Ошибаетесь. Переход КЭ, открываясь, шунтирует переход БЭ, пытаясь закрыть транзистор и ограничивая ток базы. Диодное включение называется, транзистор пожизненно в активном режиме. Итого в базу течет всегда лишь Ik/h21э, и I = Ik + Ik/h21э, ток базы ограничен... Тепловым пробоем транзистора.


Это не сколько емкость, это восстановление открытого перехода БК, как восстановление любого диода. (Даже если напряжение снаружи на коллекторе больше, чем на базе, внутри все равно переход БК открыт в прямом направлении, именно переход, а не само "тело" коллектора, которое не переход, а тупое R n-типа (или p)) А если вспомнить площади переходов БЭ и БК... Тогда станет понятно, почему это восстановление гораздо тяжелее, чем восстановление одного открытого БЭ.


Вот мне вообще непонятно, на кой при рассчете насыщения бета (вот в этом "падающем с насыщением" понимании) вообще? Если в насышение транзистор априори попадает лишь тогда (ОК от автора темы в расчет не берем), когда источник в коллекторе физически не может обеспечить достаточно тока для выхода на линейный режим? Просто для оценки необходимого тока, который вдуть в базу, чтобы глубоко насытить? Но это не сложнее рассчитывается из формул модели, но гораздо точнее.

SM
Спасибо.
Эти два вопроса (во всяком случае мне так кажется) ближе всего к моему пониманию режима насыщения транзистора.
Вот только эту идею возможно ли "привязать" к схеме с общей базой?
Это конечно к теме не относится, но все же - как Вы думаете (я про общую базу)?

Еще как можно - это используется в трансляторах уровней на каскадах с общей базой. При этом входной сигнал подается на эмиттер (допустим лог. уровни 1.8 вольта), на базу - порог срабатывания+0.6вольт, а коллектор - к + питания выхода через резистор. Итого - когда на входе (эмиттере) 0 вольт, то транзистор глубоко насыщен, на выходе тоже околоноль вольт. Когда на входе 1.8 - транзистор закрыт - на выходе хоть 100 вольт, сколько там на коллектор подано.


Это один из вариантов того, как транзистор оказывается в насыщении. Другой - вам уже приводили, с вашим же ОК, когда напряг на базе превышает VCC.

Там речь шла о том, что снаружи ток базы не ограничен. И транзистор из базы берёт при этом ровно столько, сколько ей нужно по-минимуму, то есть бету. В ОЭ база возьмёт столько, сколько "вкачают".


То бишь если я возьму диод, "открою" его током например 0.5А и попытаюсь закрыть с помощью эмиттерного повторителя, то в (короткий) момент закрывания у меня через повторитель потечёт ток значительно выше 0.5А, грубо говоря несколько ампер, только из-за того, что переход диода превратился в ёмкость и успел накопить заряд?

Спасибо ВСЕМ кто ответил в теме.
Ноги у темы выросли вот отсюда:
http://forum.cxem.net/index.php?showtopic=...mp;#entry573949
Думаю, что все получилось достаточно пристойно и польза от посещения этого ресурса будет для всех.
Приглашаю и ВАС Разработчики на Паяльник.
С уважением!!!
Гена.

0,6 вольт на базу???,
маловато будет.
Вы не учитываете уровень входного лог. 0, обычно берут середину ворот 0,8...2,4В.

А Вы читать не умеете. "порог срабатывания+0.6вольт" это не равно 0.6 вольт, если порог срабатывания не нулевой. И вообще, я приводил в пример 1.8-вольтовую логику, там порог аккурат 0.9 вольт. Значит на базу - 0.9+0.6=1.5. А Вы откуда-то про ТТЛ придумали. Типа "чукча писатель".


В общем, чем бы Вы там его (диод) закрывать не пытались, придется "рассосать" заряд Qrr, прежде чем он закроется. И он, естественно, будет рассасываться в виде броска тока. Применительно к базе транзистора - рассосать Qrr только с БЭ, или с БЭ+БК - две большие разницы. А шоттка - она восстанавливается как обычная емкость, в том одно из отличий от классических диодов.

