ток синфазно (положительно) складывается со входным на резисторе.
Ну наконец-то до Вико дошло !

Вы почему-то считаете противников своей теории крайне ограниченными и упертыми, правда? То есть, если я не согласен с Вашим тезисом "напряжение-ток" - то отрицаю и само существование напряжения на переходе база-эмиттер? И входную характеристику транзистора тоже отрицаю?
А ведь стоит взглянуть на нее - и вместо Вашего ошибочного утверждения "БТ - преобразователь напряжение-ток" само собой напрашивается логично обоснованное и наглядное "эмиттерный переход БТ является преобразователем напряжение на переходе-ток через переход". Далее биполярный транзистор работает с током. Это токовый прибор, в отличие от полевого. Нет тока базы - закрыт переход, нет тока эмиттера. Все.

P.S. Сравнение с военкоматом - зачет

До меня-то давно дошло, и не отходило. На резисторе токи складываются. Помогает ли это легче течь входному току, который управляет выходным?

Коль уж аллегориями оперировать, для прикола - вам легче запихивать купюры в кошелек, когда в нем уже и так их много? Рублик к рублику положительно складывая. Ы?

Согласен с сообщением Abell.

Законченная линейная схема на преобразователях ток-ток, которую можно проверить/покрутить в любой симуляторе, уже не считается внятным объяснением?

Гмм, я и не знал что электронику уже в духовных семинариях начали преподавать.

Я, пожалуй, тоже, тк атеист.

Ну, возможно, я действительно неправильно выразился: не ограничивается, а определяется (зависит). Однако, есть два обстоятельства:
1. Я привёл схему, в которой ток базы (согласно симуляции - это важно) практически не зависит от тока коллектора - значит, по меньшей мере возможны варианты.
2. Согласно вашей симуляции максимальный ток базы соответствует нулевому току коллектора, то есть транзистор как-то наоборот работает, что, по-моему, странно.




Ваши симуляции можно продолжить вот такой:

Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Предлагаю обратить внимание на напряжения на электродах транзистора при обеих прямосмещённых переходах, а так же на направления токов. Интересно, какая сила заставляет коллекторный и базовый токи синхронно течь в сторону эмиттера, хотя, насколько я понимаю, учитывая разность потенциалов, ток из базы должен потечь "встречно" в коллектор? Вообще же, в симуляторах напряжения на электродах можно сделать любыми - идеальные источники это позволяют. Но ток всё равно будет течь так, как ему "положено".

Просто, по-моему, симуляторы не предполагают рисования "бредовых" схем, в которых транзистор работает в непонятно каком режиме и непонятно зачем.

И вот ещё интересная (мне, дилетанту) схемка:

Нажмите для просмотра прикрепленного файла
На мой дилетантский взгляд зависимость тока коллектора от тока базы как-то более очевидна, чем от напряжения БЭ (про крутизну БТ я в курсе).

P.S. Для контроля правильности работы ПРА разрядных ламп (ДРТ например) измеряют напряжение на лампе - это проще. Однако вроде бы никто не спорит, что разрядные лампы питаются током, а не напряжением.

1) Правильный ответ надо не в библии искать, а в симуляторе. Промоделируйте схему при В=+1 и при В=-1, узнаете, где ООС, а где ПОС.
2) Различение ОС по току-напряжению делается не по типу активного элемента, а по воздействию на нагрузку. Это по определению.
И можно, например, нарисовать одну схему с двумя нагрузками, для одной из которых ОС окажется по току, а для другой - по напряжению.

Что за странный критерий "легче ли течь току" . ? Отсыпьте вашего курева.
Пос по току на входе "затрудняет течение входного тока" .

Если Вам это не нравится - уже пройденный Вами этап: ООС по току на входе в инвертирующей схеме ОУ какраз помогает течь входному току (она же ООС по току резистора обратной связи)



этто пять .

Может, зациклим топик по кругу? "Токовая" и "по току" - разные вещи. По току на входе - не бывает.
Про ОУ вообще нет желания разговаривать, что хотел, уже сказал.
Легче течь току - так понятие такое есть, сопротивление называется. Растолковывать, как падение напряжения на резисторе в эмиттере повышает входное сопротивление, тем самым проявляясь как ООС, не буду.

за это VIKO накажут. А и правильно - не флуди.

Ох уж эти ваши интэрнеты...
Учебники надо было в детстве читать , сейчас поздно уже. Скриншот посмотрите пожалуйста !!

не надо растолковывать, я знаю это.

На скриншоте написано "ОС по току на входе"?
А как это, ток и "на"? Ток обычно, "в" или "из".
СадитеСЯ, два!
К скриншоту претензий не имею.

"бендеровецъ?" (с к.ф.)
на картинке показано как токи суммируются на входе а не во входе.
Константиныч, я ухожу отсель.

