спор

Когда-то, очень давно, на заре становления полупроводниковой электроники, инженеры условились:
- если схема имеет низкое входное сопротивление и имеет большое усиление по мощности, то это ОЭ;
- если схема имеет высокое входное сопротивление и имеет большое усиление по току, то это ОК;
- если схема имеет низкое входное сопротивление и имеет большое усиление по напряжению, то это ОБ.

Еще возможны комбинации этих схем, что приводит к эквивалентам. Например, последовательное включение 2-х каскадов ОБ и ОК дает эквивалент ОЭ. Коэффициент усиления эквивалента и одного транзистора могут различатся на порядки.

Или спор о чем-то более глубоком?

.

Каждый из транзисторов включен правильно (классически), потому, что подсоеденены все три вывода!
P.S. Готовитесь к переезду на пмж в шарагу?

А что, скучно без меня?
Тут слишком много обормотов приближённых к верхушке крутится. Абыдно.

Rostislav, есть слишком много разных аспектов у схем включения и они никак не хотят укладываться в стройную картину, в которой всё можно описать парой-тройкой правил. Кто-то делает акцент/приоритет на одном признаке, кто-то на другом, а кто в итоге правЕе - не ясно.

Ну а это как классифицировать в автодинном приемнике. Глазами-то вроде понятно, общий коллектор при запитке и общая база (или как ) при съеме сигнала. Не-е, нафиг эти классификации, пусть студенты этим занимаются.