Вопрос к знающим:
Если транзистор расчитан на предельный ток 3А например, то этот ток можно "гонять" только через виртуальный переход КЭ или через БК в прямом смещении тоже? Обычно у транзистора регламентируетсяпредельный ток базы, но если более точно разобраться - куда он относится - к току БЭ или к любому току базы?

К любому.
А по логике - допустимый ток через БК должен быть больше, чем через БЭ и через КЭ (которые, опять же по той же логике одинаковы и определяются переходом БЭ), так как переход БК имеет большую площадь, чем БЭ. Но сейчас технологий столько, что там черт ногу сломит... Мало ли что у кого понапридумано... Ну и плюс - что чем разварено и какая площадь контакта - это дополнительное ограничение на ток базы, актуальное для мощных девайсов.

Это я к тому, что получается ток разряда базы тоже необходимо ограничивать, чтобы транзистор не помер. Я прав? Хотя формально процесс разряда не влияет на (не увеличивает) прямой ток БЭ.

Прямой ток БЭ он не только формально, а и натурально не увеличивает, потому, что там и в том направлении не течет. А вот через проволочку разварки - течет. Через контакт к кристаллу - течет. Ограничивать, может, и не надо, а может надо, т.е. просчитать его стоит, не превысит ли он допустимый импульсный базы. Кстати туда еще и ток через пакость Миллера не забыть добавить, тоже "неплохая прибавка к пенсии". Т.е. при закрытии из насыщения - сначала восстановление Qrr БК, а только потом рост Uк и миллер.

SM
Про "чукчу"! Ай-яй-яй.
Не по взрослому как-то.

SM,
RC не мое , а из модели , из которой Вы черпаете знания.
Подумайте над картинками.

Ps/ насыщение для инженера это не то что "внутри" модели, а то что снаружи на выводах транзистора в схеме. Можете не соглашаться , имеете полное право.

Всё таки в большинстве (>90%) схем с ОК - не может. И только когда схема намеренно проектируется с режимом насыщения, то тогда ессно может.
Кстати, раньше была распостранена схема УМ УНЧ (даже в Хоровице-Хилле есть) со следящей связью (электролитом), которая имея на выходе два комплементарных эмиттерных повторителя (пуш-пулл) может входить в насыщение. Точнее верхний эмиттерный повторитель может.


Если это так, то это легко проверить. Достаточно взять тот же транзистор, замкнуть БЭ и через получившийся диод пустить рабочий ток. Ёмкость этого диода в момент выключения должна быть равна (или около того) когда я разряжаю базу (этого же) насыщенного транзистора в схеме с ОЭ. То есть тот же эксперимент, что и пару постов назад с диодом. Но так можно точно определить связан ли эффект с площадью перехода коллектора.

Соглашусь лишь частично. Для инженера-цифровика - да - насыщение это то, что он видит тестером на выводах. Типа повышаем ток в базу, а ток коллектора уже не растет. Если такой инженер доволен знаниями о транзисторе на этом уровне - да и пусть. Мне не жалко. А для инженера-микроэлектронщика - это комплексный процесс, в который вовлечены все части транзистора. Переходы со своей физикой, p- и n-области вне переходов со своей, и вся эта физика описывается своей математикой. Наиболее точно и реально физике происходящего соответствует та самая модель, которую я привел (знаете модель точнее, не считая упомянутых 3D-солверов, расскажите всем нам, и средства моделирования перейдут на другой уровень, а Вы будете счастливо жить на отчислениях за использование этой чудесной модели). Так вот - необходимым и достаточным условием насыщения является прямой ток через переход БК (и не надо то, что на самом переходе мешать с разностью потенциалов снаружи на выводах - контакты очень далеки от перехода, их потенциалы обуславливаются тем, что на переходе + сопротивлением области от перехода до контакта, а она, поверьте, не мала, ее глубина куда больше, чем собственно перехода, сопротивлением контакта, проволочки, а в динамике еще и пачкой других, индуктивных и емкостных паразитов), который открывает этот переход и обуславливает в т.ч. тот самый лишний заряд, который затрудняет закрытие насыщенного транзистора. И прочие вещи, необъяснимые моделью "ящика с дифференциальной бетой и графиками характеристик", однако нередко приводящие к эффектным пиротехническим эффектам непонятного для такого инженера происхождения.