Давайте по порядку. Не знаю что за схему Вы привели, если ту что из поста 256, то не доверяйте Вашему симулятору -не может при Uбэ=1В течь ток всего 21мА. То, что ток базы как Вы говорите не зависит от тока коллектора это просто потому что у Вас нет тока коллектора. Видимо. Иначе зависимость была бы, 100%. Хотя бы потому, что Iб = Iэ - Ik.
Далее мой пример просто показывает, что есть эта зависимость Iб = F(Ik); просто потому что Iб = Iэ - Ik. Не более того. Понятно, что я не могу произвольно менять ток коллектора, потому что в коллекторе источник тока. Поэтому приходится просто рвать коллекторную цепь.

Наверно всё дело в том, что это "не просто сопротивление", где ток всегда течет от большего потенциала к меньшему. В транзисторе процессы чуть по-сложнее. Я просто подметил, что при напряжении коллекторного источника 0,3В ток еще продолжает течь "в" коллектор, что говорит о том, что диффузия электронов из эмиттера в коллектор еще преобладает над обратной инжекцией из коллектора в базу.
Кстати по поводу обеих прямосмещённых переходов. Вы в курсе, что ключ даже находящийся в насыщении (это значит оба перехода прямосмещены) продолжает работать усилителем тока. Ага. При этом отношение Iк/Iб берут в разы меньше, чем betta(min), но всё равно усиление тока есть

А что в ней интересного кроме того, что бетта меняется чуть ли не в 2 раза?
А для меня более очевидна зависимость тока коллектора от тока эмиттера. Не сильно соврав можно сказать что эти токи равны. Поэтому задав ток эмиттера можно быть уверенным какой будет ток коллектора, в отличии от Вашего примера, где задав ток базы вообще невозможно предсказать какой будет ток у коллекора.

Эх, гулять так гулять, однова живем! (с) (народная еврейская мудрость)
Если кто вдруг обидится - не обижайтесь
Мне кажется, не совсем полное понимание физических процессов, происходящих в биполярном транзисторе, провоцирует авторов некоторых сообщений на применение сложного математического аппарата, потрясание фамилиями знаменитых ученых и приведение результатов компьютерно-математических симуляций в качестве неопровержимых аргументов ошибочных теорий.
Следует заметить, что любая математическая модель - всего лишь модель реальности, а модель компьютерная так вообще на совести программистов
Сверхточный же расчет транзисторной схемы на дискретных элементах имеет практический смысл только тогда, когда абсолютно все характеристики этих дискретных элементов на всем протяжении срока их службы и во всех условиях эксплуатации заранее точно известны - а такого бывает очень редко, разброс и уход параметров таки есть. К тому же, схема на дискретных элементах должна легко переносить замену транзисторов, а это как правило - разные параметры.
На самом деле, для простых ориентировочных практических расчетов надо просто понимать и помнить, что от чего и в какой пропорции зависит. Для этого удобно использовать встроенный в человеческий мозг эмулятор образов - воображение. Где-то давно читал, что вроде бы Рудольф Дизель так делал.

Итак, что же происходит в биполярном транзисторе, пофантазируем на уровне детского сада? Представлю на общий суд простейшую образную картину в своем воображении. Прошу помидорами не кидать и грибочков не спрашивать.

Посередине расположен участок базы. Вверху - коллектор, внизу - эмиттер. От базы они отделены переходами-барьерами. И коллектор, и эмиттер электронов недолюбливают, не рады они электронам, своих хватает. Кроме того, эмиттер еще и неустойчив, и когда на один его край спрыгивает электрон с базы - другой край упирается в коллектор.
Все достаточно просто. У электронов на базе хватило наглости/потенциала перепрыгнуть через барьер на эмиттер - появился базовый ток. Электроны с коллектора поспешили перепрыгнуть на приближающийся эмиттер - пошел коллекторный ток. Эмиттер избавляется от электронов, выпуская их наружу - идет эмиттерный ток, сумма базовых и коллекторных электронов. Чем больше электронов спрыгнет с базы на эмиттер - тем больше базовый ток, эмиттер сильнее приблизится к коллектору, больше электронов спрыгнет с коллектора на эмиттер - больше коллекторный ток.

По мере понимания некоторых специфических эффектов картину можно развивать, усложнять и дополнять. Громоздить формулы, повторяю - совершенно излишне, пониманию не способствует

http://www.math.ru/lib/book/djvu/bib-kvant...evinshteyn.djvu
Не осилил всю тогда, когда купил. Сегодня вспомнил, полистал. В-общем, представление о транзисторах дает.

Прошу опять прощения, но - вспомнил наконец-то, у какого вредителя читал эту злополучную фразу - "Ток базы является бесполезным и даже вредным"
"Основы электроники", Жеребцов И.П., 5-е издание, 1990г Энергоатомиздат. Страница 61.
Интересно, что буквально в следующей колонке автор уже запутывается в описании процессов, происходящих в эмиттерном переходе, приплетая и напряжение, и ток. Вся глава читается как детектив, на одном дыхании, но кто убийца - так и не ясно
Характерно, что в списке рекомендованной литературы этого издания зарубежные источники - в частности, Хоровиц и Хилл - отсутствуют.

