Вот бирошь Это, читаешь, потом еще раз делаешь заход:
http://electrik.info/tranzistor.zip


Там не совсем другое, там принципиально - другое. Ну, вьюношам же - все равно.

Спасибо большое за книжку, сэнсэй!!! Реально спасибо, обожаю хорошие книжки рекомендованные спецами!
Только вот зачем ещё заход? Транзистор реально в насыщении..


Сэнсэй, я такое уже изучал в пту.

Попробуй сделать заход в вышку, хотя..
Какая щас вышка - срам один.

Если я не заблуждаюсь, при Uвх=6В транзистор войдёт в насыщение примерно при:

R1 = (V1-V2) / ((V2-0,7В)/R2) = (12В-6В) / ((6В-0,7В)/100) = 113 Ом при V2=6В

Это в предположении, что Iк не зависит от R1 и что выход из активного режима происходит при Uк=UБ (на самом деле при Uк<UБ).

У вас не подписаны линии на графике IRб от V2, но насколько я могу предположить из вышесказанного, множественные накладывающиеся линии, практически параллельные оси абсцисс - это ток в активном режиме, а "взлёты" - это как раз переход в режим насыщения. Т.е. вплоть до V2=1.8 В при любом R1 от 0 до 1000 Ом входной ток меняется крайне слабо.

Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Дак чо решили-то?
Ток базы биполярным транзисторам оставляем, или ... ?
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Учебники-те крамольные жечь уже?
Или погодить до вечера?

Оставляем, конечно. При заданной температуре В - единственный стабильный параметр БТ - меняется на проценты, при изменении тока на порядки. А от температуры и другие параметры плывут.

Снова прошу участников вести обсуждение конструктивно, не паясничая и не нарушая Правил. Не вынуждайте принимать меры...

М? А как же разброс в 2-5 раза? Вы когда резисторы на схему ставите не только их температурную стабильность учитываете, но и разброс наверное? И конденсаторы также, и всё остальное...Можно как тут предлагалось делать отбор по параметрам, только это не правильный подход, а в серьезном изделии вообще не допустимо.
И далеко не у всех транзисторов он стабильный.
Вот не очень современные отечественные транзисторы:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

А вот любимый многими импортный BC847: hFE меняется от 300 до 30. Печалька.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

______________________________________________________________________

А если мне не надо усиливать ток? А только напряжение Вот берем транзистор с hFE=1 и делаем на нем усилитель с Ку>>1. Скажете такого не может быть?
И кстати у такого транзистора базовый ток = коллекторному. И это ведь хорошо: по-вашему же базовый ток он самый главный, а значит не должен быть маленьким! Так что для Вас выходит это самый правильный БТ

Не пойму я, чего Вы хотели этими графиками показать. Например:
Для кт315г максимальный ток коллектора 100мА. По графику видно, что до 100мА коэффициент передачи от 80 до 120, вполне приемлемый разброс.
Для кт361в максимальный ток коллектора 50мА. h21э по графику примерно от 40 до 58, совсем неплохо.
Далее, в активном режиме при усилении сигнала ток коллектора транзистора изменяется в относительно небольших пределах, не от 0 до 100мА, так что изменение h21э от тока коллектора не играет большой роли.

А если Вам не надо усиливать ток, а только напряжение - может, другие транзисторы применить? Полевые там, или IGBT?

а как же усилитель мощности? у транзистора запас по току, конечно есть, ну может раза 2. То есть, если бы 315й работал в вых.каскаде, то 5-50мА дельта И он бы имел.

впрочем, согласен, что в полосе 5-50мА КТ315й будет иметь вполне постоянный h21э

но если взять такие же графики от наших КТ818/819, то на них усиление с ростом тока падает значительно больше, чем у ближних аналогов 3055 и кто там ему комплементарная пара, я уж не помню.

Я, конечно, дилетант, но в книжках пишут, что задача независимости от h21э как минимум коэффициента усиления и токов покоя решается схемотехнически и если эта задача не решена, то проблема не в h21э, а в разработчике. Так же h21э должен быть достаточен для того, чтобы с удовлетворительной точностью было справедливо приближение Iк=Iэ и чтобы ток базы не влиял на режим базовых цепей (или базовые цепи должны быть рассчитаны на такой ток). В этом случае каскад, рассчитанный при h21э=100 , будет точно так же работать и при h21э=500.