Называйте, пожалуйста, вещи своими именами. Я черпаю знания из физического устройства транзистора как комбинации различных материалов. А модель - лишь достаточно точное и наглядное его описание.


Можно еще легче проверить - просто взять и замерить оба "диода" БК и БЭ отдельно как классические диоды на предмет их Qrr. Т.е. сначала БЭ с висящим К, потом БК с висящим Э. Только вот непонятно, кому и зачем все это надо, если все это можно подчерпнуть из документации (моделей) транзисторов.

Для более полного понимания , находится ли транзистор в насыщении, Вы предлагаете препарировать транзистор и мерять напругу прямо на p-n переходах унутре кристалла. Ясно, вопросов больше не имею.

Для инженера-разработчика не нужно лезть в дебри,
пусть этим занимаются микроэлектронщики (еще оказывается остались такие, не всех разогнали)
хотя и наша(Советская) на 99% цельнотянутая, передранная.

своими именами и называл , кажется.

Для GetSmart - у транзисторов в даташите есть такой параметр специальный - "Storage Time" Tstg. Для определенных режимов - как транзистор был открыт и чем его закрывают. Вот из него заряд перехода КБ на раз на калькуляторе вычисляется.

When a BJT is in saturation, both BE and BC junctions are forward biased and conducting. As such, an excess minority charge is stored in the base. For the transistor to leave saturation and enter active-linear (BC junction to become reversed biased), this excess charge must be removed. The time required for the removal of excess charge determines the storage time, Tstg

Так что можете вообще ничего не мерять и не симулировать. Просто открыть доку на транзюк и вычислить.



Вообще-то я не видел вопроса "как при помощи тестера обнаружить, находится ли транзистор в насыщении", и, соответственно, на него не отвечал. Я отвечал на вопрос "что такое насыщение, каков его физический смысл и свойства".


А Вы обратили внимание, что эта ссылка на модель была к одной конкретной формуле, а не ко вему принципиальному вопросу?


Это не нужно, пока разработки не начнут взрываться по непонятным причинам, которые такие не лезущие разработчики потом начинают устранять танцами с бубном.

Во-первых моделей нету. Во-вторых в документации есть только простая ёмкость коллектора и ёмкость эмиттера на уровне десятков (может сотня) пф, которую можно легко измерить "напрямую". Откуда там появляется нанофарадная ёмкость я не понимаю, причём эта ёмкость не связана с эффектом миллера, т.к. в тот момент напруга на коллекторе почти не меняется.

Я выше дополнил про Tstg и его происхождение.

Хотя щас в справочнике посмотрел про измерение ёмкостей. Те ёмкости, которые указываются в справочниках измеряются при обратносмещённых переходах. Ёмкость прямосмещённых переходов вообще в советских справочниках не указывалась.


А можно пример расчёта для любого импортного транзистора?


А разве время рассасывания не связано с током разряда? Тогда зачем указывать время, если изменив ток разряда оно может очень измениться?

Да пожалуйста - http://www.fairchildsemi.com/ds/FJ%2FFJAF6810.pdf

Tstg = 3 uS
при
VCC=200V, IC=6A, RL=33Ω, IB1=1.2A, IB2= - 2.4A

Т.е. если данный транзистор подключить коллектором через 33 ома к 200 вольт, открыть его током в базу 1.2А, а потом закрывать током -2.4А, то заряд с перехода БК будет рассасываться в течение 3 микросекунд, т.е. его там (учитывая что такое заряд и что такое ток) ажно целых 7200 нКл. Разумеется, если закрывать другим током, то этот заряд будет рассасываться другое время. И только потом пойдет разряд емкостей, включая и БЭ.

