>ikm
В IE3D толщина проводника задается либо бесконечно тонким проводником с назначением ему толщины и проводимости для _аналитического_ расчета пов.сопротивления, скина, потерь либо "по-честному": с использованием четырех полигонов для каждой поверхности - верхней, нижней и двух боковых. Второй способ, как правило, точнее, особенно для структур с сильной связью.
Изменение материала нижнего проводящего слоя, приводящее к столь фатальным последствиям, действительно, смахивает на ошибку пользователя. Хотя... что-то я не помню в IE3D такого параметра, как Bottom Boundary...
И... в теме по MWO все это злостный офф.

MWO используеться как оболочка, у него есть функция подключения симуляции с помощью IE3D и NUHertz.
Вообщем сам Фильтр создовался следующим образом :
сначала с помощью NUHertz была смоделирована схема и примерная топология. Т.к. этот процесс довольно быстрый, можно было поробовать много вариантов, и выбрать оптимальный.
Затем схема и топология переведена в MWO, и там была создана ЕМ структура с симуляцией в IE3D, приэтом она совпадает как если создовать топологию в Naitiv едиторе, так и стандартным AWR едитором. Так вот в AWR едиторе есть такие параметры как Bottom Boundary (к вопросу о ОФФ ТОП). Толщина проводника задовалась 1 способом. Вот такие пироги.

В MWO аналогично. Если задать проводник и назначить ему тощину, то, аналогично указанному, толщина используется только для расчета поверхностного сопротивления. Связь линий при этом расчитывается неверно (сам проверял!!!). Если задать, как описано в хелпе (п. 8.8.7. Thick Conductors), то рассчитывается корректно. Главное, не переусердствовать с перемычками (т. к. не 3D, а 2.5D), иначе опять же неверный результат получите. Я, конечно, не знаю содержит ли Ваш фильтр связанные линии с боковой связью, но, если содержит, обратите внимание на эту особенность задания модели.

Наверно вы имели ввиду п.8.8.8 Using the EMSight Simulator Effectively, там есть абзац Thick Conductors. В п.8.8.7 The Moment Tables in EMSight вообще про это не сказано. У меня версия программы 8.03 4254.
Да у меня Hairpin фильтр, поэтому толщина проводников важна. Тогда зачем в ЕМ структуре задавать в shape properties материал и drawing layers, там можно задать thick metal?

У меня п. 8.8.7 (v. 8.00).

Повторяюсь - только для расчета поверхностного сопротивления проводника.

Вообщем как я понял надо использовать 2 проводника, один поверх другого связаных между собой перемычками. место расположения перемычек будет напоминать тенец с бубном, а вот как выбирать толщины проводников? Например мне надо толщину 35мкм, мне брать 2 по 17, или 2 по 35?

Толщина нужна только, чтобы рассчитать потери в проводнике и, если они Вас сильно не интересуют, то можно и не задавать. В противном случае, наверное, можно задать, например, нижний проводник с толщиной 35 мкм и назначить ему материал, а второй - из того же материала, но с нулевой толщиной.

Не совсем. IE3D честно считает распределение тока вдоль z, причем не только для вертикальных, а и для наклонных поверхностей. MWO этого не делает.
Шпилькин фильтр, как правило, считается достаточно корректно и без сложного моделирования толщины проводников.

>ikm
Для проверки правильности задания модели и методы можно попробовать просчитать заведомо известный фильтр из к.либо статьи или книжки... Часто помогает.

В слово "аналогично" я вкладывал лишь, то что толщина используется для расчета поверхностного сопротивления (забыл уточнить, поправил!!! ). Ко второму способу это, конечно же, не относится.

повнимательнее посмотрев, я понял что толщина проводников не влияет на моделировании связи, т.к. растояние между проводниками довольно большое ( в 7 раз больше толщины проводников).

По поводу примеров я считал те что были в книжке, они получались, кривые АЧХ совпадали. просто из-за различий используемых версий я не всё мог поробовать. Например в последней версии NuHertz он автоматом создаёт переходные отверстия которые идут в земляному слою. А сам я не могу создать via порт (он загреен). К томуже не в одном примере не показывалась работа с земляными слоями, похоже они просто использовали слой нижней границы (который был сверхпроводником), а когда я в своём проекте делал его медным всё сразу портилось, сейчас я добавил ещё 1 слой (указал что он являеться землёй) и получил хотябы что то похожее на АЧХ фильтра.