С 22 мА действительно, гон, но вот с соотношением токов всё более-менее. Вот два других симулятора:

Нажмите для просмотра прикрепленного файлаНажмите для просмотра прикрепленного файла
(зеленую и красную точки перепутал в первом рисунке)

Так что всё, что доказывают подобные опыты - это закон Кирхгофа: Iб = Iэ - Ik. А суть работы транзистора они, IMHO, никак не вскрывают. С какого электрода сильнее "давит" (прошу прощения за такой термин, но смысл его, полагаю, понятен) - с того и тока больше течёт. Если с одного "давит" многократно сильнее, то на него приходится большая часть тока эмиттера и изменения тока другого электрода (где "давит" слабо) влияют мало. А если "давит" примерно одинаково, то и изменение одного тока сильно влияет на другой.


Наверное дело просто в том, что у реального насыщенного транзистора напряжение Uкэ составляет доли вольта (это из справочника, это не я придумал), а весь транзистор можно упрощённо представить в виде короткозамкнутой точки. А в программах симуляции напряжения могут быть любыми (что само по себе уже бред), но ток всё равно течёт туда, куда должен:

Нажмите для просмотра прикрепленного файла

То, что транзистор и в насыщении продолжает быть усилителем тока, обеспечивается как раз теми соотношениями напряжений, которые устанавливаются при его насыщении (в реальности). А в программе, как я уже сказал, напряжения не соответствуют действительности, ибо генерируются идеальными источниками.


А что такое бетта? Уж не коэффициент ли передачи тока?



Задав ток эмиттера тоже далеко не всегда что-то можно предсказать, особенно без тока базы:

Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Помимо токов, обратите внимание на напряжения на электродах нижних транзисторов, в частности, что во втором случае прямое напряжение КБ не превысило 0.7 В, и это логично.

В сообщении 285 Вам отчётливо показано, что токовое зеркало основно на равенстве h21e и окружающей среды. Если всё же желаете продолжить, растолкуйте нам природу смещения диффпары со "своей" позиции.

По первому рисунку всё верно (где синий кружок) - ток коллектора увеличился, а ток базы уменьшился А вот вторая схема некорректная. Вы задаете ток эмиттера порядка 150мА, а с коллектора отбираете только 23, потому что R1 на большее не способен. Что Вы хотели этим доказать?

Они доказывают то, что ток базы это разность тока эмиттера и коллектора, где коллекторный ток определяется эмиттерным (Ik = alfa*Iэ).

У мощных порядка 2В и что с того?

Ежели так, тогда может объясните вот есть открытый ключ, у которого Uэ=0, Uб=1В, Uк=0,2В; ток течет от коллектора к эмиттеру, хотя по Вашей логике должен течь от базы к коллектору. Пример из реальной жизни, хотя и в симуляторе получите то же самое.

Ну как же, самый главный параметр в БТ, так ведь?

Опять путаем причину и следствие. Во втором случае Вы не отбираете ток с коллектора, поэтому весь ток эмиттера уходит в базу. А у Вас Uкэ=0, кого Вы хотите надуть?

P.S Попробуйте посмотреть на транзистор не с той точки зрения, что мы дескать задаем ток базы, который определит нам ток коллектора, а эмиттерный ток это просто их сумма. А с той точки зрения, что ток задаем в эмиттере (не зря же он назван эмиттером, от слова emit=испускать), и при правильно-заданных потенциалах на электродах он весь пролетает в коллектор (от слова collect=собирать), при этом незначительные крохи теряются и уходят в базу.

Ой вэй, как все плохо От эмиттера до коллектора - целых два барьера и довольно толстая база. Никаким образом ток с эмиттера через эти препятствия по своей воле не пойдет. И только ток база-эмиттер может сделать базу настолько тонкой, что барьеры исчезают. Области коллектор-эмиттер при насыщении практически замыкаются. Поэтому напряжение на коллекторе насыщенного транзистора может быть намного меньше, чем на базе. Ток, понимаете? Не потенциал, ток! Вернитесь в лоно истинной церкви правильной теории, то что проповедует Жеребцов и иже с ним - ересь В конце-то концов, вспомните уже базовый элемент ТТЛ

"Задавать ток базы", и "задавать ток эмиттера", это разные схемы включения. Уж если хотим "посмотреть на транзистор с разных точек зрения", надо сравнивать не схемы включения, а схемы замещения. Стандартная схема замещения БТ - управляемый источник тока, выводы К-Э - выход, выводы Б-Э - вход. Хотите предложить другую схему замещения, где выводы К-Э являются входом, а выводы Б-Э - выходом? Предлагайте, только не в виде бессмысленного набора слов, а в виде линейной схемы, которую можно будет покрутить в симуляторе.

Схема с синим кружком первой не может быть ни с какого конца , но не суть. Каким образом я "задаю ток эмиттера"? Почему ток базы при оборванном коллекторе и при резисторе в 500 Ом изменился совсем не на 23 мА, на которые "способен" R1?



