Ну, а почему, собственно? Предположим, ток прерывается мгновенно. С этого момента можно считать входным сигналом для каскада напряжение на конденсаторе.

Если убрать VT101, и оставить R103 того же номинала, что и был, то dU/dT на разряде меняется на пару порядков как минимум (зависит от беты транзистора). Одно дело - разряд емкости 3-килоомным R103, а другое дело разряд ее же открытым транзистором. Хотя для кого-то это может быть и не существенно



----
UPD

на пару порядков, это я конечно, заломил, но раз так в 70 для транзистора BC807-25 и добавленного ему в цепь коллектора (относительно исходной схемы, с целью нормализации режима транзистора и отвязки от беты) резистора в 10 ом - как с куста.

Вы не учли, что убрав транзистор , разряжающий емкость затвора, цепь затвора оказалась отделена от выхода микросхемы.
Про два порядка перебор.
Ну этого и можно было ожидать....

Вы за кого меня принимаете? Я диод между БЭ тоже убил (коротнул). И емксоть бутстрепную заодно пришиб. Чтобы путь разряда обеспечить.

Просто емкость со стороны базы VT101 - пикофарады, а нагрузки - нанофарады. Одно дело разряжать пикофарады через R103. А другое дело толстую нагрузку.

После закрытия диода, на сколько ток уменьшится с выхода микросхемы, на столько он увеличился в базе VT101 . Функция снижения тока с выхода микросхемы - свойство источника сигнала (микросхемы) . Остальное арифметика. Вздумается выходу микросхемы остановиться на уровне +3V от земли - и VT101 послушно там-же остановится, не глядя на "желания" C103 понижать потенциал базы еще ниже. Очень много схем разряда затвора по похожей схеме делают, только без бутстрепной емкости. И всюду этот транзистор по схеме ОК ( в основном, т.к. возможны извращения).

тау
Я думаю в этой схеме каждый элемент выполняет свои функции.
Транзистор биполярный работает ключем.
Емкость которая его откроет МОЖНО УВЕЛИЧИТЬ до такой величины, что вся "ловля ведьм" с медленными перепадами станет не в тему. Частоту переключения можно понизить, а СХЕМОТЕХНИКА каскада останется не тронутой.
Мне вот так кажется, а ПОСЛЕДНЕЕ СЛОВО за Автором схемы.

Я вас принимаю за человека, не подозревающего что каскад с ОК может служить и служит в данной ситуации усилителем разрядного тока затвора. Иначе бы вы учитывали в своих расчетах "про 2 порядка " , что если где-то чего-то уменьшается, то в другом месте что-то должно увеличиться, естественно , поскольку это обычное дело.
Я не просил Вас убивать (коротить) диод, это Ваша фантазия только для целей оправдания собственной проигрышной позиции.

Микросхема интеллектом не обладает и ничего вздуматься ей не может. Ей может максимум что вздуматься, это запереть ее выходной транзистор, подав на его базу ноль вольт относительно того общего, что на схеме. При этом желание бутстрепного конденсатора полностью исполняется, он может утянуть ее выход в минус на 0.6..0.7 вольт. А если автор добавил бы еще диодик, то и на 1.2 вольта в минус. Чего более чем достаточно для конкретного насыщения VT101.


Только это были Ваши слова, а не мои, что убирание каскада на VT101, а оставление только R103 не приведет к значимому изменению dU/dt. А значит именно Вы не подозреваете о том, что он усиливает ток разряда. Иначе бы не говорили такую чушь.

Да Вы перечитайте чуть ранее посты, ёмкость вообще заменяли батарейкой вечной. Разницы нету . Выдала микруха синус - синус будет и на затворе, малёха искаженный из-за p-n переходов. "ОК" короче , имхо.

Ну если синус, тогда я ПАС!

мне проблему, которую Вы живописуете тут, высосанную из пальца, обсуждать неинтересно. Если ВЫ меня не поняли, будьте любезны не хамить, а переспросите.