У него предельный ток коллектора, 100 мА, а мощность - 225 мВт, т.е. даже эти 100 мА в реальности использовать затруднительно. Верхняя и нижняя кривые - это для +150С и -55С, т.е. не совсем штатные режимы. Но даже при таких температурах в диапазоне Iк от 0 до 50 мА h21э не падает ниже 80, что вполне достаточно для предположения Iк=Iэ. Следовательно, устройство, грамотно посчитанное исходя из Iк max=50 мА и h21э=80 в первом приближении будет работоспособно в указанном интервале температур. Если же не брать "арктические" условия, то h21э не падает ниже 80 вообще при любых допустимых токах коллектора. Ну а в диапазоне токов коллектора 0-10 мА h21э вообще практически константа.

А вот Uбэ ни в каком диапазоне токов и температур стабильным не является, более того, даже при 25С в диапазоне токов 0-50 мА изменяется с 600 до 800 мВ.


В этом случае Iк!=Iэ, а точнее - Iк=Iэ/2. Простой расчёт показывает, что коэффициент усиления по напряжению будет очень зависеть от h21э:

Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Так что для реального усилителя напряжения такой транзистор вряд ли пригоден.

Кстати, для h21э=80, который я брал как наихудший для bc847, коэффициент h21э(1+h21э) равен 0,988, а для h21э=300 - 0,997. Разница - менее 1%.

Разброс и нелинейность - разные вещи.
У БТ 2 параметра определяют усилительные свойства:
1) B=dIк/dIб - с позиции БТ=ИТУТ, меняется на проценты при изменении Iк на порядок.
2) S=dIк/dUбэ - с позиции БТ=ИТУН, без ООС (R в цепи эмиттера) меняется на порядок при изменении Iк на порядок.
Те нелинейность БТ как усилителя напряжения, несравненно больше нелинейности БТ как усилителя тока.

Мне ещё раз попросить о приличиях или уже перейти к оргвыводам? Отредактировал грубость.

Ну так если от h21э почти ничего не зависит, почему он тогда для Вас главный параметр?
Но вижу понимание стало приходить...
Нажмите для просмотра прикрепленного файла Вы сами сократили свой главный параметр

Зато Uбэ определяется конкретной формулой, т.е может быть заранее известен(посчитан), в отличие от h21э, который плавает в диапазоне 50...350 для КТ315Д например, т.е может иметь разброс в 7 раз. Это к вопросу о том, какое h21э нужно подставлять в формулу для расчета тока базы, через который Abel например считает каскад. Хотя чему равен этот h21э, никто точно не знает, ну и не важно. Зато теперь можно обсуждать стабильность и такой плохой параметр как Uбэ, который зависит от t. Ну да зависит. Неприятно? Да, безусловно, однако по-прежнему именно он определяет ток эмиттера, а значит и режим работы каскада.

Уж не потому ли, что h21э такой неопределенный и на него нельзя закладываться?

от ить, и возразить-то нечего
... а пойду-ка я еще посплю...

Критерий "при h21э>>1" вы как будто не заметили, да? Вот именно поэтому h21э и является самым главным параметром - выше некоторого значения его влиянием можно пренебречь. Для этого не нужно применять хитрые схемы, которые публиковал TSerg, и даже не нужно знать конкретное значение h21э. Для этого нужно лишь взять транзистор с таким паспортным разбросом h21э, при котором отношение выражений h21э/(h21э+1) с максимальным и минимальным значением параметра будет меньше, чем допустимая погрешность коэффициента усиления каскада. При упомянутом вами разбросе справочного значения h21э 50..350 максимально возможная погрешность от разброса h21э будет ниже, чем от разброса по сопротивлению (без учёта ТКС) 1%-резисторов в эмиттере и коллекторе (каскад ОЭ).

А теперь скажите, транзистор с каким значением Uбэ нужно взять, чтобы влиянием Uбэ можно было бы пренебречь?