Т.е. закон Кирхгофа.


Ничего.


Значит, у этого транзистора при заданном режиме прямое падение напряжения КБ составляет 1-0,2=0,8В и ток не течёт. Кстати, это падение напряжения зависит и от тока коллектора:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла


Именно. И заметьте, почему-то самым главным параметром биполярного транзистора является коэффициент передачи тока, а не крутизна входной характеристики в мА/В, как у ламп или полевых транзисторов. Хотя крутизна входной характеристики у БП тоже есть, причём сотни мА/В и зависит от тока коллектора (упрощённо, S=Iс/Фт, где Фт=25мВ при н.у.). Что интересно, для лампы или даже МОП ПТ тоже можно вычислить коэффициент передачи тока (и он тоже будет достигать запредельных величин), однако никому не приходит в голову утверждать, что входным сигналом МОП ПТ является ТОК.


Как это не отбираю? Никаких дополнительных препятствий для тока эмиттера (и коллектора) я не вводил, напряжения на электродах не менял. На обеих схемах я задал делителями с одинаковым коэффициентом деления одинаковые потенциалы базы верхнего транзистора - т.е. входные сигналы БТ, согласно вашей модели. Значит, на эмиттере верхнего транзистора (и коллекторе нижнего) должен быть этот же потенциал за вычетом 0.7 В. Паразитный, согласно вашей модели, ток базы верхнего транзистора никому не нужен и ни на что влиять не должен. Более того, если я правильно понял ваши воззрения, должно быть даже так: в эмиттер втекает полный ток, заданный генератором тока, часть этого тока "паразитно входит" в базу, где, вероятно, этот ток должен привести к прямо противоположному по знаку относительно наблюдаемого падению напряжения на резисторах делителя.
Но так почему-то не происходит - напряжение на эмиттере и базе верхнего транзистора падает, нижний транзистор входит в насыщение, всё рушится. Схемы, ещё раз замечу, отличаются только номиналами резисторов в базовом делителе - соотношение делителя то же самое.
А вот что мы имеем в случае прибора, у которого ток управляющего электрода на самом деле является паразитным, а управление осуществляется потенциалом:

Нажмите для просмотра прикрепленного файла



Я как только не пробовал, поверьте. Проблема именно в том, что взять и как-то жёстко задать потенциалы всех электродов можно только в вышепредставленных программных моделях, где на эмиттере будет ноль, на базе 20 Вольт, а на коллекторе 2 Вольта, плюс несгораемый транзистор. В реальности такого не наблюдается - все напряжения на электродах БТ зависят друг от друга и от токов в цепях этих электродов. В математике мы оперируем и бесконечностью, и безразмерной материальной точкой, и мнимой единицей, но в реальности-то их не существует.
Кстати, с моей точки зрения, если игнорировать "токовую природу" БТ, то нерешаемой задачей становится простой несимметричный триггер на двух транзисторах (типа ЭСЛ-ячейки). В книжках очень красиво пишут про "потенциалы на базе", которые как бы определяются исключительно падениями напряжений на резисторах в отсутствии токов электродов транзистора (в т.ч. базы), но как только ты начинаешь изучать триггер в программе, с удивлением обнаруживаешь, что потенциалы находятся в очень сложной зависимости от токов и потенциалов базы и двух других электродов, а биполярный транзистор - совсем даже не переменный резистор или ключ, управляемый напряжением. Так же с позиции напряжения совершенно неясно (во всяком случае, мне), что и чем определяется в двухтактном эмиттерном повторителе класса АВ (с током покоя).

Ну ппц ребята. Вы откуда эти "гениальные мысли" черпаете? Из книжек "электроника для домохозяек" или правда как у Пелевина - всё дело в грибочках?

Во-первых: Про смыкание коллектора с эмиттером: Взято отсюда

Во-вторых: Ложь. Эмиттерный барьер в активном режим и режиме насыщения открыт, второй барьер (коллекторный) не является барьером для электронов эмиттера (n-p-n).

В-третьих: Не ток, а разность потенциалов Uбэ помогает преодолевать(снимать) эмиттерный барьер. Без этой разности потенциалов никакого тока у вас не будет! Можете взять любой БТ и самостоятельно в этом убедиться, подав на база-эмиттер 0,2-0,5В.

Почитайте хотя бы ну не знаю ТОЕ , чтоб ерунду не пороть.

Вот читаем : (выделил жирными)



Начал за здравие, а кончил за упокой
Первая фраза нормальная, вторая - троллинг? М?
Вас я уже отсылал к посту 256, всё что могу -послать еще раз

Эмиттерный ток просел. Разве нет? Почему он просел тоже надо Вам объяснить? Может это Вы лучше объясните как Ваши симуляции работают, а то знаете как в той поговорке про 100 мудрецов...