ну а зачем зацикливаться на прямоугольниках, вот уж с чем трудно согласиться - так это с тем, что от вида сигнала может зависеть схема включеня транзистора

Я думаю, не совсем так. После закрытия диода ко входу каскада уже приложено два сигнала: один - спадающее напряжение с выхода микросхемы (или, если хотите, ток), второй - напряжение конденсатора. Если выходной транзистор в микросхеме закроется быстро, первую составляющую можно даже не учитывать - скорость нарастания коллекторного тока VT101 будет определяться базовым током через резистор R103, ну и бетой, конечно. В противном случае, то есть, если выходной транзистор микросхемы остаётся в активном режиме и источает яд ток , всё дело в разнице выходных сопротивлений этих двух источников и "тягаться" RC-цепочке с эмиттерным повторителем, конечно, тяжело. Ситуация бы изменилась не с увеличением ёмкости С103, а будь по дороге с выв.2 микросхемы резистор к базе VT101.

Тогда уж и Вы точно говорите где именно dU/dt. А то написали - что размах на выходе микросхемы, а где dU/dt - типа гадайте сами. Естественно на ум приходит в первую очередь dU/dt в нагрузке, за которую борьба в схеме. Если подразумевалось du/dt на выходе ИМС - то извиняюсь, погорячился с выражениями.

А вот зато если схему рассматривать как ОК (я между прочим против этого ничего не имел) - то это будет как раз тот яркий пример редкого ОК-а, где транзистор уходит в насыщение и там жестко сидит всю отрицательную полуволну. Зато ОЭ-рассмотрение позволяет увидеть этот же насыщенный транзистор просто открытым бутстрепным кондером, подключенным между Б и Э, что гораздо привычнее "простому люду".

особо то и не нужны резисторы кроме R103, ток в котором относительно стабилен (10% для эстетов ) . А закон кирхгофа о равенстве нулю суммы всех токов втекающих/вытекающих из узла, не забыли ? вот это из него и следствие.

Лучше диод. Тогда тягаться будет некому принципиально, так как насыщенный VT101 ограничит потенциал на своей базе на -0.6 вольт, а запас до открытия последовательных эмитетрного повторителя в микрухе и диода вдвое больше.

Виноват, не расписал подробно.

Согласен, а по поводу ОЭ действительно , беря во внимание субъективные оценки, высказываемые участниками, приходится признать что "факты" имеют место быть.

Нет, не согласен. Если ток выхода эмиттерного повторителя микросхемы не прекратится, он будет течь и через этот дополнительный диод.

Он не может не прекратиться Микросхема так устроена. Она запирает свой выходной ОК нулем на базе. Значит дает запас бутстрепному кондеру по утягиванию ее выхода в минус на 0.6 вольта, после чего с эмиттера пойдет ток. Добавив с выхода ИМС к остальной схеме диод - увеличим этот запас еще на 0.6 вольт. Добавив резистор - увеличим на какое-то незначительное падение на нем. (либо мы не понимаем друг друга, куда что добавлять )

Да ясно, что не нужен, это только для иллюстрации.

Для Herz - вот что я имею в виду (см. схему)
D3 введен для того, чтобы Q гарантировано уходил в насыщение, а не играл в перетягивание каната с эмитетром 34063 (об этом диоде я Вам и говорил)
R3 для нормализации режима Q, без него там запредельные импульсные токи в КЭ будут, ограниченные только бетой и R1.

Видимо. Я не об этом. Просто тау предложил считать, что выходной ток микросхемы спадает плавно. Конечно, реальная скорость спада конечна. Вот этот ток и не позволяет отрицательному (относительно эмиттера) напряжению конденсатора насыщать VT101 так быстро, как ему "хотелось бы".


Оперативно!


А всё равно будет, пока эмиттер 34063 в активном режиме.

Ну да, только "почти этот". На самом деле, когда там начнет насыщаться VT101, еще и начнет открываться повторитель в 34063. Вот с ним и война будет.


Так с этим и не надо воевать, скорость закрытия там достаточна. Надо воевать с открытием уже закрытого ОК в 34063 бутстрепным кондером, тянущим его в минус.

согласен с тау, это всетаки ОК
VT101 закрывается благодаря наличию нагрузки в лице затворной емкости. Иначе бы он был все время открыт имхо.
Для ОЭ вообщето не характерно зависимость управления от нагрузки.