Вот я не до конца понял смысл верхней и нижней границ (которые задаються в ЕМ структуре на вкладке: Диэлектрические слои). От них (растояние до проводников материал и т.д.) очень сильно зависит форма АЧХ.
И ещё ворос: У меня в фильтре имеються переходные отверстия на землю, нужно ли рисовать полигон на том слое который я указал земляным (вкладка Line Type есть галочка specify grounds где можно задать верхню и нижнюю землю)?. И если не указывать специально земляной слой то что он тгда берёт за землю?

У Вас же реальное устройство будет в экранированном корпусе, поэтому наличие этих границ весьма адекватно. Естественно, что АЧХ будет сильно зависить от их расположения, т. к. экран сильно влияет на связь Ваших резонаторов. Наверняка есть какое-то эмпирическое условие расположения экрана, когда его влиянием можно пренебречь.

Давно не занимался электродинамикой в MWO, поэтому наверняка сказать не могу, но, судя по хелпу, никакого дополнительного полигона на земляном слое задавать не нужно (Specifies the layer number for ground above the line или Specifies the layer number for ground below the line соответственно для верхней или нижней поверхностей диэлектрического слоя). Можно проверить, промоделировав отрезок МПЛ.

Вообще по бокам всегда земля, либо если задаете нижнюю или верхнюю поверхность бокса как PEC или проводник с потерями, то земля будет и там.

Вопрос от меня:
Решил легенду на графике по-русски подписать и поймал следующий глюк. Надпись "вылетает" из границ легенды в правую область графика. Причем, если перемещать легенду, то надпись на русском на первый взгляд не перемещается, но после повторного анализа смещаетсяпо по вертикали на уровень легенды по горизонтали. Горизонтальное перемещение легенды на русскую надпись не действует. Можно как-то преодолеть эту маленькую проблемку? И еще заметил, что в настройке шрифтов, по крайней мере для легенды, не влияет настройка размера шрифта.

В продолжение вопроса. Проба пера. Выкладываю в бета-тестирование нужную Вам модель 3-x портового элемента. Нормирующее сопротивление только активное. Установка: скопировать dll в папку \AWR2007\models\. Модель находится в дереве элементов PRE_RELEASE\General\Network Blocks. Название S3P_BLK.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Для учебной лицензии на MWO 1-й способ распространяется? Жалко что ли отдать AWR'у созданные модели!!! Авось продадут!!!

Здорово! Мои поздравления! Не подскажете как это делается? Мои расспросы у российских дилеров AWR о возможностях создания моделей свелись к предложению купить Model Wizard за 40к$, "а потом можно и поговорить"

Все именно так и делается при помощи Model Wizard и SDK, полученного по официальным каналам. По-другому - не реально да и не правильно. Могу сказать, что процедура не совсем простая и требует помимо официального SDK навыков в программировании на С++ и лицензионной версии MS Visual Studio. Ради одной-двух моделей заморачиваться не стоит.

Вам сначала надо купить легально Microwave Office, а потом уже разговаривать о Model Wizard.

Организация, где работает DesNer, нашла средства.

Так все-таки нереально или можно но неправильно? Т.е. правильно ли я понял, что то что пишет AWR в хелпе, типа берешь и программируешь на С++ - это нереально и неправда? Если так, то похоже надо все-таки переходить на ADS.

DesNer имееет в виду, что если вы будете пытаться создать модели каким-то своим способом, то мала вероятность чтj они будут работать корректно и вообще работать. Я ж, по наивности своей, тоже думал, что каждая модель в отдельном файле лежит. Думаю открою его блокнотом, может логику какую уловлю и подправлю под 3...N портов. Щазззз!!! Тогда и Model Wizard никому не нужен будет. Но используя визард тоже можно допустить какую-то тонкую ошибку, о чем и говорит DesNer. Везде же свои грабли, расположение которых необходимо знать, чтобы не наступить на них.



Юрий Владимирович! Что же вы молчите?

Вроде бы нет.

В смысле не молчите или что..?

Нет, в смысле не рапространяется. В лицензионном соглашении написано, что учебное заведение получает четко оговоренную конфигурацию без опций, которую может использовать только в учебном процессе.

Спасибо! В принципе, я так и думал, но были сомнения некоторые, т. к. модели при этом AWR может использовать в своих целях, а мало ли какая "бредовая" модель придумается жуткой коммерческой полезности!

To DesNer:
Модельку апробировал, нареканий нет. Респект и уважуха!!!

Нет, все именно так и есть, только для того, чтобы потом эти коды откомпилировать в dll, необходимы заголовочные файлы и дополнительные библиотеки. И без них никак - а это фактически исходные коды самой системы, поэтому они так ими дорожат и кому попало не раздают. Wizard, конечно, помогает сгенерировать предварительный вид с++ файла, но и там есть свои грабли. Пока освоил только простые линейные модели. Есть еще нелинейные, свои характеристики (Measurements) и, собственно, топологические ячейки. Вообще стоит задача разобраться в этом досконально. Так что если есть какие-то конкретные задачи, на примере которых можно было бы полностью освоить это технологию, прошу высказываться.