Значит неправда то что:
Ну это Вы так считаете, спорить не буду, хотя я вот последнее время в основном смотрю на предельно-допустимые параметры, как например Uкэ,макс или Iк,макс. А коэфф.передачи как-то всегда хватает с избытком
Опять попытка обмануть? Вы создали у Q3 напряжение Uбэ на 60мВ меньше чем у Q5, поэтому ток эмиттера Q3 в 10 раз меньше чем у Q5, что соответствует уравнению Э-М. А Q4 выдать больше ток не может, т.к он полностью открыт (полнее не куда): Uкэ=0.
Да можно, почему же нет. Uб задаем базовым делителем, Uэ считаем грубо на 0,65В меньше, отсюда находим ток коллектора(эмиттера) как Iэ=(Uб-0,65)/Rэ, а коллекторное напряжение просто считается как Uпит-Ik*Rk, вот и всё. Базовый ток нужен только чтобы выбрать номиналы (порядок сопротивлений) базового делителя.
Вот как раз напряжением двух переходов Uбэ
А крутизна Ik(Uбэ) как Вы заметили не маленькая, поэтому и термостабилизацию тока покоя не так просто получить

#256 - чужой пост, пробую #265 - схема в микрокапе, с ихними нелинейными моделями, о которых сами же и сказали - понятия не имеете, как они устроены. Те сами не можете нарисовать даже самую простую, линейную модель? Печально. А что касается генерации псевдонаучного текста - раньше даже онлайн ресурсы были (может, и сейчас есть, судя по этой ветке).

Странно, да это не мой пост. Мой под номером 204.

Да уж, он самый
Значит, по-Вашему, при определенной разности потенциалов на переходе база-эмиттер идет управляемый коллекторный ток. А через сам переход, стало быть, ток не идет, не должен идти, он лишний. Ага.

Я вообще-то писал о переходах в закрытом состоянии, пока нет тока базы. Повторю. Пока не появится ток базы - от эмиттера до коллектора два барьера. Два перехода. Два закрытых перехода.
Впрочем, переубеждать через интернет - дело неблагодарное. Книжки читайте, только не Жеребцова, а я останусь апологетом токовой теории управления в биполярном транзисторе, тем более что и Хоровиц с Хиллом согласны

Там выводы Б-Э - вход, выводы К-Э - выход.
Те управление все-равно идет с базы (источник тока, управляемого напряжением), а для создания базового тока вводится дополнительный управляемый источник тока.

По аналогии можно нарисовать источник тока коллектора, управляемый током базы, а напряжение базы задавать управляемым источником напряжения (зависимого от тока эмиттера).

А потом сравнить эти две модели, и реальный транзистор, по входному сопротивлению...

Да, потому что это эмиттерный повторитель.
Не базового, а коллекторного. Базовый ток получается как разность Iэ-Ik.

Можно, более того эти модели дают одинаковый результат, и я об это уже говорил Viko!
Я не запрещаю Вам использовать Вашу модель с усилителем тока, хотя считаю, что моя модель ближе к физике процессов.


Да нет же, прочтите цитату из ТОЕ, которую я прикладывал. А перед этим прочитайте про модель Эберса-Молла. Вообще не ожидал от Вас такого

Ага, вот не было тока и вдруг появился. Как это?
И Вы так и не ответили, как по-Вашему управлять коллекторным током, если базовый источник может развить максимум Uбэ=0,4В?

Вот это уже нормальный разговор. Вечером попробую выложить свои выводы по сравнению этих моделей.

Эмиттерный ток просел ровно на исчезновший ток коллектора, но на базовый ток это практически не повлияло. Что и требовалось доказать.


Ключевое слово - "упрощённо".


Ранее на вопрос "А что такое бетта? Уж не коэффициент ли передачи тока?" вы ответили, что:

Так что это вы меня "плохому" научили


А что, напряжение БЭ можно задать любое по своему усмотрению? Например, 2 Вольта можно?
Я задал совершенно одинаковые базовые напряжения Q3 и Q5. Вы же сами на мои сомнения насчёт "взять и как-то жёстко задать потенциалы всех электродов" сказали:

Вот я и задал одинаковые Uб обеих транзисторов базовыми делителями с одинаковыми коэффициентами деления. А почему в случае Q3 эти напряжения куда-то уплыли - ума не приложу! "Паразитный втекающий из эмиттера в базу" ток ни на что влиять не должен - так же ведь?


А если Rэ=0? Делить на ноль нельзя! Ладно, это шутка. У нас остаётся ещё сопротивление базы и дифференциальное сопротивление эмиттера, которое, правда, как на зло зависит от тока! Но это ещё полбеды: Uбэ тоже отнюдь не постоянно вы же сами меня обвинили в том, что путём подлых манипуляций я

Выводы о возможности задания режима транзистора путём даже самой железобетонной фиксации Uб делайте сами.


А у ПТ с 2 мА/В термостабилизация тогда сама собой получается?