Это неверно. VT101 закрывается благодаря подаче на его базу входного напряжения с выхода 34063, и он не то, что закрывается, а даже в отсечку улетает. А какая там нагрузка, емкость, сопротивление, не важно, он был бы закрыт даже без нагрузки вообшще (было бы Vб ~= Vэ)

Важно , какая нагрузка. Резистивная с последовательным источником - транзистор закрываться не будет , при напряжении источника более амплитуды входных импульсов. См. рисунок. красная линия - импульсы с выхода микросхемы , зелёная - на эмиттере транзистора Q2.
С емкостной нагрузкой, из за необходимости перезаряда емкости Cload и подзаряда С1 , диод D1 будет подпитывать и нагрузку и С1, с обязательной отсечкой транзистора в каждом периоде.


Меняется ли схема включения транзистора от характера нагрузки? - на совести каждого заинтересованного. имхо. Для меня не меняется.

Это не совсем честно - я априори не рассматривал нагрузки, имеющие в своем составе какой либо источник напряжения или тока, так как схема изначально не предназначена для работы с такой нагрузкой. Это, по идее, наверное, можно для любой схемы такую нагрузку придумать, что у нее "крыша съедет", и она перестанет работать как задумано. Как пример - взять и эмиттерный повторитель нагрузить на источник напряжения, большего чем питание... И что там от повторителя останется?

Если поступить условно "честно" и оставить только резистор без источника V3, то тока в коллектора вообще никогда не будет в этой схеме. Работать будет только диод D1. Зато честно

Будет... Но мало и коротко... Все таки разрядить емкость КЭ его самого ему придется Но, собственно, и не надо, тут речь была у товарища, что транзистор закрывается только из-за емкостной нагрузки, что не так. Он из-за нее открывается, это да, но не закрывается.

Открывается он не изза емкостной нагрузки, а благодаря bootstrap capacitor, или как раньше называлось конденсатор вольтодобавки. А закрывается он так- когда база транзистора улетает в плюс благодаря управляющему сигналу с микросхемы, эмиттер остается в том же потенциале (первый момент) благодаря емкости нагрузки (затворная емкость оконечного транзистора). Тау пусть поправит меня если это не так
А прикол с выкидыванием V3, да и вообще эта схема думаю не подходит под термин усилительного каскада, который по определению использует энергию источника питания в своей работе. Здесь его в чистом виде нет.

Благодарить бутстрепный не нужно. Если бы его не было, открывался бы током из резистора между базой и землей. Бутстрепная емкость просто "стабилизирует" ток резистора, позволяя транзистору насытиться и опустить потенциал базы ниже земли.

И также, благодаря необходимости подзаряда бутстрепной емкости, когда нагрузки Cload не было бы вообще.

На рисунке осциллограммы работы на чисто емкостную нагрузку Cload.
Интересуюсь мнением GetSmart-а по вопросу "Что за ток в коллекторе порядка 2 mA , когда база в районе 0 вольт постоянно находится ???"

Вероятно, это не ток коллектора, а ток эмиттера.
Кроме того, не приведена форма исходного сигнала (V3).

Жёлтый вероятно тоже не ток D1, а скорее всего ток выхода микросхемы (R1)

Потому как через диод не может течь постоянка 2 мА при 6 вольтах на выходе микросхемы. 2 мА текут в обход диода, через R4 и D2 на землю.

ток коллектора, я не ошибся

Исходный сигнал от V3 имеет нижний уровень 1 вольт, верхний уровень 8 вольт, переменную крутизну фронтов: 2 мкс , 1 мкс, 0,8 мкс, 0,5 мкс

именно ток D1 , я не попутал

на выходе микросхемы (красная линия) примерно 7 V на максимуме

Опять мимо, и очень мимо. Открывается он отнюдь не из-за бутстрепной емкости, из-за нее он насыщается, а открывает его резистор R103 и емкость нагрузки, которая держит потенциал эмиттера выше потенциала базы, когда микросхема обрывает ток. И закрывается он когда база "улетает в плюс" не только в первый момент, а и до самого последнего момента, пока транзистор микросхемы открыт, так как нет ни одного элемента, могущего при этом сделать напряжение на эмиттере выше, чем на базе, даже на милливольт, чтобы попытаться открыть этот транзистор.

Ну да, вобщемто бутсрепная емкость в данном случае и является емкостной нагрузкой. А главное то, что напряжение на эмиттере транзистора повторяет напряжение на базе, т.е это чистой воды ОК



Да про насыщение никто и не спорит- для того эта цепь и введена.
А вот про "нет ни одного элемента, могущего...": а какже эта самая бутстрепная емкость, ежели мы убрали емкость нагрузки? Ну для простоты заменим ее батарейкой, как тут рисовали- ток батарейки разве не потечет через база-эмиттер транзистора?