И что даёт наличие конкретной формулы? Представьте, что у вас два варианта механизма рулевого управления автомобиля. В одном люфт хаотично плавает в диапазоне 0.3-3 градуса, а в другом точно определяется конкретной формулой при любом угле поворота рулевого колеса, но меняется в диапазоне 10-30 градусов. Вы, очевидно, выберете люфт 10-30 градусов, который определяется "конкретной формулой"?


Если мы грамотно спроектируем входные цепи исходя из тока базы при h21э=50, то какие проблемы нас ждут при увеличении h21э до 350?


Т.е. ток эмиттера у нас определяется исключительно Uбэ? Напряжение и внутренне сопротивление источника базового тока, величина эмиттерного резистора, ток коллектора - всё это на Iэ не влияет? Коли так, то придётся признать влияние температурного дрейфа Uбэ принципиально неустранимым
А вообще, если бы падение напряжения на базоэмиттероном переходе Uбэ отсутствовало при любых температурах и токах (Uб=Uэ) - IMHO, было бы только лучше (хотя, возможно, возникли бы проблемы с конфигурацией максимального усиления).


Нет, потому, что

Что касается "на него нельзя закладываться" - ещё раз пересчитайте выражение h21э/(h21э+1) при разных значениях значениях h21э и сделайте очевидные выводы

А вообще, тема ушла несколько в сторону. Изначально разговор был о том, что является входным сигналом для БТ. Вы говорили, что базовое напряжение, а я - что базоэмиттерный ток. В обоснование своей позиции вы утверждали, что ток базы ни на что не влияет, является паразитным и принципиально устраним. Я вам показал схемы, в которых ограничение базового тока делает схему неработоспособной, а так же путём рассмотрения процессов в БТ на электронно-дырочном уровне доказал, что ток базы принципиально неустраним и даже необходим для функционирования транзистора (иначе база станет диэлектриком). Помимо этого вам неоднократно говорили то, что резюмировал Leka:

По-моему, теорема доказана.

Возвращаю к основам (радиолюбительским). Там все есть, в основном.
В т.ч. и зависимость входного сопротивления ОЭ от сопротивления нагрузки:
Г.И. Фишер. Транзисторная техника для радиолюбителей. Энергия, 1966 г.

В частности:
Входное сопротивление транзистора
Rвх = h11 - h12*h21*Rн_экв

Rн_экв = Rk*Rн/(Rk + Rн)

P.S.
Понятно, что минусовой член может быть весьма малым, но тут дело принципа.
P.P.S
В режиме большого сигнала (в рамках усилительного режима), из-за принципиально нелинейной входной характеристики, Rвх значительно "гуляет".

Транзистора или усилителя?

Одного без другого и быть не может.

Входное сопротивление транзистора и вх. сопротивление усилителя это разные вещи.

Да? А, насколько? Вы процент не указали.
И какого еще там усилителя?

P.S.
Пока вот такая схемка-задачка по распределению токов в БТ ( поскольку это токовый полупроводниковый прибор)
http://shot.qip.ru/00gZ9L-5OPovQGVY/

Предлагается раскрасить нити токов по их значению (величине).
Понятно, что нужно понять, для начала - "ху из ху".
Вот и обозначайте.

Входное сопротивление транзистора и вх. сопротивление усилителя это 100% разные вещи. Какого усилителя? Например усилителя с общим коллектором. Согласен как правило для усилителей с ОБ или ОЭ входное сопротивление усилителя и транзистора это одно и то же практически.
Не хочу разводить споры, Вы человек глубоко уважаемый мной. Просто кажется у Вас там символическая ошибка.

Вопрос зашел о простейшей схеме ОЭ, которая трансформируется из ЭП в усилитель путем изменения отношения резисторов в эмиттера и коллекторе.
И мой посыл был, что при постоянном сопротивлении резистора в эмиттере ( это ООС, по постоянному току, как минимум - напоминаю) - при изменении номинала резистора в коллекторе - входное сопротивление будет меняться.
Вот и все, и не надо строить новые догмы на ровном месте.