P.S. Единственный пример напряжения без тока, который мне приходит в голову - это КРП. Во всех остальных случаях напряжение всегда сопровождается током и наоборот. Следовательно, нет никаких "чисто токовых" или "чисто потенциальных" приборов. Потому, как я уже говорил, и БТ можно описывать через крутизну, и ПТ - через коэффициент передачи тока. Вопрос в том, насколько это описание адекватно свойствам прибора и насколько однозначно позволяет задать его режим.

А уж я-то как не ожидал:

Это - пробой транзистора. Ток коллектора большой и неуправляемый.
Реальный транзистор BU508, допустимый ток коллектора 8 Ампер, коэффициент передачи тока от 6 до 30. Задайте правильные потенциалы, чтоб тока базы не было - он же лишний? - а ток коллектора получился 8 Ампер

Что же касается вопросов:

Ток появился точно так же, как через любой PN-переход. Не сразу так, постепенно. Как Вы правильно подметили - без разности потенциалов тока не будет А разве я где-то утверждал, что ток появляется без разности потенциалов? На этой картинке, полагаю, ответ на оба вопроса:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Повторяю - я категорически против утверждения "ток базы в биполярном транзисторе бесполезен и даже вреден"!

Возьмем модель БП транзистора из поста #204, и чтобы не писать прямо в схеме формулу, описывающую ВАХ обычного диода, просто воткнем сам диод. Получим нелинейную модель 1а с источником тока коллектора, управляемого током эмиттера: Iк=Iэ*A (А=0,99). Модель 1а можно преобразовать в полностью эквивалентную модель 1б с источником тока коллектора, управляемого током базы: Iк=Iб*B (B=A/(1-A)=99).

Входное дифференциальное сопротивление в этих моделях равно пропорционально ( Rвх=Rэ*(B+1) ) дифференциальному сопротивлению открытого диода. Это сопротивление относительно мало, во многих случаях им можно либо пренебречь, либо учесть дополнительным сопротивлением Rэ. Статическое напряжение открытого диода можно учесть (при необходимости) дополнительным источником постоянного напряжения Uо (линеаризация схемы замещения).

Так что при линеаризации схем замещения просто убираем диоды (Uо и Rэ тоже для простоты), и получаем модели 2а и 2б.
Модели 2а и 2б полностью эквивалентны друг другу (и ведут себя одинаково во всех схемах включения).

Мне лично при анализе схем на БТ удобнее пользоваться моделью 2б - не надо каждый раз считать в уме B=A/(1-A).

И там и там - ток, управляемый током.
И там и там управляющие выводы - Б и Э.
И ту и другую модель можно использовать для объяснения/анализа повторителей напряжения, токовых зеркал, дифференциальных каскадов, и тд и тп. Без всяких "притянутых за уши" источников тока, управляемых напряжением (оставьте их ПТ).

Тем кто утверждает, что работу токового зеркала(и тп) можно описать только, рассматривая БТ как преобразователь напряжение-ток:
предлагаю привести такую схему замещения (простую, конечно), которую я не мог бы привести к виду 1б (с сохранением полной эквивалентности), для простоты обратный ток Iкб (и тп) учитывать не надо.

Угу. В прошлый раз у Вас там ток базы был 20мА. В этот раз вы чегото покрутили в симуляторе и стало 140. Я уже сказал, что нет у меня доверия Вашему симулятору. У меня например ток базы почти 0,5А, что гораздо реальнее выглядит при Uбэ=1В, и он кстати меняется ровно на ток коллектора.
Если хотите реально чтото доказать -возьмите настоящий транзистор и сделайте замеры
А так пока что неубедительно.

Да нет, я думаю Вы и правда так считали с самого начала, иначе всей этой бодяги тут бы не было.
С другой стороны что в этом плохого? Вы свободный человек и имеете право верить во что угодно, хоть в макаронного монстра


Вы не поверите, но...можно! :-0 Главное очки наденьте чтобы глаза не посекло осколками

Типо подколол да? Ай да маладца! 10Мегом в базу влепил и говорит "это я делитель сделал". Ну отлично чо. Энженер!
Если Вы не знаете как расчитывается базовый делитель, то книжки в помощь, мне эти Ваши попытки доказать что я глубоко не прав уже поднадоели.
Вот первое попавшееся:
Чуствуете? Чтобы ток Iб не влиял на напряжение смещения! М? Какого! Ух, еретеки, как они посмели!?


2мА/В это много, ну так для сравнения с биполяром?

2 Leka: поздно уже, лучше завтра на свежую голову отвечу.

Только давайте без кащенизма. А то, я смотрю, увлечение дискуссией не истину порождает, а какой-то флейм.

Пересмотрел свои старые записи. Оказывается, пятнадцать лет назад был-таки "конь в вакууме", работает в микшерном пульте до сих пор - специально позвонил, спросил. Транзисторы все были КТ315Д из одной партии, коэффициент передачи около 70.
На рисунке часть схемы предварительного усилителя, обратите внимание на смещение первого транзистора.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Как говорится - вместо тысячи слов

Вам тоже лишь бы поспорить? Мы тут не рассматриваем многотранзисторные схемы с ОООС (общей отрицательной обратной связью).
Схема вообщето хорошо известная.
А вот Вы нарисуйте такую же схему на одном транзисторе, чтобы работала без подстройки в диапазоне температур -40+60 и с транзисторами без отбора по параметрам, скажем берем тотже КТ315Б и чтобы схема была работоспособна при betta=50...350 (по паспорту).