PS. Кстати обратите внимание что напряжение на "нагрузке" (эмиттер транзистора) в последнем графике тау не поднимается выше 7В, т.е повторяет напряжение драйвера. Так что же это если не эмиттерный повторитель (ОК)

О! Именно! Об этом и была речь, когда рассматривали high side драйвер. Там происходит точно тоже самое - напряжение на эмиттере повторяет напряжение на базе, до тех пор, пока его не насытят бутстрепной емкость. Только там - оно "однозначно ОЭ". О чем я и толкую, что все ни разу не однозначно, а как раз равнозначно - как удобно, так и считайте, и всегда правы будете.


нет, не потечет, пока ток с выхода микрухи не упадет настолько, чтобы закрыть диод между базой и эмиттером, и открыть переход БЭ за счет более быстрого падения потенциала базы, нежели потенциала эмиттера. Даже если нагрузка совсем не емкостная. А потом Вы говорили, цитирую "VT101 закрывается благодаря наличию нагрузки в лице затворной емкости. Иначе бы он был все время открыт имхо" - так вот, закрывается он благодаря току микруха->диод->нагрузка, и совершенно не важно, какая это нагрузка. Если там резистор - то он закрывается от тока через резистор. Если там кондер, то закрывается он из-за тока через кондер. Даже если бы бутстрепного кондера не было бы вовсе.

А насчет "напряжение на эмиттере повторяет напряжение на базе" - это не совсем так - вот симуляция того момента, когда транзистор в работе (по моей модифицированной схеме, где есть токоограничивающий резистор, а не по оригиналу автора, где транзистор в запредельных режимах из-за превышения импульсного тока КЭ абс. максимума).

синий - выход ИМС
зеленый - база
малиновый - эмиттер
красный - нагрузка

первая неровность синего и зеленого - закрытие диода БЭ и переход транзистора от отсечки к активному режиму.
пересечение зеленым линии нуля - вход в насыщение.
неровность/непараллельность внизу - влияние введенного мной доп. диода, усиливающего насыщение, он уходит в микротоки, и его емкость разряжается

Очень четко видно, что транзистор насыщается раньше (прямое смещение на БК), чем разряжается емкость нагрузки, и вообще, dU/dT на базе значительно выше dU/dT на нагрузке, что как раз характерно для ОЭ. Но это благодаря явно нарисованному на схеме резистору. Без него тот же эффект был бы на внутренних паразитных резисторах транзистора - он насыщался бы раньше, но за счет подскока потенциала перехода БК, возникающего из-за падения напряжения на сопротивлении тела коллектора внутри транзистора, ну и с возможным преждевременным выходом транзистора из строя из-за превышения Abs.Max. (сразу, конечно, не умрет, но деградировать будет, если емкости нагрузки на это хватит)

---
для тау и остальных заинтересованных - getsmart-а в очередной раз забанило, просил передать, что он продолжит на шараге.

Да, с "все время открытым" я погорячился, каюсь . Дело в том что если считать что транзистор работает как повторитель, а в отсутствии диода D1 на его базе было бы напряжение определяемое делителем R1-R4 (последняя схема кот привел тау), а это будет 10,6В (напряжение на С1 =-9В, на выходе драйвера допустим 11В). И напряжение на эмиттере (если нету D1) будет грубо 0В.
Таким образом, при указанных на схеме номиналах напряжение БЭ всегда положительно, значит Q2 закрыт.

Причем относительно земли , куда включен коллектор. Спасибо за понимание и поддержку Alexashka, а то я тут забодался



Да вот как раз и не точно то же самое.
Если в high side драйвере убрать каскад на полевике (извлечь верхний Mosfet) , то размаха 300V с выхода драйвера никогда не увидите.
В случае рассматриваемой схемы с ОК от GetSmart-а , устранение входного транзистора Q1 не повлияет на амплитуду с выхода микросхемы . Это же элементарно! а разница поэтому между двумя схемами огромна. Так как разные схемы включения .
Хотя, возможно, фразой "Только там - оно "однозначно ОЭ" Вы с этим и согласились. Наконец-то.