Указывают для ориентировки и только. Сколько примерно будет при данных условиях насыщения (температура, ток коллектора, ток базы прямой) и условиях разряда (ток коллектора и обратный ток базового вывода)
Время рассасывания нелинейно зависит от тока разряда базы . При нулевом токе базы время рассасывания не будет бесконечным и будет сильно зависеть от тока коллектора в этот момент. Но также и при нулевом токе базы и нулевом токе коллектора рассасывание также произойдет через некоторое время. В практических схемах кроме тока разряда базы еще очень существенную роль играет траектория тока разряда базы во времени. При неоптимальной траектории тока разряда базы (например очень резким и большим током или очень малым током ) после выхода из насыщения медленный спад тока коллектора в динамическом переходном процессе может вызывать большие потери на нагрев (для мощных биполярных транзисторов).

Допустим есть ключевой каскад. Какую такую существенную (неоптимальную?) роль может сыграть очень резкий/большой ток разряда базы? Например в схеме на картинке. То есть максимально быстрый разряд базы до нуля, когда эффект миллера полностью нейтрализуется.

SM, в моделях есть такое свойство как токовое насыщение?

131959G, в схеме на картинке первый каскад с ОК и он тоже входит в глубокое насыщение, как и второй каскад с ОЭ. Собственно, каскады по очереди меняются насыщениями

неоптимальность мощного ключа будет выражена в медленной скорости спада тока коллектора , когда напряжение на коллекторе начнет расти. Если у Вас с динамическими потерями в этой схеме все нормально, то пускай будет так как нарисовано . Но есть "плохие " высоковольтные транзисторы, у которых время спада тока коллектора 0,6...1,5 мкс, напряжение на коллекторе поднялось например до нескольких сотен вольт , а ток еще составляет амперы (допустим в насыщении было 10А) . Если Вам надо в этой схеме снижать динамические потери, то управление вторым транзистором потребуется переделать.
То что Вы говорите о разряде: "быстрый разряд базы до нуля" то это не совсем точное описание процесса. Предположим, потенциал Вы сравняли с эмиттером, но заряд еще не исчез в объеме кристалла (про микрофарады SM расчет показывал).
Про полную нейтрализацию эффекта Миллера тоже говорить нельзя в этой схеме. Заряд Миллера в этой схеме по-любому пройдет через первый транзистор , после выхода из насыщения второго транзистора. Миллер нейтрализуется в схеме с общей базой, когда заряд миллеровской емкости уйдет в цепь земли минуя цепь управления, подключенную в эмиттер.

Это ещё почему? Или по сравнению с чем? По сути, в схеме сделано всё, чтобы скорость спада тока (нарастания U на коллекторе) была максимальной. Что не так, или что и как ещё можно улучшить?


То, что он не исчез внутри - это неизбежность. ИМХО формально "снаружи" я сделал всё для того, чтобы заряд исчез максимально быстро. Опять же невидя альтернативы (которой я не знаю) утверждать на 100% рано.


При полном выводе базы из режима проводимости не может быть эффекта Миллера. Причём в ОБ для высокопольтных транзисторов (у которых большие внутренние R) эффект Миллера будет аналогичным как в моей схеме, т.к. ёмкость коллектора будет влиять на переход БЭ напрямую, а уж потом через относительно высокое сопротивление базы уходить в питание/землю. То, что в моей схеме эффект Миллера второго каскада (ОЭ) будет влиять на ток в первом каскаде я и не спорю, но на скорость переключения ОЭ это не повлияет. Для высоковольтных транзисторов было бы уместно смещать базу вообще в отрицательную область. Припоминаю, видел схему ЗУСЦТ телевизоров и там чиста электролитом загоняли в базу минусовое напряжение.

По сравнению с тем , когда запирают высоковольтный транзистор через индуктивность , подключенную к источнику -4...-5 V . Величина этой индуктивности определяет скорость dI/dt изменения тока базы с + на - и рост запирающего тока в "-".
Существует такое значение индуктивности , при котором "Turn-off fall time" будет минимально возможным ( но при этом время рассасывания не будет минимальным !) . После окончательного запирания требуется погасить эдс самоиндукции этой индуктивности , чтобы она не вызвала пробой б-э перехода обратным напряжением и также не вызвала ложного включения транзистора вторым полупериодом. Если сделать Tfall очень маленьким, то потери возрастут в статике во время рассасывания (начнется небольшое повышение Uкэ перед выключением). Искать компромисс ... Иногда в даташитах уже рекомендкется некоторый набор типа (ICmax = 4.0 A; IB(end) = 0.9 A; LB = 6 uH; -VBB = 4 V; (-dIB/dt = 0.6 A/ms)
(А оно Вам нужно ?, может Mosfet проще будет?, если дело до киловольта) .