А почему это так? Да потому что при достаточно большом h21э ток базы становится пренебрежимо мал, то о чем я твержу Вам с самого начала. Но Вы отказываетесь видеть очевидное.

350/351 - 50/51 = 0,017 или 1,7%. Ну ок, резисторы дают 2%. Только вот когда Вы усиливаете напряжение, то почему-то забываете, что у Вас ведь главное это ток базы, так ведь? А теперь поправьте свой расчет усиления добавив в него сопротивление источника сигнала. И окажется, что усиление меняется процентов на... 30. А если сигнал будет выдавать источник тока, во сколько раз изменится Ку, в 7, не?
С любым. Достаточно компенсировать этот уход точно таким же уходом, например другим таким же транзистором, который будет компенсировать смещение на рабочем транзисторе, как в схеме у Tserq. Либо применив комплементарную пару, где уходы имеют разные знаки и взаимно сокращаются. Или диф-каскад, где Uбэ тоже вычитается из входного сигнала. Хотя в большинстве случаев достаточно резистора в эмиттере

Что такое "базаэмиттерный ток"? У Вас что Iб=Iэ ? И при чем тут базовое напряжение. Вы опять всё коверкаете. Я говорил про напряжение база-эмиттер. Именно оно определяет эмиттерный ток, а из него получаются все остальные токи в транзисторе. Тут можно долго спорить о том, что является первопричиной курица или яйцо ток или напряжение, я считаю что в данном случае - напряжение. Я уже тут предлагал попробовать "задать" ток базы обладая источником в 0,4В. Почему-то все забывают, что в основе источника тока лежит неограниченный по мощности источник напряжения. Электроны-то кто заставляет двигаться, не электрическое ли поле? Или они начинают бежать только потому, что в схему добавили волшебный элемент под названием "источник тока"?

И с этим нужно смириться, потому что БП это ИТУН с экспоненциальной зависимостью тока от управляющего напряжения. Если Вы с этим не согласны, тогда ответьте на вопрос, что делать если источником входного сигнала является источник напряжения малой амплитуды? Например электродинамический преобразователь. Преобразовать в ток? Ну тогда получите разброс по Ку такой же, как и разброс h21э
З.Ы. Не нужно забывать, что лежит в основе транзистора, а то с этими симуляторами можно до маразма дойти.

Выше вы писали, что уменьшая ток базы до нуля, изобрели полевой транзистор. Если почитаете ту книжку "Барьеры", узнаете, как оно было на самом деле. Это совершенно разные приборы, о чем уже не раз, впрочем, говорилось. Вот и попробуйте не забывать, что... (сначала узнать, чтобы было что не забывать )

Прошу вас, не подменяйте арифметику схоластикой - все формулы написаны выше. При токе коллектора 10А и h21э=100 ток базы будет 100 мА (!!!). Т.е. пренебречь H21э в расчётах мы можем запросто (100/101=0,99), но вот пренебречь таким током базы не получится при всём желании.


1%-резисторы вроде как дают не 2%, а 4% - (R1+1%)/(R2-1%) поделить на (R1-1%)/(R2+1%), но не суть. Главное - ток базоэмиттерного перехода, протекающий через электроды базы и эмиттера. Что касается ИТ по входу, то вот тут-то мне как раз больше всего интересно, как вы посчитаете этот каскад через напряжение база-эмиттер. У меня-то проблем не возникнет: ИТУТ (ОБ) или ИНУТ (ОЭ с параллельной ОС по напряжению) - и никакой зависимости от h21э.


А h21э ничем компенсировать не нужно. В то же время все вышеперечисленные способы компенсации плывущего Uбэ совсем не так просты, как вы это пытаетесь представить - тот же дифкаскад ещё как плавает, если транзисторы не специальные однокристальные сборки с нормированныеми параметрами (на однокристальных тоже плавает, но много меньше), а про индивидуальный подбор транзисторов в схеме компенсации смещения от TSerg'а говорил сам TSerg.


Часть тока через p-n-переход "база-эмиттер", протекающая через вывод базы. Т.е. источник сигнала, обуславливающего этот ток, может быть и со стороны базы, и со стороны эмиттера - это не принципиально.