Ноу проблем, Herz

Да вот в том то и дело, что они ни за какие уши там не притянуты. ПОтому что это лежит в основе их работы. Например как Вы оцените устойчивость Вашей модели ОУ (или что Вы там соберете) к температурным изменениям? Если они на эту модель вообще не влияют. Или Вам это не нужно?
Но ведь эта модель не для того, чтобы просто с ней поиграться, а чтобы потом воплотить ее в "реальных" транзисторах. Так ведь?
В этом смысле я лично вижу только такое назначение этой модели- проработать какойто схемотехнический концепт, потом когда получен положительный результат переходим на более полную модель (заменяем линейную модель на настоящий транзистор со всеми его плюсами и минусами) и добиваемся, чтобы она работала достаточно хорошо. Однако может оказаться, что модель с "настоящими" транзисторами вообще будет неработоспособна. Пример: да хоть какой-нибудь генератор, где токи меняют направление (например один из транзисторов начинает работать в инверсном режиме или переход база-эмиттер смещается в обратном направлении: в Вашей модели нет перехода как такового, есть только КЗ между база-эмиттер.)

Схема хорошо известная, согласен. Не самая лучшая, но - работает так, как задумано и посчитано. Никакого делителя в базе нет. Работает в интервале температур -10...+30, проверено. Транзисторы по параметрам особо не подбирал. Чтобы схема была работоспособна при большом разбросе h21э - надо применять транзисторы с меньшим разбросом, соответственно пересчитать. Например, кт315д имеет h21э от 20 до 90, это разброс более чем в 4 раза, а кт3102б - от 200 до 500, немногим больше 2 раз. Я применил те, что были под рукой. И считал теми соотношениями, что уже приводил в этой теме. Схема работоспособна и без второго транзистора - резистор R4 переключаем с эмиттера VT2 на коллектор VT1, результат практически тот же.
И, что самое главное - смещение VT1 задается током базы. А теперь давайте свои фигли-мигли про потенциалы и напряжение смещения

Здесь главная фишка в том, что этот ток управляется ООС. А теперь попробуйте задать это смещение прям с питания 12В
И про 1-транзисторную схему не ответили,так ведь мы и до схем на ОУ дойдем

Повторяю про 1-транзисторную схему:

Насчет попробовать смещение прям с 12 Вольт - а зачем? Вы в своих разработках так делаете - заведомо плавающий от любого чиха режим? Вот зачем Вы уже на пару с dxp все время пытаетесь склонить меня к расчету схем с извращенно-противоестественными параметрами? Вы-то должны знать, как делается ТЗ - или я ошибаюсь? Схема должна быть работоспособной в заранее определенных условиях, а из чего и как она будет сделана - определяет разработчик. Так что встречное предложение - сделайте схему из поста №82. Условия равнозначные.
Возникло принципиальное разногласие - я уже не один десяток лет применяю методику расчета транзисторных схем, исходя из тока базы. И кое-кто вдруг заявляет, что все неправильно, и считать следует совсем по-другому, и вообще тока базы быть не должно. Я с этим не согласен. Как показывает практика - в реальных схема на реальных биполярных транзисторах ток базы есть, и он нужен.

А как же быть с 4_х кратным разбросом бетта. Или вы предварительно его замеряете, потом считаете.

Как можно рассчитывать транзисторный каскад по формуле Эберса-Молла, если мы не знаем ток (обратный, насыщения, тепловой - называют, кто во что горазд), и если нужно задать точную температуру? Эта формула - абстракция для понимания работы транзистора, но отнюдь не для расчета каскада.
Не хотите применить вот эту модель? Вибачте, що на мові, не знайшов іншого.
https://uk.wikipedia.org/wiki/%D0%9C%D0%BE%...%83%D0%BD%D0%B0
Вопрос - риторический.

Стараюсь не применять транзисторы с большим разбросом h21э в тех схемах, где от него многое зависит. Эта схема - давнее и случайное исключение из правил. Приведена только для иллюстрации значения тока базы
Чтобы при любом значении h21э схема оставалась в режиме - надо применять делитель смещения, это расплата за применение плохих транзисторов. Поставим КТ340Б с нормированным h21э - получим лучший результат, но худшую ремонтопригодность

Работа транзистора "изнутри", и работа "снаружи" - две большие разницы. Что происходит "внутри" транзисторов, важно при построении их моделей, но не более. При этом построенная "внешняя" модель вовсе не обязана как-либо отражать/объяснять "внутренние" процессы, тк ее назначение - правильно моделировать поведение элемента в схеме.
Все упомянутые в этой ветке математические модели БТ (те только те, которые можно использовать в моделировании, всякие словесные описания/аналогии не в счет) - токовые. Все разговоры про "источник тока, управляемый напряжением", так и остались разговорами - никто не привел "не токовую" математическую модель, которую можно прокрутить в симуляторе (или не увидел, ткните тогда).