Я сторонник того, чтобы в каждой области работали профессионалы. А разработка библиотек моделей - это отдельная задача и заниматься ей должны квалифицированные специалисты, в том числе и программисты. Конечно, если надо что-то простенькое - можно и самому сделать, но для этого в AWR MWO есть средства и попроще, необязательно лезть в программирование. А вот разработка комплекта библиотек вместе с топологическими ячейками под определенный тех. процесс - совсем другая задача и подход здесь должен быть соответствующий.

С ADS я знаком поверхностно, но думаю, что там подход к созданию моделей абсолютно такой же. Только в бинарном виде модель обладает максимальным быстродействием. Поэтому компиляция в dll должна быть в любом случае.

Я вот думаю, наверное, много хороших людей тоже так подумали, а нельзя расшарить ли модел визард на фтп,для страждущих

Не думаю, что DesNer будет рисковать бизнесом из-за того, что кому-то из "хороших людей" захотелось халявы.

Нельзя расшарить. Ибо получено за немалые деньги и рисковать ими никто не собирается. Это все равно что купить себе Lexus и отдать его в автобусный парк - возить пассажиров . . По цене примерно тоже самое получается.

Действительно это так, проверил. Кроме пФ по умолчанию для емкостей, еще и ГГц на графиках, вместо МГц.

Если приходится моделировать усилитель мощности в области насыщения. Гармонический баланс (с настройками по умолчанию) расходится:
...
8:24:51 ANGELOV2.AF1 : Failed convergence detected at node 2 (harmonic 0) in component RES~5
Simulation - NLN:Circuit1.$FDOC
8:25:20 Step size for source stepping has decreased below a minimum allowed value
8:25:16 Step size for source stepping has decreased below a minimum allowed value while solving at Pwr=28 dBm, Freq=... GHz
...
Что посоветуете подкрутить в настройках?

Если мнне не изменяет память, у метода гармонического баланса плохая сходимость в режиме с малой нелинейностью. Именно поэтому AWR долго изобретала модели на основе рядов Вольтерра.

Почитайте статейку

http://www.eurointech.ru/products/AWR/VoltaireSeries.pdf

И вообще статьи и книги Стивена Мааса здесь

http://www.eurointech.ru/index.sema?a=pages&id=83

и на местном фтп.

Помогите пожалуйста разобраться:
При попытке в AWR 7.01 провести анализ схемы с измерением сигнала во времени Nonlinear/Voltage/Vtime выдается сообщение:
"Specified tones must be contiguous starting from one"
Поделитесь опытом: как выполнить это условие?
В настройках Options/Default circuit options на вкладке Harmonic balance настройка Tone должна быть произведена определенным образом?
Собсвтенно схема:

В режиме насыщения у него сильная нелинейность. Ряды Вольтерра здесь не идут.
Неужели здесь нет знатоков реализации метода гармонического баланса в MWO?
Мне казалось, что если правильно подкрутить настройки, то можно заставить его сходиться пусть ценой большего времени счета.

А можно на проект взглянуть? Иногда бывает, что из-за ошибок в схеме гармонический баланс перестает сходиться и хоть заподкручивайся - результата ноль.


Проект в студию, по картинке много не насоветуешь

Добрый день!
Думаю довольно простая задача: как в MWO получить (вывести на график) коэффициенты разложения в ряд ВАХ диода в зависимости от приложенного напряжения. Другими словами необходимо вывести на график соответствующие производные ВАХ (dI(U)/dU, d^2I(U)/dU^2, d^3I(U)/dU^3)???????

А MWO может ВАХ выводить? Просто не занимался никогда этим. Если может, то в Output Equation назначьте каким-либо переменным измерение ВАХ и возьмите от них производную необходимое число раз встроенной функцией der(x, y).

это я пробовал, в качестве x (в der(x,y)) можно задать I(U), но как задать в "Output Equation" свипируемое напряжение U ???

А Вы "ручками" ВАХ вбиваете? Тогда вектором задать U, можно из текстового файла даже.

Доброго времени!
Вопрос про VIA (AWR 2008 v8.0.4222.1). На вкладке Elements есть Interconnects; там есть VIA (Cylindrical Via (Closed Form)). Почему я не вижу здесь VIAM (Single Via in Multilayer Board) и VIAD (Differential Vias in Multilayer Board), описанные в HELP. Кроме этих элементов нет еще BGA (Three-Layer Model of Ball Grid Array). Где их можно найти? Подскажите, пожалуйста, кто знает.