Ещё раз: напряжение база-эмиттер - это всего лишь прямое падение напряжения на p-n-переходе и является лишь одним из факторов, определяющих токи эмиттера и всех остальных электродов. Другие факторы я перечислил в предыдущем сообщении, если вы с ними не согласны - опровергните их.


Я тоже так считаю, причём во всех случаях (а не только в данном), но к механизму работы БТ это имеет мало отношения.


Ток базы, как и любой ток, возникает благодаря напряжению - никто с этим и не спорит, поймите же! Точно так же, как течение воды возникает благодаря давлению. Но если гидравлический пресс своей входной величиной (в предположении малого перемещения рабочего поршня) имеет давление ("напряжение"), то водяная мельница без плотины входной величиной имеет в конечном счёте водяной поток (хотя причина потока воды в речке - всё-таки разность давлений). Просто авторов водяной мельницы не интересовал перепад высот, гидродинамическое сопротивление потоку и т.п. - они взяли за основу конечное явление, т.е. поток воды. Точно так же и БТ разрабатывался как прибор, в котором ток управляет током. Хотя причиной любого тока, безусловно, является напряжение. Понимаете, можно режим полупроводникового прибора и через волновую функцию попытаться посчитать (теоретически это, вероятно, возможно), но даже если это сделать, практическая ценность данного расчёта будет сомнительной.
Что касается Uб 0.4, то ток базы всё равно будет, но очень малый. Продолжая аналогию с колесом водяной мельницы, ниже определенной разницы давлений поток будет настолько малым (но не нулевым), что колесо будет стоять на месте. При увеличении потока колесо начнёт двигаться и начиная с какой-то величины потока скорость вращения колеса придёт в прямую зависимость со скоростью потока.
Кстати, есть ещё и микротоковый режим БТ. Вот пример:



Напряжение Uбэ VT1 как раз порядка 0.4 В (чуть больше и зависит, в частности, от сопротивления подключенных наушников). Но, понятно, параметры такого усилителя зависят от всего - даже, наверное, от фазы Луны. Тем не менее, факт есть факт: схема рабочая при таком малом Uбэ.


Т.е. линейный усилитель на БТ невозможен по определению? Используйте БТ по назначению - как ИТУТ, - и ни с чем мириться не потребуется


Что мешает задать смещение (да, это напряжение, но от этого принцип работы БТ не меняется)? А если источник сигнала сможет линейно работать как ИТ, то можно и вышеупомянутые каскады с токовым входом использовать (но смещение всё равно потребуется).

Alexashka, вы совершенно правильно сказали, что

А про работу реального транзистора на электронно-дырочном уровне я вам всё расписал.

Значит 100мкА можем простить, а вот 100мА ни в коем случае?!
Ну вот Вы же вывели формулу, а понять, что она означает никак не можете
Что такое h21э/(h21э+1) в формуле усиления, которую Вы вывели? Это альфа, которая есть коэф.передачи тока эмиттера в коллектор (нагрузку), поэтому и усиление становится меньше в альфа раз. Уменьшение это происходит изза того, что часть тока эмиттера ответвляется в базу. Поэтому "пренебречь" в данном случае означает только одно: ток базы становится пренебрежимо мал по сравнению с током эмиттера.

Нет такого тока. Или у Вас не транзистор, а диод!

В симуляторе - элементарно
Если это попытка потролить, то напрасная. Я ж не упоротый и понимаю, что в данном случае нет нужды пересчитывать в напряжение база-эмиттер - тут проще считать через ток.

Дааа...С физикой совсем всё плохо
Эти примитивные аналогии к управлению потенциальным барьером не имеют никакого отношения - никогда там (в БТ) не будет прямой зависимости Uбэ от Iэ.

Не понял что Вы предлагаете смещать? Uбэ? В какую область? Вы где-то видели линейный участок на экспоненте? Без мощной ООС никакой линейности не будет, если только сигнал не мкВ...