Тут главное не забывать, что работа повторителем это лишь один из частных случаев ОК-включения. Т.е. транзистор работает как повторитель, если он в ОК и в активном режиме. А тут же он большую часть времени сидит в отсечке, другую большую - в насыщении, и лишь какие-то наносекунды в активном. Так что нельзя говорить, что он работает как повторитель, так как повторителем он там работает какие-то мгновения. Но что он включен как ОК - можно говорить совершенно полноправно, равно что и как в ОЭ.


нет, я с этим не соглашался. Это я с сарказмом сказал. Если в драйвере high side заменить верхний мосфет резистором - то будет аналог схемы getsmart-а, правда слегка модифицированный "вверх ногами". Первую часть времени открытый нижний мосфет будет заряжать бутстрепный кондер и держать затвор в нуле, вторую часть времени - заряд с бутстрепного кондера перетекать в затвор через резистор, поднимая его потенциал, и с ним потенциал истока.
Т.е. верхний ключ внутри драйвера лишь ускоритель процесса, а не определяющий элемент.

В общем - схема включения, повторюсь, зависит лишь от того, что принято за общий, и ни от чего более. И от того, куда и как течет какой ток, и убрать или не убрать какую-то деталь, точка, условно принятая за общий для входного и выходного сигнала никуда не передвинется, оставшись там, куда ее поместил тот, кто анализирует схему.

Мгновения, мгновения, мгновения...(с)
зато в эти мгновения он отрабатывает бОльшую часть входного сигнала по амплутуде (90% и более) , повторяя его на нагрузке. Ну дык импульсная схема, чего с неё взять...


ничего такого похожего не будет , одумайтесь, размах асмплитуды на выходе драйвера упадет в 20 раз. Чего не происходит в схеме getsmart-а

Короче, про high side:

- если мы возьмем осциллограф, и ткнемся одним лучем на затвор, другим на исток, общим на минус источника питания - увидим поведение, совершенно точно описываемое схемой ОК. Сначала на затворе и истоке по нулям, потом напряжение на затворе растет, его повторяет исток за вычетом положенных вольт (Vth+чуток). Потом затвор улетает выше стока, что переводит транзистор в активную зону (не забывать - у полевика активная зона и зона насыщения - можно сказать антиподы биполяру, насыщенный полевик источник тока, а активный - сопротивление, и физическая суть этих определений совсем разная).

- если мы возьмем осциллограф, и ткнемся одним лучем на затвор, другим на сток, общим на исток - увидим поведение, совершенно точно описываемое схемой ОЭ. Сначала на затворе ноль, на стоке много, потом напряжение на затворе растет, на стоке падает. Потом затвор улетает выше стока, что переводит транзистор в активную зону.

Как видим - ТЕ ЖЕ ЯЙЦА, НО В ПРОФИЛЬ. И еще скажите, что на осциллографе будет что-то другое.



Это только кажется, что он в это время работает повторителем, на самом деле он насыщен из за подскока потенциала коллектора в том месте внутри транзистора, где переход... Из-за допущенной автором небольшой оплошности - отсутствии резистора в цепи нагрузки, ограничивающего ток коллектора. Я специально привел результат симуляции, вынеся резистор наружу, и на нем видно, когда транзистор уже насыщен, а разряд вовсю еще идет.


Да ни на сколько не упадет. ни на милливольт.

Хорошо давайте введем транзистор в линейный режим- вместо полного размаха на входе сделаем от 5 до 8 Вольт к примеру. Мы получим на нагрузке усиление по напряжению? Если это каскад ОЭ, то должны, так ведь?

Да график немножко странный который Вы привели. А можно увидеть модифицированную схему?

Осциллограф , в отличие от источника сигнала, допускает перенесение своего "общего" КУДА ЗАХОТИТЕ ! Манипулируя аналогичным Вашему методом, с "общим " осциллографа , но только для "общего" верхнего драйвера , перенесите его с истока на землю . Понаблюдайте импульсы на истоке .
И Вы всё поймете.

А источник сигнала допускает перерасчет себя самого для перенесения его общего тоже "КУДА ЗАХОТИТЕ". Когда это поймете Вы, тоже все встанет на свои места.