Это было давно и очень плохо сказывалось на надежности тех блоков питания, где стоял такой электролит в базе 100х63 . Он от непосильной работы часто высыхал . Сегодня в самых дешевых китайских БП электролит в базу не ставят. Силовой биполяр что-то типа 1710 а базу разряжают на выключение транзистором 2SC3807 по схеме ОЭ. Это тоже плохо, частые отказы а горит дотла.

Попробовл пересчитать этот заряд в ёмкость. Если взять 0.6 вольт на базе, то эквивалентная ёмкость аж 12 мкф! Это же на несколько порядков круче чем у полевиков. Наример у IRF740 и IRLR2905 (который на 40А) всего 30-40 нКл заряд затвора.


Дело (схема) на уровне 24В на выходе и 3.3V управляющее, и транзисторы все с низким внутренним сопротивлением. Вобщем понятно, для высоковольтных схем можно придумать более замороченную схему. Но в моих условиях она никак не ускорит выходной транзистор, будет только черезмерно сложная.

Так, от простого эмиттерного повторителя пошло, пошло, поехало....
Когда ж уже схема и модель коллайдера с черной дырой будет? )

Такого понятия нету, как токовое насыщение. Насыщение - оно просто насыщение. Но я надеюсь понял что Вы спрашиваете, т.е. учитывает ли модель восстановление переходов БЭ и БК как диодов.
Зависит от кол-ва заданных параметров. А дальше спайс сам выбирает модель для использования (эберс-молл или гуммель-пун, первый не учитывает заряды областей, второй учитывает, кстати, второе название гуммеля-пуна - интегральная зарядовая модель). Для большинства моделей, поставляемых производителями, учет этого есть.



Ну я и выбрал нечто первое попавшееся, не выискивая наилучший экземпляр с этими параметрами....

Не, не это. Возьмите транзюк, допустим КТ3102 и померьте бету при 10 мА в эмиттере. Потом бету при 100, 200, 300 и т.д. Для больших токов ессно в импульсном режиме (десятки мс в импульсе), чтобы транзистор не нагревался. Так вот, при одинаковых напряжениях на КЭ и длительности импульса у транзистора резко будет падать бета при переходе некоторой границы. Для КТ315 это около заявленных 100 мА. Он же никогда не выдаст 1А даже если в базу вдуть 100мА. Ессно всё из-за ограниченной площади переходов. Но аналогия с признаками обычного насыщения была хорошая, до введения модели эберса-молла и гуммель-пуна


Меня больше интересует среднестатистические показатели, например у одинаковых по рабочему току/частоте/пр. параметрам полевиков и биполяров. Ну то есть у кого ток больше нужно перекачивать из базы/затвора в режиме насыщения.

У классических параметрических моделей - не в курсе, не интересовался и не нарывался. По идее должно. Проверьте сами. У геометрических моделей, заданных периметрами и площадями переходов - моделируется, я случайно нарывался на это, не подумав нарисовав слишком маленькие биполяры при разработке ИМС.


Вообще не очень корректное сравнение. Если биполяр не обязательно вгонять в насыщение по самое нехочу, то полевик как не крути, надо открыть до требуемого Rdson.

GetSmart
Добавьте к картинке ИСТОЧНИК ЭНЕРГИИ (ПИТАНИЕ), НАГРУЗКУ, источник собственно входного сигнала и значения R и С.
Ну или как минимум замените все перечисленное (кроме R и C) какими нибудь "заменителями".
В принципе идея схемы понятна.

Ессно я проверял, поэтому и говорю.


А зачем? Симулировать будете?
Чтобы понять как схема работает совсем не нужно ничего лишнего. Всё лишнее я убрал. На входе TTL 3.3V, на выходе в коллекторе любая нагрузка. Питания там не нужно совсем Питание берётся от управляющего сигнала.