Ох уж эти сказочки...Ох уж эти сказочники (с)

Во-первых, про "простить" говорили как раз вы:

Я же всегда утверждал, что базовый ток "прощать" нельзя ни в каких случаях. Настоятельно прошу не заниматься подтасовками.
Во-вторых, каким образом написанное вами про альфа опровергает моё утверждение, что h21э (то есть тогда бета) - главный параметр БТ (напомню, разговор был именно об этом)? По-моему - как раз подтверждает


У диода есть база и эмиттер? Читайте внимательно:

Взять и стереть окончание цитаты, поставив при этом в конце точку вместо запятой - это, простите, шулерство.


Сообщением ранее вы признали, что при источнике сигнала с малым внутренним сопротивлением расчёт каскада через ток избавлен от зависимости он меняющегося h21э и достоверен. Однако там же вы утверждали, что вот как раз в случае источника сигнала с высоким внутренним сопротивлением через ток нельзя ни в коем случае:

Причём я с вами согласился, ибо такой расчёт (а точнее - не расчёт, а сам каскад) будет зависим от h21э. Вы уж как-то определитесь.


Ни про какую зависимость Uбэ от Iэ я аналогий не приводил - читайте внимательнее.


А если мкв - экспонента выпрямляется? Так вы её увеличьте до нужного масштаба - та же экспонента По-моему, вы не поняли не только мой ответ, но и свой вопрос


Без комментариев. Продолжайте изобретать полевой транзистор, выбрасывая базу вместе с её богомерзким током из биполярного

Alexashka, есть два мотива для спора: поиск истины и желание победить. Я спорил с целью поиска истины, а вы с некоторого момента стали спорить исключительно с целью победить. Наш спор стал бессмысленным - всё уже сказано. В процессе спора я открыл для себя много такого, о чём ранее не задумывался, а так же изменил некоторые свои представления - и именно вам, как моему фактически единственному оппоненту, хочу сказать за это спасибо. Потому, чтобы закончить наш спор, я официально признаю своё тотальное поражение по всем фронтам, полную несостоятельность всех моих аргументов и мою абсолютную некомпетентность, подтверждённую не только отсутствием у меня какого-либо профильного образования и достижений в электронике, но и родом занятий, абсолютно не связанным с наукой техникой. Вы победили, поздравляю!

Вот мы и добрались до рассмотрения токов в токовом приборе, теперь уже с обозначениями (см. #431):
http://shot.qip.ru/00gZ9L-4OPovQGWo/
P.S.
Я же говорил, но опять удалили: "транзисторы хотят, чтобы их правильно рассчитывали".

Да ладно, вот так прямо взял и сдался?
Ок. Но я всё же отвечу на вопросы раз уж они заданы. Но только на самые интересные.

И где же я такое утверждал??? Я всего лишь показал, что h21э может влиять на Ку, а тогда что делать с разбросом? Непонятно. Ну и самое главное -весь сыр бор изза чего был ? Через какой параметр считать каскад или какой параметр (зависимость) в транзисторе определяющий, так? Ну так вот это разные вещи. Да, я по прежнему считаю, что в основе работы лежит управление силой тока с помощью изменения уровня потенциального барьера, и как мы узнали в программах моделирования используется именно эта зависимость Iэ=f(Uбэ). Но это не значит, что в типовых расчетах с помощью бумажки и карандаша нужно обязательно считать через эту зависимость. В таких расчетах обычно используется то или иное упрощение, как например Uбэ=0,65В=Const, что во многих случаях вполне достаточно. Я же не заставляю всех считать через напряжение база-эмиттер, нужно просто знать что такая зависимость есть и понимать как её компенсировать или использовать.

Смешно, что прям плакать хочется Про линейное приближение слышали? В качестве разминки для ума предлагаю показать откуда в эмиттере возникает диф.сопротивление.

И почему-то мне это не мешает правильно расчитывать каскады, вот ведь странно да? Возможно я не силен в искусстве убеждать, а может просто Вы затевали этот спор чисто поглумиться над "сирым", т.к изначально были 100% уверены в своей правоте и не собирались менять свое мнение ни на йоту

За перемирие вполне сойдёт перемножитель Гильберта — с какого-то перепугу, за пару десятков транзисторов и в 21-м веке продолжают драть 15$.