Вот замена верхнего ключа драйвера резистором. Ни на грамм размах не меняется, вопреки вашим уверениям, и схема практически та же, что и с ключем в верхней половине драйвера - сигнал на базе выходного транзистора растет, за ним растет на его эмиттере, транзистор работает повторителем. Потом сигнал на базе превышает потенциал коллектора - и насыщение. Вот конкретная схема и конкретные осциллограммы. (я не спорю, что можно рассмотреть выходной транзистор и как ОЭ, ничего от этого не изменится)

Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Повторюсь - не вид источника сигнала определяет схему включения, а схема включения первична - я сначала выбираю общую точку, говорю к примеру, что это будет ОК, а потом уже вычисляю параметры такого источника сигнала, который будет соответствовать выбранной схеме включения. Или сначала говорю - это ОЭ. И потом исходя из этого постулата вычисляю параметры источника сигнала уже как для ОЭ. И осциллограф, ткнутый общим в мою общую точку, полностью подтверждает, что параметры источника сигнала, рассчитанного относительно этой общей точки, очень даже сходится с практическим наблюдением.



Она была несколько постов выше. http://electronix.ru/forum/index.php?showt...st&p=699619

и имейте в виду, что резистор, аналогичный введенному мной резистору, имеется и внутри транзистора, он паразитный. Только о нем разработчики к сожалению часто забывают. И даже их два - как бы в разрыве вывода эмиттера и реального эмиттера, и в разрыва вывода коллектора и реального коллектора - параметры модели RC и RE. Которые будут в оригинальной схеме работать заместо моего нарисованного. Чуть не так, так как точка подключения конденсатора поменяется, но это не суть важно, так как основной паразит сосредоточен на коллекторе.


-----------------------------------------------------
UPD:

Модифицировал схему так, чтобы притащить входной сигнал генератора импульсов к общему "общему".
И подписал назначение цепей - где у меня выход сигнала, где цепь ОС, а где мной определенный ОБЩИЙ.

2 SM: Имхо резистор в эмиттере Вы слишком задрали. Реально там будет чтото порядка долей ома (rэ=0.025/iэ).
Вот и мой вариант схемы: для увеличения скорости включения добавил емкость в драйвер.
На втором графике -растянутый спад как видно сигнал на базе и на нагрузке совпадают почти один в один

Во первых не путайте 0.025/iэ с RE+RC - это две большие разницы, и происхождение у них разное - RC и RE это околопостоянные величины, зависящие лишь от того, сколько "p" материала от вывода до места перехода к "n" (для p-n-p), и сколько "половины n".
А во вторых - я резистор не задрал, я его "прикинул" исходя из absolute maximum ratings для BC846, цель этого резистора - не эмуляция RE+RC+0.025/iэ - этих друзей моделятор сам моделирует, а вывод транзистора на допустимый режим работы.


А Вы умудрились обмануть самого себя Сигнал-то совпадает, но транзистор насыщен! Что не есть обычная работа ОК. (ой! ой! не ОК, а повторителя) А насыщен он из-за падения на 22 омах в коллекторе. А в реальной жизни - он открывшийся и насытившийся ключ, коротнувший нагрузку на 22 ома.

Хотя и не обманули, так как рассмотрение ОК имеет столько же прав на существование, как и рассмотрение ОЭ...

Не собирался я себя обманывать, вот уж чего не умею делать
Ну а что нельзя рассматривать график в линейной области транзистора? до того как он зайдет в насыщение.
Да и потом состояние насыщения это по сути когда Б,К и Э соединены в одну точку, поэтому тут хоть ОК, хоть ОЭ, хоть ОБ -абсолютно ВСЕ подходит!))

Можно. Только Ваш результат симуляции отнюдь не показывает, где заканчивается линейная область. Сделайте еще один график, на котором будет разница потенциалов между К и Э. Вот по нему будет четко видно, что транзистор насытился раньше, чем прекратилось "видимое следование потенциала эмиттера за потенциалом базы", а остался лишь открытый ключ, а все это "следование" - результат падения на 22 омах.


Состояние насыщения это когда переходы БК и БЭ оба прямосмещены, остальное все роли не играет.

Вот заменил импульсный источник сигнала на синус с размахом 2В ))
Как видите на выходе имеем тоже что и на входе.
Форма тока коллектора немного искажена, но зато напряжение на нагрузке без искажений, как и положено эмиттерному повторителю.

Так вы ВВЕЛИ в схему глюк - источник питания (V24) там, где его в этой схеме быть не должно. Тем самым перевернув все с ног на голову. Теперь, конечно, это эмиттерный повторитель, и его нагрузка R33. Но такие попытки мошенничества незамеченными тут остаться не могут.