PRE_RELEASE ---- Interconnects там лежат

Премного благодарю!

Здравствуйте! Столкнулся со следующей проблемой. Не могу найти S-параметров на транзисторы MRF6V10010NR4 и MRF6V14300HR3. А работать надо Слышал, что нелинейные модели многих транзисторов лежат на сайте AWR и доступны авторизованным пользователям МВО... Развейте мрак моего невежества, разъясните в каком формате (XML?) все это существует и как цеплять к МВО? В папке D:\Program Files\AWR\AWR2007\models вижу модели какие-то в том числе и транзисторов. Как воспользоваться? В хелпе не могу найти...
В общем если можно, выложите МВО-шную библиотеку фрискейловских транзисторов или, если есть, S-параметры на MRF6V10010NR4 и MRF6V14300HR3.
С уважением.

В МВО библиотеки компонент находятся в окне просмотра элементов (панели "Project/Elements/Layout" она находится слева выбираете "Elements") в разделе "Circuits elements" выбираете "Libraries". Если там видете "AWR web site" , то находите файл lib.xml в папке Library (Program files/AWR/AWR*.*.*/) и открываете его любым текстовым редактором и меняете строчку <FILE Name="* AWR web site">http://www.awrcorp.com/weblibs/8_0/top_v8.xml</FILE> на <FILE Name="Vendor Local">С:\"полный путь где находятся Ваши элементы"\xml_local\top_v8_local.xml</FILE>. Это если Вы установили библиотеки предоставленные AWR.
Среди библиотек предоставленных AWR я S-параметры для Ваших транзисторов не нашел. Скорей всего их нужно будет искать на сайте Freescale. Обычно это файлы с расширением s2p (s4p, s6p, s8p). Их (эти файлы) можно добавить следующим путем:
На папке "DATA" (панели "Project/Elements/Layout" выбираете "Project") кликаете правой кнопкой мыши. Выбираете "Import data file". Указваете путь к своему файлу *.s2p. Далее в меню (сверху) выбираете "Draw" "Add Subcircuit" и в нем выбираете свой элемент.
ПРошу прощения если не совсем доходчиво объяснил.

Позволю себе немного поправить Вас, дабы не ввести в заблуждение вопрошающего: с Layout Вы это зря. Это совсем другая закладка. Просто закладки Project и Elements в окне слева.

Спасибо за ответы. Как подключить xml-библиотеку я разобрался. К сожалению на сайте производителя транзисторов нет раздела с S-параметрами. Туда я в первую очередь полез их искать...
Только я не совсем понял, на сайте AWR библиотеки конкретных транзисторов представлены только С-параматрами или есть еще и в виде математических моделей? Есть там в МВО модели транзисторов с кучей табличных параметров, которые не понятно откуда брать... Существуют эти модели для реальных транзисторов?

Как правило, для нелинейных моделей производители используют как раз те встроенные модели, которые есть в МВО (TOM, MATRK, ANGELOV и т.д.) с соответствующими параметрами. Необходимо просто знать все эти параметры, иногда они приводятся в даташитах.С сайта AWR эти параметры как раз и стягиваются. Есть не для всех транзисторов, надо смотреть. Существует, конечно, возможность реализовать и свою собственную модель под свои задачи - но это уже совсем другая история.

Слышал, что при согласовании в диапазоне до 1 ГГц на сосредоточенных элементах полоса согласования получается шире нежели чем на отрезками линий передач. Верно ли это ?

Из топика, для порядка!!!

Есть кнопочки для перехода рисования по слоям (см. рисунок). Правда с топологией давно не возился (с версии 5.52), сейчас не могу сказать как назначить несколько слоев (знаю только, как EMSight, а здесь по другому).

Данные стрелочки предназначены для редактирования подсхем и/или корпусов (cell)
к слоям не имеют отношения

по поводу все писать в одной ТЕМЕ по MWO (аналогично HFSS, CST) считаю не правильным, т.к. найти нужную информацию еще более затруднительно, чем в отдельных темах. Предлагаю создать отдельные подфорумы для каждого пакета (MWO, HFSS, CST, ADS), на подобие как это сделано для микроконтроллеров (подфорум AVR, ARM, MSP). Данная фраза относится к админам и модераторам форума.

В МВО есть мануал MULTI-LAYER BOARD LAYOUT SIMPLIFICATION TECHNIQUES (PCB design), может он подойдет?

Доброго времени суток! Кто-нибудь занимался моделированием в MWO систем на кристалле, например ГУН с буферным усилителем на одном кристалле размером 1х1 мм (или что-нибудь в этом роде)? Хотел бы пообщаться на эту тему.