Для поддержания темы.

Нет не буду.

Интересная мысль.

И какой ток Вы берете от логической "1" ТТЛ ?

Зависит от выходного транзистора. я работал с КТ9180/КТ9181, у которых на токах коллектора 1.5А бета более 200. Причём он не составной. Включался/выключался примерно за 150 нс. Потребление по входу - постоянный средний ток 10 мА, а вместе с динамическим ~15. Но учитывая скважность будет меньше. Да и вообще, схему легко модифицировать для работы от едениц мА введением ещё одного э.повторителя, но тогда уже питание потребуется хотя бы 3.3В.

И схема реальная была сложнее. Это так, огрызок я нарисовал, достаточно интересный по теме топика.

Может быть.
Вот только, если растянуть время, то промежутка, на котором первый транзистор будет работать ЭМИТТЕРНЫМ повторителем я например пока не вижу.
Вот "огрызок" что на рисунке вижу.

Не знаю что на этом рисунке и где там вход.

На моём же рисунке первый каскад работает в моменты перезаряда конденсатора, который там в районе сотен пф. И эта малая ёмкость способна быстро разряжать десятки нанофарад (!) базовой ёмкости второго каскада именно благодаря псевдоусилению ёмкости эмиттерным повторителем.

Это Ваш рисунок, только я эмиттер транзистора нарисовал вниз.
Добавил конденсатор который Вы разряжаете (он справа на рисунке) и резистор (это "паразит" (как тут говорят) во внутри транзистора (конденсатор справа тоже "паразит")) и добавил еще один резистор иммитирующий выход ТТЛ.
На рисунке время сразу после появления логического "0" ны выходе ТТЛ.

P.S.
Для общего развития:
А что Вы называете псевдоусилением емкости?

Это не мой рисунок. Если я правильно понял это должен быть первый каскад. Но у меня первый каскад - ОК, а здесь ОЭ. А эмиттер нужно рисовать вниз N-канального (NPN) транзистора. Для P-канального (PNP) наоборот. Но в обоих случаях стрелка эмиттера показывает либо вниз, либо влево или вправо, но не вверх. Да ещё и плюс на правой ёмкости (базы?) перепутан. На левой ёмкости плюс нафик не нужен, там всего сотни-тысячи пф могут быть, причём тут электролит? И из-за перевёрнутого транзистора непонятно что внизу схемы - плюс или минус. Нельзя же так каверкать схему


Свойства ёмкостного делителя знаете? Когда dU на конденсаторе обратно пропорциональна его ёмкости. Так вот, здесь dU будет ещё меньше в бету раз (от эмиттерного повторителя), то есть можно уменьшить конденсатор в бету раз и его dU останется прежним. А уменьшив конденсатор одновременно уменьшится и динамический ток от входа. Другими словами, при разряде ёмкости базы динамический ток от входа уменьшается в бету раз благодаря эмиттерному повторителю в первом каскаде.

См. рис. прикрепл..
P.S.

Плюсы указывают НА НАПРЯЖЕНИЕ НА "ПЛАСТИНЕ" КОНДЕНСАТОРА ОТНОСИТЕЛЬНО ДРУГОЙ "ПЛАСТИНЫ", а не на тип конденсатора.
Извиняюся, я наверное плохой художник.

2 GetSmart - да, спайс моделирует при параметрических (не геометрических) моделях ограничение тока коллектора площадью перехода.

Cомневаюсь в истинности этого утверждения.

Ниже показан ток коллектора от тока базы при разных значениях напряжения источника питания коллектора при неизменной площади перехода и остальных модельных параметров транзистора. Напоминаю про RC

Возможно и так, никогда ранее не приходилось глубоко думать о таком экстриме (токи, критические для площади перехода). В гипотезу о ограничении площадью я просто на слово поверил. Даже скорее всего так. Ведь действительно, физически при определенном токе на материалах от ноги до перехода (проволочка, точка разварки с металлом, металл, контакт, n-область) упадет столько, что транзистор улетит в классическое насыщение по открытию перехода БК. А если управление не источником тока, то еще и RE нагадит так, что мало не покажется. Так что Вы правы. Первопричина не площадь.