Легко: делаем коэфф. передачи тока параметризуемым, и смотрим зависимости.


Когда запускаете в Микрокапе(и тп) построение АЧХ какого-нибудь усилителя на транзисторах, не задумываетесь, какие модели использует при этом симулятор?
Назначение линейных моделей гораздо больше, чем просто "проработка концепта".

----------------------

Вернемся к "эмиттерному повторителю".
Никто не задумывался - как, в каком месте появляется "добавка" R*B к входному сопротивлению?
Пусть Rн=1кОм, В=99. Входное сопротивление эмиттерного повторителя будет Rвх=Rн*(В+1)=100кОм.
Где "спрятались" дополнительные (к 1КОм нагрузки) 99КОм?
Судя по отчаянному неприятию "КЗ между Б и Э", неужели и в самом деле многие "мимоходом" думают, что эти 99КОм - "где-то по дороге" между Б и Э ???

БТ транзистор в схеме "эмиттерного повторителя" работает так, как если-бы параллельно нагрузке "R" включили отрицательное сопротивление "-R*(B+1)/B". Линейная модель хорошо показывает это, и позволяет вручную вывести все формулы (буквально за пару минут). А потом можно проверить/покрутить в симуляторе.

Дополнение: схема 3 не эквивалентна схеме 2, это интерпретация с "точки зрения" входного сопротивления.

Нет, я лишь хочу подвести Вас к мысли, что эта схема (как в общем-то и схема с базовым делителем) работает исключительно за счет токовой ООС. И нет тут разногласия, просто есть 2 способа задания смещения - с помощью базового тока, как в приведенной Вами схеме, так и с помощью жесткого задания напряжения базы с помощью делителя. В случае с последней образуется ООС по напряжению на эмиттере. И я не запрещаю расчитывать Вам каскад используя базовый ток как основной параметр, но считаю что это не правильный подход, поскольку (как тут уже заметили) базовый ток в общем-то непредсказуем и полагаться на него не стоит/нельзя.

А в операционных усилителях на биполярных транзисторах большие (сравнительно) входные токи это тоже нужно/хорошо?

2 Viko: Кстати вот тут в статье говорят, что в машинном моделировании обычно как раз и используется модель Гуммеля-Пуна. Правда в ней (как и у Э-М) также используется ИТУН , входными параметроми которого является по-прежнему напряжение база-эмиттер и ток насыщения, которого мы не знаем Кстати про ток насыщения -имхо он не так уж и важен, если мы в нем ошибемся на порядок, то просто падение база-эмиттер изменится на 60мВ. Ну по сравнению с 650мВ это совсем не много. А диф-сопротивление эмиттера например от него вообще не зависит.

2 Leka извиняйте, отвечу как обычно -завтра

Этот ИТУН можно вынести "наружу" в цепь эмиттера, получив комбинацию:
"реальный БТ" = "идеальный БТ с КЗ между Б и Э" + диод в цепи эмиттера.
Так что весь спор в этой ветке, думаю, можно свести к выяснению, что считать "идеальным БТ":
1) преобразователь напряжение-ток, с бесконечно большим Rвх и экспоненциальной S ( параметр В отсутствует ) ,
2) преобразователь ток-ток с нулевым Rвх и постоянным B ( параметр S определяется внешними элементами ).

А я Вас хочу подвести к той простой мысли, что при проектировании реальных схем с реальными транзисторами надо учитывать их неидеальность, и в чем-то идти на компромисс. Или применять хорошие транзисторы, с нормированными параметрами. Или применять плохие, но считать от параметров "хуже некуда".
Я привел в качестве примера задания смещения током базы практически работающую схему. Было бы неплохо увидеть в ответ схему с аналогичными параметрами, но смещением

Справитесь?
По операционным усилителям - таки да и еще раз да. Если не изменяет память, в справочных данных ОУ даже есть параметр входного тока, и он нормируется, и в некоторых случаях пренебрегать им нельзя

Фильтр-повторитель.
Коэфф. передачи (КП) -1 дБ в диапзоне 50..1000 кГц.
Отклонение КП = 0.15 дБ в диапазоне -50..+50 С
Отклонения КП несущественны при h21e >= 50
http://shot.qip.ru/00gZ9L-5OPovQGSo/

С первым автором статьи регулярно здороваюсь на коридоре, где-то раз в неделю. Если что, буду знать, к кому обратиться. Собственно, и до этого знал. Но не обращался. Второго не знаю.

Приблизительно цитирую С. Лема: наличие множества моделей транзистора - верный признак, что ни одна из них не верна.


Маловато напряжение на базе Q1. Я бы добавил.

Еще один ФНЧ фильтр (ФВЧ).

Нормально:
http://shot.qip.ru/00gZ9L-5OPovQGSs/

55 мА тока через R1.