Ну если ораничение тока в модели присутствует, и для него не понадобилось вводить лишний параметр, а модель на основе обычных RC,RE и др. имеет нужные свойства, то вообще крутяк. Я-то заметив токовое насыщение просто предположил из-за чего оно могло бы происходить.


При таком подробном преобразовании схемы становится понятно, что откуда появилось и куда теперь подавать напругу и землю. Получилось, что земля (минус схемы) переехала не просто снизу вверх, а теперь находится где-то в центре схемы, точнее на коллекторе (как и у меня была). Одно не могу понять - зачем понадобилось всё переворачивать "вверх ногами"? Кроме того, если уж пытаетесь добавить в схему сопротивления источника сигнала и сопротивление базы, то хоть помечайте буковками эти сопротивления.

GetSmart
Ну во первых первоисточник у моих рассуждений (Ваш рисунок) БЫЛ БЕЗ БУКОВОК и вообще не мог ничего не зарядить не разрядить. Просто МЕРТВЫЙ РИСУНОК.
Только без обид пожалуста.
Никакой "земли" на Вашем рисунке НЕ БЫЛО, ее НЕТ и сейчас.
Никакой ПРИНЦИПИАЛЬНОЙ разницы (во всяком случае для меня) куда направлены выводы элементов НЕТ.
Эмиттер вниз - это не стрелка УГО (условное графической обозначение), а ВЫВОД транзистора (напрвление стрелки на УГО определяет, что это за транзистор ( p-n-p в данном случае )) и не более того.
Схему Вашу я не изменил.
Это видно НЕ ВООРУЖЕННЫМ глазом.
Сопротивление, которое иммитирует выход ТТЛ можете считать, ну например равным 1микроОм (это не принципиально).
Для меня принципиально то, что я не вижу каскада с ОК!!!

То есть ограничение тока коллектора при увеличении тока базы происходит при конкретном Uce из-за внутреннего сопротивления кристалла?


ОК от ОЭ (да и вообще, принцип работы транзистора) можно отличить только когдя ясно какой из пинов у него заземлён (то есть на каком зафиксирован потенциал). По-умолчанию в большинстве схем земля находится в самом низу схемы и значёк земли рисовать не обязательно (как у меня и было). Когдя земля переехала в центр схемы не имея значка земли, то "программа сбилась". ТАК ДЕЛАТЬ НЕПРАВИЛЬНО!!! Это не моё имхо. Вам это подтвердят и другие.
Когда на моих элементах не было обозначений - это тоже нормально. Возьмите Хоровица-Хилла и там есть подобные примеры, но когда в схему добавляют виртуальные элементы, свзяанные с неидеальностью каких-то элементов, то их намеренно помечают чтобы они отличались от реальных. И кроме того, на моём рисунке были выводы для входа и выхода, а здесь их нет. И это опять же мешает пониманию работы схемы. Если уж хотели нарисовать что-то типа модели, хотя бы для понимания работы схемы в голове (чтобы читатели не запутались, а то Ваши мысли - потёмки), то значёк земли и выводы входов/выходов нужны обязательно.

.....а он есть (с)



судя по модели - да. А вообще и в принципе - "из-за внутреннего сопротивления кристалла" тоже правильно в любом случае , чтобы там внутри не происходило

Вообще, рисунок (принцип работы), 100% достойный Хоровица-Хилла. И там вроде бы такого нет.
Ни одного лишнего ненужного элемента. Некоторые элементы выполняют несколько функций. Диод аж целых 3 функции. Даже питания не требуется для разряда мощной базы/затвора. И только чел, который не в состоянии отличить ОК от ОЭ считает его "мёртвым"
Рисунок живее всех живых Правда для настоящих профи.
Только без обид пожалуста

ЗЫ. Диод одним "движением руки" заменяется NPN транзистором (эмиттерный повторитель) для быстрого включения базы/затвора. Но мне это было не нужно, такая особенность схемы. КТ9181 итак включался достаточно быстро.